JPH0452288A - エッチング装置 - Google Patents
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- JPH0452288A JPH0452288A JP16363690A JP16363690A JPH0452288A JP H0452288 A JPH0452288 A JP H0452288A JP 16363690 A JP16363690 A JP 16363690A JP 16363690 A JP16363690 A JP 16363690A JP H0452288 A JPH0452288 A JP H0452288A
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- electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
平行電極を備えたエツチング装置に関し、電極間のプラ
ズマ密度を一定にして均一なエツチングを行うことを目
的とし、 エツチングチャンバの中に対向して配設される2つの電
極間の距離を検出する距離検出手段と、該距離検出手段
の検出データと目標値とを対照して前記電極間の距離の
補正量を設定する電極補正量設定手段と、該補正量設定
手段から出力された補正量分だけ、前記電極の少なくと
も一方を移動して電極間距離を変更する電極移動手段と
を含み構成する。
ズマ密度を一定にして均一なエツチングを行うことを目
的とし、 エツチングチャンバの中に対向して配設される2つの電
極間の距離を検出する距離検出手段と、該距離検出手段
の検出データと目標値とを対照して前記電極間の距離の
補正量を設定する電極補正量設定手段と、該補正量設定
手段から出力された補正量分だけ、前記電極の少なくと
も一方を移動して電極間距離を変更する電極移動手段と
を含み構成する。
本発明は、エツチング装!に関し、より詳しくは、一対
の平行平板電極を備えたエツチング装置に関する。
の平行平板電極を備えたエツチング装置に関する。
基板上に形成された膜をパターニングしたり除去する場
合に使用されるドライエツチング装置は、例えば第3図
に示すように、ガス導入口aと排気口すを備えたチャン
バCと、このチャンバC内に設けられた支持電極dとこ
れに対向する対向電極eと、対向電極eに接続する高周
波を源RFとを有しており、減圧されたチャンバC内に
導入されたエツチングガスをtid、e間でプラズマ化
し、支持電極dに載置された半導体基板W表面の膜をエ
ツチングするように構成されている。
合に使用されるドライエツチング装置は、例えば第3図
に示すように、ガス導入口aと排気口すを備えたチャン
バCと、このチャンバC内に設けられた支持電極dとこ
れに対向する対向電極eと、対向電極eに接続する高周
波を源RFとを有しており、減圧されたチャンバC内に
導入されたエツチングガスをtid、e間でプラズマ化
し、支持電極dに載置された半導体基板W表面の膜をエ
ツチングするように構成されている。
また、高周波電源RFから対向電極eに到る送電路中に
は整合器gが取付けられ、この整合器gは、負荷の変動
に対して自己インピーダンスを変化させることにより、
2つの電極d、e間に印加される高周波電圧を一定にし
てエツチングレートやエツチング分布を均一に保持する
ように構成されている。
は整合器gが取付けられ、この整合器gは、負荷の変動
に対して自己インピーダンスを変化させることにより、
2つの電極d、e間に印加される高周波電圧を一定にし
てエツチングレートやエツチング分布を均一に保持する
ように構成されている。
ところで、このような装置においては、支持電極dと対
向電tljieの間隔を例えばLowと狭くして、その
間に発生するプラズマの密度を高め、エツチングレート
を大きくすることが行われている。
向電tljieの間隔を例えばLowと狭くして、その
間に発生するプラズマの密度を高め、エツチングレート
