JPH0452647A - Chemical ray sensitive polymer composition - Google Patents
Chemical ray sensitive polymer compositionInfo
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- JPH0452647A JPH0452647A JP16326290A JP16326290A JPH0452647A JP H0452647 A JPH0452647 A JP H0452647A JP 16326290 A JP16326290 A JP 16326290A JP 16326290 A JP16326290 A JP 16326290A JP H0452647 A JPH0452647 A JP H0452647A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、化学線感応性重合体組成物に関するものであ
る、さらに詳しくは、g線ステッパーを用いた露光時に
高い残膜率を得ることができ、しかも、解像度の良い感
光性ポリイミド組成物に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to an actinic radiation-sensitive polymer composition, more specifically, to obtaining a high film retention rate during exposure using a G-ray stepper. The present invention relates to a photosensitive polyimide composition which is capable of providing high resolution.
[従来の技術]
感光性ポリイミド組成物としては、ポリアミド酸に化学
線により2量化または重合可能な炭素−炭素2重結合お
よびアミノ基またはその4級化塩を含む化合物を添加し
た組成物(例えば特公昭59−52822号公報)ある
いはポリアミド酸にエステル基で感光性を導入したポリ
イミド前駆体組成物(例えば、米国特許第395751
2号、同第4040831号明細書など)が知られてい
る。[Prior Art] Photosensitive polyimide compositions include compositions in which a compound containing a carbon-carbon double bond and an amino group or a quaternized salt thereof that can be dimerized or polymerized by actinic radiation is added to polyamic acid (for example, (Japanese Patent Publication No. 59-52822) or a polyimide precursor composition in which photosensitivity is introduced into polyamic acid with an ester group (for example, U.S. Pat. No. 395,751)
No. 2, Specification No. 4040831, etc.) are known.
しかし、かかる従来の組成物は現在半導体素子の製造に
用いられている水銀灯のg線を用いるステッパーによる
露光では長波長露光、酸素減感の影響により残膜率が大
幅に低下し希望の膜厚を得るのが困難であり、現像時に
膜荒れを起こすという欠点を有していた。However, when such conventional compositions are exposed by a stepper using the G-line of a mercury lamp currently used in the manufacture of semiconductor devices, the residual film rate decreases significantly due to the effects of long wavelength exposure and oxygen desensitization, resulting in a desired film thickness. It is difficult to obtain the desired properties, and the film has the disadvantage of causing roughness during development.
また、高感度な感光性ポリイミド組成物として、N−フ
ェニルグリシンを含むものは露光光の散乱光などにも感
応し、解像度が上がらなかった。このために、ポリイミ
ドを多層配線の層間絶縁膜として用いた場合に、望まれ
る微細なピアホールが開口しないという欠点があった。Moreover, as a highly sensitive photosensitive polyimide composition, one containing N-phenylglycine was sensitive to scattered light of exposure light, and the resolution could not be improved. For this reason, when polyimide is used as an interlayer insulating film of multilayer wiring, there is a drawback that desired fine peer holes cannot be opened.
[発明が解決しようとする課題]
この発明は、かかる従来技術の諸欠点に鑑み創案された
もので、その目的は、上記欠点、すなわち、g線ステッ
パー露光時に膜減り、膜荒れの少なく、また解像度の良
い化学線感応性重合体組成物を提供することにある。[Problems to be Solved by the Invention] The present invention was devised in view of the various drawbacks of the prior art, and its purpose is to solve the above-mentioned drawbacks, that is, to reduce film loss and film roughness during G-line stepper exposure, and to An object of the present invention is to provide an actinic radiation-sensitive polymer composition with good resolution.
[課題を解決するための手段]
かかる本発明の目的は、
(1)(a)一般式
%式%
(ただし、式中R1は少なくとも2個以上の炭素原子を
有する3価または4価の有機基、R2は少なくとも2個
以上の炭素原子を有する2価の有機基、R3は水素また
はアルカリ金属対イオンを表わす。nは1または2であ
る。)で表わされる構造単位[1コを主成分とするポリ
マと、(b)化学線により、2量化または重合可能な不
飽和結合および、アミノ基または、その4級化塩を含む
化合物[2]と、
R5/
(R−、R5は、少なくとも2個以上の炭素原子を有す
る1価の有機基、R6は少なくとも3個以上の炭素原子
を有する1価の有機基を表わす。)で表わされるクマリ
ン化合物[3]と、(d)置換基を有しないか、或いは
中性又は酸性の置換基を有する芳香族モノアジド化合物
[4]とからなる化学線感応性重合体組成物により達成
される。[Means for Solving the Problems] The object of the present invention is as follows: (1) (a) General formula % formula % (wherein R1 is a trivalent or tetravalent organic compound having at least two or more carbon atoms) group, R2 represents a divalent organic group having at least two or more carbon atoms, R3 represents hydrogen or an alkali metal counter ion, n is 1 or 2. (b) a compound [2] containing an unsaturated bond that can be dimerized or polymerized by actinic radiation, and an amino group or a quaternized salt thereof; R5/ (R-, R5 are at least A coumarin compound [3] represented by a monovalent organic group having 2 or more carbon atoms, R6 represents a monovalent organic group having at least 3 carbon atoms, and (d) a substituent. This is achieved by an actinic radiation-sensitive polymer composition comprising an aromatic monoazide compound [4] which has no substituents or has a neutral or acidic substituent.
本発明における構造単位[1]を有するポリマとは、前
記一般式で示される構造を有し、加熱あるいは適当な触
媒によりイミド環や、その地理状構造を有するポリマ(
以後、ポリイミド系ポリマと呼ぶ)となり得るものであ
る。In the present invention, a polymer having a structural unit [1] is a polymer having a structure represented by the above general formula and having an imide ring or its geographical structure by heating or using a suitable catalyst.
Hereinafter, it can be referred to as a polyimide-based polymer).
