JPH0451521A - 表面処理方法および表面処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、表面処理方法に係り、特にアルミニウム（Ａ
Ｊ）合金等の腐食防止に関する。

（従来の技術） 近年、半導体装置の高速化および高集積化は進む一方で
あり、構成素子の微細化および高密度化への研究が急速
に進められている。

従来、半導体装置の金属配線は、一般的には以下のよう
な方法で形成されている。

まず、２素子領域の形成された半導体基板表面に蒸着法
、スパッタ法等により、ＡＪ！、ＡＪ！−５ｉ−Ｃｕ合
金等の金属薄膜を形成した後、レジストなどでパターン
を形成し、これをマスクとして反応性イオンエツチング
（ＲＩ　Ｅ）等によりエツチングを行い、配線パターン
を形成する。

ところでこのＲＩＥ工程では、一般的には塩素（Ｃｊり
を含むガスが用いられる。ところがＣ１系のガスでドラ
イエツチングを行っただけの金属配線の表面には、ＣＪ
２が存在しており、これを大気中に放置しておくと、Ａ
ｌの腐食が生じてしまつＯ このような腐食の生した金属配線を有する半導体装置を
そのまま使用すると、断線を生じたりして素子の信頼性
低下の原因となる。

そこで、このような金属配線の腐食を防止するために、
Ｃ１系のガスによるＲＩＥ工程の後にＦ系のガスを用い
た放電処理を行い表面に吸着されたＣ１をＦで置換する
方法、ＣＪ！系のガスによるＲＩＥ工程の直後に水洗を
おこなう方法（特願昭６３−５３２６８号）、ＲＩＥ工
程の後に熱い不活性ガスを供給したり、被処理基体をヒ
ータで加熱したりする方法（特願昭６３−５３２６８号
）などが実施されている。

しかしながらこの後、さらに、マスクとして用いたレジ
ストを剥離するために０２ガス励起によるアッシングが
行われ、この工程の後に水洗工程が入る。この水洗は、
不純物としての金属含有量が数十ｐｐｍ以下の超純水を
用いて行われる。

この工程での腐食を防止する方法として、超純水中に金
属イオンを含有させた水を用いて水洗する方法がある（
特願昭６３−１５３５１２号）。

しかしながらこの方法では、被処理基体表面にも不純物
金属が付着し、表面を汚染することになる。この汚染物
をさらに除去する工程を用いなければならない。

しかしながら、配線形成工程で最も問題となるのは水洗
時の腐食である。

このような水洗時の腐食は、配線材料としてＡＪｊ−Ｃ
ｕやＡｆ−Ｓｉ−Ｃｕを用いた場合に特に顕著となる。

しかし、エレクトロマイグレーションを防止して信頼性
を確保するという観点から優れているのもＡｊ！、Ａｌ
１−５ｉではなく、Ａノー５ｔ−Ｃｕである。

ＡＪ！−５ｔ−ＣｕやＡＪ！−Ｃｕは、ＡＪ！−Ｃｕ系
の電気化学的な電極電位差（電池効果）が大きく、水溶
液中での酸化還元反応が生じやすいという性質を有して
いる。このためＡＪ−３ｉ−ＣｕやＡｊ！−Ｃｕは、超
純水に浸しただけで、ＡＪ（ＯＨ）３の生成を伴う腐食
が生じてしまう。

さらに、ＡＪ−５ｉ−ＣｕやＡＪ２−Ｃｕ表面にＦまた
はＣＪが存在する場合、超純水に浸すと、ＨＦ、ＨＣｊ
！の生成を伴って、腐食を促進させる結果となる。この
ような水洗時の腐食の問題は、例えば前述したようない
ろいろな処理を行っても避けられないものである。

また、ｐｎ接合を有する半導体基板に光が入射し、ｐｎ
接合部を励起することにより、ｐｎ接合部に起電力が発
生する。このとき、この半導体基板に金属が接触してい
る場合、この起電力が金属の腐食を促進させることがあ
る。

例えば、第７図に示すようにｐ型シリコン基板１０１内
にｎ型拡散層１０２を形成し、さらにこのｎ型拡散層１
０２内に高濃度のｐ＋拡散層１゜３およびｎ中波散層１
０４を形成し、このｐ中波散層１０３およびｎ中波散層
１０４にコンタクトするようにＡｊ！−５ｉ−Ｃｕ合金
を用いて配線パターン１０６を形成する場合を考える。

