JPH0451531B2 - - Google Patents

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JPH0451531B2
JPH0451531B2 JP61206937A JP20693786A JPH0451531B2 JP H0451531 B2 JPH0451531 B2 JP H0451531B2 JP 61206937 A JP61206937 A JP 61206937A JP 20693786 A JP20693786 A JP 20693786A JP H0451531 B2 JPH0451531 B2 JP H0451531B2
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poly
phosphite
rhodium
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Birigu Erunsuto
Jooji Abatojoguruu Antoni
Robaato Buraianto Deibitsudo
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Union Carbide Corp
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Publication date
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Publication of JPH0451531B2 publication Critical patent/JPH0451531B2/ja
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    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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    • C07C47/02—Saturated compounds having —CHO groups bound to acyclic carbon atoms or to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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Description

【発明の詳細な説明】
発明の要約 産業上の利用分野 本発明は遷移金属錯体触媒カルボニル化プロセ
ス、特にヒドロホルミル化においてポリホスフア
イト配位子を使用すること、並びに遷移金属−ポ
リホスフアイト配位子錯体組成物に関する。 従来技術 カルボニル化反応が改質第族金属触媒、例え
ば第族遷移金属−リン配位子錯体から成る触媒
を用いることによつて増進されることは当分野に
おいてよく知られている。 触媒の存在において酸素化生成物を製造するこ
とを指向するカルボニル化プロセスは通常有機化
合物と一酸化炭素、好ましくは別の反応体、特に
水素との反応を含み、かつ当分野においてよく知
られており、例えばニユーヨーク、スプリンガー
バーラグ、ジエ・フアルベ（J.Falbe）の「ニユ
ーシンセシス ウイズ カーボン モノオキシ
ド」を参照のこと。かかるプロセスはオレフイ
ン、アセチレン、アルコール、活性塩化物等の有
機化合物を一酸化炭素単独で、或は一酸化炭素及
び水素、アルコール、アミン或は水のいずれかで
カルボニル化すること、並びに管能的に不飽和の
化合物、例えば不飽和アミドのCOにより閉環反
応を含む。主タイプの公知のカルボニル化反応の
内の１つは第族遷移金属−リン配位子錯体を用
いてオレフイン系化合物を一酸化炭素及び水素で
ヒドロホルミル化してアルデヒド等の酸素化生成
物を作り、次いで所望の場合にアルドール縮合反
応を続けることである。 しかし、一層有効なリン配位子或は汎用タイプ
の金属−リン配位子錯体触媒の追求は当分野にお
いて絶えず続くものであり、かつ従来大部分は本
発明と異り例えば米国特許3527809号及び1984年
12月28日に出願された米国出願第685025号に開示
される通りのトリオルガノホスフイン、トリオル
ガノホスフアイト及びジオルガノホスフアイト配
位子の使用に集中されてきた。 問題点を解決するための手段 今、本発明のポリーホスフアイト配位子を第
族遷移金属錯体触媒カルボニル化プロセスにおい
てリン配位子として用いて良好な活性かつ安定な
汎用タイプの第族遷移金属−リン配位子錯体触
媒を提供し得ることを発見した。 例えば、本発明において使用し得るポリ−ホス
フアイト配位子はカルボニル化プロセス、特にヒ
ドロホルミル化において良好な触媒活性及び安定
性を有する独特なキレート化金属錯体を提供する
のに有用になり得る。更に、本発明において使用
し得るポリーホスフアイト配位子を使用すること
は、ヒドロホルミル化反応において生成物の選択
性を制御して広範囲の低いないし高いノルマル対
イソ（枝分れした）生成物比を有する酸素化生成
物、例えばアルデヒドを所望の通りに達成する優
れた手段を提供することができる。実際、本発明
において使用し得るポリーホスフアイト配位子
は、アルフア及び内部の両方のオレフインを含む
全てのタイプのオレフイン系不飽和化合物のヒド
ロホルミル化において特に有用である。 すなわち、本発明の目的は第族遷移金属−ポ
リ−ホスフアイト配位子錯体触媒の存在において
行うカルボニル化方法、特にヒドロホルミル化方
法を提供することである。本発明の目的はまた、
かかるカルボニル化及びヒドロホルミル化方法に
おいて用いるのに適した新規な第族遷移金属−
ポリ−ホスフアイト配位子錯体前駆物質溶液群を
提供することである。本発明のその他の目的及び
利点は下記に記載した証明及び添付の特許請求の
範囲の記載から容易に明らかになるものと思う。 よつて、本発明の総括的な態様は第族遷移金
属−リン配位子錯体触媒の存在においてカルボニ
ル化され得る有機化合物を一酸化炭素と反応させ
ることを含み、該錯体触媒のリン配位子は下記の
一般式： 〔式中、各Ar基は同一であるか或は異なる置
換或は未置換のアリールラジカルを表わし；Ｗは
アルキレン、アルキレン−オキシ−アルキレン、
アリーレン及びアリーレン−（CH2）ｙ−（Ｑ）o−
（CH2）ｙ−アリーレン（ここで、各アリーレン
ラジカルは上に定義したArと同じである）から
成る群より選ぶｍ価のラジカルを表わし；各ｙは
個々に０又は１の値を有し；各Ｑは個々に−
CR1R2、−０−、−Ｓ−、−NR3、−SiR4R5−及び
−CO−（ここで、各R1及びR2ラジカルは個々に
水素、炭素原子１〜12のアルキル、フエニル、ト
リル及びアニシルから成る群より選ぶラジカルを
表わし、各R3、R4及びR5は個々に−Ｈ又は−
CH3を表わす）から成る群より選ぶ二価のブリツ
ジング基を表わし；各ｎは個々に０又は１の値を
有し；ｍは２〜６の値を有する〕 を有するポリ−ホスフアイト配位子であるカルボ
ニル化方法であると説明することができる。好ま
しくは、各R1及びR2は個々に−Ｈ又は−CH3を
表わす。 本発明の別の総括的な態様は、本面細書中以降
に一層完全に説明する新規な第族遷移金属−ポ
リ−ホスフアイト配位子錯体触媒前駆物質溶液を
含む。 詳細な説明 上記式よりわかるように、本発明において使用
し得るポリ−ホスフアイト配位子は前記米国出願
第685025号におけるタイプのトリオルガノホスフ
アイト配位子及びジオルガノホスフアイト配位子
と異なる群の化合物を表わす。例えば、本発明に
おいて使用し得るポリーホスフアイト配位子は、
加水分解すれば、トリオルガノホスフアイトにつ
いて３つのモノオール化合物の同等物或は該米国
出願第685025号のジオルガノホスフアイトについ
て２つのジオール化合物及び１つのモノオール化
合物の同等物に比べて３つのジオール化合物の同
等物を生じる。 主題の発明は任意の公知のカルボニル化プロセ
スであつて、該プロセスの触媒を本明細書に開示
する通りの第族遷移金属−ポリホスフアイト錯
体触媒に代えるものの実施を含む。上述した通り
に該カルボニル化反応は、触媒量の第族遷移金
属−ポリホスフアイト配位子錯体触媒であつて、
該配位子は上記一般式（）であるものの存在に
おいて有機化合物を一酸化炭素と、或は一酸化炭
素及び第三反応体、例えば水素と反応させること
を含むことができる。 より好ましくは、主題の発明はオレフイン系化
合物を一酸化炭素及び水素と反応させるアルデヒ
ドの製造において該第族遷移金属−ポリホスフ
アイト配位子錯体触媒及び遊離のポリホスフアイ
ト配位子を使用することを含む。作られたアルデ
ヒドは出発材料におけるオレフイン系不飽和炭素
原子にカルボニル基を付加し、同時にオレフイン
結合を飽和することによつて得られる化合物に一
致する。かかる好ましい方法は産業においてオキ
ソ法又は反応、オキソ化（oxonation）、ローレ
ン（Roelen）反応、より普通にはヒドロホルミ
ル化等の様々の名前で知られている。よつて、本
発明の加工技術は慣用のカルボニル化、特にヒド
ロホルミル化反応において従来用いられる公知の
加工技術の内のいずれかに一致することができ
る。 例えば、好ましいヒドロホルミル化法は連続、
半連続或はバツチ式で実施することができ、かつ
液体循環及び１又はガス循環操作を所望の通りに
含むことができる。同様に、反応成分、触媒、溶
媒を加える方法或は順序もまた臨界的なものでは
なく、かつ任意の慣用式で行うことができる。 通常、好適なヒドロホルミル化反応は、好まし
くは触媒用溶媒、好ましくはオレフイン系不飽和
化合物と触媒の両方が実質的に可溶性である溶媒
を含有する液体反応媒質において行う。加えて、
ロジウムーリン錯体触媒及び遊離リン配位子を用
いる従来技術のヒドロホルミル化法の場合のよう
に、本発明のヒドロホルミル化法は遊離のポリ−
ホスフアイト配位子の存在において並びに錯体触
媒の存在において実施することが極めて好まし
い。「遊離配位子」とは活性な錯体触媒において
第族遷移金属原子で錯化されていないポリ−ホ
スフアイト配位子を意味する。 本発明の金属−ポリホスフアイト錯体を組立て
る第族遷移金属はロジウム（Rh）、コバルト
（Co）、イリジウム（Ir）、ルテニウム（Ru）、鉄
（Fe）、ニツケル（Ni）、パラジウム（Pd）、白金
（Pt）、オスミウム（Os）及びこれらの混合物か
ら成る群より選ぶ金属を含み、好ましい金属は
Rh、Co、Ir、Ruであり、より好ましくはRh、
Coであり、特にRhである。本発明の好結果を得
る実施がモノ核、ジ核又はそれ以上の核体で存在