上記構造単位[1コ中、R1は少なくとも2個以上の炭
素原子を有する3価のまたは4価の有機基である。ポリ
イミド系ポリマの耐熱性から、R1はポリマ主鎖のカル
ボニル基との結合が芳香族複素環から直接行われる構造
を有するものが好ましい。したがって、R1としては、
芳香環または芳香族複素環を含有し、かつ炭素数6〜3
oの3価または4価の基が好ましい。In the above structural unit [1], R1 is a trivalent or tetravalent organic group having at least two or more carbon atoms. In view of the heat resistance of the polyimide polymer, it is preferable that R1 has a structure in which the bond to the carbonyl group of the polymer main chain is directly formed from an aromatic heterocycle. Therefore, as R1,
Contains an aromatic ring or an aromatic heterocycle, and has 6 to 3 carbon atoms
A trivalent or tetravalent group of o is preferred.
(式中、結合手はポリマ主鎖のカルボニル基との結合を
表わし、ポリマ側鎖のカルボニル基は結合手に対してオ
ルト位に位置するが、この結合手は上記構造式には記載
していない。)
などが挙げられるが、これらに限定されない。(In the formula, the bond represents a bond with the carbonyl group of the polymer main chain, and the carbonyl group of the polymer side chain is located at the ortho position to the bond, but this bond is not shown in the above structural formula. ), but are not limited to these.
また構造単位[1]を有するポリマは、R1がこれらの
うちただ1種から構成されていても良いし、2種以上か
ら構成される共重合体であっても良い。Further, in the polymer having the structural unit [1], R1 may be composed of only one type among these, or may be a copolymer composed of two or more types.
R1として特に望ましいものは、
である(ただし式中、結合手の定義については前述と同
様である)。Particularly desirable R1 is (however, in the formula, the definition of the bond is the same as above).
上記構造単位[1コ中、R2は少なくとも2個以上の炭
素原子を有する2価の有機基であるが、ポリイミド系ポ
リマとした時の耐熱性の面がら、ポリマ主鎖のアミド基
との結合か芳香族環あるいは芳香族複素環から直接行わ
れる構造を有するものが好ましい。したがって、R2と
しては芳香族環または芳香族複素環を含有し、かつ炭素
数6〜30の2価の基が好ましい。In the above structural unit [1, R2 is a divalent organic group having at least two or more carbon atoms, but from the viewpoint of heat resistance when made into a polyimide polymer, the bond with the amide group of the main chain of the polymer It is preferable to have a structure formed directly from an aromatic ring or an aromatic heterocycle. Therefore, R2 is preferably a divalent group containing an aromatic ring or an aromatic heterocycle and having 6 to 30 carbon atoms.
R2の好ましい具体的な例としては、
H3
(式中、結合手は主鎖のアミド基との結合を表わす)な
どが挙げられる。また、これらがポリイミド系ポリマの
耐熱性に悪影響を与えない範囲内でアミノ基、アジド基
、カルボキシル基、スルホンアミド基などの核置換基を
有していても差支えない。Preferred specific examples of R2 include H3 (in the formula, the bond represents a bond with the amide group of the main chain). Further, these may have a nuclear substituent such as an amino group, an azide group, a carboxyl group, or a sulfonamide group within a range that does not adversely affect the heat resistance of the polyimide polymer.
これらの核置換基を有するものの内で特に好ましい例と
して、次のものが挙げられる。Particularly preferred examples of those having these nuclear substituents include the following.
などが挙げられる。Examples include.
構造単位[1]を有するポリマは、R2がこれらのうち
ただ1種から構成されていても良いし、2種以上から構
成される共重合体であっても良い。In the polymer having the structural unit [1], R2 may be composed of only one type among these, or may be a copolymer composed of two or more types.
さらに、ポリイミド系ポリマの接着性を向上させるため
に、耐熱性を低下させない範囲てR2として、シロキサ
ン結合を有する脂肪族性の基を共重合することも可能で
ある。好ましい具体例としては、
などが挙げられる。Furthermore, in order to improve the adhesiveness of the polyimide polymer, it is also possible to copolymerize an aliphatic group having a siloxane bond as R2 within a range that does not reduce the heat resistance. Preferred specific examples include the following.
構造単位[1]を主成分とするポリマの具体的な例とし
て、
ピロメリット酸2無水物と4,4′−ジアミノジフェニ
ルエーテル、
3.3’ 、4.4’ −ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸2無水物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテル
、
3.3’ 、4.4’ −ビフェニルテトラカルボン酸
2無水物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、
ピロメリット酸2無水物と3.3’ −(または4.4
’ )ジアミノジフェニルスルホン、3.3’ 、4.
4’ −ベンゾフェノンテトラカルボン酸2無水物と3
. 3’ −(または4.4’)ジアミノジフェニルス
ルホン、
3.3’ 、4.4’ −ビフェニルテトラカルボン酸
2無水物と3. 3’ −(または4. 4’ )ジア
ミノジフェニルスルホン、
3.3’ 、4.4’ −ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸2無水物と4,4′−ジアミノジフェニルスルフィ
ド、
3.3’ 、4.4’ −ビフェニルテトラカルボン酸
2無水物と4.4′−ジアミノジフェニルスルフィド、
3.3’ 、4.4’ −ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸2無水物とパラフェニレンジアミン、3.3’ 、
4.4’ −ビフェニルテトラカルボン酸2無水物とパ
ラフェニレンジアミン、3.3’ 、4.4’ −ジフ
ェニルエーテルテトラカルボン酸2無水物と4.4′−
ジアミノジフェニルエーテル、
などから合成されたポリアミド酸が好ましく用いられる
。Specific examples of polymers containing structural unit [1] as main components include pyromellitic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenyl ether, and 3.3',4.4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride. and 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3.3',4.4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether, pyromellitic dianhydride and 3.3'-(or 4 .4
') Diaminodiphenylsulfone, 3.3', 4.
4'-benzophenonetetracarboxylic acid dianhydride and 3
.. 3'-(or 4.4') diaminodiphenylsulfone, 3.3',4.4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride; and 3. 3'-(or 4.4') diaminodiphenylsulfone, 3.3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3.3', 4.4' -Biphenyltetracarboxylic dianhydride and 4.4'-diaminodiphenylsulfide, 3.3', 4.4' -Benzophenonetetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, 3.3',
4.4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, 3.3',4.4'-diphenyl ethertetracarboxylic dianhydride and 4.4'-
Polyamic acid synthesized from diaminodiphenyl ether, etc. is preferably used.
