JPH0453002B2

JPH0453002B2 -

Info

Publication number: JPH0453002B2
Application number: JP60221434A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Matsunaga; Masaya Sakata; Satoru Saito
Original assignee: Teac Corp
Current assignee: Teac Corp
Priority date: 1985-10-04
Filing date: 1985-10-04
Publication date: 1992-08-25
Also published as: JPS6280815A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は多素子磁気ヘツドに係り、特にデータ
レコーダに適用しうる多素子磁気ヘツドに関す
る。

従来の技術この種の多素子磁気ヘツドとして、例えば本出
願人が先に提案して出願公告された特公昭47−
32013号公報に示されているものがある。第１４
図、第１５図は夫々この公報に示されている多素
子磁気ヘツド１を示し、第１６図乃至第２０図は
夫々この磁気ヘツド１の製造工程を示す。磁気ヘ
ツド１は、フロントコア組立体２とバツクコア組
立体３が結合されてホルダ４内に組み込まれた構
成であり、ギヤツプ５を有する複数のヘツド素子
６がチヤネルシールド板７を間に介在させて集合
している。各ギヤツプ５はトラツク幅がw₁であ
り、ピツチp₁で一直線上に整列している。

フロントコア組立体２の元となるフロントコア
ブロツク１３は、まず第１６図及び第１７図に示
すように細長の一対のフエライト製コアブロツク
８，９を間にギヤツプ１０が形成されるようにガ
ラスボンデイングし、次に第１８図に示すように
底面１１側より切り込んで、複数の溝１２を形成
することにより得られる。このフロントコアブロ
ツク１３は、複数の上側ヘツド素子部１４が上面
部１５で連結されて一体化された構造である。溝
１２の深さａは、上面部１５の厚さｂがギヤツプ
１０の深さｃより小となるような寸法であり、比
較的大である。

一方、バツクコア組立体３が、第１９図に示す
ように、セラミツクブロツク１７上にフエライト
製コアブロツク１８を接着し、溝加工を施し、コ
イル１９を嵌合させて形成される。このバツクコ
ア組立体３は、夫々コイル１９が巻回された下側
ヘツド素子部２０がセラミツクブロツク１７で連
結されて一体化された構造である。

フロントブロツク１３は、第１９図及び第２０
図に示すように、上側ヘツド素子部１４を対応す
る下側ヘツド素子部２０に対向させ、この対向し
た面２７，２８同志を接着してバツクコア組立体
３と結合される。

次に、フエライト板２１とこの両側のセラミツ
ク板２２，２３とよりなるチヤネルシールド板７
を、一致している溝１２と２４とに挿入して第２
０図に示すフロント・バツクコア組立体２５を
得、これをホルダ４内に嵌合して固定し、この状
態で、フロントコアブロツク１３の上面側を第２
０図中二点鎖線で示す研摩ライン２６の位置まで
研摩除去することにより、第１４図及び第１５図
に示すようにチヤネルシールド板７が露出したヘ
ツド面を呈する多素子磁気ヘツド１が得られる。

発明が解決しようとする問題点上記の磁気ヘツド１において、各ヘツド素子６
のトラツク幅w₁は、溝１２により決定される。
この溝１２は、チヤネルシールド板７を挿入する
ためのものであり、深さ寸法ａは約３mmにもな
る。このため、溝切りカツタの振れ、逃げ等の影
響が出易くなり、溝は第２１図中１２ａ〜１２ｅ
で示すような形状となつてしまうことがある。溝
がこのように形成されると、フロントコアブロツ
ク１３の上部を研摩ライン３０まで研摩したとき
のヘツド面は第２２図に示す如くになり、更に研
摩した研摩ライン３１まで研摩したときのヘツド
面は第２３図に示す如くになる。両図を比較して
分かるように、例えばヘツド素子３２のトラツク
幅はw₄，w₅で示すように相違し、別のヘツド素
子３３の中心はｌで示すようにずれる。このよう
に、上面の摩耗量の差により、トラツク幅及びト
ラツクピツチが変化してしまう。更に重要なこと
は、研摩量を如何に定めても、各ヘツド素子のト
ラツク幅とトラツクピツチとを所定の寸法精度を
満足するように定めることが困難となつてしま
う。