し得る触媒的に活性な金属錯体種の正確な構造に
よらずかつ該構造に基づいて予測されないことに
注意すべきである。事実、正確な活性構造は知ら
れていない。本発明において、何ら理論或いは機
構論に束縛されるつもりはないが、活性な触媒種
はその最も簡単な形において本質的に第族遷移
金属を一酸化炭素及びポリ−ホスフアイト配位子
と錯体結合して成ると思われる。 本明細書及び特許請求の範囲において用いる
「錯体」なる用語は、独立に存在することができ
る１又はそれ以上の電子の富んだ分子又は原子
と、１又はそれ以上の電子の乏しい分子又は原子
であつてそれらの内の各々も独立に存在すること
ができるものとの結合によつて形成される配位化
合物を意味する。本発明において使用し得るポリ
−ホスフアイト配位子は少なくとも２つのリン供
与原子を持ち、各々は独立に或はおそらくは第
族遷移金属と共同して（例えば、キレート化を経
て）各々配位共有結合を形成することができる１
つの利用可能な或は非共有電子対を有する。上記
の検討から推測できるように、一酸化炭素（これ
もまた適当に配位子として分類される）もまた存
在し、かつ第族遷移金属で錯化される。活性な
錯体触媒の終局の組成物はまた追加の配位子、例
えば水素或は従来慣用の第族遷移金属−トリオ
ルガノホスルイン又はホスフアイト触媒の場合の
ように第族遷移金属の配位部位或は核電荷を満
足させるアニオンを含有することができる。追加
の配位子の例は、例えばハロゲン（Cl、Br、
Ｉ）、アルキル、アリール、置換アリール、CF3、
C2F5、CN、R2PO及びRP（Ｏ）（OH）Ｏ（ここ
で、各Ｒはアルキル又はアリールである）、アセ
テート、アセチルアセトネート、SO4、PF4、
PF6、NO2、NO3、CH3O、CH2＝CHCH2、
C6H5CN、CH3CH、NO、NH3、ピリジン、
（C2H5）3N、モノオレフイン、ジオレフイン、ト
リオレフイン、テトラヒドロフラン等を含む。活
性錯体種には触媒毒となり及び触媒性能に過度の
悪影響を与える追加の有機配位子又はアニオンが
存在しないことが好ましいことは当然理解される
べきである。例えば、慣用のロジウム触媒ヒドロ
ホルミル化反応ではハロゲンアニオン及びイオウ
化合物が触媒毒となり得ることが知られている。
よつて、本発明のロジウム触媒ヒドロホルミル化
反応においても、活性な触媒にロジウムに直接結
合したハロゲン及びイオウが存在しないことが好
ましいが、このことは絶対に必要というわけでは
ない。 かかる第族遷移金属における利用可能な配位
部位の数は当分野でよく知られておりかつ４〜６
の数の範囲になり得る。これより、活性種は錯体
触媒混合物を単量体、二量体又はそれ以上の核の
形で含むことができ、ロジウム１分子当り少なく
とも１つのポリ−ホスフアイト分子が錯化される
ことを特徴とする。上述したように、一酸化炭素
もまた存在しかつ活性種においてロジウムで錯化
されると考えられる。その上、慣用のロジウム−
トリオルガノホスフイン又はホスフアイト配位子
錯化触媒ヒドロホルミル化反応であつて、該反応
の活性な触媒種は通常またはロジウムに直接結合
した水素を含有すると考えられるものの場合のよ
うに、同様に本発明においてヒドロホルミル化の
間に用いる好ましいロジウム触媒の活性種も、水
素ガスをプロセスで使用することを考えれば、ポ
リホスフアイト及び一酸化炭素に加えて水素によ
り錯化され得ると考えられる。 その上、活性な錯体触媒を予備成形した後にカ
ルボニル化反応域に導入するか或は活性種をカル
ボニル化反応の間に現位置で調整するかどうかに
かかわらず、カルボニル化、特にヒドロホルミル
化反応を遊離のポリ−ホスフアイト配位子の存在
において行うことが好ましいが、このことは絶対
に必要というわけではない。 上述した通りに本発明において使用することが
できるポリ−ホスフアイト配位子は下記の一般式
を有するものである： 〔式中、各Ar基は同一であるか或は異なる置
換或は未置換のアリールラジカルを表わし；Ｗは
アルキレン、アルキレン−オキシ−アルキレン、
アリーレン及びアリーレン−（CH2）ｙ−（Ｑ）o−
（CH2）ｙ−アリーレン（ここで、各アリーレン
ラジカルは上に定義したArと同じである）から
成る群より選ぶｍ価のラジカルを表わし；各ｙは
個々に０又は１の値を有し；各Ｑは個々に−
CR1R2−、−０−、−Ｓ−、−NR3−、−SiR4R5−
及び−CO−（ここで、各R1及びR2ラジカルは
個々に水素、炭素原子１〜12のアルキル、フエニ
ル、トリル及びアニシルから成る群より選ぶラジ
カルを表わし；各R3、R4及びR5は個々に−Ｈ又
は−CH3を表わす）から成る群より選ぶ二価のブ
リツジング基を表わし；各ｎは個々に０又は１の
値を有し；ｍは２〜６、好ましくは２〜４の値を
有する〕。各ｙ及び各ｎは０の値を有するのが好
ましい。その上、ｎも１である場合、その対応す
るＱは好ましくは上に規定した通りの−CR1R2−
ブリツジング基、より好ましくはメチレン（−
CH2−）或はアルキリデン（−CHR2−）であ
り、ここでR2は炭素原子１〜12のアルキルラジ
カル（例えばメチル、ケチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、イソデシル、ドデシル等、特に
メチル）である。 上記のポリ−ホスフアイト式においてＷで表わ
されるｍ価のラジカルの例は、アルキレン、アル
キレン−オキシ−アルキレン、フエニレン、ナフ
チレン、フエニレン−（CH2）y（Ｑ）o−（CH2）ｙ
−フエニレン及びナフチレン−（CH2）y（Ｑ）o−
（CH2）ｙ−ナフチレン（Ｑ、ｎ，ｙは上に規定
したのと同じである）から成る群より選ぶ置換及
び未置換のラジカルを含む。Ｗによつて表わされ
るｍ価のラジカルのより詳細な例は、例えば−
（CH2）x〔ここで、ｘは２〜18（好ましくは２〜
12）の値を有する〕等の直鎖或は枝分れ鎖のアル
キレンラジカル、ペンタエリトリトール、１，
２，６−ヘキシレン等；−CH2CH2OCH2CH2
−、１，４−フエニレン、２，３−フエニレン、
１、３、５−フエニレン、１，３−フエニレン、
１，４−ナフチレン、１，５−ナフチレン、１，
８−ナフチレン、２，３−ナフチレン、１、1′ビ
フエニル−２、2′−ジイル（diyl）、２，2′ビフエ
ニル−１，1′−ジイル、１、1′−ビフエニル−
４，4′−ジイル、１，1′ビナフチル−２、2′−ジ
イル、２，2′−ビナフチル−１，１−ジイル、フ
エニレン−CH2−フエニレン、フエニレン−Ｓ−
フエニレン、CH2、フエニレン−CH2、フエニレ
ン−CH（CH3）−フエニレンラジカル等を含む。 これより、Ｗは炭素原子２〜30を含有すること
ができるｍ価のラジカルであり、ここで、アルキ
レン及びアルキレン−オキシ−アルキレンラジカ
ルは好ましくは２〜18、より好ましくは２〜12の
炭素原子を含有し、他方のアリーレンタイプのラ
ジカルは炭素原子６〜18を含有することができ
る。好ましくはＷはエチレン又はアリーレンタイ
プのラジカルであり、より好ましくはナフチレン
又はフエニレン−（Ｑ）n−フエニレンラジカルで
ある。 上記のポリ−ホスフアイト式においてAr基及
びＷのアリーレンラジカルによつて表わされるア
リールラジカルの例は、置換及び未置換の両方の
アリールラジカルを含む。かかるアリールラジカ
ルは６〜８の炭素原子、例えばフエニレン
（C6H4）、ナフチレン（C10H6）、アントラシレン
（C14H8）等を含むことができる。 上記のポリ−ホスフアイト式においてＷのアル
キレン又はアリーレンラジカル及びArによつて
表わされるアリール基に存在することができる置
換基の例は一価の炭化水素ラジカル、例えば置換
又は未置換のアルキル、アリール、アルカリー
ル、アラルキル及び脂環式ラジカル、並びに−Si
（R6）3、−Si（OR6）3等のシリルラジカル、−Ｎ
（R6）2等のアミノラジカル、−Ｃ（Ｏ）R6等のアシ
ルラジカル、−Ｃ（Ｏ）OR6等のカルボニルオキシ
ラジカル、−OC（Ｏ）R6等のオキシカルボニルラ
ジカル、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（R6）2、−Ｎ（R6）Ｃ（Ｏ）R6
等のアミドラジカル、−Ｓ（Ｏ）2R6等のスルホニ
ルラジカル、−Ｓ（Ｏ）R6等のスルフイニルラジ
カル、−OR6等のエーテル（例えばアルコキシ）
ラジカル、−SR6等のチオニルエーテルラジカル、
−Ｐ（Ｏ）（R6）2等のホスホニルラジカル、及び
ハロゲン、ニトロ、シアノ、トリフルオロメチル
及びヒドロキシラジカル等を含み、ここで各R6
は個々に本明細書中に規定したのと同じ意味を有
する同一或は異なる、置換或は未置換の一価炭化
水素ラジカルを表わす、但し、−Ｎ（R6）2等のア
ミノ置換基では各R6は一緒になつて窒素原子と
複素環式ラジカルを形成する二価のブリツジング
基を表わすこともでき、−Ｎ（R6）2、−（Ｏ）Ｎ
（R6）2、−Ｎ（R6）Ｃ（Ｏ）R6等のアミノ及びアミ
ド置換置ではＮに結合した各−（R6）は水素にな
ることもでき、一方、−Ｐ（Ｏ）（R6）2等のホスホ
ニル置換基では１つのR6は水素になることもで
きる。R6によつて表わされるラジカルを含む一
価の炭化水素置換基ラジカルは未置換のアルキル
又はアリールラジカルが好ましいが、所望の場合
には該基を本発明の方法に過度の悪影響を与えな
い任意の置換基、例えば本明細書中すでに上で略
述したそれらの炭化水素及び非炭化水素置換基ラ
ジカルで交互に置換することができる。 挙げることができる上記のジオルガノホスフア
イト式のＷのアルキレン及び／又はアリーレンラ
ジカル及び／又はAr基に結合させることができ
るR6によつて表わされるものを含むより詳細な
未置換の一価炭化水素置換基ラジカルの中に、第
一、第二、第三アルキルラジカルを含むアルキル
ラジカル、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、ｔ−
ブチル、ネオ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、アミ
ル、sec−アミル、ｔ−アミル、イソ−オクチル、
デシル等；アリールラジカル、例えばフエニル、
ナフチル等；アラルキルラジカル、例えばベンジ
ル、フエニルエチル、トリフエニルメチル等；ア
ルカリ−ルラジカル、例えばトリル、キシリル
等；脂環式ラジカル、例えばシクロペンチル、シ
クロヘキシル、１−メチルシクロヘキシル、シク
ロオクチル、シクロヘキシルエチル等がある。上
記のジオルガノホスフアイト式のＷのアルキレン
及び／又はアリーレンラジカル及び／又はAr基
に存在することができる非炭化水素置換基のより
詳細な例は、例えばハロゲン、好ましくは塩素又
はフツ素、−NO2、−CN、−CF3、−OH、−Si
