JPH0451408Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0451408Y2 JPH0451408Y2 JP13974386U JP13974386U JPH0451408Y2 JP H0451408 Y2 JPH0451408 Y2 JP H0451408Y2 JP 13974386 U JP13974386 U JP 13974386U JP 13974386 U JP13974386 U JP 13974386U JP H0451408 Y2 JPH0451408 Y2 JP H0451408Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ring
- anode
- tuner
- ceramic
- magnetron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案はマグネトロンに関するものであり、特
にマグネトロンの周波数可変機構に関するもので
ある。
にマグネトロンの周波数可変機構に関するもので
ある。
マグネトロンの陽極円筒と陽極ベインに囲まれ
た空間は共振空胴（第３図ａ）を形成し、ベイン
の先端部は隣り合つた陽極ベインの先端部と電気
的に結合してそこにキヤパシタンスを持ち、ベイ
ンの陽極円筒側の空間部は隣り合つた空間部と磁
気的な結合をしてインダクタンスを持つ。これを
等価的に示すと第３図ｂのようになる。すなわち
共振周波数は ＝2π１／√LC により決定されるから、マグネトロンの陽極ベイ
ン近傍に生じる電解あるいは陽極ベインの陽極円
筒側の空間部に生じる磁界を変化させると、キヤ
パシタンスあるいはインダクタンスが変化し共振
周波数を可変することができる。本考案の適用さ
れる“クツキーカツターチユーニング方式は、共
振回路のキヤパシタンスを可変するものであり、
陽極ベインの上部あるいは上下部に溝が設けられ
その溝部に陽極ベインを１つおきに接続し、モー
ド分離を行う２本の環状のストラツプリングを有
している。従来の技術では２本のストラツプリン
グの間隙に金属製チユーナリングを挿入すること
によりキヤパシタンスを変化させ、共振周波数を
変化させている。（第４図参照） 〔考案が解決しようとする問題点〕 上述した従来の“クツキーカツターチユーニン
グ”方式の周波数可変機構に用いられるのは金属
製チユーナリングでありこれが２本のストラツブ
リングの間隙に挿入される。マグネトロンは動作
時に陰極に高電圧が印加され陽極に高周波電界が
生じる。ここで特に出力の大きいマグネトロンの
ように陽極に生じる高周波電界が強かつたりある
いは発振周波数の高いマグネトロンのように共振
空胴が小さく従つて２本のストラツプリングの間
隙が非常に狭いものであつたりすると、周波数可
変のための金属製チユーナリングとストラツプリ
ングの間で放電をおこし、マグネトロンの機能を
損ねてしまうという欠点があつた。
た空間は共振空胴（第３図ａ）を形成し、ベイン
の先端部は隣り合つた陽極ベインの先端部と電気
的に結合してそこにキヤパシタンスを持ち、ベイ
ンの陽極円筒側の空間部は隣り合つた空間部と磁
気的な結合をしてインダクタンスを持つ。これを
等価的に示すと第３図ｂのようになる。すなわち
共振周波数は ＝2π１／√LC により決定されるから、マグネトロンの陽極ベイ
ン近傍に生じる電解あるいは陽極ベインの陽極円
筒側の空間部に生じる磁界を変化させると、キヤ
パシタンスあるいはインダクタンスが変化し共振
周波数を可変することができる。本考案の適用さ
れる“クツキーカツターチユーニング方式は、共
振回路のキヤパシタンスを可変するものであり、
陽極ベインの上部あるいは上下部に溝が設けられ
その溝部に陽極ベインを１つおきに接続し、モー
ド分離を行う２本の環状のストラツプリングを有
している。従来の技術では２本のストラツプリン
グの間隙に金属製チユーナリングを挿入すること
によりキヤパシタンスを変化させ、共振周波数を
変化させている。（第４図参照） 〔考案が解決しようとする問題点〕 上述した従来の“クツキーカツターチユーニン
グ”方式の周波数可変機構に用いられるのは金属
製チユーナリングでありこれが２本のストラツブ
リングの間隙に挿入される。マグネトロンは動作
時に陰極に高電圧が印加され陽極に高周波電界が
生じる。ここで特に出力の大きいマグネトロンの
ように陽極に生じる高周波電界が強かつたりある
いは発振周波数の高いマグネトロンのように共振
空胴が小さく従つて２本のストラツプリングの間
隙が非常に狭いものであつたりすると、周波数可
変のための金属製チユーナリングとストラツプリ
ングの間で放電をおこし、マグネトロンの機能を
損ねてしまうという欠点があつた。
本考案による“クツキーカツターチユーニン
グ”方式の周波数可変機構は、セラミツク等の誘
電体製のチユーナリングあるいは金属円筒にセラ
ミツク等の誘電体をコーテイングしたチユーナリ
ングを有している。
グ”方式の周波数可変機構は、セラミツク等の誘
電体製のチユーナリングあるいは金属円筒にセラ
ミツク等の誘電体をコーテイングしたチユーナリ
ングを有している。
すなわち上述した従来の“クツキーカツターチ
ユーニング”方式の周波数可変機構に金属製チユ
ーナリングが用いられているのに対し、本考案
は、金属製チユーナリングのかわりにセラミツク
等の誘電体製のチユーナリングあるいは金属性円
筒にセラミツク等の誘電体をコーテイングしたチ
ユーナリングを使用するという独創的内容を有す
る。
ユーニング”方式の周波数可変機構に金属製チユ
ーナリングが用いられているのに対し、本考案
は、金属製チユーナリングのかわりにセラミツク
等の誘電体製のチユーナリングあるいは金属性円
筒にセラミツク等の誘電体をコーテイングしたチ
ユーナリングを使用するという独創的内容を有す
る。
次に本考案について図を参照して説明する。
第１図は本考案の一実施例の縦断面図である。