問題点を解決するための手段及び作用本発明は、特に第３図及び第５図に示すよう
に、上側ヘツド素子組立体５２を構成する第１の
コアブロツク４７と第２のコアブロツク４８のう
ち、一方のコアブロツク４７の他方のコアブロツ
ク４８との突き合わせ面４７ａに、チヤネルシー
ルド板４６を挿入する第１の溝５１の幅w₃より
幅広で、且つ極く浅い第２の溝５５を形成し、こ
の第２の溝５５の幅方向上の両端が研摩により、
チヤネルシールド板４６の両側に露出し、第１の
溝５１の加工における歪みの影響を受けることな
く、隣り合う第２の溝５５間に相対的に形成され
た突条部５６がトラツク幅w₁を高精度に規制す
る構成としたものである。

実施例次に本発明になる多素子磁気ヘツドの一実施例
について説明する。

第１図及び第２図は多素子磁気ヘツド４０を示
し、第３図乃至第１０図は夫々この磁気ヘツド１
の製造工程を示す。磁気ヘツド４０は、フロント
コア組立体（上側ヘツド素子組立体）４１とバツ
クコア組立体（下側ヘツド素子組立体）４２とが
結合されてホルダ４３内に組み込まれた構成であ
り、ギヤツプ４４を有する複数のヘツド素子４５
がチヤネルシールド４６を間に介在させて集合し
ている。各ギヤツプ４４は、前記と同様にトラツ
ク幅w₁であり、ピツチp₁で一直線上に整列して
いる。

フロントコア組立体４１の元となるフロントコ
アブロツク５２は、第３図、第４図に示すよう
に、細長の一対のフエライト製コアブロツク４
７，４８を間にギヤツプ４９が形成されるように
ガラスボンデイングし、次いで第５図に示すよう
に底面５０側より切り込んで複数の溝５１（第１
の溝）を上記ピツチp₁と等しいピツチp₁で形成す
ることにより得られる。このフロントコアブロツ
ク５２は、複数の上側ヘツド素子部５３が上面部
５４で連結されて一体化された構造である。溝５
１の深さｄは、上面部５４の厚さｅがギヤツプ４
９の深さｆより小なるような寸法としてある。

一方、コアブロツク４７の突き合わせ面４７ａ
には、幅w₂、深さｇ（0.1〜0.2mm）、長さｆの複数
の溝５５（第２の溝）が上記ピツチp₁と等しいピ
ツチp₁で第３図中縦方向に形成してある。この溝
５５は深さが極く浅いため、溝切り加工は困難で
なく、溝５５は高精度に且つ殆ど加工歪を残さず
に形成される。この溝加工により、相対的に、幅
が上記幅w₁と等しい幅w₁の複数の突条部５６が
ピツチp₁で高精度に形成される。後述するよう
に、突条部５６、即ち隣り合う溝５５の内側の縁
がヘツド素子のトラツク幅を規制する。また、上
記溝５１の幅w₃と溝５５の幅w₂とは、w₃＜w₂の
関係にある。

バツクコア組立体４２は、第６図に示すように
セラミツクブロツク５７上にフエライト製コアブ
ロツク５８を接着し、第７図に示すように、コア
ブロツク５８の長手方向に溝５９を形成し次に第
８図に示すように、コアブロツク５８の幅方向
に、上記溝５１に対応する溝６０を形成して得ら
れる。溝６０は、上記溝５１と同様に、幅がw₃
であり、ピツチp₁でセラミツクブロツク５７まで
切り込んで形成してある。このバツクコア組立体
４２は、複数の下側ヘツド素子部６１がセラミツ
クブロツク５７により連結されて一体化された構
造である。各下側ヘツド素子部６１には、第９図
に示すように、コイル６２が嵌合されている。

フロントコアブロツク５２は、第９図及び第１
０図に示すように、上側ヘツド素子部５３と下側
ヘツド素子部６１とが対向し、上側ヘツド素子部
５３の下面６３と下側ヘツド素子部６１の上面６
４とが直接接触し、且つ溝５１，６０が一致した
状態で、バツクコア組立体４２と突き合わされ、
治具（図示せず）により固定される。

