JPH0452723B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、カーネーション、リンドウ、グラジ
オラス等の鑑賞用切り花植物の開花時期を人工的
に調整可能として、需要時期に合わせて安定供給
する開花法に関するものである。 （従来の技術） 従来、カーネーション、リンドウ等の切り花植
物の栽培は、リンドウのように春期に定植したも
のを自然環境に任せて翌年の秋期に開花させる
か、或いはカーネーションのように、簡易ハウス
やガラス温室を設け、その中で通常６月に定植し
たものを10月から翌年の５月頃までに段階的に開
花させる周年的生産体系を敷くもの等がある。 しかし、これらいずれの方法でも、リンドウで
は開花時期９月−10月の秋期に限定され、カーネ
ーションでは、開花時期が一定の幅を持つもの
の、そのピークが極めて限定的な一定期間に集中
され、且つ、その時期到来も自然条件によつて変
動を受けて予測が難しいものとなる。従つて、市
場の要求する時期に安定的に供給することは困難
で、需要者の要求に応えられないばかりか、バラ
ンスが崩れた時には外国からの輸入攻勢を受けて
市場が荒らされたり、又、「母の日」等の需要の
逼迫する時期には作業者が過重労働に陥ってしま
う等の欠点を有している。 （本発明の解決しようとする問題点） 本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、そ
の目的は、蕾まで育成した切り花を適当長さに切
り取り、一定環境下で冷蔵保存し、需要時期が到
来した場合に強制的に開花させることにより、需
要時期に合わせて切り花を提供できる開花法を開
発することにある。そして、その際、本発明者ら
が大谷石の主産地である栃木県に在住することか
ら、この大谷石の採掘跡の洞窟がエチレン吸着能
に優れ且つ恒温多湿で蓄熱性が大である点に着目
してこれを上記開花法の開発に結びつけようとし
たものである。 ［発明の構成］ 本発明の開花方法を説明すると、先ず、カーネ
ーション、リンドウ、グラジオラス、キク等の鑑
賞用切り花のうち、桜、梅等のいわする枝物類を
除いた草花類を対象とし、これを自然条件下で、
挿芽又は播種等により育苗し、圃場に定植する
（第１図参照）。そして、その苗が成長して蕾を形
成する段階に入ったら、観察を細かくして、その
がく片の先端がわずか開くか又は花弁の先端がわ
ずかに色づく段階、いわゆるがく片が開裂を開始
する前後の段階になつたことを確認する。この
時、例えばカーネーションでは上から見るとがく
片が十文字状態に見える。この開裂前後段階にお
いて、茎下部に刃物を入れて切り取り、その蕾及
び茎の長さを少なくとも切り花に用いる長さを若
干上回るものとする（第２図参照）。 次いで、この蕾の花器部及び茎部の全体に、保
存期間中の生体維持機能が低下して発病するのを
防止する為、キヤプタン剤又はベノミル剤等の殺
菌剤を散布することが好ましい。又、がく片の開
裂前後から蕾はエチレンの生成を始めるが、この
エチレンは植物の熟成老化を促す物質であるか
ら、切り花を長期保存させる立場からはこの発生
を抑制することが望ましく、そこで、先ず、チオ
硫酸銀等のエチレン抑制剤に切り花の茎下端部を
３時間程度浸漬させてエチレン発生部である花器
部に抑制液を浸透させる。次に、この切り花を50
〜100本程度束ねて、プラスチック製の袋体や箱
体等の密閉ケーシング内に封入し、その内部の植
物の呼吸で発生する炭酸ガスの濃度を高めてエチ
レンの発生を可及的に抑止する（第３図参照）。
そして、該密閉ケーシングに封入した切り花を、
生長を抑制する意味で約０〜５℃の低温にして、
開花が要請される需要時期まで保存するが、この
冷蔵保存に際して、大谷石の採掘跡の洞窟（栃木
県宇都宮市に存在する）は、年間を通じて約０〜
９℃程度の一定温度に保たれ、且つ、その面積も
1000ｍ程度の広域を確保できるので、この洞窟を
使用するのが好適である（表−１参照）。又、こ
の冷蔵保存にあつて、切り花の姿勢を第４図にあ
る如く逆さ吊りにすることが、植物からの水分蒸
散を極少に抑えることができる点で望ましい。こ
の切り花を冷蔵保存し得る期間は、最大で約７ケ
月程度で、３ケ月〜４ケ月に留めるのが望まし
い。