構造単位[1コを有するポリマとは、構造単位[1]の
みから成るものであっても良いし、他の構造単位との共
重合体あるいはブレンド体であっても良い。共重合に用
いられる構造単位の種類、量は最終加熱処理によって得
られるポリイミド系ポリマの耐熱性を著しく損なわない
範囲で選択するのが望ましい。The polymer having one structural unit may be composed only of the structural unit [1], or may be a copolymer or a blend with other structural units. The type and amount of structural units used in the copolymerization are desirably selected within a range that does not significantly impair the heat resistance of the polyimide polymer obtained by the final heat treatment.
ポリアミドアミド酸、ポリエステルアミド酸の構造単位
が典型的な例として挙げられるが、これらに限定されな
い。Typical examples include structural units of polyamideamic acid and polyesteramic acid, but are not limited thereto.
本発明において化学線により2量化または重合可能な不
飽和結合およびアミノ基またはその4級化塩を含む化合
物[2]としては、1分子中に炭素−炭素2重結合とア
ミン基または4級化したアミノ基を含む化合物が使用さ
れる。In the present invention, the compound [2] containing an unsaturated bond and an amino group or a quaternized salt thereof that can be dimerized or polymerized by actinic radiation includes a carbon-carbon double bond and an amine group or a quaternized salt thereof in one molecule. Compounds containing amino groups are used.
化合物[2]としては下記の一般式[A]、[B]また
は[C]で表わされる少なくとも1種の化合物またはこ
れらの四級化塩が好ましく用いられる。As compound [2], at least one compound represented by the following general formula [A], [B] or [C] or a quaternized salt thereof is preferably used.
(R12は置換または無置換の炭素数1〜6のアルキル
基を表わす)。(R12 represents a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms).
一般式[C] R13[C] (CH2=C−CH−)−、N−H。General formula [C] R13[C] (CH2=C-CH-)-, N-H.
(ここで、R13は水素、またはメチル基を表わし、n
+1=3、n=1〜3である)。(Here, R13 represents hydrogen or a methyl group, and n
+1=3, n=1 to 3).
好ましい具体例としては、
\
(ここでR7は水素またはフェニル基、R8は水素また
は炭素数1〜6の低級アルキル基、Rloは置換または
無置換の炭素数2〜12の炭化水素基、R9、R1、は
置換または無置換の炭素数1〜6のアルキル基を各々表
わす)。Preferred specific examples include: \ (where R7 is hydrogen or a phenyl group, R8 is hydrogen or a lower alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, Rlo is a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 2 to 12 carbon atoms, R9, R1 each represents a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms).
一般式[Bコ \ R3 \ CH2CH3。General formula [B \ R3 \ CH2CH3.
CH2=CH−CH2−NH2
(CH2=CHCH2)2 NH
\
CR3
化合物[2コは構造単位[1コを主成分とするポリマの
全カルボキシル基(またはその塩)の0゜05当量以上
配合するのが好ましく、より好ましくは0.3当量以上
で、かつ2倍当量以下でポリマと混合されているのが望
ましい。この範囲をはずれると感光性が悪くなったり、
現像時間、温度などの現像条件の許容幅が狭くなったり
する恐れがあるので注意を要する。CH2=CH-CH2-NH2 (CH2=CHCH2)2 NH \ CR3 Compound [2 units are structural units [1 unit is the main component of the polymer containing 0.05 equivalents or more of all carboxyl groups (or salts thereof)] is preferable, more preferably 0.3 equivalent or more and desirably 2 times the equivalent or less mixed with the polymer. Outside this range, photosensitivity may deteriorate,
Care must be taken because the allowable range of development conditions such as development time and temperature may be narrowed.
本発明におけるクマリン化合物[3]は、などが挙げら
れるが、これらに限定されない。Examples of the coumarin compound [3] in the present invention include, but are not limited to, the following.
化学線感応性の面から、特に不飽和基としてアクリル基
またはメタクリル基を有するアミノ化合物が望ましい。From the viewpoint of actinic radiation sensitivity, amino compounds having an acrylic or methacrylic group as an unsaturated group are particularly desirable.
アミン基が4級化されていない化合物の場合は構造単位
[1コのR3が水素であるものと組合わせるのが望まし
い。アミノ基が4級化されている化合物の場合は構造単
位[1]のR3がアルカリ金属イオンまたはアンモニウ
ムイオンのものと組合わせるのが望ましい。In the case of a compound in which the amine group is not quaternized, it is preferable to combine it with a structural unit in which one R3 is hydrogen. In the case of a compound in which the amino group is quaternized, it is desirable that R3 of the structural unit [1] be combined with an alkali metal ion or an ammonium ion.
(R4、R5は、少な(とも2個以上、好ましくは10
個以下の炭素原子を有する1価の有機基、R6は少なく
とも3個以上、好ましくは30個以下の炭素原子を有す
る1価の有機基である。)で表わされる、クマリン骨格
を有する化合物であり、水銀灯のg線(436nm)に
吸収をもつものであれば骨格にある置換基はどの様なも
のでも良い。(R4 and R5 are small (both 2 or more, preferably 10
R6 is a monovalent organic group having at least 3 carbon atoms, preferably 30 or less carbon atoms. ) is a compound having a coumarin skeleton, and any substituent on the skeleton may be used as long as it absorbs the G-line (436 nm) of a mercury lamp.
しかし、作業性の点からは、可視光領域まで吸収を持つ
ものは好ましくなく、例えば次のようなりマリン化合物
が好適なものとして挙げられる。However, from the point of view of workability, compounds having absorption in the visible light region are not preferred; for example, the following marine compounds are preferred.
。う。う/
/
H3CH2
クマリン化合物[3]は構造単位[1]を主成分とする
ポリマ重量に対して、0.1重量%以上混合するのが望
ましく、より好ましくはポリマの重量に対して0. 5
重量%以上で、かつ20重量%以下の割合で混合するの
がよい。この範囲をはずれると、感光性が悪くなったり
、現像時間、現像条件の許容幅が狭くなる恐れがあるの
で注意を要する。. cormorant. U/ / H3CH2 The coumarin compound [3] is preferably mixed in an amount of 0.1% by weight or more based on the weight of the polymer whose main component is the structural unit [1], and more preferably 0.1% by weight or more based on the weight of the polymer. 5
It is preferable to mix at a ratio of at least 20% by weight and not more than 20% by weight. If it is out of this range, there is a risk that the photosensitivity may deteriorate and the allowable range of development time and development conditions may become narrow, so care must be taken.