ここで１０５は酸化シリコン層である。

この配線パターン１０６は、反応性イオンエツチング等
によりパターニングを行い、大気中に放置される。この
場合、基板に蛍光灯の光等、光１０７が照射される。こ
の先１０７によって、ｐ＋拡散層１０３は正に、ｎ中型
拡散層１０４は負にバイアスされ、起電力が発生する。

また、大気中に放置しておくと、わずかに存在する大気
中の水分が表面に吸着する（この吸着水分を１０８で示
す）。この水分１０８が電流通路となり、ｐ中波散層１
０３に接続したＡｊ！−３ｉ−Ｃｕ合金の配線パターン
１０６から電子が、ｎ十型拡散層１゜４に接続したＡＪ
−３ｉ−Ｃｕ合金の配線パターン１０６からホールが放
出される。

そこでこの表面で次式に示すような酸化反応が生じ腐食
が促進される。

ＡＪｌ−ＡＪ”＋３ｅ　　　　　（式）また、このよう
な接合に起因する起電力の発生以外にも、光エネルギー
により化学反応が促進されることかあり、腐食の原因と
なることがある。

特に、反応性イオンエツチング等のエツチング工程で表
面にＣＪ、Ｆ等のハロゲンが存在しているような場合に
は、さらに腐食が促進される。

（発明が解決しようとする課題） このように、従来の半導体装置の製造工程においては、
ＡＪｌ−５ｉ−ＣｕやＡＪ−Ｃｕを配線材料として用い
る場合、水洗時の腐食をはじめ、搬送時や保管時におけ
る光エネルギーによる腐食の促進が大きな問題となって
いた。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、ＡＪｌ−
５ｉ−ＣｕやＡＪｌ−Ｃｕ等のＡｌ合金を配線材料とし
て用いる場合の水洗時の腐食を防止することを目的とす
る。

また本発明は、ＡＪｌ−５ｉ−ＣｕやＡＪｌ−Ｃｕ等の
ＡＪ１合金を配線材料として用いる場合の搬送時や保管
時における腐食を防止することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） そこで本発明の第１および第２では、パターン形成後、
脱酸素水を用いた超純水で水洗を行うようにしている。

すなわち、本発明では、超純水中の溶存酸素濃度を可能
な限り抑えるようにしている。

また、本発明の第３では、Ａｊ！合金パターンを形成し
た被処理基体に対し光を遮断した状態で搬送、保管する
ようにしている。

すなわち、本発明では、処理装置全体を光遮蔽するよう
にしたり、また、被処理基体が置かれている部屋全体を
光遮蔽するようにし、被処理基体に光が照射されないよ
うにしている。

（作用） 本発明の第１．第２によれば、超純水中の溶存酸素濃度
を抑えることにより、下式のようなＡＪｌの酸化反応を
抑制することができ、水洗時の腐食は防止される。

２ＡＪ！＋３／２０２−２Ａ、ｅ”＋６０Ｈ−２Ａｊ！
　　（ＯＨ）３　　↓ また、超純水で水洗することにより、金属表面上に付着
したＣＪ、Ｆを高効率で除去することができる。

さらに、本発明の第３によれば、ＡＪ合金パターンを形
成した被処理基体に対し光を遮断した状態で搬送、保管
するようにしているため、ｐｎ接合に光が照射され起電
力が発生することによってＡｌｌの酸化が促進されるの
が防止される。

これは、種々の実験結果にもとづいてなされたものであ
る。

第８図（ａ）乃至第８図（ｃｌ）に示すように、試料と
して、４種類の被処理基体を形成した。

まず、第８図（ａ）に示すように、表面を覆う酸化シリ
コン層１０５に形成されたコンタクトホールを介して形
成されたＡｊｌ−５ｉ−Ｃｕ合金配線パターンの下地基
板が、ｎ型シリコン１０２内にｎ中波散層１０３を形成
したもの、第８図（ｂ）に示すように、同じく下地基板
がｎ型シリコン１０２内にｐ中波散層１０４を形成した
もの、第８図（ｅ）に示すように、同じく下地基板がｐ
型シリコン１０１内にｎ中波散層１０３を形成したもの
、第８図（ｄ）に示すように、同じく下地基板がｐ型シ
リコン１０１内にｐ中波散層１０４を形成したものをそ
れぞれ２つづつ用意する。ここで各被処理基体はＣＪ１
２＋ＢＣｊ！ａガスによる反応性イオンエツチングによ
り１．５μｍライン＆スペシスで５ｇｇの配線長をもつ
ようにＡｌ１−５Ｌ−Ｃｕ合金配線パターンを形成した
ものとする。