（CH3）3、−Si（OCH3）3、−Si（C3H7）3、−Ｃ（Ｏ）
CH3、−Ｃ（Ｏ）C2H5、−OC（Ｏ）C6H5、−Ｃ（Ｏ）
OCH3、−Ｎ（CH3）2、−NH2、−NHCH3、−NH
（2H5）、−CONH2、−CON（CH3）2、−Ｓ（Ｏ）
2C2H5、−OCH3、−OC2H5、−OC6H5、−Ｃ（Ｏ）
6H5、−Ｏ（ｔ−C4H9）、−SC2H5、−
OCH2CH2OCH3、−（OCH2CH2）2OCH3、−
（OCH2CH2）3OCH3、−SCH3、−Ｓ（Ｏ）CH3、−
SC6H5、−Ｐ（Ｏ）（C6H5）2、−Ｐ（Ｏ）（CH3）2、−
Ｐ（Ｏ）（C2H5）2、−Ｐ（Ｏ）（C3H7）2、−Ｐ（Ｏ）
（C4H9）2、−Ｐ（Ｏ）（C6H13）2、−Ｐ（Ｏ）CH3
（C6H5）、−Ｐ（Ｏ）（Ｈ）（C6H5）、−NHC（Ｏ）
CH3、
【式】
【式】
【式】
【式】等 を含む。通常上記のジオルガノホスフアイト式の
Ｗのアルキレン及び／又はアリーレンラジカル及
び／又はAr基に存在する置換基ラジカルは１〜
18の炭素原子を含有することもでき、かつＷのア
ルキレン及び／又はアリーレンラジカル及び／又
はAr基に上記式において２つのAr基又はＷの２
つのアリーレン基を接続するブリツジング基−
（CH2）ｙ−（Ｑ）o−（CH2）y−になるように任意
の適当な位置で結合させることができる。その
上、各Arラジカル及び／又はＷのアルキレン及
び／又はアリーレンラジカルは１又はそれ以上の
該置換基群であつて任意の所定のジオルガノホス
フアイトにおいて同一或は異なることができるも
のを含有することができる。好ましい置換基ラジ
カルは１〜18、より好ましくは１〜10の炭素原子
を含有するアルキル及びアルコキシラジカル、特
にｔ−ブチル及びメトキシを含む。 より好ましいポリホスフアイト配位子の中に、
上記ポリ−ホスフアイト式において−（CH2）ｙ
−（Ｑ）o−（CH2）y−で表わされるブリツジング基
によつて結合される２つのAr基がAr基をリン原
子に接続させる酸素原子に関してオルト位置によ
り結合されるものがある。また、任意の置換基ラ
ジカルは、該Ar基に存在する場合には、所定の
置換Ar基をリン原子に結合させる酸素原子に関
してアリールのパラ及び／又はオルト位置におい
て結合されることが好ましい。 よつて、本発明において使用することができる
好適なポリ−ホスフアイト配位子群は下記の式の
ものである： 上記（）及び（）式において、Ｑは−
CR1R2〔ここで、各R1及びR2ラジカルは個々に水
素、炭素原子１〜12のアルキル（例えばメチル、
プロピル、イソプロピル、ブチル、イソデシル、
ドデシル等）、フエニル、トリル及びアニシルか
ら成る群より選ぶラジカルを表わす〕であり；ｎ
は０又は１の値を有し；各Y1、Y2、Z2及びZ3基
は個々に水素、炭素原子１〜18を有するアルキル
ラジカル、本明細書中上に規定しかつ例示した通
りの置換或は未置換のアリール、アルカリール、
アラルキル及び脂環式ラジカル（例えばフエニ
ル、ベンジル、シクロヘキシル、１−メチルシク
ロヘキシル等）、シアノ、ハロゲン、ニトロ、ト
リフルオロメチル、ヒドロキシ、並びに本明細書
中上に規定しかつ例示した通りのカルボニルオキ
シ、アミノ、アシル、ホスホニル、オキシカルボ
ニル、アミド、スルフイニル、スルホニル、シリ
ル、アルコキシ及びチオニルから成る群より選ぶ
ラジカルを表わし；ｍは２〜６、より好ましくは
２〜４、最も好ましくは２の値を有し；Ｗは本明
細書中先に総体的及び好適に規定した通りのｍ価
のラジカルである。好ましくは、Y1及びY2はは
共にイソプロピル或はより好ましくはｔ−ブチル
又はそれ以上の立体障害を有するラジカルであ
る。好ましくは、Ｑはメチレン（−CH2−）ブリ
ツジング基或はアルキリデン（−CHR2−）ブリ
ツジング基を表わし、ここでR2は上に規定した
通りの炭素原子１〜12のアルキルラジカル、特に
メチル（例えば−CHCH3−）である。より好ま
しい配位子は上記（）式においてY1及びY2が
共に３〜５の炭素原子を有する枝分れ鎖のアルキ
ルラジカル、特にｔ−ブチルであり、Z2及びZ3が
水素、アルキルラジカル、特にｔ−ブチル、ヒド
ロキシラジカル或はアルコキシラジカル、特にメ
トキシであるものである。 それ以上のより好ましいポリ−ホスフアイト配
位子は、上記のポリ−ホスフアイト式においてＷ
がアルキレン、特にエチレン、アルキレン−オキ
シ−アルキレン、特にCH2CH2OCH2CH2、置換
或は未置換のフエニレン、ナフチレン、ナフチレ
ン−（Ｑ）o−ナフチレン、フエニレン−（Ｑ）o−フ
エニレンラジカル（ここでＱ及びｎは共に先に総
体的及び好適に規定したのと同じである）から成
る群より選ぶ二価のラジカルであるものを含む。
ｍが２であるより好ましいビス−ホスフアイトタ
イプの配位子の中にＷが１，２−エチレン、ナフ
チレン、置換フエニレン及び置換フエニレン−
（Ｑ）o−フエニレンラジカル、特に１，４−ナフ
チレン及び１，５−ナフチレンから成る群より選
ぶ二価のラジカルであるものがある。その上、該
フエニレン及び／又はフエニレン−（Ｑ）o−フエ
ニレンラジカルについて好ましい置換基は、好ま
しくはアルキル及びアルコキシラジカル、最も好
ましくは本明細書中に規定したY1、Y2、Z2及び
Z3の置換基ラジカルに一致するものから成る群よ
り選ぶラジカルである。 よつて、本発明において使用することができる
別の好ましいビス−ホスフアイト配位子群は下記
の式のものである： 上記（）及び（）式において、各Y1、Y2、
Ｑ、Ｗ、Z2、Z3及びｎは上記（）及び（）式
において総括的及び好適に規定したのと同じであ
り、最も好ましくはｎはゼロである。各Y1、Y2、
Ｑ、Z2、Z3及びｎが任意の所定のホスフアイトに
おいて同一であるか或は異なり得ることは当然理
解されるべきである。より好ましくは、各Y1、
Y2、Z2、及びZ3基は個々に水素、１〜８の炭素
原子を有するアルキルラジカル、本明細書中上に
規定しかつ例示した通りの置換或は未置換のアリ
ール、アルカリール、アラルキル及び脂環式ラジ
カル（例えばフエニル、ベンジル、シクロヘキシ
ル、１−、メチルシクロヘキシル等）、本明細書
中上に規定しかつ例示した通りのシアノ、ハロゲ
ン、ニトロ、トリフルオロメチル、ヒドロキシ、
並びにカルボニルオキシ、アミノ、アシル、ホス
ホニル、オキシカルボニル、アミド、スルフイニ
ル、スルホニル、シニル、アルコキシ及びチオニ
ルラジカルから成る群より選ぶラジカルを表わ
す。 好ましくは、Y1及びY2は共にイソプロピル、
或はより好ましくはｔ−ブチル又はそれ以上の立
体障害を有するラジカルである。より好ましい配
位子は、Y1及びY2が共に３〜５の炭素原子を有
する枝分れ鎖のアルキルラジカル、特にｔ−ブチ
ルであり、Z2及びZ3が水素、アルキルラジカル、
特にｔ−ブチル、ヒドロキシラジカル或はアルコ
キシラジカル、特にメトキシである上記のもので
ある。 本発明のポリーホスフアイト配位子の追加の具
体例は、例えば下記を含む： 等。 本発明において使用することができるかかるタ
イプの包括的な群のポリ−ホスフアイト配位子及
び／又は該配位子の製造方法は知られている。例
えば、本発明において使用することができるポリ
−ホスフアイト配位子は、一連の慣用のハロゲン
化リン−アルコール縮合反応を経てす早くかつ容
易に作ることができる。かかるタイプの縮合反応
及び該反応を実施する方法は当分野においてよく
知られている。例えば、このような配位子を調製
する簡単な方法は、(a)対応する有機ジフエノール
系化合物を三塩化リンと反応させて対応する有機
ホスホロクロリダイト中間体を生成し、(b)該中間
体をジオール（上記式におけるＷに相当する）と
反応させて対応するヒドロキシ置換ジオルガノホ
スフアイト中間体を形成し、(c)該ジオルガノホス
フアイト中間体を三塩化リンと反応させて対応す
るホスホロジクロリダイト中間体を生成し、(d)該
ジクロリダイトを対応するジオールと反応させて
対応する所望のポリ−ホスフアイト配位子に到達
することを含むことができる。このような縮合反
応は、好ましくは、溶媒、例えばトルエン及び
HC1受容体、例えばアミンの存在において行い、
かつ所望の場合には、単一ポツト合成で実施する
ことができる。例えば、上記式に含まれるよう
な所望の対称ホスフアイトタイプの配位子は、上
記工程(a)のホスホロクロリダイト中間体２モル当
量をＷに相当するジオール１モル当量と反応させ
て直接製造することができる。その上、本発明に
おいて使用することができるポリ−ホスフアイト
配位子は、慣用の分析技法、例えばリン−31核磁
気共鳴分光学及び所望の場合にはフアーストアト
ムボンバードメントマススペクトロスコピーによ
り迅速に同定しかつ特性を決定することができ
る。 本発明のポリ−ホスフアイト配位子はヒドロホ
ルミル化、特にロジウム触媒ヒドロホルミル化を
促進させるプロセスにすばらしく適応することが
できかつ適している。例えば、ポ−ホスフアイト
配位子は全てのタイプのオレフインをヒドロホル
ミル化する良好な触媒活性を与えることに加えて
極めて良好なロジウム錯体安定性を与えることが
わかつた。更に、該配位子の独特の化学構造は配
位子にヒドロホルミルの間に加水分解される等の
副反応に対し、並びに貯蔵時の極めて良好な安定
性を付与する。 更に、本発明のポリ−ホスフアイト配位子は高
い分子量及び低い揮発度特性を持ち、かつオレフ
イン系不飽和化合物の均質触媒ヒドロホルミル化
において特に有用な配位子であることがわかつ
た。このことは実際驚くべきことである、という
のは、高い分子量により、該配位子は該ヒドロホ
ルミル化プロセスの反応媒質において低い溶解度
を有することを予期するからである。更に、ポリ
−ホスフアイト配位子の使用はヒドロホルミル化
反応において生成物の選択性を制御する優れた手
段を提供することができる。例えば、ポリ−ホス
フアイトはアルデヒド生成物の選択性を広範囲の
低いないし高いノルマル対イソ（枝分れした）生
成物比にわたつて制御する極めて有効な配位子で
あることがわかり、かつイソブチレンを含むアル
フア及びインターナルオレフインをヒドロホルミ
ル化するのに特に有用である。 何ら正確な理論及び機構論に束縛されることを
望まないが、ポリーホスフアイト配位子を低いか
或は高いノルマル対イソ（枝分れした）アルデヒ
ド生成物比を与えることができる独特のヒドロホ
ルミル化触媒の助触媒にさせるのはポリ−ホスフ
アイト配位子の構造上の特徴であると思われる。
これらの特徴はポリ−ホスフアイトのリン基の立
体寸法並びにブリツジング基Ｗの立体寸法及びリ
ン基の互いとの関係を含むと思われる。該ポリ−
ホスフアイトの内のいくつかは遷移金属、例えば
ロジウムとキレート錯体を形成する能力を有し得
ると考えられる。このような独特の現象が、本発