【表】 さて、上記冷蔵保存の期間が過ぎて出荷時期が
到来したら、前記保存した切り花を開花室に運ん
で開花準備に入る。先ず開花室中央に切り花を立
て掛け、その上部及び側面等の周囲から人工光線
を照射し、今まで抑制していた花の成長を促す
が、この時用いる人工光線は、ナトリウムラン
プ、メタルハライドランプ又は蛍光ランプ等の人
工光線を用いると生長及び鮮度保持の点で効率が
最も良い（表−２参照）。

【表】 次いで、該開花室は、第５図に示す如くその周
囲を大谷石等のエチレン吸着能に優れた物質で囲
撓することが、開花した花の鮮度をより長く持続
させる上で必要である。即ち、大谷石は学術上凝
灰石軟石材に含まれるが、その構造はクリノプリ
ロライトに至る過程のクライノタイロ沸石構造を
有し、その細孔径が10μｍ程度の空隙が多数存在
する構造を有しているから、エチレンガスは極め
てこの空隙に捕り込まれ易い。そして、このエチ
レンは、前述の通りがく片の開裂に伴つて放散量
を増し、花弁部に作用して花びらをローリングイ
ンさせ、短期間のうちに花びらを老化させる機構
を営むものであるから、この大気中に散ったエチ
レンを大谷石等が吸収すると、開花過程にある花
びらの老化が抑制され、所謂ひもちの良い鮮度の
長持ちする切り花とする上で効果がある（表−３
参照）。該エチレン吸着能に優れた物質には、大
谷石の他に、ゼオライト、活性炭等の多孔質材も
含まれる。そして、この囲撓の仕方は、周囲全面
を大谷石等で囲うことが好ましいが、吸着能が発
揮される態様であるなら、側面、天井、床等に部
分的に施しても良い。更に、この開花促進におけ
る温度及び湿度の条件は、花弁の開きを円滑にす
る上で温度20〜25℃で湿度80％以上程度が最適で
あるが、大谷石採掘跡の洞窟は、空隙部に多量の
水分を含んで蓄熱要領が大であるから、ヒーター
等で加温すれば、極めて効率的に恒温多湿の環境
に保つことができる。従つて、この大谷石洞窟内
に開花室を設ければ前記エチレン吸収の面の温度
及び湿度管理の面からも望ましいものとなる。

【表】 次いで、光線照射中の切り花の茎下部には、生
長を促す上で、８−ハイドロオキシキノリン酸、
硫酸銀、糖分等を混合した開花促進液を貯留さ
せ、茎部導管を吸収させる（表−４参照）。 斯くして、光線照射日数が、カーネーションで
５〜７日、リンドウで７〜10日程度を経過する
と、この短期間で切り花は充分に生長開花し、鑑
賞用の美しい花となり、この開花した切り花を市
場の需要時期に合わせて即時出荷が可能となる
（第６図参照）。

【表】 実施例 １ カーネーションの親株から４〜５節を残して採
穂し、６月に挿芽し、簡易ハウス内で栽培し、７
月上旬に定植及び摘芯した、仕立ては、株あたり
分岐を３〜５本立ちとし、大輪系は１本の茎に対
し一輪とし、スプレイ系は１本に対し５−６輪と
した。11月に入り蕾の先端部が少し開き花弁の色
が見える状態に至つたので、総長約85cmに切り取
り、チオ硫酸銀0.4ｍＭ液に浸漬した後、約100本
程度を束ねてポリエチレンフイルムの袋体に密閉
した。これを大谷石採掘跡の洞窟内に約２℃の低
温で、逆さ吊りにして、３ケ月保存した。次い
で、20℃、湿度80％にした大谷石採掘跡の洞窟の
開花室で、８−ハイドロオキシキノリン酸
200ppm、硫酸銀20ppm、砂糖0.07ｇ／c.c.の混合
液を開花促進液として、ナトリウムランプを人工
光源に用いて５日間照射し、開花させた。その結
果、下表の如き成果のカーネーションを得た。

