JP2000201008A - マイクロストリップライン - Google Patents
マイクロストリップラインInfo
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- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロストリップラインに高周波電流を流
したときに生じる誘電体損を軽減し、共振素子としての
Ｑを大きくする。 【解決手段】 絶縁基板１の上面に設けられた帯状の導
体２からなり、導体２の長手方向の両側端２ａに沿って
絶縁基板１を切り欠いて形成した絶縁体欠如部３を設け
た。
したときに生じる誘電体損を軽減し、共振素子としての
Ｑを大きくする。 【解決手段】 絶縁基板１の上面に設けられた帯状の導
体２からなり、導体２の長手方向の両側端２ａに沿って
絶縁基板１を切り欠いて形成した絶縁体欠如部３を設け
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、電圧制御
発振器の共振素子等に用いられるマイクロストリップラ
インに関する。
発振器の共振素子等に用いられるマイクロストリップラ
インに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロストリップラインを図７
に従って説明する。マイクロストリップラインは、例え
ば、発振回路の共振素子に用いられ、絶縁基板２１の上
面に設けられた帯状の導体２２からなっている。そし
て、導体２２の一端２２ａは開放または短絡され、他端
２２ｂは発振回路（図示せず）に接続されるようになっ
ている。
に従って説明する。マイクロストリップラインは、例え
ば、発振回路の共振素子に用いられ、絶縁基板２１の上
面に設けられた帯状の導体２２からなっている。そし
て、導体２２の一端２２ａは開放または短絡され、他端
２２ｂは発振回路（図示せず）に接続されるようになっ
ている。
【０００３】ここで、導体２２の線路上には電圧電流定
在波が発生する。そして、電流定在波の位相と電圧定在
波の位相とが互いにπ／４だけずれているので、電圧定
在波の波節点において電流定在波が波腹点、つまり電流
密度が最大の点となり、電圧定在波の波腹点において電
流定在波が波節点となる。
在波が発生する。そして、電流定在波の位相と電圧定在
波の位相とが互いにπ／４だけずれているので、電圧定
在波の波節点において電流定在波が波腹点、つまり電流
密度が最大の点となり、電圧定在波の波腹点において電
流定在波が波節点となる。
【０００４】また、波節点と波腹点との間では電圧定在
波と電流定在波との位相関係によって、誘電性あるいは
容量性となり、マイクロストリップラインを共振素子と
して使用している。
波と電流定在波との位相関係によって、誘電性あるいは
容量性となり、マイクロストリップラインを共振素子と
して使用している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、導体２２に
高周波電流を流すと、表皮効果によって、高周波電流は
導体２２の表面層において最も高くなる。また、高周波
電流は導体２２に電流定在波となって流れるので、波腹
点において最も電流密度が高くなる。つまり、導体２２
の表面層であって電流定在波の波腹点において最も電流
密度が高くなる。
高周波電流を流すと、表皮効果によって、高周波電流は
導体２２の表面層において最も高くなる。また、高周波
電流は導体２２に電流定在波となって流れるので、波腹
点において最も電流密度が高くなる。つまり、導体２２
の表面層であって電流定在波の波腹点において最も電流
密度が高くなる。
【０００６】ここで、導体２２に流れる高周波電流は絶
縁基板２１による誘電体損によってその流れが妨げら
れ、特に、電流密度の高い波腹点において最も誘電体損
の影響を受ける。このため、特に電流密度の高い波腹点
で最も高周波電流が流れにくくなり、その結果、共振素
子としてのＱが大きく取れないという問題があった。
縁基板２１による誘電体損によってその流れが妨げら
れ、特に、電流密度の高い波腹点において最も誘電体損
の影響を受ける。このため、特に電流密度の高い波腹点
で最も高周波電流が流れにくくなり、その結果、共振素
子としてのＱが大きく取れないという問題があった。
【０００７】本発明は、この問題を解決するためのもの
で、その目的は、マイクロストリップラインに高周波電
流を流したときに生じる誘電体損を軽減し、共振素子と
してのＱを大きくすることにある。
で、その目的は、マイクロストリップラインに高周波電
流を流したときに生じる誘電体損を軽減し、共振素子と
してのＱを大きくすることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
の第一の解決手段として、絶縁基板の上面に設けられた
帯状の導体からなり、導体の長手方向の両側端に沿って
絶縁基板を切り欠いて形成した絶縁体欠如部を設けた構
成とした。
の第一の解決手段として、絶縁基板の上面に設けられた
帯状の導体からなり、導体の長手方向の両側端に沿って
絶縁基板を切り欠いて形成した絶縁体欠如部を設けた構
成とした。
【０００９】また、第二の解決手段として、絶縁体欠如
部を、導体に発生する電流定在波の波腹点の近傍に形成
した構成とした。