を大きくすることが行われている。
ところで、対向電極eは、活性化したイオンの衝撃を受
けて消耗することがある。
けて消耗することがある。
例えば、炭素よりなる対向電極eを使用し、エンチング
ガスにCP、 、CHF、等を用イテ5io211Iを
エツチングすると、80時間程度使用された対向電極e
の下面が数■程度削り採られるため、2つの電極e、d
間の距離が大きくなり、プラズマ密度が減少してエツチ
ングレートが低くなることが確認されている。
ガスにCP、 、CHF、等を用イテ5io211Iを
エツチングすると、80時間程度使用された対向電極e
の下面が数■程度削り採られるため、2つの電極e、d
間の距離が大きくなり、プラズマ密度が減少してエツチ
ングレートが低くなることが確認されている。
ところで、整合器gは、負荷変動に対応して電極d、e
間の電圧が常に一定になるように作動するが、電極e、
f間の広がりによるプラズマ密度の変化には対応できな
い。
間の電圧が常に一定になるように作動するが、電極e、
f間の広がりによるプラズマ密度の変化には対応できな
い。
従って、2つの電極d、e間に印加される高周波電圧が
一定であるにもかがわらず、電極間距離の変動によって
プラズマ密度が変化し、エツチングの精度が低下すると
いった問題が発生する。
一定であるにもかがわらず、電極間距離の変動によって
プラズマ密度が変化し、エツチングの精度が低下すると
いった問題が発生する。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって
、電極間のプラズマ密度を一定にして均一なエツチング
を行うことができるエツチング装置を提供することを目
的とする。
、電極間のプラズマ密度を一定にして均一なエツチング
を行うことができるエツチング装置を提供することを目
的とする。
上記した課題は、第1図に例示するように、エツチング
チャンバ1の中に対向して配設される2つの電極4.5
間の距離を検出する距離検出手段II、12.21.2
2と、該距離検出手段の検出データと目標値とを対照し
て前記電極4.5間の距離の補正量を設定する電極補正
量設定手段I3.23と、該補正量設定手段13.23
から出力された補正量分だけ、前記電極4.5の少な(
とも一方を移動して電極間距離を変更する電極移動手段
6.7を備えたことを特徴とするエツチング装置、また
は、エツチングチャンバ1の中に対向配設される第一及
び第二の電極4.5と、該第一の電極4と該第二の電極
5の少なくとも一方に接続される高周波電源8と、前記
第一の電極4或いは前記第二の電極5の反射波の電圧値
を検出する反射波電圧値検出手段11.21と、予め調
査した電極間距離に対する反射波電圧値と前記反射波の
電圧値とを対照して、前記第一及び第二の1t8i間の
距離を求める距離検出手段I2.22と、該距離検出手
段l2.22の検出データに基づいて前記第一の電極4
または前記第二の電極5の補正量を設定する電極補正量
設定手段13.23と、該電極補正量設定手段13.2
3により設定された補正量だけ前記第一の電極4又は前
記第二の電極5を移動させる電極移動手段6.7とを備
えたことを特徴とするエツチング装置によって達成する
。
チャンバ1の中に対向して配設される2つの電極4.5
間の距離を検出する距離検出手段II、12.21.2
2と、該距離検出手段の検出データと目標値とを対照し
て前記電極4.5間の距離の補正量を設定する電極補正
量設定手段I3.23と、該補正量設定手段13.23
から出力された補正量分だけ、前記電極4.5の少な(
とも一方を移動して電極間距離を変更する電極移動手段
6.7を備えたことを特徴とするエツチング装置、また
は、エツチングチャンバ1の中に対向配設される第一及
び第二の電極4.5と、該第一の電極4と該第二の電極
5の少なくとも一方に接続される高周波電源8と、前記
第一の電極4或いは前記第二の電極5の反射波の電圧値
を検出する反射波電圧値検出手段11.21と、予め調