明のヒドロホルミル化方法においてポリ−ホスフ
アイトの内のいくつかを用いて得られる非常に高
いノルマル：イソアルデヒド生成物の選択性に関
して求めることのできる主要な理由であると考え
られる。 かかるキレート性タイプの配位子により得られ
るか高いノルマル対イソ生成物選択性は、線状の
ヒドロホルミル化生成物の生成に有利なロジウム
の回りの立体的環境を作り出すと思われる配位子
のシスキレート化能力を反映していると考えられ
る。その上、ポリ−ホスフアイト分子における配
位子自体の全寸法、並びにその他の置換基群の寸
法は、ポリ−ホスフアイト配位子のキレート可能
性に関して重要な要因と考えられる。立体障害が
あまりに多ければポリ−ホスフアイトがキレート
化する能力に影響を与え、他方、立体障害が十分
でなければポリ−ホスフアイトをあまりに強くキ
レート化させ得る。 おそらくその他のポリ−ホスフアイトがキレー
ト金属錯体を形成することができないことが該ポ
リ−ホスフアイトの例えばヒドロホルミル化にお
ける配位子助触媒としての有用性を減じると考え
るべきでなく、単にかかるキレート特性を有する
ポリ−ホスフアイトにより可能になり得る非常に
高いノルマル対イソアルデヒド生成物比を達成す
ることに関して同等でないと考えるべきことは勿
論である。 上述した通りに、上に規定したポリ−ホスフア
イト配位子は、本発明において第族遷移金属錯
体触媒のリン配位子、並びに好ましくは本発明の
方法の反応媒質中に存在する遊離リン配位子の両
方として用いる。加えて、本発明の所定のプロセ
スに好適に存在する第族遷移金属−ポリ−ホス
フアイト錯体触媒のリン配位子及び過剰の遊離リ
ン配位子は通常同じタイプのポリ−ホスフアイト
配位子であるが、所望の場合には、任意の所定プ
ロセスにおける各々の目的のために異なるタイプ
のポリ−ホスフアイト配位子、並びに２又はそれ
以上の異なるポリ−ホスフアイト配位子の混合物
を用い得ることは理解されるべきである。 従来技術の第族遷移金属−リン錯体触媒の場
合のように、本発明の第族遷移金属−ポリ−ホ
スフアイト錯体触媒は当分野で知られた方法によ
つて生成することができる。例えは、予備成形し
た第族金属ハイドリド−カルボニル（ポリ−ホ
スフアイト）触媒を調製してヒドロホルミル化プ
ロセスの反応媒質中に導入することが可能であ
る。より好ましくは、本発明の第族遷移金属０
−ポリ−ホスフアイト錯体触媒は金属触媒前駆物
質を反応媒質に導入して活性な触媒を現位置生成
させることから誘導することができる。例えば、
ロジウム触媒前駆物質、例えばロジウムジカルボ
ニルアセチルアセトネート、Rh2O3、Rh4
（CO）12、Rh6（CO）16、Rh（NO3）3等をポリ−ホス
フアイト配位子と共に反応媒質に導入して活性な
触媒を現位置生成することができる。好ましい実
施態様では、ロジウムジカルボニルアセチルアセ
トネートをロジウム前駆物質として用い、かつ溶
媒の存在においてポリ−ホスフアイトと反応させ
て触媒ロジウム−ポリ−ホスフアイト錯体前駆物
質を生成し、該前駆物質を過剰の遊離ポリ−ホス
フアイト配位子と共に反応装置に導入し活性な触
媒を現位置生成する。いずれにしても、一酸化炭
素、水素、ポリ−ホスフアイトは全て第族遷移
金属、例えばロジウムにより錯生成され得る配位
子であり、かつ活性な第族遷移金属−ポリ−ホ
スフアイト触媒は反応媒質中にカルボニル化、よ
り好ましくはヒドロホルミル化法の条件下で存在
すると理解することが本発明の目的のために十分
である。 よつて、本発明の第族遷移金属−ポリ−ホス
フアイト錯体触媒は、第族遷移金属が本質的に
一酸化炭素及びポリ−ホスフアイト配位子で錯化
されて成り、該配位子は金属、例えばロジウムに
キレート化及び／又は非キレート化様式で結合
（錯化）されると規定することができる。その上、
「本質的に成る」なる触媒用語は、一酸化炭素及
びポリ−ホスフアイト配位子に加えて特にロジウ
ム触媒ヒドロホルミル化の場合に金属で錯化した
水素を排除する意味でなく、むしろ含み得ること
は理解されるべきである。更に、上述したよう
に、該用語はまた金属で錯化されるその他の有機
配位子及び／又はアニオンの可能性を排除する意
味でもない。しかし、該触媒用語は、好ましくは
触媒の過度に悪い毒となり或は触媒を過度に失活
させる量のその他の物質を排除する意味であり、
これよりロジウムにロジウム結合したハロゲン、
例えば塩素等の汚染物が存在しないことが最も望
ましいが、このことは完全に必要というわけでは
ない。注記したように、活性なロジウム−ポリ−
ホスフアイト錯体触媒の水素及び／又はカルボニ
ル配位子は前駆物質触媒に結合された配位子の結
果として、及び／又は現位置生成の結果として、
例えばヒドロホルミル化法で用いる水素及び一酸
化炭素ガスによつて存在し得る。 その上、従来技術の第族遷移金属リン配位子
錯体触媒のように、本発明の所定の方法の反応媒
質中に存在する錯体触媒の量が使用するのが望ま
しい所定の第族遷移金属濃度を与えるのに必要
であり、かつ少なくとも所望の特有のカルボニル
化法を触媒するのに必要な第族遷移金属のその
触媒量となるベーシスを供給するその最少量のみ
であることを必要とすることは明らかである。通
常、遊離金属として計算して約10〜約1000ppmの
範囲の第族遷移金属濃度がほとんどのカルボニ
ル化法に十分である。その上、本発明のロジウム
触媒ヒドロホルミル化法では、通常遊離金属とし
て計算して約10〜500ppmのロジウム、より好ま
しくは25〜350ppmのロジウムを用いるのが好ま
しい。 本発明の方法に含まれるオレフイン系出発物質
反応体は末端或は内部不飽にすることができ、か
つ直鎖、枝分れ鎖或は環状構造になることができ
る。かかるオレフインは２〜20の炭素原子を含有
することができかつ１又はそれ以上のエチレン性
不飽和基を含有することができる。その上、該オ
レフインは本質的にヒドロホルミル化法に悪い害
を与えない基或は置換基、例えばカルボニル、カ
ルボニルオキシ、オキシ、ヒドロキシ、オキシカ
ルボニル、ハロゲン、アルコキシ、アリール、ハ
ロアルキル等を含有することができる。オレフイ
ン系不飽和化合物の例はアルフアオレフイン、イ
ンターナルオレフイン、アルキルアルケノエー
ト、アルケニルアルカノエート、アルケニルアル
キルエーテル、アルケノール等、例えばエチレ
ン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１
−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ド
デセン、１−オクタデセン、２−ブテン、２−メ
チルプロペン（イソブチレン）、イソアミレン、
２−ペンテン、２−ヘキセン、３−ヘキセン、２
−ヘプテン、シクロヘキセン、プロピレン二量
体、プロピレン三量体、プロピレン四量体、２−
エチル−ヘキセン、スチレン、３−フエニル−１
−プロペン、１，４−ヘキサジエン、１，７−オ
クタジエン、３−シクロヘキシル−１−ブテン、
アリルアルコール、ヘキサ−１−エン−４−オー
ル、オクタ−１−エン−４−オ−ル、ビニルアセ
テート、アリルアセテート、３−ブテニルアセテ
ート、ビニルプロピオネート、アリルプロピオネ
ート、アリルブチレート、メチルメタクリレー
ト、３−ブテニルアセテート、ビニルエチルエー
テル、ビニルメチルエーテル、アリルエチルエー
テル、ｎ−プロピル−７−オクテノエート、３−
ブテンニトリル、５−ヘキセンアミド等を含有す
ることができる。主題のヒドロホルミル化法が所
望の場合に種類の異るオレフイン系出発材料の混
合物を使用し得ることは当然理解される。より好
ましくは、主題の発明はイソブチレンを含む２〜
20の炭素原子を含有するアルフアオレフイン、４
〜20の炭素原子を含有するインターナルオレフイ
ン、並びに該アルフアオレフインとインターナル
オレフインとの出発材料混合物をヒドロホルミル
化することによつてアルデヒドを製造するのに特
に有用である。 本発明のカルボニル化、好ましくはヒドロホル
ミル化法は、また、好ましくは第族遷移金属−
ポリ−ホスフアイト錯体触媒用の有機溶媒の存在
において行う。意図するカルボニル化法に過度に
悪い害を与えない任意の適当な溶媒を使用するこ
とができ、かつこのような溶媒は公知の第族遷
移触媒法において従来普通に用いられるものを含
むことができる。ロジウム触媒ヒドロホルミル化
法に適した溶媒は、例として、例えば米国特許
3527809号及び同4148830号に開示されているもの
を含む。所望の場合には、１又はそれ以上の種類
の異なる溶媒の混合物を用いてもよいことはもち
論である。通常、ロジウム触媒ヒドロホルミル化
において、一次溶媒として製造することが望まれ
るアルデヒド生成物に相当するアルデヒド化合物
及び／又は沸点の一層高いアルデヒド液体縮合副
生物、例えばヒドロホルミル化法の間に現位置で
生成される沸点の一層高いアルデヒド液体縮合副
生物を用いることが好ましい。実際、所望の場合
に連続プロセスの始動時に任意の適当な溶媒（所
望のアルデヒド生成物に相当するアルデヒド化合
物が好ましい）を用いることができるが、一次溶
媒は、通常、かかる連続プロセスの性質により、
終局的にアルデヒド生成物及び沸点の一層高いア
ルデヒド液体縮合副生物を含むことになる。かか
るアルデヒド縮合副生物もまた所望の場合に予備
成形して適宜に使用することができる。その上、
かかる沸点の一層高いアルデヒド縮合副生物及び
該副生物の製造方法は一層完全に米国特許
4198830号及び同4247486号に記載されている。も
ち論、溶媒の使用量が主題の発明にとり臨界的な
ものでなく、及び反応媒質に所定のプロセスにつ
いて所望の特有の第族遷移金属濃度を付与する
程の量のみが必要であることは自明である。通
常、溶媒を使用する場合、その量は反応媒質の全
重量を基準にして約５から約95重量％まで又はそ
れ以上の範囲になり得る。 更に、通常、本発明のカルボニル化、特にヒド
ロホルミル化法を連続様式で実施することが好ま
しい。このような連続プロセスのタイプは当分野
でよく知られており、かつ例えばオレフイン系出
発材料を一酸化炭素及び水素により溶媒と、第
族遷移金属−ポリ−ホスフアイト触媒と、遊離の
ポリ−ホスフアイト配位子とを含む液体均質反応
媒質中でヒドロホルミル化し、オレフイン系出発
材料と、一酸化炭素と、水素とのメイクアツプ量
を反応媒質に供給し、オレフイン系出発材料のヒ
ドロホルミル化に有利な反応温度及び圧力条件を
保ち、所望のアルデヒドヒドロホルミル化生成物
を所望の任意の慣用法で回収することを含み得
る。連続プロセスは単一パス方式、すなわち、未
反応オレフイン系出発材料と気化したアルデヒド
生成物とを含む気体状混合物を液体反応媒質から