部を、導体に発生する電流定在波の波腹点の近傍に形成
した構成とした。
【００１０】また、第三の解決手段として、縁体欠如部
の長手方向の長さを電流定在波の波長における波腹点と
波節点との間の長さの１／２とした構成とした。
の長手方向の長さを電流定在波の波長における波腹点と
波節点との間の長さの１／２とした構成とした。
【００１１】また、第四の解決手段として、絶縁体欠如
部を溝で構成し、溝の深さを絶縁体欠如部の幅とほぼ同
じ又はそれ以上にした構成とした。
部を溝で構成し、溝の深さを絶縁体欠如部の幅とほぼ同
じ又はそれ以上にした構成とした。
【００１２】また、第五の解決手段として、絶縁体欠如
部を、前記絶縁体を貫通する孔にした構成とした。
部を、前記絶縁体を貫通する孔にした構成とした。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明のマイクロストリップライ
ンを図１乃至図６に従って説明する。ここで、図１は本
発明の第一の実施例の上面図を示し、図２は同じく第二
の実施例の上面図を示し、図３は同じく第三の実施例を
示し、図４は同じく第四の実施例を示し、図５は図１乃
至図４の５−５部における断面図を示し、図６は図１乃
至図４の他の要部断面図を示している。
ンを図１乃至図６に従って説明する。ここで、図１は本
発明の第一の実施例の上面図を示し、図２は同じく第二
の実施例の上面図を示し、図３は同じく第三の実施例を
示し、図４は同じく第四の実施例を示し、図５は図１乃
至図４の５−５部における断面図を示し、図６は図１乃
至図４の他の要部断面図を示している。
【００１４】まず、図１乃至図４において、本発明のマ
イクロストリップラインは、下面に接地導体１ａ（図
５、図６参照）を有する絶縁基板１の上面に設けられた
帯状の導体２からなっている。そして、導体２の長手方
向の両側端２ａの全体又は一部分に沿って絶縁基板１を
切り欠いて形成した絶縁体欠如部３が形成されている。
そして、導体２は、その一端２ｂが開放または短絡さ
れ、他端２ｃが図示しない発振回路に接続されている。
イクロストリップラインは、下面に接地導体１ａ（図
５、図６参照）を有する絶縁基板１の上面に設けられた
帯状の導体２からなっている。そして、導体２の長手方
向の両側端２ａの全体又は一部分に沿って絶縁基板１を
切り欠いて形成した絶縁体欠如部３が形成されている。
そして、導体２は、その一端２ｂが開放または短絡さ
れ、他端２ｃが図示しない発振回路に接続されている。
【００１５】ここで、導体２に高周波電流が流れると、
導体２の周りには電磁界が発生するが、導体２の両側端
２ａに沿って絶縁体欠如部３が設けられているので、そ
の部分の誘電体損が減少して電磁界が流れやすくなり、
この結果、導体２に流れる高周波電流が流れやすくなる
ので、共振素子としてのＱが大きくなる。
導体２の周りには電磁界が発生するが、導体２の両側端
２ａに沿って絶縁体欠如部３が設けられているので、そ
の部分の誘電体損が減少して電磁界が流れやすくなり、
この結果、導体２に流れる高周波電流が流れやすくなる
ので、共振素子としてのＱが大きくなる。
【００１６】ここで、導体２の線路上には、その長手方
向に従って電圧電流定在波が発生し、電流定在波の波腹
点で電流密度が最大となるので、上記の絶縁体欠如部３
は、この波腹点の近傍に設けても効果的である。例え
ば、図１に示すように、導体２の長さＬ１が電流定在波
の波長λの１／２（半波長）で両端が開放されている場
合には、導体２の中央部２ｄが電流定在波の波腹点とな
るので、この中央部２ｄの近傍に絶縁体欠如部３を設け
れば効果を得ることができる。この場合、図２に示すよ
うに、絶縁体欠如部３の長手方向の長さＬ２は、上述の
ように導体２の中央部２ｄが電流定在波の波腹点なの
で、導体２の中央部２ｄと導体２の一端２ｂとの間の長
さのほぼ１／２及び導体２の中央部２ｄと導体２の他端
２ｃとの間の長さのほぼ１／２に形成する。つまり、絶
縁体欠如部３の長手方向の長さＬ２を導体２の長手方向
の長さＬ１の１／２のほぼ半分の長さに形成することに
よって、最大電流密度の約５０％の範囲をカバーするの
で、より効果を得ることができる。
向に従って電圧電流定在波が発生し、電流定在波の波腹
点で電流密度が最大となるので、上記の絶縁体欠如部３
は、この波腹点の近傍に設けても効果的である。例え
ば、図１に示すように、導体２の長さＬ１が電流定在波
の波長λの１／２（半波長）で両端が開放されている場
合には、導体２の中央部２ｄが電流定在波の波腹点とな
るので、この中央部２ｄの近傍に絶縁体欠如部３を設け
れば効果を得ることができる。この場合、図２に示すよ
うに、絶縁体欠如部３の長手方向の長さＬ２は、上述の
ように導体２の中央部２ｄが電流定在波の波腹点なの
で、導体２の中央部２ｄと導体２の一端２ｂとの間の長
さのほぼ１／２及び導体２の中央部２ｄと導体２の他端
２ｃとの間の長さのほぼ１／２に形成する。つまり、絶
縁体欠如部３の長手方向の長さＬ２を導体２の長手方向
の長さＬ１の１／２のほぼ半分の長さに形成することに
よって、最大電流密度の約５０％の範囲をカバーするの
で、より効果を得ることができる。
【００１７】また、例えば、図３に示すように、導体２
の長さＬ３が電流定在波の波長λの１／４で、導体２の
一端２ｂを開放した場合には電流定在波は導体２の一端
２ｂが電流定在波の波腹点となるので、この導体２の一