査した電極間距離に対する反射波電圧値と前記反射波の
電圧値とを対照して、前記第一及び第二の1t8i間の
距離を求める距離検出手段I2.22と、該距離検出手
段l2.22の検出データに基づいて前記第一の電極4
または前記第二の電極5の補正量を設定する電極補正量
設定手段13.23と、該電極補正量設定手段13.2
3により設定された補正量だけ前記第一の電極4又は前
記第二の電極5を移動させる電極移動手段6.7とを備
えたことを特徴とするエツチング装置によって達成する
。
係があり、種々の電極についてその特性を予め調査して
お(必要がある。
お(必要がある。
従って、電極4.5間に発生するプラズマによって電極
4.5が薄層化されても、t#firjIの距離を常に
一定に保つことができ、その間に発生するプラズマの密
度を変えずにエツチングが行われることになり、エツチ
ング精度が良くなる。
4.5が薄層化されても、t#firjIの距離を常に
一定に保つことができ、その間に発生するプラズマの密
度を変えずにエツチングが行われることになり、エツチ
ング精度が良くなる。
本発明によれば、2つの電極4.5間の距離を検出して
、その距離が目標値と相違する場合には、電極4.5の
補正量を求めてその分だけ電極4.5を移動させ、電極
間の距離を目標値と一致させるようにしている。
、その距離が目標値と相違する場合には、電極4.5の
補正量を求めてその分だけ電極4.5を移動させ、電極
間の距離を目標値と一致させるようにしている。
また、第2の発明によれば、予め調査した電極の反射波
電圧値に対する電極間距離のデータと、実測した反射波
電圧値とを対照して、電極間の距離を検出し、電極間距
離性を補正するようにしている。この場合、電極からの
反射の電圧値は、電極間の距離の増大に伴って大きくな
るといった関〔実施例〕 そこで、以下に本発明の詳細を図面に基づいて説明する
。
電圧値に対する電極間距離のデータと、実測した反射波
電圧値とを対照して、電極間の距離を検出し、電極間距
離性を補正するようにしている。この場合、電極からの
反射の電圧値は、電極間の距離の増大に伴って大きくな
るといった関〔実施例〕 そこで、以下に本発明の詳細を図面に基づいて説明する
。
第1図は、本発明の一実施例装置を示す構成図であって
、図中符号1は、ガス導入口2と排気口3とを備えたエ
ツチングチャンバで、その底部には、基板Wを載置する
ための支持電極4が設けられ、また、エツチングチャン
バl内の上部には、支持電極4上面に対向する対向電極
5が上下方向に移動可能に取付けられており、電極間距
離を変更し得るように構成されている。
、図中符号1は、ガス導入口2と排気口3とを備えたエ
ツチングチャンバで、その底部には、基板Wを載置する
ための支持電極4が設けられ、また、エツチングチャン
バl内の上部には、支持電極4上面に対向する対向電極
5が上下方向に移動可能に取付けられており、電極間距
離を変更し得るように構成されている。
6は、エツチングチャンバ1の上部に取付けられた電極
移動器で、この電極移動器6は、支持電極4上面に対し
て垂直方向に進退可能な支持杆7を有しており、後述す
る電極移動制御器8により指示された量だけ支持杆7を
移動し、支持杆7の先端に取付けた対向電極5の位置を
修正するように構成されている。
移動器で、この電極移動器6は、支持電極4上面に対し
て垂直方向に進退可能な支持杆7を有しており、後述す
る電極移動制御器8により指示された量だけ支持杆7を
移動し、支持杆7の先端に取付けた対向電極5の位置を
修正するように構成されている。
9は、高周波電圧を対向電極5と支持電極4の間に印加
する1isで、この1ifi9から対向電極4に到る送
電経路中には、対向電極5から反射する電圧の大きさや
位相に基づいて自己インピーダンスを変化させることに
より印加電圧値を一定に保つ整合器10が取り付けられ
ており、この整合器10により負荷の変動に対応して整
合をとるように構成されている。
する1isで、この1ifi9から対向電極4に到る送
