JPH0451413Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0451413Y2 JPH0451413Y2 JP8550085U JP8550085U JPH0451413Y2 JP H0451413 Y2 JPH0451413 Y2 JP H0451413Y2 JP 8550085 U JP8550085 U JP 8550085U JP 8550085 U JP8550085 U JP 8550085U JP H0451413 Y2 JPH0451413 Y2 JP H0451413Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- film
- photoconductive film
- face plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は撮像管に関する。
本考案は、フエースプレート上の透明導電膜に
低電位が与えられると共にメツシュ状電極に高電
位が与えられる撮像管において、透明導電膜の全
てを覆うように光導電膜をフエースプレート上に
形成することにより、透明導電膜と光導電膜との
間で放電が生じるのを防止するものである。
低電位が与えられると共にメツシュ状電極に高電
位が与えられる撮像管において、透明導電膜の全
てを覆うように光導電膜をフエースプレート上に
形成することにより、透明導電膜と光導電膜との
間で放電が生じるのを防止するものである。
第５図は撮像管のターゲツト面近傍の構成図で
ある。
ある。
同図において、１はガラスバルブ、２はフエー
スプレート、３は透明導電膜、４は光導電膜、５
は冷封止用のインジウム、６は金属リングであ
る。
スプレート、３は透明導電膜、４は光導電膜、５
は冷封止用のインジウム、６は金属リングであ
る。
この場合、第６図に示すように、光導電膜４の
径r1は、透明導電膜３の径r2より小とされる。
径r1は、透明導電膜３の径r2より小とされる。
1/2インチ管の場合、例えばr2＝11.0mm、r1＝
10.7mmとされる。尚、第６図において、７はイン
ジウム５によるシール面、８は電子ビームの走査
領域を示している。
10.7mmとされる。尚、第６図において、７はイン
ジウム５によるシール面、８は電子ビームの走査
領域を示している。
第５図に戻り、９はフエースプレート２を貫通
して透明導電膜３に接続されている信号取出用の
電極である。透明導電膜３には電極９を通じ、バ
イアス電圧として例えば＋50vが印加されてい
る。
して透明導電膜３に接続されている信号取出用の
電極である。透明導電膜３には電極９を通じ、バ
イアス電圧として例えば＋50vが印加されてい
る。
また、１０はメツシユ状電極であり、メツシユ
ホルダー１１に取付けられる。この電極１０には
金属リング６、インジウム５を通じて所定電圧、
例えば＋800vが印加されている。
ホルダー１１に取付けられる。この電極１０には
金属リング６、インジウム５を通じて所定電圧、
例えば＋800vが印加されている。
この第５図例の撮像管では、透明導電膜３が光
導電膜４より一部露出する。一方、第５図例の撮
像管では、電子ビームの走査領域８以外の光導電
膜４の表面電位が、２次電子等の影響によつてメ
ツシユ状電極１０の印加電圧近く（≒＋800v）
まで上がり、透明導電膜３との間に大きな電位差
（≒750v）を生じる（第７図参照）。したがつて、
露出した透明導電膜３と表面電位の上つた光導電
膜４との境界付近（第７図において破線丸印で図
示）で放電が発生する。
導電膜４より一部露出する。一方、第５図例の撮
像管では、電子ビームの走査領域８以外の光導電
膜４の表面電位が、２次電子等の影響によつてメ
ツシユ状電極１０の印加電圧近く（≒＋800v）
まで上がり、透明導電膜３との間に大きな電位差
（≒750v）を生じる（第７図参照）。したがつて、
露出した透明導電膜３と表面電位の上つた光導電
膜４との境界付近（第７図において破線丸印で図
示）で放電が発生する。
この放電は光導電膜４の方向に発生し、これに
よつて光導電膜４が剥がれ、光導電膜４中の点
傷、いわゆる白傷や光導電膜４上の点傷、いわゆ
る黒傷等の画像欠陥を生じる問題があつた。
よつて光導電膜４が剥がれ、光導電膜４中の点
傷、いわゆる白傷や光導電膜４上の点傷、いわゆ
る黒傷等の画像欠陥を生じる問題があつた。
尚、この放電現象は、メツシユ状電極１０の印
加電圧が高くなる程、また２次電子が発生し易い
光導電膜４を使用する程顕著になる傾向にある。
加電圧が高くなる程、また２次電子が発生し易い
光導電膜４を使用する程顕著になる傾向にある。
本考案は斯る点に鑑み、放電を良好に防止し得
るようにするものである。
るようにするものである。
本考案は上述問題点を解決するため、透明導電
膜３の全てを覆うように光導電膜４をフエースプ
レート２上に形成するものである。
膜３の全てを覆うように光導電膜４をフエースプ
レート２上に形成するものである。
以上の構成においては、透明導電膜３が高抵抗
の光導電膜４に全て覆われて露出しない。そのた
め、走査領域８以外の光導電膜４の表面電位が大
幅に上がつたとしても、透明導電膜３との間での
放電は生じない。