回収し、これからアルデヒド生成物を回収し、及
び未反応のオレフイン系出発材料を回収しないで
メイクアツプオレフイン系出発材料と、一酸化炭
素と、水素とを次の単一パススル−用の液体反応
媒質に供給する様式で行うことができるが、通
常、液体及び／又はガス循環手順のいずれかを含
む連続プロセスを採用することが望ましい。この
ような循環手順のタイプは当分野でよく知られて
おり、かつ例えば米国特許4148830号に開示され
ているような所望のアルデヒド反応生成物から分
離された第族遷移金属−ポリ−ホスフアイト錯
体触媒溶液の液体循環、或は例えば米国特許
4247486号に開示されているようなガス循環手順、
並びに所望の場合に液体及びガスの両方の循環手
順の組合せを含むことができる。該米国特許
4148830号及び同4247486号の開示内容を本明細書
中に援用する。本発明の最も好ましいヒドロホル
ミル化法は連続液体触媒循環法を含む。 所望のアルデヒド生成物は、例えば米国特許
4148830号及び同4247486号に記載されているよう
な任意の慣用方式で回収することができる。例え
ば、連続液体触媒循環法では、反応装置から取り
出した液体反応溶液の一部（アルデヒド生成物、
触媒等を含有する）を気化装置／分離装置に通
し、そこで所望のアルデヒド生成物を液体反応溶
液から蒸留により、１段又はそれ以上で、常圧、
減圧或は高圧下で分離し、凝縮し、生成物受け器
に集め、所望の場合に更に精製することができ
る。次いで、残留する気化しない触媒含有液体反
応溶液を所望の場合にその他の揮発性材料、例え
ば未反応オレフインのように、縮合アルデヒド生
成物から、任意の慣用方式において例えば蒸留に
よつて分離した後の液体反応溶液に溶解した水素
及び一酸化炭素と共に反応装置に循環させること
ができる。通常、所望のアルデヒド生成物をロジ
ウム触媒含有生成物溶液から減圧下で150℃より
低い、より好ましくは130℃より低いような低い
温度において分離することが好ましい。 上述した通りに、本発明のカルボニル化法、特
にヒドロホルミル化法は、好ましくは有利のポリ
−ホスフアイト配位子、すなわち使用する金層錯
体触媒の第族遷移金属で錯化されない配位子の
存在において行う。こうして遊離のポリ−ホスフ
アイト配位子は上で検討した上記のポリ−ホスフ
アイト配位子の内のいずれかに一致することがで
きる。しかし、第族遷移金属−ポリ−ホスフア
イト錯体触媒のポリ−ホスフアイト配位子と同じ
遊離のポリ−ホスフアイト配位子を使用すること
が好ましいが、かかる配位子は所定のプロセスに
おいて同じである必要はなく、所望の場合には異
なることができる。本発明のカルボニル化、好ま
しくはヒドロホルミル化法は遊離のポリ−ホスフ
アイト配位子の所望の過剰量、例えば反応媒質中
に存在する第族遷移金属１モル当り少なくとも
１モルの遊離ポリ−ホスフアイト配位子で行うの
がよいが、遊離のポリ−ホスフアイト配位子を使
用することは絶対必要というわけではない。よつ
て、通常反応媒質中に存在する第族遷移金属
（例えばロジウム）１モル当り約２〜約100モル或
は所望の場合にはそれ以上、好ましくは約４〜約
50モルの量のポリ−ホスフアイト配位子がほとん
どの目的のために、特にロジウム触媒ヒドロホル
ミル化に関して適当であり、該ポリ−ホスフアイ
ト配位子の使用量は存在する第族遷移金属に結
合（錯化）されるポリ−ホスフアイトの量と遊離
（非錯化）ポリ−ホスフアイト配位子の量との両
方の合計である。もち論、所望の場合に、メイク
アツプポリ−ホスフアイト配位子をヒドロホルミ
ル化法の反応媒質に任意の時に及び任意の適当な
方法で供給して反応媒質中の遊離配位子の所定の
レベルを保つことができる。 本発明の方法を遊離ポリ−ホスフアイト配位子
の存在において行い得ることは、プロセスの間に
遊離配位子のどんな量でさえも存在する場合に、
特に大規模の商業運転が含まれる場合にいくつか
の錯体触媒であつてそれらの活性が減じられ得る
ものについて要求され得る非常に低い正確な濃度
の配位子を用いることの臨界性を除き、こうして
運転員に一層大きな加工の寛容度を与える点で、
本発明の重要な有利な面である。 本発明のカルボニル化、より好ましくはヒドロ
ホルミル化法を行う反応条件は従来慣用的に用い
られるものであり、かつ約45°〜約200℃の反応温
度及び約１〜10000psia（0.07〜700Kg／cm2Ａ）の
範囲の圧力を含み得る。好ましいカルボニル化法
はオレフイン系不飽和化合物、より好ましくはオ
レフイン系炭化水素を一酸化炭素及び水素でヒド
ロホルミル化してアルデヒドを製造することであ
るが、本発明の第族遷移金属−ポリ−ホスフア
イトの錯体が任意のその他のタイプの従来技術の
カルボニル化法において触媒として用いて良好な
結果を得ることは理解されるべきである。その
上、かかるその他の従来技術のカルボニル化法は
通常の条件下で実施することができるが、通常該
方法は本発明の第族遷移金属−ポリ−ホスフア
イト錯体触媒により通常好適な温度よりも低い温
度において行い得ると考えられる。 注記した通りに、本発明のより好ましい方法は
オレフイン系不飽和化合物を一酸化炭素及び水素
で第族遷移金属−ポリ−ホスフアイト錯体触媒
及び遊離ポリ−ホスフアイト配位子、特にロジウ
ム−ポリ−ホスフアイト錯体触媒の存在において
ヒドロホルミル化することによつてアルデヒドを
製造することを含む。 本発明において使用することができるポリ−ホ
スフアイト配位子はヒドロホルミル化反応におい
て生成物の選択率を制御しかつ広範囲の低いない
し高い線状（ノルマル）対枝分れ（異性体）アル
デヒド生成物比を得る優れた手段を提供する。そ
の上、アルフア及びインターナルの両方のオレフ
インを容易にヒドロホルミル化し得ることによ
り、両方のタイプのオレフイン（例えば、ブテン
−１とブテン−２との混合物）を同じ出発材料混
合物から同時に比較的容易にヒドロホルミル化す
ることが可能になる。このような混合アルフアオ
レフイン及びインターナルオレフイン出発材料は
容易に入手することができかつ最も経済的なオレ
フイン供給原料であるので、このことは当分野に
とり極めて有利である。その上、本発明において
使用することができるポリ−ホスフアイト配位子
の多用性は、該配位子をして異る直列の反応装置
を使用してアルフア−オレフイン及びインターナ
ルオレフインの両方を連続してヒドロホルミル化
するのに迅速に適したものにする。このような能
力は第１反応装置から通過される未反応オレフイ
ンを第２反応装置で更にヒドロホルミル化する加
工寛容度を与えるばかりでなく、所望の場合に
は、例えば第１反応装置においてアルフア−オレ
フインをヒドロホルミル化する反応条件を最適に
し、同時に、例えば第２反応装置においてインタ
ーナルオレフインをヒドロホルミル化する反応条
件をも最適にすることを可能にする。 最良の結果及び所望の効率を達成するのに必要
な反応条件の最適化は主題のヒドロホルミル化発
明の利用における経験によるが、所定の状況につ
いて最適なそれらの条件を確定するのに単に多少
の実験が必要であり、このような実験は当業者の
知識の十分範囲内でありかつ本明細書中で説明す
る通りの本発明のより好ましい態様に従うことに
より及び／又は簡単な日常実験によつて容易に得
られることは当然理解されるべきである。 例えば本発明のヒドロホルミル化方法の水素
と、一酸化炭素と、オレフイン系不飽和出発化合
物との全ガス圧は約１〜約10000psia（約0.07〜約
700Kg／cm2Ａ）の範囲になり得る。しかしながら、
より好ましくは、オレフインをヒドロホルミル化
してアルデヒドを製造する場合、プロセスを水素
と、一酸化炭素と、オレフイン系不飽和の出発化
合物との全ガス圧約1500psia（105Kg／cm2Ａ）未
満、より好ましくは約500psia（35Kg／cm2Ａ）未満
で運転することが好ましい。反応体の最小全圧は
特別臨界的なものでなく、主に所望の反応速度を
得るのに必要な反応体の量によつてのみ制限され
る。より詳細には、本発明のヒドロホルミル化法
の一酸化炭素分圧は好ましくは約１〜約120psia
（約0.07〜約8.4Kg／cm2Ａ）、より好ましくは約３
〜約90psia（約0.2〜約６Kg／cm2Ａ）であり、他
方、水素分圧は好ましくは約15〜約160psia（約
1.1〜約11Kg／cm2Ａ）より好ましくは約30〜約
100psia（約２〜約７Kg／cm2Ａ）である。通常、ガ
ス状水素対一酸化炭素のH2：COモル比は約１：
10〜100：１又はそれ以上の範囲になり、より好
ましい水素対一酸化炭素のモル比は約１：１〜約
10：１である。 更に、上述したように、本発明のヒドロホルミ
ル化法は反応温度約45°約200℃において行うこと
ができる。所定のプロセスに用いる好ましい反応
温度が使用する特定のオレフイン系出発材料及び
金属触媒、並びに所望の効率に依存することはも
ち論である。通常、反応温度約50°〜約120℃にお
けるヒドロホルミル化が全てのタイプのオレフイ
ン系出発材料について好ましい。より好ましく
は、アルフアーオレフインは温度約60°〜約110℃
において有効にヒドロホルミル化することがで
き、他方、イソブチレン、インターナルオレフイ
ン並びにアルフアーオレフインとインターナルオ
レフインとの混合物のような慣用の線状アルフア
ーオレフインよりも反応性の低いオレフインでさ
えも温度約70°〜約120℃において有効かつ好適に
ヒドロホルミル化する。実際、本発明のロジウム
触媒ヒドロホルミル化法では、120℃よりずつと
高い反応温度で運転しても実質的な利点は見られ
ず、それほど望ましいとは考えられない。 本明細書中で略述したように、本発明のカルボ
ニル化、より好ましくはヒドロホルミル化法は液
体か或はガス状で行うことができ、かつ連続液体
又はガス循環系或は該系の組合せを含むことがで
きる。好ましくは、本発明のロジウム触媒ヒドロ
ホルミル化は、ヒドロホルミル化を遊離ポリ−ホ
スフアイト配位子及び本明細書中で更に略述する
通りの任意の適当な慣用の溶媒の両方の存在にお
いて行う連続均質触媒法を含む。 以上総括的に、本発明のポリ−ホスフアイト配
位子を使用することは、該配位子が極めて良好な
触媒的に活性かつ安定なロジウム触媒を提供する
点で独特である。その上、かかる分子量の高いポ
リ−ホスフアイト配位子が保持する低い揮発度
は、該配位子をしてより高いオレフイン、例えば
炭素原子４又はそれ以上のオレフインをヒドロホ
ルミル化する際に用いるのに特に適したものにす
る。例えば、揮発度は分子量に関係しかつ同族列
内で分子量に逆比例する。よつて、通常、アルデ
ヒド生成物及び／又は沸点のより高いアルデヒド
縮合副生物を、所望の場合に反応系から蒸留によ
つて除く間におこり得る配位子の損失を避け或は
