JPH0453018Y2 - - Google Patents

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JPH0453018Y2
JPH0453018Y2 JP14750386U JP14750386U JPH0453018Y2 JP H0453018 Y2 JPH0453018 Y2 JP H0453018Y2 JP 14750386 U JP14750386 U JP 14750386U JP 14750386 U JP14750386 U JP 14750386U JP H0453018 Y2 JPH0453018 Y2 JP H0453018Y2
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semiconductor laser
temperature
control device
heat pipe
heat
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Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この考案は半導体レーザ温度制御装置に関し、
さらに詳細にいえば、恒温ブロツクにより支持す
ることにより、半導体レーザの温度変化を抑制す
るようにした半導体レーザ温度制御装置に関す
る。
[Detailed description of the invention] <Industrial application field> This invention relates to a semiconductor laser temperature control device.
More specifically, the present invention relates to a semiconductor laser temperature control device that suppresses temperature changes in a semiconductor laser by supporting it with a constant temperature block.

〈従来の技術〉 最近、レーザプリンタ、レーザデイスク再生装
置、光通信機器等の分野において、小型、軽量、
実装の容易さ、直接変調が可能であること等の利
点を有する半導体レーザが光源として使用される
ようになつてきている。
<Prior art> Recently, in the field of laser printers, laser disc playback devices, optical communication equipment, etc., small, lightweight,
Semiconductor lasers, which have advantages such as ease of implementation and direct modulation, have come to be used as light sources.

ところが、半導体レーザは、電流値を一定に保
持しておいても、温度変化の影響を受けて出力が
変動するという特性を有しているとともに、温度
変化の影響を受けて出力光の波長が変化するとい
う特性を有している。
However, semiconductor lasers have the characteristic that even if the current value is held constant, the output fluctuates due to temperature changes, and the wavelength of the output light also changes due to temperature changes. It has the characteristic of changing.

したがつて、レーザプリンタ、レーザデイスク
再生装置に使用される半導体レーザとしては、出
力光強度を安定させるために、半導体レーザの温
度制御を行なうことが必要となり、光通信機器に
おいては、出力光の波長を安定させるために半導
体レーザの温度制御を行なうことが必要になる。
Therefore, for semiconductor lasers used in laser printers and laser disk playback devices, it is necessary to control the temperature of the semiconductor laser in order to stabilize the output light intensity. In order to stabilize the wavelength, it is necessary to control the temperature of the semiconductor laser.

このような必要性から、従来は、 半導体レーザをガス恒温槽の内部に配置する
ことにより温度を一定に保持させるようにした
もの、 第5図に示すように、円柱状の恒温ブロツク
の両底面にそれぞれ半導体レーザ、および発熱
体を取付け、恒温ブロツクの温度をサーミスタ
により検出して発熱体をフイードバツク制御す
ることにより、比較的高い所定温度に保持しよ
うとするもの(特開昭58−176988号公報参照)、 第6図に示すように、L字状の恒温ブロツク
の一面に発熱体を取付けるとともに、他の面の
所定位置に半導体レーザを取付け、半導体レー
ザ素子を収容するケースの温度をサーミスタに
より検出して発熱体をフイードバツク制御する
ことにより、比較的高い所定温度に保持しよう
とするもの(「マイクロコンピユータを用いた
半導体レーザの電流・温度の精密制御装置」、
小笠原他、信学技報OQE85−21参照)、 が提供されていた。
Due to this need, conventional methods have been to maintain a constant temperature by placing the semiconductor laser inside a gas constant temperature bath, or to keep the temperature constant by placing the semiconductor laser inside a gas constant temperature bath. A semiconductor laser and a heating element are attached to each of the blocks, and the temperature of the constant temperature block is detected by a thermistor and the heating element is controlled in a feedback manner to maintain a relatively high predetermined temperature (Japanese Patent Laid-Open No. 176988/1983). ), as shown in Figure 6, a heating element is attached to one side of the L-shaped constant temperature block, a semiconductor laser is attached to a predetermined position on the other side, and the temperature of the case housing the semiconductor laser element is controlled by a thermistor. A device that attempts to maintain a relatively high predetermined temperature by detecting and controlling the heating element through feedback control (``Precise control device for semiconductor laser current and temperature using a microcomputer'')
Ogasawara et al., IEICE Technical Report OQE85-21) was provided.