これを透明容器に入れ、常圧で２４℃、湿度９５〜１０
０％で一定とし、２時間蛍光灯を点灯し光照射状態で放
置する実験と、光を遮断できる容器にいれ同じ条件下で
放置する実験とを並行して行つ。この蛍光灯の光のスペ
クトルは第５図に実線で示す。

このときの各試料について光照射時と光非照射時とにつ
いて腐食の度合いを測定した結果をそれぞれ第９図（ａ
）および第９図（ｂ）に示す。

この結果から、ｐ　＋　／　ｎ接合を有する第８図（ｂ
）に示した試料に極めて高い頻度で腐食か発生している
ことがわかる。

この第８図（ｂ）に示した試料を測定した結果、光照射
下で約３００１Ｖの起電力を発生しており、ｐ中層を正
、ｎ層を負とする太陽電池が形成され、試料表面に吸着
されたＨ２０等による微小電流ループの形成により、ｐ
中領域からホールが注入されＡｊ！−Ａｊ！３“という
酸化反応が促進されることが確認された。

実際、この表面を伝わる電流ループをモールド樹脂等で
遮断すると腐食の発生は極めて少なくすることができる
ことが確認されている。

また、光遮断状態にしたものは、すべての試料について
光照射状態にしたものよりも腐食の発生か大きく低減さ
れていることかわかった。

この原因についてはあきらかではないか、Ａｌ−５ｉ−
Ｃｕ合金表面でなんらかの光化学反応の促進がなされて
いることかわかる。

さらに、色ガラスフィルタを用いて第１０図に曲線ａお
よびｂて示すような２つの波長特性を有する光をそれぞ
れの試料に照射し腐食の発生状況を測定した。

ここで用いた試料はｐ型シリコン基板にコンタクトホー
ルを介して第８図に示したのと同様のＡノー５ｉ−Ｃｕ
合金の配線パターンを形成したものとする。

この結果から３４０　ｎｍ以下の光をカットしたフィル
タを用いた場合（第１０図曲線ａ）に比べ４００’ｎｗ
以下の光をカットしたフィルタを用いた場合（第１０図
曲線ｂ）の方か腐食の発生は大幅に小さくなっているこ
とがわかる。

この結果から、４００　ｎｍ以下の光を遮断することに
より腐食は大幅に減少することがわかる。

（実施例） 以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。

実施例１ 第１図および第２図は、本発明実施例の表面処理装置の
概略構成を示す図である。

この装置は、被処理基体のエツチングを行うための前処
理室１１とエツチング室１２と後処理室１３とからなる
ＲｒＥ装置１４と、エツチング後の被処理基体を加熱す
る加熱装置１５と、被処理基体を水洗する脱酸素水を用
いた水洗装置１６とから構成されている。

そして水洗装置１６は、水洗容器３２と、この水洗容器
３２に脱酸素水導入管３５を介して脱酸素水３８を供給
するように構成され、脱酸素処理を行うための触媒３９
を充填してなる触媒樹脂充填塔４０と、触媒樹脂充填塔
４０に超純水を供給する超純水導入管３７と、超純水に
水素ガスを導入する水素ガス導入管３６とを具備してい
る。また、この水洗容器３２は、被処理基体を吸引し回
転させることによって生じる遠心力により水分除去を行
うスピンナ３４を具備している。

次に、この装置を用いて金属配線を形成する方法につい
て説明する。

まず、素子領域の形成された半導体基板表面にスパッタ
法等により、Ａｊ２−３ｉ−Ｃｕ合金薄膜を形成した後
、レジストパターンを形成する。

このレジストパターンの形成された基板を、第１図に示
したＲＩＥ装置１４の、前処理室１１から導入して、エ
ツチング室１２でＣｊ！系のガスを用いて、レジストパ
ターンをマスクとして反応性イオンエツチング（ＲＩＥ
）によりエツチングを行う。そしてこの基板は後処理室
を経て、加熱装置１５に移送される。