本発明における、置換基を有しないか、あるいは、中性
または酸性の置換基を有する芳香族モノアジド化合物I
I4]とは、アジド基(−N3 )か芳香族環に直接結
合し、かつアジド基は分子内にただ1個だけ存在する化
合物であって、ここでいう芳香族環とは、ベンゼン環、
ナフタレン環、アンスラセン環、ナフトキノン環、アン
スラキノン環などをさし、これらの芳香族環が、全くア
ジド基以外の他の置換基を有しないか、あるいは、中性
または酸性の置換基を有するものである。これらの芳香
族環が、−〇−基、−〇−基、一5O2−基、−CH2
−基、−CH=CH−基、などの2価の基を介して無置
換基または、中性あるいは酸性の置換基で置換された別
の芳香族環と結合しているものも、好ましく用いられる
。Aromatic monoazide compound I having no substituent or having a neutral or acidic substituent in the present invention
I4] is a compound in which an azide group (-N3) is directly bonded to an aromatic ring, and only one azide group exists in the molecule, and the aromatic ring here refers to a benzene ring,
Refers to naphthalene rings, anthracene rings, naphthoquinone rings, anthraquinone rings, etc., and these aromatic rings have no substituents other than an azide group, or have neutral or acidic substituents. It is. These aromatic rings are -〇- group, -〇- group, -5O2- group, -CH2
Those bonded to another aromatic ring substituted with an unsubstituted group or a neutral or acidic substituent via a divalent group such as - group, -CH=CH- group, etc. are also preferably used. It will be done.
ここでいう中性または酸性の置換基とは、通常の有機カ
ルボン酸とは塩を形成しないものを指しアミノ基あるい
はアミノ基を含有するような置換基を含まないことは当
然である。中性または酸性の置換基としては、低級(炭
素数1〜6)のアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、
ハロゲン基、アシル基、アシロキシ基、カルボキシル基
、スルホン基、さらに、中性または酸性基で置換された
アルキル基などが例示される。The neutral or acidic substituent herein refers to one that does not form a salt with a normal organic carboxylic acid, and naturally does not include an amino group or a substituent containing an amino group. Examples of neutral or acidic substituents include lower (1 to 6 carbon atoms) alkyl groups, alkoxy groups, nitro groups,
Examples include halogen groups, acyl groups, acyloxy groups, carboxyl groups, sulfone groups, and alkyl groups substituted with neutral or acidic groups.
具体的には、
などの芳香族モノアジド化合物が好ましく用いられるが
、これらに限定されない。Specifically, aromatic monoazide compounds such as these are preferably used, but are not limited thereto.
芳香族モノアジド化合物[4コは1種類のみを用いても
よいし、また2種あるいはそれ以上の種類を併用しても
よい。Aromatic monoazide compounds (4) may be used alone or in combination of two or more types.
芳香族モノアジド化合物[4コは、構造単位[1]を主
成分とするポリマの重量に対し、総量で0.1重量%以
上加えるのが望ましく、より好ましくはポリマの重量に
対し0.5重量%以上で30重量%以下の割合で加える
のがよい。この範囲をはずれると、現像性や組成物の安
定性に悪影響を及ぼすおそれがあるので注意を要する。The aromatic monoazide compound [4] is preferably added in a total amount of 0.1% by weight or more based on the weight of the polymer whose main component is the structural unit [1], and more preferably 0.5% by weight based on the weight of the polymer. % or more and 30% by weight or less. If it is out of this range, it may adversely affect the developability and stability of the composition, so care must be taken.
本発明の組成物の製造方法の一例について説明する。ま
ず溶媒中でジアミン化合物と酸2無水物を反応させ、構
造単位[1]を主成分とするポリマを得る。次にこの溶
液に化合物[2]と[3]と「4」、および必要に応じ
てその他の添加剤を溶解調合することにより製造するこ
とができる。An example of the method for producing the composition of the present invention will be explained. First, a diamine compound and an acid dianhydride are reacted in a solvent to obtain a polymer containing the structural unit [1] as a main component. Next, compounds [2], [3], "4", and other additives as necessary are dissolved and prepared in this solution.
なお、上記のポリマとして、固体状のポリアミド酸ポリ
マあるいは、反応後に溶液から分離精製したポリマを再
溶解して用いても差し支えない。In addition, as the above-mentioned polymer, a solid polyamic acid polymer or a polymer separated and purified from the solution after the reaction may be redissolved and used.
上記製造方法で用いる溶媒としてはポリマの溶解性の面
から極性溶媒が好ましく用いられ、特に非プロトン性極
性溶媒が好適である。非プロトン性極性溶媒としては、
N−メチル−2−ピロリドン、N、N−ジメチルホルム
アミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド、ヘキサメチルホスホロトリアミド、γ−ブチ
ロラクトンなどが好ましく用いられる。他の添加剤とし
ては、増感剤、共重合モノマあるいは基板との接着改良
材を感度と耐熱性が大幅に低下しない範囲で含んでいて
も良い。As the solvent used in the above production method, polar solvents are preferably used from the viewpoint of solubility of the polymer, and aprotic polar solvents are particularly suitable. As an aprotic polar solvent,
N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphorotriamide, γ-butyrolactone, and the like are preferably used. As other additives, a sensitizer, a copolymer monomer, or an adhesion improver with the substrate may be included as long as the sensitivity and heat resistance are not significantly reduced.
なお、化合物[3]および/または[4コの混合量が0
.5〜10重量%の場合には、増感剤または増感助剤と
して、N−フエニルジエタノールアミン、N−フェニル
エチルアミン、N−フェニルエタノールアミン、ミヒラ
・ケトン、4.4′ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェ
ノンなどが好ましく用いられる。増感剤または増感助剤
の添加により、本発明の組成物の化学線感応性をさらに
向上させることができる。共重合モノマとしてモノマレ
イミド、ポリマレイミドあるいはそれらの置換体が好ま
しく用いられる。In addition, if the mixing amount of compound [3] and/or [4 is 0
.. In the case of 5 to 10% by weight, N-phenyldiethanolamine, N-phenylethylamine, N-phenylethanolamine, Mihira ketone, 4,4'bis(diethylamino)benzophenone is used as a sensitizer or sensitizing aid. etc. are preferably used. The actinic radiation sensitivity of the compositions of the invention can be further improved by adding sensitizers or sensitizing aids. Monomaleimide, polymaleimide, or substituted products thereof are preferably used as the copolymerizable monomer.