〈考案が解決しようとする問題点〉 上記の構成の半導体レーザ温度制御装置にお
いては、半導体レーザの温度を高い精度で所定温
度に保持し続けることができるのであるが、ガス
恒温槽を使用する関係上、全体として大型化し、
小形化する必要がある装置には到底使用すること
ができないという問題がある。
<Problems to be solved by the invention> In the semiconductor laser temperature control device with the above configuration, the temperature of the semiconductor laser can be maintained at a predetermined temperature with high accuracy. Above, the overall size has increased,
There is a problem in that it cannot be used in devices that need to be miniaturized.

上記の構成の半導体レーザ温度制御装置にお
いては、発熱体からの熱伝達系が比較的対称にな
るので、半導体レーザを支持している部分におい
て温度分布を比較的対称に設定することが可能で
あると思われるが、実際には、半導体レーザに駆
動電流を供給する必要がある関係上、リード線を
挿通するための穴を形成することにより、上記熱
伝達系の対称性が損なわれ、実際には、温度分布
が不均一になつてしまうという問題がある。
In the semiconductor laser temperature control device with the above configuration, the heat transfer system from the heating element is relatively symmetrical, so it is possible to set the temperature distribution in the part that supports the semiconductor laser to be relatively symmetrical. However, in reality, since it is necessary to supply a driving current to the semiconductor laser, the symmetry of the heat transfer system is impaired by forming a hole for inserting the lead wire, and in reality, However, there is a problem in that the temperature distribution becomes non-uniform.

また、外気温等による影響が局部的に作用した
場合には、上記影響が全体に伝達されるまでの時
間が長いのであるから、半導体レーザ近傍におけ
る短時間の温度変動を十分には抑制することがで
きないという問題があるとともに、上記の不均一
な温度の一部のみをサーミスタにより検出して発
熱体の制御を行なうので、高精度の温度制御を行
なうことができないという問題がある。
Furthermore, when the influence of outside temperature etc. acts locally, it takes a long time for the influence to be transmitted to the whole area, so it is necessary to sufficiently suppress short-term temperature fluctuations in the vicinity of the semiconductor laser. In addition, since only a portion of the non-uniform temperature is detected by the thermistor to control the heating element, there is a problem that highly accurate temperature control cannot be performed.

上記の構成の半導体レーザ温度制御装置にお
いては、半導体レーザに対する駆動電流の供給を
簡単に行なうことができるのであるが、半導体レ
ーザの近傍において、発熱体に近い側と、発熱体
から遠い側との間で温度勾配を生じ、半導体レー
ザを支持している部分において温度が不均一にな
つてしまうという問題がある。
In the semiconductor laser temperature control device with the above configuration, driving current can be easily supplied to the semiconductor laser. There is a problem in that a temperature gradient occurs between the semiconductor lasers and the temperature becomes non-uniform in the portion supporting the semiconductor laser.

また、上記の不均一な温度の一部のみをサーミ
スタにより検出して発熱体の制御を行なうので、
高精度の温度制御を行なうことができないという
問題がある。
In addition, the heating element is controlled by detecting only a portion of the above-mentioned non-uniform temperature using a thermistor.
There is a problem in that highly accurate temperature control cannot be performed.

〈考案の目的〉 この考案は上記の問題点に鑑みてなされたもの
であり、簡単な構成で、半導体レーザを支持して
いる部分における温度を均一に保持することがで
きる半導体レーザ温度制御装置を提供することを
目的としている。
<Purpose of the invention> This invention was made in view of the above-mentioned problems, and is a semiconductor laser temperature control device that has a simple configuration and can maintain a uniform temperature in the part that supports the semiconductor laser. is intended to provide.