少なくとも最少にするために、リン配位子であつ
てその分子量がヒドロホルミル化法において作ら
れるアルデヒドに相当する沸点のより高いアルデ
ヒド副生物三量体の分子量を越えるものを用いる
ことが望ましい。これより、例えばバレルアルデ
ヒド三量体の分子量は約250（C15H30O3）であり、
かつ本発明の全てのポリ−ホスフアイトは分子量
が250を十分に越えるので、反応系からかかるよ
り高い生成物アルデヒド及び／又はかかる沸点の
より高いアルデヒド副生物の除去の間のポリ−ホ
スフアイト配位子の過度の不利益な損失が何らな
い。 その上、連続液体ロジウム−トリオルガノホス
フアイト触媒循環法では、トリオルガノホスフア
イト配位子とアルデヒド生成物とがかかる連続プ
ロセスの過程にわたつて反応することによつて望
ましくないヒドロキシアルキルホスフイン酸副生
物が生じ、配位子濃度の損失を引き起こし得る。
このような酸は通常の液体ヒドロホルミル化反応
媒質に不溶性であることがしばしばで、望ましく
ないゼラチン状副生物の沈殿に至り得、またそれ
自体の自触媒生成を促進し得る。本発明のポリ−
ホスフアイト配位子はかかる酸の生成に対して極
めて良好な安定性を有する。しかし、本発明のポ
リ−ホスフアイト配位子を使用することによりこ
のような問題が起きるならば、問題は連続液体循
環プロセスの液体反応流出流をそれからアルデヒ
ド生成物を分離する前か或はより好ましくは分離
した後にアミン−アンバ−リスト 樹脂、例えば
アンバ−リスト Ａ−21等の床のような任意の適
当な弱塩基性アニオン交換樹脂の中に通して液体
触媒含有流中に存在し得る望ましくないヒドロキ
シアルキルホスホン酸副生物の一部或は全部を該
流をヒドロホルミル化反応装置の中に再加入させ
る前に除くことによつて有効かつ好適に制御し得
ることが考えられる。もち論、所望の場合にはか
かる塩基性アニオン交換樹脂床を１より多く、例
えば一連の該床を使用することができ、及び任意
の該床を必要或は所望の場合に、容易に取り除き
及び／又は取替えることができる。所望の場合、
代りにヒドロキシアルキルホスホン酸で汚染され
た触媒循環流の一部又は全部を連続循環運転から
定期的に取り出し、かつそのように取り出した汚
染液を上に略述したのと同じ方式で処理して中に
含有されるヒドロキシアルキルホスホン酸の量を
排除或いは減少させた後に触媒含有液をヒドロホ
ルミル化プロセスにおいて再使用することができ
る。同様に、本発明のヒドロホルミル化プロセス
からかかるヒドロキシアルキルホスホン酸副生物
を除くその他任意の適当な方法を本発明において
所望の場合に用いることができ、例えば酸を弱塩
基、例えば重炭酸ナトリウムで抽出する。 本発明のそれ以上の態様は、本質的に可溶化第
族遷移金属−ポリ−ホスフアイト錯体前駆物質
触媒と、有機溶媒と、遊離ポリ−ホスフアイト配
位子とから成る触媒前駆物質組成物と説明するこ
とができる。このような前駆物質組成物は、本明
細書中に規定する通りのポリ−ホスフアイト配位
子と、有機溶媒と、遊離ポリ−ホスフアイト配位
子との錯体結合になつてもよく或はならなくても
よい第族遷移金属出発材料、例えば金属酸化
物、水素化物、カルボニル又は塩、例えば硝酸塩
の溶液を生成することによつて調製することがで
きる。任意の適当な第族遷移金属出発材料、例
えばロジウムジカルボニルアセトネート、
Rh2O3、Rh4（CO）12、Rh6（CO）16、Rh（NO3）3、
ポリ−ホスフアイトロジウムカルボニルハイドリ
ド、イリジウムカルボニル、ポリ−ホスフアイト
イリジウムカルボニルハイドリド、ハロゲン化ホ
スミウム、クロロオスミウム酸、オスミウムカル
ボニル、パラジウムハイドリド、ハロゲン化第一
パラジウム（）、白金酸、ハロゲン化第一白金、
ルテニウムカルボニル、並びにその他の第族遷
移金属の他の塩及びC2−C16酸のカルボキシレー
ト、例えば塩化コバルト、硝酸コバルト、酢酸コ
バルト、オクタン酸コバルト、酢酸第二鉄、硝酸
第二鉄、フツ化ニツケル、硫酸ニツケル、酢酸パ
ラジウム、オクタン酸オスミウム、硫酸イリジウ
ム、硝酸ルテニウム等を用いることができる。任
意の適当な溶媒、例えば実施することが望まれる
カルボニル化プロセスにおいて使用することがで
きる溶媒を用いることができることはもち論であ
る。また、所望のカルボニル化プロセスが前駆物
質溶液中に存在する種々の量の金属、溶媒、配位
子を指図し得ることはもち論である。カルボニル
及びポリ−ホスフアイト配位子は、すでに初めの
第族遷移金属で錯化されていない場合には、カ
ルボニル化プロセスの前か或は該プロセス中現位
置で金属に錯化されることができる。例として、
好ましい第族遷移金属はロジウムであり、かつ
好ましいカルボニル化法はヒドロホルミル化であ
るので、本発明の好ましい触媒前駆物質組成物
は、本明細書中に規定する通りにロジウムジカル
ボニルアセチルアセトネートと、有機溶媒と、ポ
リ−ホスフアイト配位子との溶液を生成すること
によつて調製する可溶化ロジウムカルボニルポリ
−ホスフアイト錯体前駆物質触媒と、有機溶媒
と、遊離ポリ−ホスフアイト配位とから本質的に
成る。ポリ−ホスフアイトは室温においてロジウ
ム−アセチルアセトネート錯体前駆物質のジカル
ボニル配位子の内の１つを迅速に取り替え、この
ことは一酸化炭素ガスの放出によつて立証され
る。この置換反応は所望の場合に溶液を加熱して
促進させることができる。ロジウムジカルボニル
アセチルアセトネート錯体前駆物質及びロジウム
ポリ−ホスフアイト錯体前駆物質の両方が可溶性
である任意の適当な有機溶媒を使用することがで
きる。よつて、該触媒前駆物質組成物中に存在す
るロジウム錯体触媒前駆物質と、有機溶媒と、ポ
リ−ホスフアイトとの量、並びにそれらの好まし
い実施態様が、本発明のヒドロホルミル化法にお
いて用いることができかつ本明細書中ですでに検
討した量に一致し得ることは明らかである。経験
では、前駆物質触媒のアセチルアセトネート配位
子は、ヒドロホルミル化プロセスが異る配位子、
例えば水素、一酸化炭素又はポリ−ホスフアイト
配位子によつて開始した後に置換されて上で説明
した通りの活性なロジウム錯体触媒を生成するこ
とを示した。ヒドロホルミル化条件下で前駆物質
触媒から解放されたアセチルアセトンは反応媒質
から生成物アルデヒドと共に取り出され、こうし
てヒドロホルミル化法を少しも害しない。このよ
うな好ましいロジウム錯体触媒前駆体組成物を用
いることにより、ロジウム前駆物質金属及びヒド
ロホルミル化始動を取り扱う簡単な経済的及び効
率的な方法を提供する。 最後に、本発明のヒドロホルミル化法のアルデ
ヒド生成物は従来技術においてよく知られ及び実
証づけられている広範囲の実用性を有し、例えば
アルコールや酸を製造するための出発材料として
特に有用である。 下記の例は本発明を例示するものであつて、制
限するものと見なすべきではない。本明細書中及
び特許請求の範囲に挙げる部、パーセンテージ及
び割合は全て特記しない場合には重量による。本
明細書の式において、第三ブチルラジカルは−Ｃ
（CH3）3又はｔ−Buによつて表わし、一方、ノニ
ル又は（−C9H19）ラジカルは枝分れした混合ノ
ニルラジカルを表わす。同様に、−OMeはメトキ
シラジカルを表わし；−C6H5はフエニルラジカ
ルを表わし、時には−Ｈを用いて式の特定の位置
に水素以外の置換基の存在しないことを示す。 例 １ ロジウムジカルボニルアセチルアセトネートの
可溶化反応生成物とポリ−ホスフアイト配位子と
から本質的に成るロジウム錯体触媒前駆物質溶液
を調製しかつ用いて下記の方法でブテン−１をヒ
ドロホルミル化してC5アルデヒドにした。 ロジウムジカルボニルアセチルアセトネートを
周囲温度において下記式： を有するポリ−ホスフアイト配位子及び溶媒とし
てのバレルアルデヒド三量体と混合して下記の表
１に示す量のロジウム及び配位子を含有するロジ
ウム触媒前駆物質溶液を製造した。 そのようにして調製したロジウム触媒前駆物質
溶液を次いで用い、ガスを所望の分圧に導入する
ガスマニホールドに取り付けた磁気攪拌式
100mL容量のステンレススチールオートクレー
ブ中でブテン−１をヒドロホルミル化した。オー
トクレーブに、また、反応圧を±0.01psia（0.0007
Kg／cm2Ａ）まで求める圧力カリブレーター及び反
応溶液温度を±0.1℃まで求める白金抵抗温度計
を装備した。反応装置を300ワツト加熱バンド２
つで外部加熱した。外部バンドヒーターの温度を
調節する外部比例温度調節器に接続した白金抵抗
センサーで反応装置の溶液温度を調節した。 そのようにして調製したロジウム触媒前駆物質
溶液約15ミリリツトル（約14グラム）をオートク
レーブ反応装置に窒素下で装入しかつ加熱して使
用する反応温度（下記の表１に挙げる通り）にし
た。次いで、反応装置をガス抜きして5psig（0.35
Kg／cm2Ｇ）に下げ、かつブテン−１ 2.5mL（約
1.5グラム）を反応装置に導入した。次いで、一
酸化炭素及び水素（分圧を表１に記載する）をガ
スマニホールドより反応装置に導入し、それでブ
テン−１をヒドロホルミル化した。 生成したC5アルデヒドのリツトル当り時間当
りのグラムモルでのヒドロホルミル化反応速度
を、反応装置内の呼称運転圧に及び反応装置内の
シーケンシヤル5psia（0.35Kg／cm2Ａ）圧力降下か
ら求め、他方、線状（ｎ−バレルアルデヒド）対
枝分れ（２−メチルブチルアルデヒド）生成物の
モル比をガスクロマトフラフイーで求め、結果を
下記の表１に記載する。該結果はブテン−１出発
材料の約５〜20％転化後に求めた。
【表】 前駆物質溶液及び反応条件：ロジウム
250ppm；ビス−ホスフアイト配位子２重量％；
70℃；100psia（７Kg／cm2Ａ） CO：H2（モル比
１：２）；ブテン−１ 35psia（2.5Kg／cm2Ａ）（ブ
テン−１ 2.5mL）（配位子／ロジウムモル比約
8.6）。 例 ２ ブテン−１の代りにプロピレンをヒドロホルミ
ル化し、一酸化炭素と、水素と、プロピレンとの
予備混合ガス組成物を窒素で反応圧20psia（1.4
Kg／cm2Ａ）に調整した後に用い、ロジウム錯体触
媒前駆物質溶液及びヒドロホルミル化反応条件を
下記の表２に示す通りに変更した他は、ロジウム
ジカルボニルアセチルアセトネートと、溶媒とし
てのバレルアルデヒド三量体と、例１で用いたの
と同じポリ−ホスフアイト配位子とを用いてロジ
ウム触媒前駆物質溶液を調製しかつブテン−ｎを
ヒドロホルミル化する例１で用いた同じ手順及び
条件を繰り返した。生成したブチルアルデヒドの
リツトル当り時間当りのグラムモルによるヒドロ
ホルミル化反応速度、並びに線状（ｎ−ブチルア
ルデヒド）対枝分れ（イソブチルアルデヒド）生
成物のモル比を求め、結果を下記の表２に記載す