次に、本発明の組成物の使用方法について説明する。本
発明の組成物は化学線を用いた周知の微細加工技術でパ
ターン加工が可能である。Next, a method for using the composition of the present invention will be explained. The compositions of the present invention can be patterned using well-known microfabrication techniques using actinic radiation.
まず本発明の組成物を適当な支持体の上に塗布する。塗
布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレ
ーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコー
ティングなどの手段が可能である。塗布膜厚は塗布手段
、組成物の固形分濃度、粘度によって調節することがで
きる。First, the composition of the present invention is coated on a suitable support. Possible coating methods include spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, dipping, printing, and roll coating. The coating film thickness can be adjusted by the coating means, solid content concentration, and viscosity of the composition.
本発明の組成物を塗布する支持体の材質としては、例え
ば金属、ガラス、半導体、金属酸化絶縁体、窒化ケイ素
などが挙げられる。Examples of the material of the support to which the composition of the present invention is applied include metals, glass, semiconductors, metal oxide insulators, and silicon nitride.
本発明の組成物の塗膜または加熱処理後のポリイミド被
膜と支持体との接着性を向上させるために適宜接着助剤
を用いることもできる。In order to improve the adhesion between the coating film of the composition of the present invention or the polyimide film after heat treatment and the support, an adhesion aid may be used as appropriate.
接着助剤として、オキシプロピルトリメトキシシラン、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリルオキ
シプロピルトリメトキシシランなどの有機ケイ素化合物
あるいは、アルミニウムモノエチルアセトアセテートジ
イソプロピレート、アルミニウムトリス(アセチルアセ
トネート)などのアルミニウムキレート化合物あるいは
チタニウムビス(アセチルアセトネート)などのチタニ
ウムキレート化合物などが好ましく用いられる。As an adhesion aid, oxypropyltrimethoxysilane,
Organosilicon compounds such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, aluminum monoethylacetoacetate diisopropylate, aluminum tris (acetylacetonate), etc. Aluminum chelate compounds such as or titanium chelate compounds such as titanium bis(acetylacetonate) are preferably used.
次に上記支持体上で塗膜となった本発明の組成物に所望
のパターン状に化学線を照射する。化学線としてはX線
、電子線、紫外線、可視光線、などが例として挙げられ
るが、紫外線および短波長の可視光線、すなはち波長範
囲で200〜500nmが好ましい。Next, the composition of the present invention, which has become a coating film on the support, is irradiated with actinic radiation in a desired pattern. Examples of actinic radiation include X-rays, electron beams, ultraviolet rays, visible light, etc., but ultraviolet rays and short-wavelength visible rays, that is, in the wavelength range of 200 to 500 nm, are preferred.
ついで未照射部を現像液で溶解除去することによりレリ
ーフ・パターンを得る。現像液はポリマの構造に合わせ
て適当なものを選択する。Then, a relief pattern is obtained by dissolving and removing the unirradiated areas with a developer. An appropriate developer is selected depending on the structure of the polymer.
現像液は本組成物の溶媒であるN−メチル−2−ピロリ
ドン、N−アセチル−2−ピロリドン、N、 N−ジ
メチルホルムアミド、N、 N−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリ
アミドなどを単独あるいはメタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール、水、メチルカルピトール、エチ
ルカルピトール、トルエン、キシレンなどの組成物の非
溶媒との混合液として用いることができる。またアンモ
ニア水やその他のアルカリ水溶液が使用可能な場合も多
い。The developer contains N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphorotriamide, etc., which are the solvents of this composition. It can be used alone or as a mixture with a non-solvent composition such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, water, methylcarpitol, ethylcarpitol, toluene, xylene, or the like. In many cases, ammonia water or other alkaline aqueous solutions can also be used.
現像は上記の現像液を塗膜面にスプレーする、現像液中
に浸漬する、あるいは浸漬しながら超音波をかけるなど
の方法によって行うことができる。Development can be carried out by spraying the above-mentioned developer onto the coated film surface, immersing it in the developer, or applying ultrasonic waves while immersing it.
現像によって形成したレリーフ・パターンは、ついでリ
ンス液により洗浄することが望ましい。It is desirable that the relief pattern formed by development is then washed with a rinsing solution.
リンス液には現像液との混和性の良いメタノール、エタ
ノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコー
ル、酢酸ブチルなどが好ましく用いられる。As the rinsing liquid, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, isobutyl alcohol, butyl acetate, etc., which have good miscibility with the developer, are preferably used.
上記の処理によって得られたレリーフ・ノくタンのポリ
マは耐熱性を有するポリイミド系ポリマの前駆体であり
、加熱処理によりイミド環やその他の環状構造を有する
耐熱ポリマとなる。熱処理は通常135〜400℃の温
度範囲で、段階的にあるいは連続的に昇温しながら行わ
れる。The relief nobutan polymer obtained by the above treatment is a precursor of a heat-resistant polyimide polymer, and by heat treatment becomes a heat-resistant polymer having an imide ring or other cyclic structure. The heat treatment is usually carried out in a temperature range of 135 to 400° C. while increasing the temperature stepwise or continuously.
本発明の化学線感応性重合体組成物は、半導体のパッシ
ベーション膜、パッシベーション膜のノくッファーコー
ト膜、多層集積回路の層間絶縁膜、混成集積回路の層間
絶縁膜や表面保護膜、プリント回路の半田付は保護膜、
液晶用配向膜、実装基板の層間絶縁膜などの形成に供せ
られる。さらに高耐熱性のフォトレジストとして金属付
着や、ドライエツチングプロセスへの応用も可能である
。The actinic radiation-sensitive polymer composition of the present invention can be used as a passivation film for semiconductors, a knockoff coat film for passivation films, an interlayer insulating film for multilayer integrated circuits, an interlayer insulating film or surface protective film for hybrid integrated circuits, and solder for printed circuits. With protective film,
It is used for forming alignment films for liquid crystals, interlayer insulation films for mounting boards, etc. Furthermore, it can be used as a highly heat-resistant photoresist for metal adhesion and dry etching processes.