【表】 実施例 ２ リンドウを３月に播種し、間引きしながら育苗
し、翌年の４月に定植を行ない、草丈が20cm程度
になったところでネットを張って育成した。９月
に入り、花穂状のリンドウの蕾のうちその中の一
つが色づいた段階を目安として、総長約85cmに切
り取り、チオ硫酸銀0.4ｍＭ液に浸漬した後、約
100本程度を束ねてポリエチレンフイルムの袋体
に密閉した。これを大谷石採掘跡の洞窟内に約２
℃の低温で、逆さ吊りにして、３ケ月保存した。
次いで、20℃、湿度80％にした大谷石採掘跡の洞
窟の開花室で、８−ハイドロオキシキノリン酸
200ppm、砂糖0.07ｇ／c.c.、ジベレリン1ppmの混
合液を開花促進液として、ナトリウムランプを人
工光源に用いて10日間照射し、開花させた。その
結果、下表の如き成果のリンドウを得た。

【表】 前記開花室に設ける強制開花に使用する装置と
しては種々の状態が考えられるが、その一例を第
７図によつて示す。即ち、１が、所定容量の開花
促進液を注ぐことができる溶液槽で、その四隅に
差し込み孔１ａを穿設し、そこに支柱２を挿脱自
在に立設する。そして、該支柱２の直角二方向に
は、嵌合孔３ａを有する止片３を高さ方向所定間
隔に設け、その支柱２相互の止片３の嵌合孔３ａ
間に両端部を垂直下方へ屈曲させた棒状の枠体４
を着脱自在に架設させて、切り花の立て掛け空間
Ｓ１を形成する。上記中四隅の差込み孔１ａは、
四隅部以外の中間位置にも設けて、切り花の数が
少ないときには枠空間Ｓ１の間隔を狭められるよ
うにすることが望ましい。 そして、前記枠体４の上の中間所定位置には10
cm程度の幅間隔を保持する二つ一組の受樋状の載
架片４ａに二条の区画枠５を掛架して、該載架片
３ａに二条の区画枠５を掛架して後に切り花を立
てた場合の採光空間Ｓ２を形成する。即ち、該採
光空間Ｓ２には切り花を立て掛けず、そのまま空
間として置くことで、密に並べられた切り花の内
部にまで照射光源を導き入れる構造とする。 更に、溶液槽１には、先端にフロート弁６ａを
配設した開花促進液を自動供給する為の貯留タン
ク６を臨ませて、切り花の生長に伴つて吸収され
る促進液の供給を自動化できる構造とすることが
望ましい。 ［発明の効果］ 本発明は以上のようで、切り花を市場の要求す
る時期に対応して即時に且つ安定摘に納入できる
ので、従来その需要と供給のアンバランスで市場
が輸入品にあらされたり、作業者が過重労働に悩
まされる等の弊害を生じていたものが一掃され、
且つ、その栽培後の切り花の品質も従来品に比
べ、色、形、鮮度保持等が優良で高品位とするこ
とができる。又、この実施に大谷石採掘跡の洞窟
を用いれば、本発明の実施に最適の環境が得られ
るばかりでなく、運転コストも極めて経済的とな
る。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示すもので、第１図〜
第６図は本発明の開花法を示すもので、第１図は
切り花苗の栽培状態を示す正面図、第２図は蕾を
形成する段階で切り取り作業を示す斜視図、第３
図は切り花を密閉ケーシング内に封入した状態の
正面図、第４図は密閉ケーシングを逆さ吊りした
状態の正面図、第５図は大谷石採掘跡の洞窟内に
開花室を設けた場合の縦断側面図、第６図が出荷
状体の斜視図、第７図は本発明の開花法の実施に
使用する人工開花装置の一例の斜視図。 １……溶液槽、２……支柱、３……止片、４…
…枠体、５……区画枠。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 切り花植物の苗を蕾が形成されるまで生育さ
   せ、その蕾のがく片が開裂を開始する前後時期に
   適当長さに切り取り、該切り取り後の花の密閉ケ
   ーシングに封入した上約０℃〜５℃程度の低温環
   境下に保存し、出荷時が到来したら、周囲を大谷
   石等のエチレン吸着能に優れた物質で囲撓した開
   花室に運び、該開花室で人工光線を照射しつつ茎
   下端部から開花促進液を吸収させて切り花を開花
   させることを特徴とする切り花の人工開花法。 ２ 人工光線が、ナトリウムランプ、メタルハラ
   イドランプ、蛍光ランプのうちいずれか一つ乃至
   ２以上の組み合わせから成る特許請求の範囲第１
   項記載の切り花の人工開花法。