電経路中には、対向電極5から反射する電圧の大きさや
位相に基づいて自己インピーダンスを変化させることに
より印加電圧値を一定に保つ整合器10が取り付けられ
ており、この整合器10により負荷の変動に対応して整
合をとるように構成されている。
上記した1i極移動制御IBBは、電極移動器6を駆動
して対向電極5と支持電極4との距離を一定に保持する
もので、後述される反射波電圧値検出回路11と、電極
間距離演算回路12と、電極補正量設定回路13を有し
ている。
して対向電極5と支持電極4との距離を一定に保持する
もので、後述される反射波電圧値検出回路11と、電極
間距離演算回路12と、電極補正量設定回路13を有し
ている。
上記した反射波電圧値検出回路IIは、対向電極5から
反射された反射波の電圧値を検出するもので、検出した
その電圧値を電極間距離演算回路12に出力するように
構成されている。
反射された反射波の電圧値を検出するもので、検出した
その電圧値を電極間距離演算回路12に出力するように
構成されている。
また、電極間距離演算回路12は、対向電極5と支持電
極4との距離を演算するもので、予め調査した電極間距
離と反射波電圧値の関係を示すデータと、実測した電圧
値とを照合して支持電極4と対向電極5の間の距It
7!rを求めるように構成されている。この場合、対向
電極5と支持電極4が離れるほど反射波の電圧は大きく
なるといった外賓があり、各種の対向電極5について電
極間距離と反射波電圧値との関係を調べておく必要があ
る。
極4との距離を演算するもので、予め調査した電極間距
離と反射波電圧値の関係を示すデータと、実測した電圧
値とを照合して支持電極4と対向電極5の間の距It
7!rを求めるように構成されている。この場合、対向
電極5と支持電極4が離れるほど反射波の電圧は大きく
なるといった外賓があり、各種の対向電極5について電
極間距離と反射波電圧値との関係を調べておく必要があ
る。
この電極間距離演算回路12による演算は、整合器10
による調整を終えた後、あるいは、整合器10の調整と
交互に行うように構成しておく。
による調整を終えた後、あるいは、整合器10の調整と
交互に行うように構成しておく。
上記した電極補正量設定回路13は、電極間距離の目標
値l・と、電極間距離演算回路12の演算データ!、と
の差を求め、演算データ11が目標値1.より大きい場
合には電極移動器6の支持杆7をその差分だけ下降させ
、また、電極間距離の目標値10が演算データ!!1よ
り大きい場合には支持rJI7をその差分だけ上昇させ
ることにより、最終的に電極間路Hp、と目標値E0が
一致するように構成されている。
値l・と、電極間距離演算回路12の演算データ!、と
の差を求め、演算データ11が目標値1.より大きい場
合には電極移動器6の支持杆7をその差分だけ下降させ
、また、電極間距離の目標値10が演算データ!!1よ
り大きい場合には支持rJI7をその差分だけ上昇させ
ることにより、最終的に電極間路Hp、と目標値E0が
一致するように構成されている。
なお、図中符号14は、支持電極4を取り付けるととも
にエツチングチャンバlを載せる基台、Mは、基板Wの
上に積層された被エツチング膜をを示している。
にエツチングチャンバlを載せる基台、Mは、基板Wの
上に積層された被エツチング膜をを示している。
次に、上記した実施例装置0作用について説明する。
炭素よりなる対向電極5を電極移動器6の支持杆7に取
付け、支持電極4との距離を例えば10■程度の位1に
設定する。
付け、支持電極4との距離を例えば10■程度の位1に
設定する。
そして、被エツチング膜MとしてSiO□膜を形成した
基板Wを支持電極4に載せた後、エツチングチャンバ1
を基台14に設置して電極4.5等を覆い、ついで、そ
の中の空気を排気口3がら抜いて約1 、 8 Tor
rまで減圧する。また、周波数380kHz、出力80
0Wの高周波電源9から対向電極5に高周波電圧を印加
する。
基板Wを支持電極4に載せた後、エツチングチャンバ1