その他ポリイミドの公知の用途へ適用できる。It can be applied to other known uses of polyimide.
[発明の効果]
本発明は上述したように構造単位[1]を主成分とする
ポリマと、化学線により2量化または重合可能な不飽和
結合およびアミノ基またはその4級化塩を含む化合物[
2]と、クマリン化合物[3コと、芳香族モノアジド化
合物「4」とからなる化学線感応性の組成物を構成した
もので、感光性に優れた効果を発揮し、従来の感光性ポ
リイミドに見られない高圧水銀灯のg線による露光で高
感度を示し、さらに解像度の良いパターンが得られる。[Effects of the Invention] As described above, the present invention comprises a polymer having the structural unit [1] as a main component, and a compound containing an unsaturated bond and an amino group or a quaternized salt thereof that can be dimerized or polymerized by actinic radiation [
2], a coumarin compound [3], and an aromatic monoazide compound [4].It has an actinic radiation-sensitive composition that exhibits excellent photosensitivity and is superior to conventional photosensitive polyimides. It exhibits high sensitivity through exposure using the invisible G-line of a high-pressure mercury lamp, and can obtain patterns with even better resolution.
[実施例]
次に本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本
発明はこれらに限定されない。[Examples] Next, the present invention will be specifically described based on Examples, but the present invention is not limited thereto.
なお、本発明の組成物の化学線感応性の評価は支持基板
上に形成した被膜に、グレースケール(コダック社 P
hotographic 5tep tablet N
o2215teps )を介してフィルター(東芝ガラ
ス製Y−43,)を通した高圧水銀灯の光を照射し、次
に現像して現像後の膜荒れと膜減り量を調べることによ
り行った。また、本発明の組成物の解像度の評価は、支
持基板上に形成した被膜に、テストパターンマスク(犬
日本印刷製)を介してフィルター(東芝ガラス製Y−4
3)を通して高圧水銀灯の光を照射し、次に現像して解
像度を調べることにより行った。The actinic radiation sensitivity of the composition of the present invention was evaluated by applying grayscale (Kodak Company P.
photographic 5tep tablet N
This was done by irradiating the film with light from a high-pressure mercury lamp that had passed through a filter (Y-43, manufactured by Toshiba Glass Co., Ltd.) through a filter (Y-43, manufactured by Toshiba Glass), and then developing the film and examining the film roughness and film loss after development. In addition, evaluation of the resolution of the composition of the present invention was performed by applying a test pattern mask (manufactured by Inu Nippon Printing) to a filter (Y-4 manufactured by Toshiba Glass Co., Ltd.) on a film formed on a support substrate.
3) was irradiated with light from a high-pressure mercury lamp, and then developed to examine the resolution.
実施例1
4.4′−ジアミノジフェニルエーテル192゜2g、
1.3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシ
ロキサン9.94gをN−メチル−2−ピロリドン18
90gに溶解し、アミン溶液を調整した。このアミン溶
液にベンゾフェノンテトラカルボン酸2無水物315.
7gを加えて、50℃で3時間反応させ、25℃で15
0ポアズのポリマ溶液(A)を得た。このポリマ溶液(
A)。Example 1 192°2 g of 4.4'-diaminodiphenyl ether,
1.9.94 g of 3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane was dissolved in 18 g of N-methyl-2-pyrrolidone.
90g to prepare an amine solution. Add 315% of benzophenonetetracarboxylic dianhydride to this amine solution.
Add 7g, react at 50℃ for 3 hours, and react at 25℃ for 15
A 0 poise polymer solution (A) was obtained. This polymer solution (
A).
にジエチルアミノエチルメタクリレート370gを混合
し、次いで3,3′−カルボニル−ビス(7−ジニチル
アミノクマリン)10.35g。370 g of diethylaminoethyl methacrylate was mixed into the mixture, followed by 10.35 g of 3,3'-carbonyl-bis(7-dinithylaminocoumarin).
p−アジドベンザルアセトフェノン20.71g。20.71 g of p-azidobenzalacetophenone.
ミヒラーケトン10.35gをN−メチル−2=ピロリ
ドン100gに溶解した溶液を混合し、濾過した。A solution of 10.35 g of Michler's ketone dissolved in 100 g of N-methyl-2=pyrrolidone was mixed and filtered.
得られた溶液をスピンナーでシリコンウェハ上に回転塗
布し、次いでクリーンオーブン(ヤマト科学(株)製、
DE−42タイプ)を用いて80℃で45分乾燥を行っ
た。得られた塗膜の膜厚は13.0μmであった。次に
、この塗膜を露光機(キャノン(株)製PLA−501
F)にセットし、グレースケール(コダック社 Pho
tographc 5tep tablet No22
1steps )とフィルタ(東芝ガラス製 Y−43
)を介して2分間露光を行った。この時の紫外線の強度
は5mW/Cm2 (436nm)であった。現像はN
、N−ジメチルホルムアミド(45部)、N−メチル−
2ピロリドン(25部)、キシレン(15部)および水
(15部)の混合溶媒を用い、浸漬現像を行った。現像
時間は未露光部が溶解した直後から、さらに60秒間現
像を続行した。次いでイソプロパツールで20秒間リン
スし、スピンナーで回転乾燥した。現像後の膜厚を測定
すると、12.0μmであった(膜減り量=1.0μm
)。この後、200’C,350℃で30分間ずつ熱処
理し、光学顕微鏡を用いてパターンを観察したが、露光
量が300mJ以上で膜荒れのない良好なパターンを示
した。The obtained solution was spin-coated onto a silicon wafer using a spinner, and then placed in a clean oven (manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd.).
DE-42 type) for 45 minutes at 80°C. The thickness of the resulting coating film was 13.0 μm. Next, this coating film was exposed using an exposure machine (PLA-501 manufactured by Canon Corporation).