る。 表２ 反応速度グラム モル／リツトル／時間 線状／枝分れブチル アルデヒドモル比 1.31 11.0 前駆物質溶液及び反応条件：ロジウム
250ppm；ロジウム１モル当量当り４モル当量の
ビス−ホスフアイト配位子；70℃；90psia（6.3
Kg／cm2Ａ）CO：H2：プロピレン（モル比１：
１：１）。 例 ３ 下記式： （式中、Ｗは下記の表３に示す通りの二価ブリ
ツジング基である） を有する種々のポリ−ホスフアイト配位子、表３
に示す通りのロジウム錯体触媒前駆物質溶液及び
ヒドロホルミル化反応条件を用い、ロジウムジカ
ルボニルアセチルアセトネートと、溶媒としての
バレルアルデヒド三量体と、ポリ−ホスフアイト
配位子とを用いてロジウム触媒前駆物質溶液を調
製しかつブテン−１をヒドロホルミル化する例１
で用いた同じ手順及び条件を繰り返した。生成し
たC5アルデヒド（ペンテナル）のリツトル当り
時間当りのグラムモルによるヒドロホルミル化反
応速度、並びに線状（ｎ−バレルアルデヒド）対
枝分れ（２−メチルブチルアルデヒド）生成物の
モル比を例１と同じ方法で求めて、結果を下記の
表３に記載する。
【表】
【表】 前駆物質溶液及び反応条件：ロジウム
250ppm；ビス−ホスフアイト配位子２重量％；
70℃；100psia（７Kg／cm2Ａ）CO：H2（モル比
１：２）；ブテン−１ 2.5mL（ブテン−１
35psia（2.5Kg／cm2Ａ））。 例 ４ 下記式： （式中、Ｗは下記の表４に示す通りの二価のブ
リツジンゲ基である） を有する種々のビス−ホスフアイト配位子、下記
の表４に示す通りのロジウム錯体触媒前駆物質溶
液及びヒドロホルミル化反応条件を用い、ロジウ
ムジカルボニルアセチルアセトネートと、溶媒と
してのバレルアルデヒド三量体と、ホスフアイト
配位子とを用いるロジウム触媒前駆物質溶液を調
製しかつプロピレンをヒドロホルミル化する例２
で用いた同じ手順及び条件を繰り返した。生成し
たブチルアルデヒドのリツトル当り時間当りのグ
ラムモルによるヒドロホルミル化反応速度、並び
に線状（ｎ−ブチルアルデヒド）対枝分れ（イソ
ブチルアルデヒド）生成物のモル比を求めて、結
果を下記の表４に記載する。
【表】
【表】 前駆物質溶液及び反応条件：ロジウム
250ppm；ロジウム１モル当量当り４モル当量の
ビス−ホスフアイト配位子；70℃；90psia（6.3
Kg／cm2Ａ）CO：H2：プロピレン（モル比１：
１：１）。 例 ５ ポリ−ホスフアイト配位子を用いるブテン−１
の連続ヒドロホルミル化を下記の方法で行つた。 連続単一パスのブテン−１ヒドロホルミル化方
式で運転するガラス反応装置においてヒドロホル
ミル化を行つた。反応装置は３オンス（85グラ
ム）の耐圧ピンを目視用のガラスフロントを有す
る油浴中に入れて成るものであつた。系を窒素で
パージした後に、新しく調製したロジウム触媒前
駆物質溶液約20mLを注射器で反応装置に装入し
た。前駆物質溶液はロジウムジカルボニルアセチ
ルアセトネートとして導入したロジウム約
250ppmと、下記式： のビス−ホスフアイト配位子約２重量％（ロジウ
ム１モル当量当り約8.5モル当量）と、溶媒とし
てのテキサノール （Tecanol ）（２，２，４
−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイ
ソブチレート）とを含有するものであつた。反応
装置を閉止した後に、系を再び窒素でパージし、
かつ油浴を加熱して所望のヒドロホルミル化反応
を供給した。ヒドロホルミル化反応を全ガス圧約
160psig（11Kg／cm2Ｇ）、水素、一酸化炭素、ブテ
ン−１の分圧は下記の表５に記載するもの、残り
は窒素及びアルデヒド生成物において行つた。供
給ガス（一酸化炭素、水素、ブテン−１、窒素）
の流量を個々に質量流量計で調節し、かつ供給ガ
スをフリツテイド（fritted）スーパージヤーによ
り前駆物質溶液の中に分散させた。反応温度を下
記の表５に記載する。 供給ガスの未反応部を生成物C5アルデヒドか
らストリツピングし、流出ガスを約５日の連続運
転にわたつて分析した。生成物C5アルデヒドの
リツトル当り時間当りのグラムモルによるほぼ
日々の平均反応速、並びに線状（ｎ−バレルアル
デヒド）対枝分れ（２−メチルブチルアルデヒ
ド）生成物比を下記の表５に記載する。
【表】 (a)…少なすぎて検出できない。
ポリ−ホスフアイト配位子 下記のポリ−ホスフアイト配位子を調製しかつ
以下に説明する通りの下記の例６〜９，11，12で
用いた。 配位子L2−ｎ＝２ 配位子L6−ｎ＝６ 配位子L3−ｎ＝３ 配位子L7−ｎ＝７ 配位子L4−ｎ＝４ 配位子L8−ｎ＝８ 配位子L5−ｎ＝５ 例 ６ ロジウムジカルボニルアセチルアセトネートの
可溶化反応生成物とポリ−ホスフアイト配位子と
から本質的に成る一連の種々のロジウム錯体触媒
前駆物質組成物を調製しかつ使用して下記の方法
でブテン−１をヒドロホルミル化してC5アルデ
ヒドにした。 ロジウムジカルボニルアセチルアセトネートを
十分な量のポリ−ホスフアイト配位子と混合し、
かつ十分な溶媒、テキサノール で希釈して遊離
金属として計算してロジウム約350ppm及び配位
子（配位子は下記の表６に記載する通りに変え
る）約１重量％を含有するロジウム触媒前駆物質
溶液を製造した。トルエン約５重量％をガスクロ
マトグラフイー内部標準として触媒前駆物質の中
に入れた。 各ヒドロホルミル化反応において、そのように
して調製したロジウム触媒前駆物質溶液約15ミリ
リツトルをオートクレーブ反応装置に窒素下で装
入し、ハウス減圧下で約4psia（0.28Kg／cm2Ａ）に
排気し、次いで加熱して90℃のヒドロホルミル化
反応温度にした。そこでブテン−１ ２ml（約
1.2g）を反応装置に導入した後に100psia（７Kg／
cm2Ａ）のCO：H2（モル比１：１）を導入し、ブ
テン−１をそのようにしてヒドロホルミル化し
た。反応装置圧の各5psia（0.35Kg／cm2Ａ）の降下
の後に、メイクアツプCO：H2を反応装置に供給
して反応装置を調節して初期圧に戻した。ブテン
−１のおよそ30％転化に相当する10の連続する
5psia圧力降下（合計50psia（3.5Kg／cm2Ａ））の後
に、反応を停止させ、全反応時間を注記した（す
なわち、初めの100psiaのCO：H2を導入した時
から反応を停止させた時間にわたる期間）。反応
装置から排出した後に、トルエン内部標準を用い
るガスクロマトグラフイーで反応混合物の生成し
た全C5アルデヒドを分析した。 C5アルデヒドのリツトル当り時間当りのグラ
ムモルによるヒドロホルミル化反応速度を、使用
した触媒溶液の容量当り全反応時間にわたつて生
成したC5アルデヒドの測定した全量から求めた。
線状（ｎ−バレルアルデヒド）対枝分れ（２−メ
チルブチルアルデヒド）のモル比もまたガスクロ
マトグラフイーで測定した。結果を下記の表６に
記載する。
【表】 例 ７ 同じ一連のロジウム錯体触媒前駆物質溶液を用
いて例６に記載した同じ方法でブテン−２（シス
及びトランスブテン−２の約50：50モル混合物）
をヒドロホルミル化した。C5アルデヒドのリツ
トル当り時間当りのグラムモルによるヒドロホル
ミル化反応速度及び線状（ｎ−バレルアルデヒ
ド）対枝分れ（２−メチルブチルアルデヒド）の
モル比を表７に記載する。
【表】
【表】 例 ８ 同じ一連のロジウム錯体触媒前駆物質溶液を用
い例６に記載した同じ方法でイソ−ブチレンをヒ
ドロホルミル化した。C5アルデヒドのリツトル
当り時間当りのグラムモルによるヒドロホルミル
化反応速度を表８に記載する。１生成物３−メチ
ル−ブチルアルデヒドを生成する。 表８配位子 反応速度ｇ−モル／Ｌ／時間 Ｂ 2.20 Ｅ 2.87 Ｆ 1.84 Ｇ 1.51 Ｈ 1.30 Ｉ 3.04 Ｊ 0.41 Ｋ 2.11 L2 1.00 L3 0.51 L4 1.08 L5 0.94 L6 0.69 L7 0.95 L8 1.16 Ｎ 0.55 Ｏ 0.85 Ｐ 0.58 例 ９ 例６の同じ一連のロジウム錯体触媒前駆物質溶
液を用いてプロピレンをヒドロホルミル化した。
ブテン−１の代りに約38psia（2.7Kg／cm2Ａ）のプ
ロピレンを90℃において反応装置に加えた後に
100psi（７Kg／cm2）のCO：H2（モル比１：１）を
加えた他は例６における同じ手順を用いた。 リツトル当り時間当りのグラムモルによるC4
アルデヒドのヒドロホルミル化反応速度及び直鎖
（ｎ−ブチルアルデヒド）対枝分れ（イソ−ブチ
ルアルデヒド）生成物のモル比を表９に記載す
る。
【表】 例 10 下記式： の対称未置換ポリ−ホスフアイト配位子は、ロジ
ウムに対し過剰に用いた場合にプロピレン或はブ
テン−１のヒドロホルミル化を促進しなかつた。
しかし、この配位子は２：１の配位子対ロジウム
の化学量論で用いた場合にプロピレンのヒドロホ
ルミル化を促進した。例えば、ロジウム500ppm、
ビス−ホスフアイト配位子0.3重量％、90psia（6.3
Kg／cm2Ａ）のCO：H2：プロピレン（モル比１：
１：１）を70℃において用いて、線状ブチルアル
デヒド対枝分れ異性体比2.0対１及びアルデヒド
生成物の反応速度1.16グラム−モル／リツトル／
時間を得た。 例 11 ポリ−ホスフアイト配位子として上記の配位子
Ｅ、ロジウム前駆物質錯体溶液（ロジウム１モル
当量当り約3.2モル当量の配位子）及び下記の表
11に記載した反応条件を用い、例５に記載した同
じ方法でブテン−２（シス及びトランスブテン−
２の約１：１モル混合物）の連続ヒドロホルミル
化を行つた。生成物C5アルデヒドのリツトル当
り時間当りのグラムモルにより平均反応速度並び
に線状ｎ−バレルアルデヒド対枝分れ２−メチル
ブチルアルデヒド生成物比をも表11に記載する。
【表】 ＊…変化値は日々の配位子反応装置溶液レベルの変
化を反映している。
例 12 上に示したポリ−ホスフアイト配位子Ｊ、L2、
L4、R8及びＱ式を用いた種々のロジウム−ポリ
ーホスフアイト錯体のロジウム錯体の安定度を下
記の試験手順に従つて求めた。 小さな隔膜ストツパー付きガラスビン中でテキ
サノール 10mlを排気及び窒素で再充填して脱気
した。適当な配位子10モル当量（ロジウム１モル
当量当り）を窒素下で加えかつ混合物を均質にな
るまで攪拌した。テトラロジウムドデカカルボニ
ル（0.018グラム）を加えてロジウム1000ppmを
含有する錯体溶液とした。この溶液を磁気攪拌器
を装備した窒素フラツシユした100ml耐圧ビンに
装入し、次いで窒素フラツシユしたガスマニホー
ルドに取り付けた。ビンを60psia（4.2Kg／cm2Ａ）
のCO：H2（モル比１：１）で３回フラツシユし
かつ60psiaのCO：H2（モル比１：１）下に置い
て120℃において１時間攪拌した。次いで、圧力