を基台14に設置して電極4.5等を覆い、ついで、そ
の中の空気を排気口3がら抜いて約1 、 8 Tor
rまで減圧する。また、周波数380kHz、出力80
0Wの高周波電源9から対向電極5に高周波電圧を印加
する。
このような状態で、ガス導入口2からCF4 、CHF
、及びArのガスをそれぞれ60.60.110005
CC導入して、これらを支持電極4と対向電極5と間に
供給してプラズマ化し、被エツチング膜Mのエツチング
を開始する。
、及びArのガスをそれぞれ60.60.110005
CC導入して、これらを支持電極4と対向電極5と間に
供給してプラズマ化し、被エツチング膜Mのエツチング
を開始する。
また、エツチングを開始する直前に整合器IOにより、
電極間の電圧を所定の値に保持する。
電極間の電圧を所定の値に保持する。
そしてこの後に、電極移動制御器8を作動させると、反
射波電圧値検出回路11は、対向電極5から反射波を入
力してその電圧値を検出し、また、電極間距離演算回路
12は、反射波の電圧値と予め調査したデータとを照合
して、支持電極4と対向電極5の距離11を求め、この
距離データを電橋補正量設定回路I3に出力する。
射波電圧値検出回路11は、対向電極5から反射波を入
力してその電圧値を検出し、また、電極間距離演算回路
12は、反射波の電圧値と予め調査したデータとを照合
して、支持電極4と対向電極5の距離11を求め、この
距離データを電橋補正量設定回路I3に出力する。
また、電極補正量設定値回路13は、目標となる電極間
距離10と実際の電極間距離1.との差を求め、測定値
2Iが大きい場合には対向電極5をその差分だけ下降さ
せ、電極間距離を目標値!。
距離10と実際の電極間距離1.との差を求め、測定値
2Iが大きい場合には対向電極5をその差分だけ下降さ
せ、電極間距離を目標値!。
とする、また、実測値21よりも目標値が大きい場合に
は、対向電極5を上昇させて電極間距離を目標値1.と
する。
は、対向電極5を上昇させて電極間距離を目標値1.と
する。
例えば、対向電極5を交換した直後であって、対向電極
5が支持電極4に僅かに近づいている状態では、電極補
正量設定値回路13は、対向電極5が支持電極4から離
れるように支持杆7を移動させるような信号を電極移動
器6に出力することになる。また、エツチングの通算時
間が増えるにつれて対向電極5が薄層化する場合には、
対向電極5を支持電極4に近づけるように支持杆7を移
動させることになる。
5が支持電極4に僅かに近づいている状態では、電極補
正量設定値回路13は、対向電極5が支持電極4から離
れるように支持杆7を移動させるような信号を電極移動
器6に出力することになる。また、エツチングの通算時
間が増えるにつれて対向電極5が薄層化する場合には、
対向電極5を支持電極4に近づけるように支持杆7を移
動させることになる。
なお、炭素よりなる対向電極5を用いて5ioJIlを
エツチングする場合、電極間距離を10−にしたところ
、その厚さは時間の経過とともに減少し、80時間で3
閣程度薄くなり、これにともない反射波の電圧値が大き
くなることが確認されている。
エツチングする場合、電極間距離を10−にしたところ
、その厚さは時間の経過とともに減少し、80時間で3
閣程度薄くなり、これにともない反射波の電圧値が大き
くなることが確認されている。
このように、対向電極5に印加される電圧を調整機IO
によって#iI整するとともに、対向ii極5と支持電
極4の距離を電極移動器6及び電極移動制御器8により
調節するようにしたエツチング装置においては、電極4
.5間に印加される電圧が一定となり、また、電極4.
5間に発生するプラズマ密度も一定となり、エツチング
の再現性が良くなり、その精度が向上する。
によって#iI整するとともに、対向ii極5と支持電
極4の距離を電極移動器6及び電極移動制御器8により
調節するようにしたエツチング装置においては、電極4
.5間に印加される電圧が一定となり、また、電極4.