次にフエライト板６５を挟んでこの両側にセラ
ミツク板６６，６７を接着してなる積層構造のチ
ヤネルシールド板４６を、一致している溝５１と
６０とに横方向より挿入する。こゝで、セラミツ
ク板６６，６７の高さ寸法ｈと上記溝５１の深さ
寸法ｄとは、ｈ＞ｄの関係にあり、挿入された状
態では、第１０図に示すように、セラミツク板６
６，６７のうち斜線を付して示すｉ×ｊの部分が
溝６０内に進入し、隣り合う下側ヘツド素子部６
１の相対向する面に接触する。即ち、セラミツク
板６６，６７は溝５１と６０とにまたがつた状態
となる。またチヤネルシールド板４６は、両側の
面６８，６９に接着剤を塗布した状態で溝５１，
６０内に挿入される。

これにより、隣り合う上側ヘツド素子部５３の
相対向する面がチヤネルシールド板４６に接着す
ると共に、隣り合う下側ヘツド素子部６１の相対
向する面のうち上部近傍部分がチヤネルシールド
板４６の下端近傍部分に接着する。この結果、フ
ロントコアブロツク５２とバツクコア組立体４２
とがチヤネルシールド板４６を介して結合され、
フロント・バツクコア組立体７０を得る。このフ
ロント・バツクコア組立体７０において、上側ヘ
ツド素子部５３と下側ヘツド素子部６１とは相対
向する面６３，６４とが間に接着剤層を介さずに
直接接触した状態にある。

次いで、この組立体７０をホルダ４３（第１図
参照）内に嵌合して固定し、この状態で、フロン
トコアブロツク５２の上面側を第１０図中二点鎖
線で示す研摩ライン７１の位置まで研摩除去す
る。これにより、第１図及び第２図に示すように
チヤネルシールド板４６が露出したヘツド面を有
し、トラツク幅がw₁、ギヤツプ深さがｋのギヤ
ツプ４４を有するヘツド素子４５がピツチp₁で整
列し、チヤネルシールド板４６により互いにシー
ルドされた状態で一体化された多素子磁気ヘツド
４０が得られる。

この多素子磁気ヘツド４０において、各ヘツド
素子４５を構成する上側ヘツド素子部５３と下側
ヘツド素子部６１とは相対向する面６３，６４と
が間に接着剤を介さずに直接接触した状態にあ
り、バツクギヤツプは形成されず、磁気抵抗が減
つてコア効率は向上し、記録再生特性も向上す
る。

次に、前記溝５５の作用について、第１１図乃
至第１３図を参照して説明する。

第１１図はフロントコアブロツク５２の正面図
であり、同図中、５５は溝、５６は突条部であ
る。溝５１は第２１図中符号１２ａ〜１２ｅで示
すと同様に形成されているとする。このフロント
コアブロツク５２の上部を研摩ライン７２まで研
摩したとき、ヘツド面は第１２図に示す如くにな
り、研摩ライン７３まで研摩したときヘツド面は
第１３図に示す如くになる。第１２図及び第１３
図より分かるように、各ヘツド素子４５のトラツ
ク幅及びトラツクピツチは、溝５１とは無関係
に、隣り合う溝５５の内側の端部、即ち突条部５
６により決定され、夫々所定の寸法w₁，p₁とな
る。また、研摩量がばらついても、トラツクピツ
チは所定のトラツクピツチp₁に維持され変化せ
ず、トラツク幅も所定のトラツク幅w₁に維持さ
れ変化しない。従つて、上記構造の多素子磁気ヘ
ツド４０によれば、トラツク幅、トラツクピツ
チ、トラツクアラインメントの高精度化が可能と
なる。

また、溝５５を形成したことに伴つて、溝５１
及び６０の幅寸法w₃を従来より小とし得、これ
により上側ヘツド素子部５３及び下側ヘツド素子
部６１の幅寸法w₄（第５図、第８図参照）を従来
より大としうる。これにより、各ヘツド素子部５
３，６１の強度が増し、それだけ欠けにくゝな
る。また各ヘツド素子部５３，６１の幅寸法が増
した分、コアの磁気抵抗が下がる。