の光導電膜４に全て覆われて露出しない。そのた
め、走査領域８以外の光導電膜４の表面電位が大
幅に上がつたとしても、透明導電膜３との間での
放電は生じない。
以下、第１図を参照しながら本考案の一実施例
について説明しよう。この第１図において、第５
図と対応する部分には同一符号を付し、その詳細
説明は省略する。
について説明しよう。この第１図において、第５
図と対応する部分には同一符号を付し、その詳細
説明は省略する。
本例においては、第５図例と異なり、光導電膜
４は、透明導電膜３の全てを覆うようにフエース
プレート２上に形成される。即ち、第２図に示す
ように、光導電膜４の径r1は、透明導電膜３の径
r2より大とされる。1/2インチ管の場合、例えば、
r2＝10.2mm、r1＝10.7mmとされる。
４は、透明導電膜３の全てを覆うようにフエース
プレート２上に形成される。即ち、第２図に示す
ように、光導電膜４の径r1は、透明導電膜３の径
r2より大とされる。1/2インチ管の場合、例えば、
r2＝10.2mm、r1＝10.7mmとされる。
光導電膜４は、第３図に示すように、透明導電
膜３の被着されたフエースプレート２を基板ホル
ダー１２に固定した後、蒸着で形成される。この
場合、上述したように、光導電膜４の径r1が透明
導電膜３の径r2より大きくなり、しかも、光導電
膜４の径r1がインジウムシール面７（第２図参
照）に達しないように、公差を考慮した形状のホ
ルダー１２を使用する必要がある。
膜３の被着されたフエースプレート２を基板ホル
ダー１２に固定した後、蒸着で形成される。この
場合、上述したように、光導電膜４の径r1が透明
導電膜３の径r2より大きくなり、しかも、光導電
膜４の径r1がインジウムシール面７（第２図参
照）に達しないように、公差を考慮した形状のホ
ルダー１２を使用する必要がある。
本例は以上のように構成され、その他は第５図
例と同様である。
例と同様である。
本例は以上のように構成されるので、透明導電
膜３が高抵抗の光導電膜４に全て覆われて露出し
ない。そのため、走査領域８以外の光導電膜４の
表面電位が、２次電子等の影響によつてメツシユ
状電極１０の印加電圧近く（≒＋800v）まで上
つたとしても、透明導電膜３との間での放電は生
じない（第４図参照）。
膜３が高抵抗の光導電膜４に全て覆われて露出し
ない。そのため、走査領域８以外の光導電膜４の
表面電位が、２次電子等の影響によつてメツシユ
状電極１０の印加電圧近く（≒＋800v）まで上
つたとしても、透明導電膜３との間での放電は生
じない（第４図参照）。
このように本例によれば、放電が良好に防止さ
れるので、この放電に起因する、いわゆる白傷や
黒傷等の画像欠陥が生じない。これにより歩留が
向上し、コストダウンの実現が図られる。また、
本例によれば、メツシユ状電極１０の印加電圧に
拘らず放電が良好に防止されるので、その印加電
圧が高いものに有効である。即ち、メツシユ状電
極１０の印加電圧を高くすることができ、収差、
変調度が改善され、色ムラが改善され、高品質の
安定した画像を得ることができる。また、同様の
理由からメツシユ状電極１０の印加電圧の選択余
裕度が増し、設計の信頼性が向上する。
れるので、この放電に起因する、いわゆる白傷や
黒傷等の画像欠陥が生じない。これにより歩留が
向上し、コストダウンの実現が図られる。また、
本例によれば、メツシユ状電極１０の印加電圧に
拘らず放電が良好に防止されるので、その印加電
圧が高いものに有効である。即ち、メツシユ状電
極１０の印加電圧を高くすることができ、収差、
変調度が改善され、色ムラが改善され、高品質の
安定した画像を得ることができる。また、同様の
理由からメツシユ状電極１０の印加電圧の選択余
裕度が増し、設計の信頼性が向上する。
以上述べた本考案によれば、透明導電膜の全て
が高抵抗の光導電膜で覆われるので、放電が良好
に防止される。そして、これにより、いわゆる白
傷や黒傷等の画像欠陥が生じない、メツシユ状電
極の印加電圧の選択余裕度が増す、メツシユ状電
極の印加電圧を高くすることができる等の効果が
得られる。
が高抵抗の光導電膜で覆われるので、放電が良好
に防止される。そして、これにより、いわゆる白
傷や黒傷等の画像欠陥が生じない、メツシユ状電
極の印加電圧の選択余裕度が増す、メツシユ状電
極の印加電圧を高くすることができる等の効果が
得られる。
第１図は本考案の一実施例を示す要部断面図、
第２図〜第４図はその説明のための図、第５図は
撮像管の一例を示す要部断面図、第６図及び第７
図はその説明のための図である。 ２はフエースプレート、３は透明導電膜、４は
光導電膜、１０はメツシユ状電極である。
第２図〜第４図はその説明のための図、第５図は
撮像管の一例を示す要部断面図、第６図及び第７
図はその説明のための図である。 ２はフエースプレート、３は透明導電膜、４は
光導電膜、１０はメツシユ状電極である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 フエースプレート上の透明導電膜に低電位が与
えられ、この透明導電膜と対向して配されたメツ
シユ状電極に高電位が与えられる撮像管におい
て、 上記透明導電膜の全てを覆うように光導電膜を
上記フエースプレート上に形成したことを特徴と