5間に発生するプラズマ密度も一定となり、エツチング
の再現性が良くなり、その精度が向上する。
ところで、上記した実施例では、電極間距離を具体的に
設定して対向iIt極5の位置を修正するようにしたが
、反射波電圧V1を基準電圧V0と比較することにより
対向電極5を移動修正することも可能である。
設定して対向iIt極5の位置を修正するようにしたが
、反射波電圧V1を基準電圧V0と比較することにより
対向電極5を移動修正することも可能である。
即ち、第2回に示すように、対向電極5と電極移動器6
との間に設けられる電極移動制’aH1Bを、後述する
反射波電圧値検出回路21、電極間距離判別回路22、
電極補正量設定回路23によって構成する。
との間に設けられる電極移動制’aH1Bを、後述する
反射波電圧値検出回路21、電極間距離判別回路22、
電極補正量設定回路23によって構成する。
上記した反射波電圧値検出回路21は、対向電極5から
反射した反射波の電圧値■1を検出するように構成され
いている。
反射した反射波の電圧値■1を検出するように構成され
いている。
また、電極間距離判別回路22は、対向電極5の反射波
電圧値■1の大きさが基準電圧値v0前後の許容範囲外
であればその電圧値■1を電極補正量設定回路23に出
力する一方、許容範囲内であれば出力を停止する。その
基準電圧MV0は、支持電極4と対向電極5との距離を
目標値10に設定した場合において、対向電極5から反
射される電圧の値を予め実測して求めたものである。
電圧値■1の大きさが基準電圧値v0前後の許容範囲外
であればその電圧値■1を電極補正量設定回路23に出
力する一方、許容範囲内であれば出力を停止する。その
基準電圧MV0は、支持電極4と対向電極5との距離を
目標値10に設定した場合において、対向電極5から反
射される電圧の値を予め実測して求めたものである。
上記した電極補正量設定回路23は、電極間距離判別回
路22を介して入力した電圧値■、と基準値■。の大小
を比較して電極移動器6に移動量を指示するもので、入
力値が基準値■。よりも大きい場合には、対向電極5を
一定量だけ支持電極4に僅かに近づかせる一方、入力値
が基準値■。
路22を介して入力した電圧値■、と基準値■。の大小
を比較して電極移動器6に移動量を指示するもので、入
力値が基準値■。よりも大きい場合には、対向電極5を
一定量だけ支持電極4に僅かに近づかせる一方、入力値
が基準値■。
よりも小さい場合には、対向電極5を支持電極4から一
定量遠ざかせるように構成されている。この場合の移動
量は例えば0.5mと小さくする。
定量遠ざかせるように構成されている。この場合の移動
量は例えば0.5mと小さくする。
これにより、電極間距離が所望の位置となるまで対向電
極5を僅かずフ移動させるといった動作を連続的に繰り
返すことになり、対向電極5が許容誤差の範囲となった
場合にその移動を停止させることになる。
極5を僅かずフ移動させるといった動作を連続的に繰り
返すことになり、対向電極5が許容誤差の範囲となった
場合にその移動を停止させることになる。
なお、上記した2つの実施例では電極間の距離を対向電
極5から反射される電圧の大きさに基づいて検出するよ
うにしたが、対向電極5の下面に沿ってレーザ光を通過
させ、その通過量を測定する等の手段によって対向電極
の位置を検出し、そのデータに基づいて電極間距離を修
正することも可能である。
極5から反射される電圧の大きさに基づいて検出するよ
うにしたが、対向電極5の下面に沿ってレーザ光を通過
させ、その通過量を測定する等の手段によって対向電極
の位置を検出し、そのデータに基づいて電極間距離を修
正することも可能である。
以上述べたように本発明によれば、2つの電極間の距離
を検出して、その距離が目標値と相違する場合には、電
極の補正量を求めてその分だけ電極を移動させ、電極間
の距離を目標と一致させるようにしたので、電極が薄層
化しても電極間の距離を一定にし、その間に発生するプ
ラズマの密度を変えずにエツチングを行うことができ、
エツチングの再現性を良くすることが可能になる。
を検出して、その距離が目標値と相違する場合には、電
極の補正量を求めてその分だけ電極を移動させ、電極間
の距離を目標と一致させるようにしたので、電極が薄層
化しても電極間の距離を一定にし、その間に発生するプ
ラズマの密度を変えずにエツチングを行うことができ、
エツチングの再現性を良くすることが可能になる。
また、第2の発明によれば、予め調査した電極の反射波
電圧値に対する電極間距離のデータと、実測した反射波
電圧値とを対照して、電極間の距離を検出するようにし
たので、エツチングの最中であっても容易に電極間距離
を測定できるために、常に!極を調整することができ、
エツチング精度をさらに高めることができる。
電圧値に対する電極間距離のデータと、実測した反射波
電圧値とを対照して、電極間の距離を検出するようにし
たので、エツチングの最中であっても容易に電極間距離
を測定できるために、常に!極を調整することができ、
エツチング精度をさらに高めることができる。
第1図は、本発明の第1実施例の装置を示す構成図、
第2図は、本発明の第2実施例の装置を示す構成図、
第3図は、従来装置の一例を示す構成図である。
(符号の説明)
1・・・エツチングチャンバ、
2・・・ガス導入口、
3・・・排気口、
4・・・支持電極、
5・・・対向電極、
6・・・電極移動器、
7・・・支持間、
8・・・電極移動制御器、
9・・・高周波電源、
10・・・整合器、
11・・・反射波電圧値検出回路、
12・・・電極間距離演算回路、
13・・・電極補正量設定回路、
21・・・反射波電圧値検出回路、
22・・・電極間距離判別回路、
23・・・電極補正量設定回路、
出 願 人 富士通株式会社
Claims (2)
- (1)エッチングチャンバ(1)の中に対向して配設さ
れる2つの電極(4、5)間の距離を検出する距離検出
手段(11、12、21、22)と、該距離検出手段の
検出データと目標値とを対照して前記電極(4、5)間
の距離の補正量を設定する電極補正量設定手段(13、