加熱装置１５ては、１８０℃のホットプレート上で６０
秒間の熱風処理を行い、基板表面の残留Ｃｊ！を除去す
る。この熱風処理工程で残留Ｃノはおよそ１ｉ４程度に
低減される。

続いて水洗装置１６で水洗処理を行う。

まず、超純水導入管３７から導入された超純水は、水素
ガス導入管３６から導入された水素ガスと共に、脱酸素
処理を行うための触媒３９を充填してなるた触媒樹脂充
填塔４０に導かれる。

ここて、触媒の作用で超純水中の酸素は水素と反応し、
下式に示すように水となるため、脱酸素を行うことがで
きる。

Ｈ２＋１／２０２→Ｈ２０（式） この反応は定量的に進行し、８ｐｐｍの溶存酸素を含む
Ｈ２０に対してｌｐｐｍのＨ２を添加すれば、はぼ溶存
酸素を除去することかできる。この装置を用いると機械
的化学的に困難な低温の水でも溶存０２を２０ｐｐｍ以
下にすることができ、装置の運転も簡単である。

このようにして触媒樹脂充填塔４０て脱酸素処理された
超純水３８は、導入管３５を介して水洗容器３２に導入
され、スピンナ３４によって吸引回転されている被処理
基板３３を水洗する。

これにより被処理基板に対して同時に水洗と乾燥が行わ
れる。

このようにして、熱風処理でおよそ１ｉ４程度に低減さ
れた残留Ｃノはさらに低減されおよそ１ｉ１６程度にな
る。

この方法によれば、脱酸素処理のなされた水で水洗して
いるため、水洗時に酸化されることもなく、良好な配線
パターンを形成することが可能となる。

なお、前記実施例では、溶存酸素の除去に触媒を用いる
方法について説明したが、この他、還元剤として亜硫酸
ナトリウムあるいはヒドラジンを用いる化学的方法を用
いても良い。亜硫酸ナトリウムは、価格が安く、取扱い
が用意であり、反応も早いが、短所として酸素ｌｐｐｍ
に対し８ｐｐｍが必要である上、非揮発性であるため水
中の固形塩分の増大を招くという点がある。

一方、ヒドラジンは、揮発性であり、溶存酸素の２倍量
の添加により効果が、認められる半面、前者より脱気速
度が低く、ヒドラジンの分解生成物であるアンモニアが
過剰の場合は、復水器官のアンモニアアタックに注意が
必要となる。

この他、機械的に除去する方法として、加熱あるいは真
空操作によって水中の溶存酸素を除去する方法がある。

この方法は、水の沸点において溶存ガスの溶解度がＯに
なることを利用したものであである。この方法は、水を
蒸気によって加熱し、加圧下で脱気を行うが、０．００
７ｐｐｍ以下まで溶存酸素を低減することができる。た
だし、この方法では真空度が必要であり、フランジ・溶
接のつなぎ目等での空気のもれにより、十分な真空度が
得られないことから、十分な脱気処理ができないことが
ある。

また、この脱酸素水を用いた水洗装置１６を第３図に示
すように、レジスト剥離のだめのアッシング装置に用い
るようにしてもよい。

実施例２ 次に、本発明のｗ４２の実施例について説明する。

第４図は、本発明実施例の方法に用いられる半導体製造
装置の概略構成を示す図である。

この装置は、外光を遮断するように構成された遮光室２
０１内に被処理基体のエツチングを行うためのＲＩＥ装
置２０２と、レジスト剥離装置２０５とが設置されてな
るものである。遮光室内では搬送用の箱２０３内にウェ
ハ２０４を収納した状態で搬送される。そして、遮光室
は３００〜４００ｎ■の光を遮断するフィルタ２０６を
介して室内には照明手段からの光が導かれるようになっ
ている。この照明手段からの光の波長特性は第５図に実
線で示し、フィルタ２０６を介して光の波長特性は第５
図に点線で示す。

この装置を用いて配線にＡＪ！　　５ｉ−Ｃｕ合金を使
用したＤＲＡＭを作成した場合、遮光室を遮光しなかっ
た従来の場合に比べ、３０％以上も腐食による歩留まり
の低下を低減することができた。