を抜き、ビンを水素で３回フラツシユした。次い
で、溶液を10psia（0.7Kg／cm2Ａ）のH2下に置いて
120℃において20時間攪拌した。溶液を冷却し、
２〜３mlのアリコートを５ミクロンのミリポア
フイルターに通して過し、液のロジウム濃度
を火炎原子吸光分光分析法によつて求めた。溶液
中に保持されたロジウムのパーセントは実測した
ロジウム濃度値を使用した初めのロジウム濃度で
割つて求めた。結果を表12に記載する。 表12 配位子 ロジウム残率(%) L4 59 L8 64 Ｑ 88 Ｊ 94 L2 100 本発明の種々の変更態様及び変更は当分野の熟
練作業者にとつて自明であると思う。かかる変更
態様及び変更が本出願の範囲及び特許請求の精神
及び範囲内に含まれ得ることは理解されるべきで
ある。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ カルボニル化することができる有機化合物を
    一酸化炭素と、一酸化炭素及び下記式： 〔式中、各Ar基は同一であるか或いは異なる
    置換或は未置換のアリールラジカルを表わし；Ｗ
    はアルキレン、アルキレン−オキシ−アルキレ
    ン、アリーレン及びアリーレン−（CH2）ｙ−
    （Ｑ）o−（CH2）ｙ−アリーレン（ここで、各アリ
    ーレンラジカルは上に定義したArと同じである）
    から成る群より選ぶｍ価のラジカルを表わし；各
    ｙは個々に０又は１の値を有し；各Ｑは個々に−
    CR1R2−、−０−、−Ｓ−、−NR3、−SiR4R5−及
    び−CO−（ここで、各R1及びR2ラジカルは個々
    に水素、炭素原子１〜12のアルキル、フエニル、
    トリル及びアニシルから成る群より選ぶラジカル
    を表わし、各R3、R4及びR5ラジカルは個々に−
    Ｈ又は−CH3を表わす）から成る群より選ぶ二価
    のブリツジング基を表わし；各ｎは０又は１の値
    を有し；ｍは２〜６の値を有する〕 を有するポリ−ホスフアイト配位子で錯化された
    第族遷移金属から本質的に成る第族遷移金属
    −ポリ−ホスフアイト錯体触媒の存在において反
    応させることを含むカルボニル化方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の錯体触媒の存在
    においてオレフイン系不飽和有機化合物を一酸化
    炭素及び水素と反応させることを含む特許請求の
    範囲第１項記載のアルデヒドのヒドロホルミル化
    製造方法。 ３ 下記式： 〔式中、各Ar基は同一であるか或いは異なる
    置換或は未置換のアリールラジカルを表わし；Ｗ
    はアルキレン、アルキレン−オキシ−アルキレ
    ン、アリーレン及びアリーレン−（CH2）ｙ−
    （Ｑ）o−（CH2）ｙ−アリーレン（ここで、各アリ
    ーレンラジカルは上に定義したArと同じである）
    から成る群より選ぶｍ価のラジカルを表わし；各
    ｙは個々に０又は１の値を有し；各Ｑは個々に−
    CR1R2−、−０−、−Ｓ−、−NR3−、−SiR4R5−
    及び−CO−（ここで、各R1及びR2ラジカルは
    個々に水素、炭素原子１〜12のアルキル、フエニ
    ル、トリル及びアニシルから成る群より選ぶラジ
    カルを表わし、各R3、R4及びR5は個々に−Ｈ又
    は−CH3を表わす）から成る群より選ぶ二価のブ
    リツジング基を表わし；各ｎは個々に０又は１の
    値を有し；ｍは２〜６の値を有する〕 を有する遊離ポリ−ホスフアイト配位子の存在に
    おいて行い、及び第族遷移金属がロジウムであ
    る特許請求の範囲第２項記載のアルデヒドのヒド
    ロホルミル化製造方法。 ４ オレフイン系不飽和化合物を２〜20の炭素原
    子を含有するアルフアーオレフイン、４〜20の炭
    素原子を含有するインターナルオレフイン及び該
    アルフア及びインターナルオレフインの混合物か
    ら成る群より選ぶ特許請求の範囲第３項記載のヒ
    ドロホルミル化方法。 ５ ヒドロホルミル化反応条件が50°〜120℃の範
    囲の反応温度、水素と、一酸化炭素と、オレフイ
    ン系不飽和有機化合物との全圧0.07〜105Kg／cm2
    Ａ（１〜1500psia）、水素分圧1.1〜11Kg／cm2Ａ（15
    〜160psia）、一酸化炭素分圧0.07〜8.4Kg／cm2Ａ
    （１〜120psia）を含み、及び反応媒質が該媒質中
    にロジウム１モル当り４〜100モルの前記ポリ−
    ホスフアイト配位子を含有する特許請求の範囲第
    ４項記載の方法。 ６ ロジウムにより錯化されるポリ−ホスフアイ
    ト配位子及び更に存在する遊離ポリ−ホスフアイ
    ト配位子もまた各々個々に下記式： 〔上記（）及び（）式において、Ｑは−
    CR1R2（ここで、各R1及びR2ラジカルは個々に水
    素、炭素原子１〜12のアルキル、フエニル、トリ
    ル及びアニシルから成る群より選ぶラジカルを表
    わす）であり；各Y1、Y2、Z2及びZ3基は個々に
    水素、炭素原子１〜18を有するアルキルラジカ
    ル、置換或は未置換のアリール、アルカリール、
    アラルキル及び循環式ラジカル、並びにシアノ、
    ハロゲン、ニトロ、トリフルオロメチル、ヒドロ
    キシ、並びにカルボニルオキシ、アミノ、アシ
    ル、ホスホニル、オキシカルボニル、アミド、ス
    ルフイニル、スルホニル、シリル、アルコキシ及
    びチオニルラジカルから成る群より選ぶ同一又は
    異なるラジカルを表わし；ｍは２〜４の値を有
    し；ｗ及びｎは上に定義したのと同じである〕 から成る群より選ぶ同一又は異なる配位子である
    特許請求の範囲第５項記載の方法。 ７ オレフイン出発原料をブテン−１、ブテン−
    ２、イソブチレン及び本質的にブテン−１とブテ
    ン−２とから成るオレフイン混合物から成る群よ
    り選び、Y1及びY2は３〜５の炭素原子を有する
    枝分れアルキルラジカルであり、Z2及びZ3はメト
    キシラジカルであり；Ｗは１，４−ナフチレン、
    １，５−ナフチレン、エチレン或はアルキル及び
    アルコキシラジカルから成る群より選ぶ置換基を
    含有する置換フエニレン−（Ｑ）o−フエニレンラ
    ジカルであり；各Ｑは−CH2−又はCHCH3−で
    あり；ｍは２であり；ｎは上に定義したのと同じ
    である特許請求の範囲第６項記載の方法。 ８ Y1及びY2がｔ−ブチルラジカルを表わす特
    許請求の範囲第７項記載の方法。 ９ ロジウムにより錯化されるポリ−ホスフアイ
    ト配位子及び更に存在する遊離ポリ−ホスフアイ
    ト配位子もまた各々個々に下記式： 〔上記（）及び（）式において、Ｑは−
    CR1R2（ここで、各R1及びR2ラジカルは個々に水
    素、炭素原子１〜12のアルキル、フエニル、トリ
    ル及びアニシルから成る群より選ぶラジカルを表
    わす）であり；各Y1、Y2、Z2及びZ3基は個々に
    水素、炭素原子１〜18を有するアルキルラジカ
    ル、置換或は未置換のアリール、アルカリール、
    アラルキル及び循環式ラジカル、並びにシアノ、
    ハロゲン、ニトロ、トリフルオロメチル、ヒドロ
    キシ、カルボニルオキシ、アミノ、アシル、ホス
    ホニル、オキシカルボニル、アミド、スルフイニ
    ル、スルホニル、シリル、アルコキシ及びチオニ
    ルラジカルから成る群より選ぶ同一又は異なるラ
    ジカルを表わし；ｍは２〜４の値を有し；ｗ及び
    ｎは上に定義したのと同じである〕 から成る群より選ぶ式を有する同一又は異なる配
    位子である特許請求の範囲第３項記載の方法。 １０ オレフイン出発原料をブテン−１、ブテン
    −２、イソブチレン及び本質的にブテン−１とブ
    テン−２とから成るオレフイン混合物から成る群
    より選び、Y1及びY2は３〜５の炭素原子を有す
    る枝分れアルキルラジカルであり、Z2及びZ3はメ
    トキシラジカルであり；Ｗは１，４−ナフチレ
    ン、１，５−ナフチレン、エチレン或はアルキル
    及びアルコキシラジカルから成る群より選ぶ置換
    基を含有する置換フエニレン−（Ｑ）o−フエニレ
    ンラジカルであり；Ｑは−CH2−又は−CHCH3
    −であり；ｍは２であり；ｎは上に規定したのと
    同じである特許請求の範囲第９項記載の方法。 １１ Y1及びY2がｔ−ブチルラジカルを表わす
    特許請求の範囲第８項記載の方法。 １２ 配位子が式の配位子でありかつＷが１，
    ４−ナフチレン或は１，５−ナフチレンである特
    許請求の範囲第９項記載の方法。 １３ 本質的に可溶化第族遷移金属−ポリ−ホ
    スフアイト錯体と、有機溶媒と、遊離ポリ−ホス
    フアイト配位子とから成り、該錯体のポリ−ホス
    フアイト配位子及び遊離ポリ−ホスフアイト配位
    子は各々個々に下記の一般式： 〔式中、各Ar基は同一であるか或は異なる置
    換或は未置換のアリールラジカルを表わし；Ｗは
    アルキレン、アルキレン−オキシ−アルキレン、
    アリーレン及びアリーレン−（CH2）ｙ−（Ｑ）o−
    （CH2）ｙ−アリーレン（ここで、各アリーレン
    ラジカルは上に定義したArと同じである）から
    成る群より選ぶｍ価のラジカルを表わし；各ｙは
    個々に０又は１の値を有し；各Ｑは個々に−
    CR1R2−、−０−、−Ｓ−、−NR3−、−SiR4R5−
    及び−CO−（ここで、各R1及びR2は個々に水素、
    炭素原子１〜12のアルキル、フエニル、トリル及
    びアニシルから成る群より選ぶラジカルを表わ
    し、各R3、R4及びR5は個々に−Ｈ又は−CH3を
    表わす）から成る群より選ぶ二価のブリツジング
    基を表わし；各ｎは個々に０又は１の値を有し；
    ｍは２〜６の値を有する〕 を有する同一或は異なる配位子である第族遷移
    金属錯体ヒドロホルミル化触媒前駆物質組成物。 １４ 第族遷移金属がロジウムである特許請求
    の範囲第１３項記載の組成物。 １５ ロジウム−ポリ−ホスフアイト錯体がポリ
    −ホスフアイト配位子とロジウムジカルボニルア
    セチルアセトネートとの反応生成物錯体である特
    許請求の範囲第１４項記載の組成物。
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