F) and gray scale (Kodak Pho
tographc 5tep tablet No22
1steps) and filter (Toshiba Glass Y-43
) for 2 minutes. The intensity of the ultraviolet rays at this time was 5 mW/Cm2 (436 nm). Developing is N
, N-dimethylformamide (45 parts), N-methyl-
Immersion development was performed using a mixed solvent of 2-pyrrolidone (25 parts), xylene (15 parts) and water (15 parts). Development was continued for an additional 60 seconds immediately after the unexposed areas were dissolved. It was then rinsed with isopropanol for 20 seconds and spun dry with a spinner. When the film thickness after development was measured, it was 12.0 μm (film reduction amount = 1.0 μm
). Thereafter, heat treatment was performed at 200'C and 350C for 30 minutes each, and the pattern was observed using an optical microscope, and a good pattern with no film roughness was shown at an exposure dose of 300 mJ or more.
また、解像度を評価するために、得られた溶液をスピン
ナーでシリコンウェアー上に回転塗布し、次いで前記ク
リーンオーブンを用いて、80℃で45分乾燥を行った
。この塗膜の膜厚は13.0μmとなった。次に、塗膜
を前記の露光機にセ、ソトし、テストパターンマスク(
犬日本印刷製)とフィルター(東芝ガラス製 Y−43
)を介して60秒露光した。この時の紫外線の強度は5
mW/cm2 (436nm)であった。現像、リンス
および乾燥を前述と同様な条件で、行った後膜厚を測定
すると、12.0μmであった(膜減り量=1.0μm
)。Further, in order to evaluate the resolution, the obtained solution was spin-coated onto silicone ware using a spinner, and then dried at 80° C. for 45 minutes using the clean oven. The film thickness of this coating film was 13.0 μm. Next, the coating film is placed in the exposure machine mentioned above, and the test pattern mask (
Inu Nippon Printing) and filter (Toshiba Glass Y-43)
) for 60 seconds. The intensity of the ultraviolet rays at this time is 5
mW/cm2 (436 nm). After developing, rinsing, and drying under the same conditions as above, the film thickness was measured to be 12.0 μm (film reduction amount = 1.0 μm).
).
この後、200℃、350℃で30分間ずつ熱処理し、
光学顕微鏡を用いてパターンを観察したところ、20μ
mのピアホールが基板全面に解像されていた。After that, heat treatment was performed at 200°C and 350°C for 30 minutes each.
When the pattern was observed using an optical microscope, it was found that 20μ
m peer holes were resolved on the entire surface of the board.
実施例2
1.4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン56.
12g、p−フェニレンジアミン62゜28g、1.3
−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサ
ン7.94gをN−メチル2−ピロリドン1250gに
溶解し、アミン溶液を調整した。このアミン溶液に3.
3′、4゜4′−ビフェニルテトラカルボン酸2無水物
230.6gとN−メチル−2−ピロリドン178gを
加えて、50℃で3時間反応させ、25℃で180ポア
ズのポリマ溶液(B)を得た。このポリマ溶液(B)に
ジエチルアミノエチルメタクリレート251.2を混合
し、次いで3,3′−カルボニル−ビス(7−ジニチル
アミノクマリン)3゜51g、p−アジドベンザルアセ
トフェノン14゜28g1 ミヒラーケトン7.14g
、N−フエニルジエタノールアミン7.14gをN−メ
チル−2−ピロリドン100gに溶解した溶液を混合し
、濾過した。Example 2 1.4-bis(4-aminophenoxy)benzene56.
12g, p-phenylenediamine 62゜28g, 1.3
7.94 g of -bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane was dissolved in 1250 g of N-methyl 2-pyrrolidone to prepare an amine solution. Add 3. to this amine solution.
230.6 g of 3',4゜4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 178 g of N-methyl-2-pyrrolidone were added and reacted at 50°C for 3 hours, and the polymer solution (B) was heated to 180 poise at 25°C. I got it. To this polymer solution (B) was mixed 251.2 g of diethylaminoethyl methacrylate, 3.51 g of 3,3'-carbonyl-bis(7-dinithylaminocoumarin), 14.28 g of p-azidobenzalacetophenone, 7. Michler's ketone. 14g
, a solution of 7.14 g of N-phenyldiethanolamine dissolved in 100 g of N-methyl-2-pyrrolidone was mixed and filtered.
得られた溶液をスピンナーでシリコンウェハ上に回転塗
布し、次いで実施例1と同様に乾燥して膜厚15μmの
塗膜を得た。次に、この塗膜を実施例1と同様の条件で
露光、現像、リンスおよび乾燥した。現像後の膜厚を測
定すると、13゜5μmであった(膜減り量:1.5μ
m)。The obtained solution was spin-coated onto a silicon wafer using a spinner, and then dried in the same manner as in Example 1 to obtain a coating film with a thickness of 15 μm. Next, this coating film was exposed, developed, rinsed and dried under the same conditions as in Example 1. When the film thickness was measured after development, it was 13°5μm (film reduction amount: 1.5μm).
m).
この後、200℃、350℃で30分間ずつ熱処理し、
光学顕微鏡を用いてパターンを観察したが、露光量が2
00mJ以上で膜荒れのない良好なパターンを示した。After that, heat treatment was performed at 200°C and 350°C for 30 minutes each.
The pattern was observed using an optical microscope, but the exposure amount was 2.
At 00 mJ or more, a good pattern with no film roughness was shown.
また、解像度を評価するために、得られた溶液をスピン
ナーでシリコンウェアー上に回転塗布し、実施例1と同
様に乾燥を行って、膜厚15.0μmの塗膜を得た。次
に、この塗膜を実施例1と同様の条件で露光、現像、リ
ンスおよび乾燥を行った。現像後の膜厚を測定すると、
13.5μmであった(膜減り量:1.5μm)。Further, in order to evaluate the resolution, the obtained solution was spin-coated onto silicone ware using a spinner, and dried in the same manner as in Example 1 to obtain a coating film with a thickness of 15.0 μm. Next, this coating film was exposed, developed, rinsed and dried under the same conditions as in Example 1. When measuring the film thickness after development,
It was 13.5 μm (film reduction amount: 1.5 μm).
この後、200℃、350℃で30分間ずつ熱処理し、
光学顕微鏡を用いてパターンを観察したが、20μmの
ピアホールが基板全面で解像されていた。After that, heat treatment was performed at 200°C and 350°C for 30 minutes each.