１は陽極円筒、２は陽極ベイン、３はストラツプ
リング、４はセラミツク等の誘電体製チユーナリ
ングである。“クツキーカツターチユーニング”
方式のマグネトロンは２本のストラツプリングの
間に金属製チユーナリングを挿入することによつ
共振空間のキヤパシタンスを変化させ共振周波数
を変化させる。本考案では、この金属製チユーナ
リングのかわりにセラミツク等の誘電体製チユー
ナリングを用いているためストラツプリングとセ
ラミツク等の誘電体製チユーナリングの間で放電
がおこることはない。
１は陽極円筒、２は陽極ベイン、３はストラツプ
リング、４はセラミツク等の誘電体製チユーナリ
ングである。“クツキーカツターチユーニング”
方式のマグネトロンは２本のストラツプリングの
間に金属製チユーナリングを挿入することによつ
共振空間のキヤパシタンスを変化させ共振周波数
を変化させる。本考案では、この金属製チユーナ
リングのかわりにセラミツク等の誘電体製チユー
ナリングを用いているためストラツプリングとセ
ラミツク等の誘電体製チユーナリングの間で放電
がおこることはない。
〔実施例 ２〕
第２図は本考案の実施例２の周波数可変機構の
縦断面図である。５は金属製円筒６はセラミツク
等の誘電体のコーテイング層である。この実施例
では金属製の円筒をセラミツク等の誘電体でコー
テイングすることによりチユーナリングの基体が
金属であつてもセラミツク等の誘電体の絶縁層に
よつてチユーナリングとストラツプリングとの間
の放電を防止できるという利点がある。
縦断面図である。５は金属製円筒６はセラミツク
等の誘電体のコーテイング層である。この実施例
では金属製の円筒をセラミツク等の誘電体でコー
テイングすることによりチユーナリングの基体が
金属であつてもセラミツク等の誘電体の絶縁層に
よつてチユーナリングとストラツプリングとの間
の放電を防止できるという利点がある。
以上説明したように本考案は“クツキーカツタ
ーチユーニング”方式のマグネトロンの周波数可
変機構にセラミツク等の誘電体製チユーナリング
や、金属製円筒にセラミツク等の誘電体をコーテ
イングしたチユーナリングを使用することにより
高出力のマグネトロンや発振周波数の高いマグネ
トロンにおいてもチユーナリングとストラツプリ
ングとの間の放電を防止することができ安定した
周波数可変機構を提供できる効果がある。
ーチユーニング”方式のマグネトロンの周波数可
変機構にセラミツク等の誘電体製チユーナリング
や、金属製円筒にセラミツク等の誘電体をコーテ
イングしたチユーナリングを使用することにより
高出力のマグネトロンや発振周波数の高いマグネ
トロンにおいてもチユーナリングとストラツプリ
ングとの間の放電を防止することができ安定した
周波数可変機構を提供できる効果がある。
第１図は本考案の一実施例を示す縦断面図であ
る。第２図は本考案の実施例−２の周波数可変機
構の縦断面図である。第３図ａ，ｂはマグネトロ
ンの共振空洞とその等価回路である。第４図は従
来の“クツキーカツターチユーニング”方式の一
例の縦断面図である。 １……陽極円筒、２……陽極ベイン、３……ス
トラツプリング、４……セラミツク等の誘電体製
チユーナリング、５……金属製円筒、６……セラ
ミツク等の誘電体のコーテイング層、７……金属
製チユーナリング。
る。第２図は本考案の実施例−２の周波数可変機
構の縦断面図である。第３図ａ，ｂはマグネトロ
ンの共振空洞とその等価回路である。第４図は従
来の“クツキーカツターチユーニング”方式の一
例の縦断面図である。 １……陽極円筒、２……陽極ベイン、３……ス
トラツプリング、４……セラミツク等の誘電体製
チユーナリング、５……金属製円筒、６……セラ
ミツク等の誘電体のコーテイング層、７……金属
製チユーナリング。
Claims (1)
- 陽極円筒とその陽極円筒の内面に放射状に配置
された複数個の陽極ベインと該陽極ベインの上部
もしくは上下部に設けられた溝部に設置され、前
記陽極ベインにひとつおきに接続された環状の２
本のストラツプリングを有し、該２本のストラツ
プリングの間隙に周波数を可変するためのチユー
ナリングを備えたマグネトロンにおいて、前記チ
ユーナリングがセラミツク等の誘電体製のチユー
ナリングあるいは金属にセラミツク等の誘電体の
コーテイングを施したチユーナリングであること
を特徴とするマグネトロンの周波数可変機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13974386U JPH0451408Y2 (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13974386U JPH0451408Y2 (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344359U JPS6344359U (ja) | 1988-03-25 |
| JPH0451408Y2 true JPH0451408Y2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=31045933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13974386U Expired JPH0451408Y2 (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0451408Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-09-10 JP JP13974386U patent/JPH0451408Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6344359U (ja) | 1988-03-25 |
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