23)と、該補正量設定手段(13、23)から出力さ
れた補正量分だけ、前記電極(4、5)の少なくとも一
方を移動して電極間距離を変更する電極移動手段(6、
7)を備えたことを特徴とするエッチング装置。 - (2)エッチングチャンバ(1)の中に対向配設される
第一及び第二の電極(4、5)と、 該第一の電極(4)と該第二の電極(5)の少なくとも
一方に接続される高周波電源(8)と、前記第一の電極
(4)或いは前記第二の電極(5)の反射波の電圧値を
検出する反射波電圧値検出手段(11、21)と、 予め調査した電極間距離に対する反射波電圧の値と前記
反射波の電圧値とを対照して、前記第一及び第二の電極
間の距離を求める距離検出手段(12、22)と、 該距離検出手段(12、22)の検出データに基づいて
前記第一の電極(4)または前記第二の電極(5)の補
正量を設定する電極補正量設定手段(13、23)と、 該電極補正量設定手段(13、23)により設定された
補正量だけ前記第一の電極(4)又は前記第二の電極(
5)を移動させる電極移動手段(6、7)とを備えたこ
とを特徴とするエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16363690A JPH0452288A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16363690A JPH0452288A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | エッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0452288A true JPH0452288A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15777703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16363690A Pending JPH0452288A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0452288A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05304113A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Nec Kyushu Ltd | 枚葉式プラズマエッチング装置 |
| US8382941B2 (en) | 2008-09-15 | 2013-02-26 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactor with adjustable plasma electrodes and associated methods |
| JP2016076428A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 春日電機株式会社 | 放電処理装置 |
| WO2018193584A1 (ja) * | 2017-04-20 | 2018-10-25 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | Cvd装置およびそのクリーニング方法 |
| JP2023519306A (ja) * | 2020-03-27 | 2023-05-10 | ラム リサーチ コーポレーション | レーザ透過型センサを用いたウエハの厚さおよびギャップのその場モニタリング |
-
1990
- 1990-06-21 JP JP16363690A patent/JPH0452288A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05304113A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Nec Kyushu Ltd | 枚葉式プラズマエッチング装置 |
| US8382941B2 (en) | 2008-09-15 | 2013-02-26 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactor with adjustable plasma electrodes and associated methods |
| US8715519B2 (en) | 2008-09-15 | 2014-05-06 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactor with adjustable plasma electrodes and associated methods |
| JP2016076428A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 春日電機株式会社 | 放電処理装置 |
| WO2018193584A1 (ja) * | 2017-04-20 | 2018-10-25 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | Cvd装置およびそのクリーニング方法 |
| JP2023519306A (ja) * | 2020-03-27 | 2023-05-10 | ラム リサーチ コーポレーション | レーザ透過型センサを用いたウエハの厚さおよびギャップのその場モニタリング |
| US12332042B2 (en) | 2020-03-27 | 2025-06-17 | Lam Research Corporation | In-situ wafer thickness and gap monitoring using through beam laser sensor |
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