端２ｃの近傍に絶縁体欠如部３を設ければ効果を得るこ
とができる。この場合、図４に示すように、絶縁体欠如
部３の長手方向の長さＬ４を導体２の長手方向の長さＬ
３のほぼ１／２にすることによってより効果を得ること
ができる。なお、導体２の一端２ｂを短絡した場合に
は、電流定在波は導体２の他端２ｃが電流定在波の波腹
点となるので、この導体２の他端２ｃの近傍に、前述の
ように絶縁体欠如部３を形成することで、効果を得るこ
とができる。
の長さＬ３が電流定在波の波長λの１／４で、導体２の
一端２ｂを開放した場合には電流定在波は導体２の一端
２ｂが電流定在波の波腹点となるので、この導体２の一
端２ｃの近傍に絶縁体欠如部３を設ければ効果を得るこ
とができる。この場合、図４に示すように、絶縁体欠如
部３の長手方向の長さＬ４を導体２の長手方向の長さＬ
３のほぼ１／２にすることによってより効果を得ること
ができる。なお、導体２の一端２ｂを短絡した場合に
は、電流定在波は導体２の他端２ｃが電流定在波の波腹
点となるので、この導体２の他端２ｃの近傍に、前述の
ように絶縁体欠如部３を形成することで、効果を得るこ
とができる。
【００１８】そして、絶縁体欠如部３は、図５に示すよ
うな底部３ａを備えた穴を形成している。そして、絶縁
体欠如部３の深さＤは、絶縁体欠如部３の幅Ｗ以上の長
さにするのが望ましい。このように、絶縁体欠如部３の
深さＤを設定することで、導体２に高周波電流が流れた
ときに生じる電磁界による誘電体損を減らすようになっ
ている。なお、絶縁体欠如部３は上述のような深さＤを
有する穴で形成したが、図６に示すように底部３ａを有
さない貫通孔で形成しても良く、この場合においてはよ
り大きな効果を得ることができる。
うな底部３ａを備えた穴を形成している。そして、絶縁
体欠如部３の深さＤは、絶縁体欠如部３の幅Ｗ以上の長
さにするのが望ましい。このように、絶縁体欠如部３の
深さＤを設定することで、導体２に高周波電流が流れた
ときに生じる電磁界による誘電体損を減らすようになっ
ている。なお、絶縁体欠如部３は上述のような深さＤを
有する穴で形成したが、図６に示すように底部３ａを有
さない貫通孔で形成しても良く、この場合においてはよ
り大きな効果を得ることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明の第一の解決手段
として、絶縁基板の上面に設けられた帯状の導体からな
り、導体の長手方向の両側端に沿って絶縁基板を切り欠
いて形成した絶縁体欠如部を設けた構成としたことで、
電流密度が高い電流定在波の波腹点の近傍には、誘電体
損の原因となる絶縁基盤がないので、誘電体損が生じな
くなり、その結果、高周波電流が流れやすくなる。従っ
て、Ｑを大きく取ることができる。
として、絶縁基板の上面に設けられた帯状の導体からな
り、導体の長手方向の両側端に沿って絶縁基板を切り欠
いて形成した絶縁体欠如部を設けた構成としたことで、
電流密度が高い電流定在波の波腹点の近傍には、誘電体
損の原因となる絶縁基盤がないので、誘電体損が生じな
くなり、その結果、高周波電流が流れやすくなる。従っ
て、Ｑを大きく取ることができる。
【００２０】また、本発明の第二の解決手段として、絶
縁体欠如部を、導体に発生する電流定在波の波腹点の近
傍に形成した構成としたことで、電流密度が最も高い電
流定在波の波腹点の近傍に絶縁基板がないので、誘電体
損が生じなくなり、その結果、高周波電流が流れやすく
なる。従って、Ｑを大きく取ることができる。
縁体欠如部を、導体に発生する電流定在波の波腹点の近
傍に形成した構成としたことで、電流密度が最も高い電
流定在波の波腹点の近傍に絶縁基板がないので、誘電体
損が生じなくなり、その結果、高周波電流が流れやすく
なる。従って、Ｑを大きく取ることができる。
【００２１】また、本発明の第三の解決手段として、縁
体欠如部の長手方向の長さを電流定在波の波長における
波腹点と波節点との間の長さの１／２とした構成とした
ことで、電流密度が高い電流定在波の波腹点の近傍に
は、誘電体損の原因となる絶縁基盤がないので、誘電体
損が生じなくなり、その結果、高周波電流が流れやすく
なる。従って、Ｑを大きく取ることができる。
体欠如部の長手方向の長さを電流定在波の波長における
波腹点と波節点との間の長さの１／２とした構成とした
ことで、電流密度が高い電流定在波の波腹点の近傍に
は、誘電体損の原因となる絶縁基盤がないので、誘電体
損が生じなくなり、その結果、高周波電流が流れやすく
なる。従って、Ｑを大きく取ることができる。
【００２２】また、本発明の第四の解決手段として、絶
縁体欠如部を溝で構成し、溝の深さを絶縁体欠如部の幅
とほぼ同じ又はそれ以上にした構成としたことで、最大
電流密度の約５０％の範囲をカバーするので、より高周
波電流が流れやすくなる。
縁体欠如部を溝で構成し、溝の深さを絶縁体欠如部の幅
とほぼ同じ又はそれ以上にした構成としたことで、最大
電流密度の約５０％の範囲をカバーするので、より高周
波電流が流れやすくなる。
【００２３】また、本発明の第五の解決手段として、絶
縁体欠如部を、前記絶縁体を貫通する孔にした構成とし
たことで、より大きく誘電体損を減衰することができる
ので、高周波電流が流れやすくなる。
縁体欠如部を、前記絶縁体を貫通する孔にした構成とし
たことで、より大きく誘電体損を減衰することができる