する撮像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8550085U JPH0451413Y2 (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8550085U JPH0451413Y2 (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61201260U JPS61201260U (ja) | 1986-12-17 |
| JPH0451413Y2 true JPH0451413Y2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=30635956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8550085U Expired JPH0451413Y2 (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0451413Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-06-06 JP JP8550085U patent/JPH0451413Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61201260U (ja) | 1986-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0326493B2 (ja) | ||
| JPH0451413Y2 (ja) | ||
| US3857037A (en) | Color camera tube having color strip filter and an index electrode | |
| US2880342A (en) | Electron beam for a cathode ray tube | |
| US3026437A (en) | Electron discharge device | |
| JPH023262B2 (ja) | ||
| GB1066592A (en) | Image pickup tubes | |
| US2900569A (en) | Photoconductive type pickup tubes | |
| US4910429A (en) | Cathode ray tube which is small and uses a small amount of power | |
| US3253086A (en) | Light valve apparatus | |
| US4196369A (en) | Television camera tube with conductive or secondary emissive region between window seal and mesh | |
| US4271373A (en) | Cathode ray tube with inclined electrostatic field lens | |
| US3704387A (en) | Cathode ray tube target structure supported by the forward portion of the envelope and having a thermal barrier therein | |
| US5493174A (en) | Imaging tube having improved fluorescent surface structure on fiber optic plate | |
| US3619685A (en) | Photoconductive pickup tube with unitized electrode structure having the photoconductive target electrode spaced from the tube faceplate | |
| KR100238164B1 (ko) | 음극선관의 대전방지막과 방폭밴드의 접속용 테이프 | |
| KR880011879A (ko) | 칼라 음극선관 | |
| KR950002741B1 (ko) | 칼라수상관용 전자총 | |
| GB798400A (en) | Improvements in or relating to photosensitive storage tube arrangements | |
| US3319103A (en) | Storage tube target structure having attached shield ring | |
| US3657585A (en) | Thin-window recording tube | |
| JPH0125182B2 (ja) | ||
| JPH043057B2 (ja) | ||
| JPS61211941A (ja) | 静電偏向撮像管 | |
| JPS6151734A (ja) | 撮像管 |