また、このフィルタ２０６を除き、照明手段からの光を
そのまま照射しするようにし、搬送用の箱２０３を同様
のフィルタで覆うようにしてもよい。従来、この搬送用
の箱は、テフロン系の材料を用いて形成され、３００〜
４０００■の領域の波長の光の透過率は１０％程度であ
ったが、ここでは同じテフロン系の材料に色素を混合し
、３００〜４００ｎ■の領域の波長の光の透過率を１％
以下にしたものを用いた。この場合にも同様に、３０％
以上も腐食による歩留まりの低下を低減することができ
た。

なお、エツチング装置２０２からレジスト剥離装置２０
５への搬送用の箱の材料としては、テフロン系に限定さ
れることなく、Ａｌ、ＳｕＳ等の金属等、光を遮断する
ものであればよい。

また、光を透過する箱をＡｊ！等の光を透過しない材料
で包んだ二重構造とするようにしてもよい。

実施ＰＩ　３ 次に、本発明の第３の実施例について説明する。

第６図は、本発明実施例の方法に用いられる半導体製造
装置の概略構成を示す図である。

この装置は、容器２１０内に、被処理基体として、表面
にＡＪ１合金膜が形成されたものをパターンエッチする
ためのＲＩＥ装置２１１と、エツチング後配せんパター
ンの表面に付着したハロゲン等を除去するための水洗装
置２１７とが配設されており、このＲＩＥ装置の出口か
ら、水洗装置２１７の出口まてのウェハ搬送路に沿って
、光遮蔽装置２１９を設置したことを特徴とするもので
ある。

２１２はロードチャンバー　２１３はアンロードチャン
バーであり、これらの間にはそれぞれバルブ２１４ａ〜
２１４ｄか配設され、これらの開閉によりウェハの出し
入れに際しＲＩＥ装置が大気にさらされるのを防止する
ようになっている。

２１８．２１８’　はウェハカセット室であり、ここに
ウェハを収納し、必要に応じてここからウェハの授受を
おこなうようになっている。

この装置をＤＲＡＭの製造ラインで使用することにより
、製造歩留まりを１０％以上向上することができた。

なお、この装置ではＲＩＥ装置の出口から光遮蔽装置を
設置したが、容器２１０全体を光遮蔽装置で囲むように
してもよい。また、この場合には、容器内に、３００〜
４００　ｎｓの波長成分を含まない光源を配設するか、
外部から３００〜４００　ｒｖ以外の波長の光を投下さ
せる窓を配置するようにすれば、装置内部の様子を処理
中において観察することが可能である。

さらにまた、Ａｊ！合金の配線パターンがＣｕを含有す
る場合にはＣｕの重量比をある範囲に規定すると、腐食
を生じることのない高信頼性の配線パターンを得ること
ができることがわかった。

すなわち、シリ・コン上に膜厚８０００人の熱酸化膜を
形成し、その上にＡＪ！合金として８０００人のＡｊ！
−３ｉ（１％）中へＣｕを添加したものをスパッタリン
グで形成し、その後１μｍライン＆スペースパターン（
配線長５ｍ）を形成した試料を用意し、その試料の１５
０℃昇温下でのストレスマイグレーションテスト（１％
不良発生期間のテスト）および腐食（コロ−ジョン）の
加速テストをおこなった。

ストレスマイグレーションテストは、電流密度Ｉ　Ｘ　
１０’　Ａｃ１−２の条件で行った。また腐食の加速テ
ストは試料を３０℃、温度１００％の雰囲気下に１２時
間放置することにより行った。第１２図に測定結果を示
す。この結果から、ストレスマイグレーションは、Ｃｕ
を０．１％以上添加すると、１％不良発生までの時間か
１．０’ｈｒとなり、それ以上の場合と比較すると１桁
長くなって、配線の信頼性は向上する。そして、このＣ
ｕの添加量についてはそれ以上添加しても変化はない。

また、Ｃｕの添加量が０．４％以下では１チツプあたり
のコロ−ジョン数は１０程度であるが、それ以上から急
激に増加し、Ｃｕの添加量が０゜５％を越えると、１チ
ツプあたりのコロ−ジョン数は１００以上と顕著になり
実用的でない。

すなわち、配線材料としては、ＡＪ！−５ｉ中へのＣｕ
の添加量は０．１〜０．４％であることか要求される。

腐食発生の原因は、Ａｊ！−５ｉ中へのＣｕの添加でＣ
ｕが粒界に析出すると、Ａｊ！−Ｃｕ間の局部電池の形
成により、腐食反応（ＡＪ！→ＡＪ！３′″十３ｅ−）
を促進することになる。実際にＣｕの添加量に対する粒
界へのＣｕの析出をＴＥＭ−ＥＤＸで調べると、Ｃｕ添
加量が０．５％を越えると顕著に析出がみられることが
あきらかとなった。