ので、高周波電流が流れやすくなる。
【図１】本発明のマイクロストリップラインの第一の実
施例の上面図である。
施例の上面図である。
【図２】本発明のマイクロストリップラインの第二の実
施例の上面図である。
施例の上面図である。
【図３】本発明のマイクロストリップラインの第三の実
施例の上面図である。
施例の上面図である。
【図４】本発明のマイクロストリップラインの第四の実
施例の上面図である。
施例の上面図である。
【図５】本発明の図１乃至図４の５−５部における要部
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明の図１乃至図４の他の要部断面図であ
る。
る。
【図７】従来のマイクロストリップラインの上面図であ
る。
る。
１ 絶縁基板 ２ 導体 ２ａ 導体の長手方向の両側端 ２ｂ 導体の一端 ２ｃ 導体の他端 ２ｄ 導体の長手方向であって導体の一端からλ／４の
位置 ３ 絶縁体欠如部 ３ａ 底部
位置 ３ 絶縁体欠如部 ３ａ 底部
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁基板の上面に設けられた帯状の導体
からなり、前記導体の長手方向の両側端に沿って前記絶
縁基板を切り欠いて形成した絶縁体欠如部を設けたこと
を特徴とするマイクロストリップライン。 - 【請求項２】 前記絶縁体欠如部を、前記導体に発生す
る電流定在波の波腹点の近傍に形成したことを特徴とす
る請求項１記載のマイクロストリップライン。 - 【請求項３】 前記絶縁体欠如部の長手方向の長さを前
記電流定在波の波長における波腹点と波節点との間の長
さの１／２としたことを特徴とする請求項１または請求
項２記載のマイクロストリップライン。 - 【請求項４】 前記絶縁体欠如部を溝で構成し、前記溝
の深さを前記絶縁体欠如部の幅とほぼ同じ又はそれ以上
にしたことを特徴とする請求項１乃至請求項３記載のマ
イクロストリップライン。 - 【請求項５】 前記絶縁体欠如部を、前記絶縁体を貫通
する孔にしたことを特徴とする請求項１乃至請求項３記
載のマイクロストリップライン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000548A JP2000201008A (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | マイクロストリップライン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000548A JP2000201008A (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | マイクロストリップライン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000201008A true JP2000201008A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11476790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11000548A Withdrawn JP2000201008A (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | マイクロストリップライン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000201008A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12272856B2 (en) | 2020-05-12 | 2025-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-layer signal transmission line including a void of specified dimensions and method for manufacture |
-
1999
- 1999-01-05 JP JP11000548A patent/JP2000201008A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12272856B2 (en) | 2020-05-12 | 2025-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-layer signal transmission line including a void of specified dimensions and method for manufacture |
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|---|---|---|---|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A761 | Written withdrawal of application |
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