発明の効果上述の如く、本発明になる多素子磁気ヘツドに
よれば、各ヘツド素子のトラツク幅が、チヤネル
シールド板が挿入される深い第１の溝ではなく、
第１のコアブロツクの突き合せ面にのうち第１の
溝が形成される部位に形成された第２の溝に相対
的に形成された突条部により規制される構成であ
るため、トラツク幅は第１の溝加工には影響され
ずに、精度良く形成しうる第２の溝の溝加工によ
り決定されるため、トラツク幅及びトラツクピツ
チの高精度化を図ることが出来、また、第２の溝
は深さが浅くてよいため狭いピツチで形成するこ
とも出来、これにより各ヘツド素子の狭トラツク
化が可能となり、また更には第１の溝の溝幅を狭
くして上側ヘツド素子部の厚みを相対的に厚くす
ることも出来、このようにすることにより、強度
を上げ且つ磁気抵抗を下げることが出来るという
特長を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は夫々本発明になる多素子磁
気ヘツドの一実施例の一部切截斜視図及び平面
図、第３図乃至第５図は夫々フロントコアブロツ
クを製造する方法を説明する図、第６図乃至第８
図は夫々バツクコア組立体を製造する方法を説明
する図、第９図及び第１０図は夫々フロント・バ
ツクコア組立体を製造する方法を説明する図、第
１１図はフロントコアブロツクに底面より切り込
んだ溝の形状を誇張して示すフロントコアブロツ
クの正面図、第１２図、第１３図は夫々第１１図
のフロントコアブロツクの上部を研摩して得たヘ
ツド面を示す図、第１４図及び第１５図は夫々従
来の多素子磁気ヘツドの１例の一部切截斜視図及
び平面図、第１６図乃至第１８図は夫々フロント
コアブロツクを製造する方法を説明する図、第１
９図及び第２０図は夫々フロント・バツクコア組
立体を製造する方法を説明する図、第２１図はフ
ロントコアブロツクに底面より切り込んだ溝の変
状を誇張して示す図、第２２図、第２３図は夫々
第２１図のフロントコアブロツクの上部を研摩し
て得たヘツド面を示す図である。４０……多素子磁気ヘツド、４１……フロント
コア組立体（上側ヘツド素子組立体）、４２……
バツクコア組立体（下側ヘツド素子組立体）、４
４……ギヤツプ、４５……ヘツド素子、４６……
チヤネルシールド板、４７……コアブロツク、４
７ａ……突き合わせ面、５１……溝（第１の溝）、
５２……フロントコアブロツク、５３……上側ヘ
ツド素子部、５５……溝（第２の溝）、５６……
突条部、６１……下側ヘツド素子部、６５……フ
エライト板、６６，６７……セラミツク板、７０
……フロント・バツクコア組立体、７１……研摩
ライン。

Claims

【特許請求の範囲】１夫々ギヤツプを形成している複数の上側ヘツ
ド素子部が整列して一体化された上側ヘツド素子
組立体と、複数の下側ヘツド素子部が整列して一
体化された下側ヘツド素子組立体とが結合され、
対応する上側ヘツド素子部と下側ヘツド素子部と
が一のヘツド素子を形成する構成であり、上記上
側ヘツド素子組立体が、第１のコアブロツクと第
２のコアブロツクとがその間にギヤツプを形成し
て突き合わされ、底面側より切り込んで形成され
た複数の第１の溝内にチヤネルシールド板が挿入
されてなる組立体の上面を研摩して該チヤネルシ
ールド板を露出させてなる構成である多素子磁気
ヘツドにおいて、該第１のコアブロツクと該第２のコアブロツク
との突き合せ面のうち上記第１の溝が形成される
部位に、上記第１の溝の幅より広い幅を有して且
つ極く浅い複数の第２の溝を上記ギヤツプの深さ
方向に延在して形成して、該突き合せ面を隣り合
う該第２の溝の間に該ギヤツプの深さ方向に延在
する突条部が相対的に形成された構成とし、該第
２の溝の幅方向上両端が上記露出したチヤネルシ
ールド板の両側に露出し、該突条部が上記ヘツド
素子のトラツク幅を規制する構成としたことを特
徴とする多素子磁気ヘツド。