The pattern was observed using an optical microscope, and it was found that 20 μm peer holes were resolved over the entire surface of the substrate.
比較例1
実施例2で用いたものと同一のポリマ溶液(B)にジエ
チルアミノエチルメタクリレート251゜2gを混合し
、次いでN−フエニルジエタノールアミン7.14g、
4−アジドベンザルアセトフェノン14.286gをN
−メ′チルー2−ピロリドン300gに溶解した溶液を
混合、濾過した。Comparative Example 1 251.2 g of diethylaminoethyl methacrylate was mixed into the same polymer solution (B) used in Example 2, and then 7.14 g of N-phenyldiethanolamine was added.
14.286 g of 4-azidobenzalacetophenone
A solution dissolved in 300 g of -methyl-2-pyrrolidone was mixed and filtered.
得られた溶液をスピンナーでシリコンウェハー上に回転
塗布し、次いで実施例2と同様に乾燥して膜厚13.0
μmの塗膜を得た。次に、この塗膜を実施例2と同様の
条件で露光、現像、リンスおよび乾燥した。現像後の膜
厚を測定すると、7゜0μmであった(膜減り量:6.
0μm)。この後、200℃、350℃で30分間ずつ
熱処理し、光学顕微鏡を用いてパターンを観察したが、
露光量が600mJでも膜荒れが生じていた。The obtained solution was spin-coated onto a silicon wafer using a spinner, and then dried in the same manner as in Example 2 to give a film thickness of 13.0.
A coating film of μm was obtained. Next, this coating film was exposed, developed, rinsed and dried under the same conditions as in Example 2. When the film thickness after development was measured, it was 7°0 μm (film reduction amount: 6.
0μm). After that, heat treatment was performed at 200°C and 350°C for 30 minutes each, and the pattern was observed using an optical microscope.
Even when the exposure amount was 600 mJ, film roughness occurred.
また、解像度を評価を実施例2と同様に行ったが、最も
小さな開口部が50μmのピアホールまでであり、解像
度の劣るものであった。Further, the resolution was evaluated in the same manner as in Example 2, but the smallest opening was a pier hole of 50 μm, and the resolution was poor.
比較例2
実施例2で用いたものと同一のポリマ溶液(B)にジエ
チルアミノエチルメタクリレート251゜2gを混合し
、次いでN−フェニルグリシン3゜51g、4−アジド
ベンザルアセトフェノン14゜286 g、ミヒラーケ
トン7.14gをN−メチル−2−ピロリドン100g
に溶解した溶液を混合、濾過した。Comparative Example 2 251.2 g of diethylaminoethyl methacrylate was mixed with the same polymer solution (B) used in Example 2, followed by 3.51 g of N-phenylglycine, 14.286 g of 4-azidobenzalacetophenone, and Michler's ketone. 7.14g to 100g N-methyl-2-pyrrolidone
The solution was mixed and filtered.
得られた溶液をスピンナーでシリコンウェハー上に回転
塗布し、同様に乾燥して膜厚15.0μmの塗膜を得た
。次に、この塗膜を実施例2と同様の条件で露光、現像
、リンスおよび乾燥した。The obtained solution was spin-coated onto a silicon wafer using a spinner and dried in the same manner to obtain a coating film with a thickness of 15.0 μm. Next, this coating film was exposed, developed, rinsed and dried under the same conditions as in Example 2.
現像後の膜厚を測定すると、13.5μmであった(膜
減り量=1.5μm)。この後、200℃、350℃で
30分間ずつ熱処理し、光学顕微鏡を用いてパターンを
観察したが、露光量が300m以上で膜荒れのないパタ
ーンを示した。When the film thickness after development was measured, it was 13.5 μm (film reduction amount = 1.5 μm). Thereafter, heat treatment was performed at 200° C. and 350° C. for 30 minutes each, and the pattern was observed using an optical microscope, and a pattern with no film roughness was observed at an exposure dose of 300 m or more.
一方、解像度を評価を実施例2と同様に行ったところ、
最も小さな開口部が100μmのピアホールまでであり
、
解像度の劣るものであった。On the other hand, when the resolution was evaluated in the same manner as in Example 2,
The smallest opening was a 100 μm peer hole, and the resolution was poor.
Claims (1)
を有する3価または4価の有機基、R_2は少なくとも
2個以上の炭素原子を有する2価の有機基、R_3は水
素またはアルカリ金属対イオンを表わす。nは1または
2である。)で表わされる構造単位[1]を主成分とす
るポリマと、 (b)化学線により、2量化または重合可能な不飽和結
合および、アミノ基または、その4級化塩を含む化合物
[2]と、 (c)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (R_4、R_5は、少なくとも2個以上の炭素原子を
有する1価の有機基、R_6は少なくとも3個以上の炭
素原子を有する1価の有機基を表わす。)で表わされる
クマリン化合物[3]と、 (d)置換基を有しないか、或いは中性又は酸性の置換
基を有する芳香族モノアジド化合物[4]とからなる化
学線感応性重合体組成物。(1) (a) General formula ▲ Numerical formula, chemical formula, table, etc. ▼ (However, in the formula, R_1 is a trivalent or tetravalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, and R_2 is a (b) Chemical The lines indicate a compound [2] containing a dimerizable or polymerizable unsaturated bond, an amino group, or a quaternized salt thereof, and (c) General formula ▲ Numerical formula, chemical formula, table, etc. is a monovalent organic group having at least 2 carbon atoms, and R_6 is a monovalent organic group having at least 3 carbon atoms.); An actinic radiation-sensitive polymer composition comprising an aromatic monoazide compound [4] which has no substituent or has a neutral or acidic substituent.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16326290A JPH0452647A (en) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | Chemical ray sensitive polymer composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16326290A JPH0452647A (en) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | Chemical ray sensitive polymer composition |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0452647A true JPH0452647A (en) | 1992-02-20 |
Family
ID=15770466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16326290A Pending JPH0452647A (en) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | Chemical ray sensitive polymer composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0452647A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0718696A2 (en) | 1992-07-22 | 1996-06-26 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | A photosensitive polyimide composition |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP16326290A patent/JPH0452647A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0718696A2 (en) | 1992-07-22 | 1996-06-26 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | A photosensitive polyimide composition |
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