また、２％のＣｕの添加では粒界のみならず、結晶粒中
へのＣｕの析出かある。しかし０．４％以下のＣｕの添
加ではそれほどの腐食促進効果はない。

また、前述した第１乃至第２の実施例において、Ｃｕを
含有するＡＪ、合金を用いる場合には前述したようにＣ
ｕの重量比を０．１％〜０，４％とすれば、前記各実施
例の項かに加え、材料事態の特性が向上するから相反的
効果により、前記各実施例によりもさらに腐食のほとん
どない信頼性の高いＡＪ１合金配線パターンを得ること
ができる。

〔発明の効果〕

以上説明してきたように、本発明によれば、溶存酸素濃
度を抑えた水を用いて水洗処理を行うようにしているた
め、酸化反応を抑制することができ、水洗時の腐食は防
止され、信頼性の高い金属配線パターンを得ることが可
能となる。

また、本発明によれば、Ａｌ合金パターンを形成した被
処理基体に対し光を遮断した状態で搬送、保管するよう
にしているため、腐食を防止し信頼性の高い半導体装置
を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の処理装置を示す図、第
２図は同装置の水洗装置の説明図、第３図はアッシング
装置への本発明の適用例を示す図、第４図は本発明の第
２の実施例を示す図、第５図は照明手段の波長特性を示
す図、第６図は本発明の第２の実施例を示す図、第７図
は腐食のモデルを説明する図、第８図は腐食発生実験を
おこなうためのサンプルを示す図、第９図は同サンプル
を用いた腐食発生実験の結果を示す図、第１０図および
第１１図は照射光の波長と腐食の発生状況とを示す図、
第１２図はＡｌ合金中のＣｕの含有量を変化させた場合
の１％不良発生時間と１チツプあたりのコロ−ジョン数
を示す特性図である。 １１・・・前処理室、１２・・・エツチング室、１３・
・・後処理室、１４・・・ＲＩＥ装置、１５・・・加熱
装置、１６・・・水洗装置、３２・・・水洗容器、３４
・・・スピンナ、３５・・・脱酸素水導入管、３６・・
・水素ガス導入管、３７・・・超純水導入管、３８・・
・脱酸素水、３９・・、触媒、４０・・触媒樹脂充填塔
、１０１・・・ｐ型シリコン、１０２・・・ｒ＋型シリ
コン、１０３・・・ｎ中波散層、１０４・・・ｐ中波散
層、１０５・・・酸化シリコン層、１０７・・光、２０
１・・・遮光室、２０２・・ＲＩＥ装置、２０３・・・
箱、２０４・・・ウエノ１２０５・・・レジスト剥離装
置、２０６・・・フィルタ。 ｌざ・、；パ−４ 第４図 告 第６ 図 １％ ｐ″Ａ １％ 光照 引 時 ”Ａ 第９ 図 透過率（％） 第１２図 第１１ 図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ａｌ合金の配線パターンの形成された被処理基体
   を脱酸素処理を行った水にさらす水洗処理工程を含むよ
   うにしたことを特徴とする表面処理方法。
2. （２）反応性ガスを用いて被処理基体上のＡｌ合金膜を
   加工するエッチング室と、 前記加工した被処理基体を脱酸素水に晒す 後処理室とを具備したことを特徴とする表面処理装置。
3. （３）前記後処理室は、 水洗容器と、 この水洗容器内に水素ガスを含有せしめた 超純水を供給する手段とを備えたことを特徴とする請求
   項（２）記載の表面処理装置。
4. （４）Ａｌ合金の配線パターンの形成された被処理基体
   を光を遮蔽した状態に保持するようにしたことを特徴と
   する表面処理方法。
5. （５）前記光を遮蔽した状態とは、３００〜４００ｎｍ
   の光を遮蔽した状態であることを特徴とする請求項（４
   ）記載の表面処理方法。
6. （６）前記Ａｌ合金は銅を含有するものであって、前記
   Ｃｕの重量比を０．１〜０．４％としたことを特徴とす
   る請求項（４）記載の表面処理方法。