〈問題点を解決するための手段〉 上記の目的を達成するための、この考案の半導
体レーザ温度制御装置は、半導体レーザを支持す
る、熱伝導性が良好な恒温ブロツクの所定位置
に、上記半導体レーザを包囲する状態でリング状
のヒートパイプを設けたものである。
<Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, the semiconductor laser temperature control device of this invention has the semiconductor laser at a predetermined position of a constant temperature block with good thermal conductivity that supports the semiconductor laser. A ring-shaped heat pipe is provided to surround the laser.

但し、上記恒温ブロツクとしては、発熱体によ
り熱を供給されているものであることが好まし
く、この場合において、ヒートパイプの外方から
熱を供給されているものであつても、或は、リン
グ状のヒートパイプの中心軸線方向から熱を供給
されているものであつてもよい。
However, it is preferable that the constant temperature block is one that is supplied with heat by a heating element, and in this case, even if the heat is supplied from the outside of a heat pipe, or a ring Heat may be supplied from the central axis direction of the heat pipe.

〈作用〉 以上の構成の半導体レーザ温度制御装置であれ
ば、半導体レーザを支持する、熱伝導性が良好な
恒温ブロツクの所定位置に、上記半導体レーザを
包囲する状態でリング状のヒートパイプを設けて
いるので、ヒートパイプは全範囲にわたつて同一
温度になり、このヒートパイプからの熱伝達によ
り半導体レーザを支持している部分の温度分布を
均一にすることができる。
<Function> In the semiconductor laser temperature control device having the above configuration, a ring-shaped heat pipe is provided at a predetermined position of a thermostatic block with good thermal conductivity that supports the semiconductor laser so as to surround the semiconductor laser. Therefore, the heat pipe has the same temperature over the entire range, and heat transfer from the heat pipe makes it possible to make the temperature distribution uniform in the portion supporting the semiconductor laser.

また、上記恒温ブロツクが、発熱体により熱を
供給されているものである場合には、ヒートパイ
プの全範囲にわたつて発熱体からの熱により均一
に昇温され、このヒートパイプからの熱伝達によ
り半導体レーザを支持している部分の温度分布を
均一にすることができる。
In addition, if the constant temperature block is one that is supplied with heat by a heating element, the temperature will be raised uniformly by the heat from the heating element over the entire range of the heat pipe, and the heat transfer from this heat pipe will be This makes it possible to make the temperature distribution of the portion supporting the semiconductor laser uniform.

したがつて、ヒートパイプの外方から熱を供給
されているものである場合にも、或は、リング状
のヒートパイプの中心軸線方向から熱を供給され
ているものである場合にも、半導体レーザを支持
している部分の温度分布を均一にすることができ
る。
Therefore, whether heat is supplied from outside the heat pipe or from the direction of the center axis of a ring-shaped heat pipe, the semiconductor The temperature distribution in the portion supporting the laser can be made uniform.

〈実施例〉 以下、実施例を示す添付図面によつて詳細に説
明する。
<Examples> Hereinafter, examples will be described in detail with reference to the accompanying drawings showing examples.

第1図はこの考案の半導体レーザ温度制御装置
の一実施例を示す正面図、第2図は中央縦断面図
であり、下部にフランジを有する板状の恒温ブロ
ツク1の中央部に半導体レーザ2を挿通状態で支
持する開口3を形成しているとともに、上記開口
3を中心としてリング状のヒートパイプ4を埋設
している。そして、上記フランジを、ペルチエ素
子等からなる発熱体5を介在させた状態で支持台
6にねじ止めしている。
FIG. 1 is a front view showing an embodiment of the semiconductor laser temperature control device of this invention, and FIG. 2 is a central vertical cross-sectional view. An opening 3 is formed to support the heat pipe in an inserted state, and a ring-shaped heat pipe 4 is embedded around the opening 3. The flange is screwed to the support base 6 with a heating element 5 such as a Peltier element interposed therebetween.

尚、上記恒温ブロツク1の背面側には、半導体
レーザ2を抜止め状に保持するストツパプレート
7がねじ止めされている。
A stopper plate 7 for holding the semiconductor laser 2 in a manner that prevents it from coming off is screwed to the back side of the thermostatic block 1.

また、上記半導体レーザ2に近接する位置に形
成した穴8にサーミスタ(図示せず)を取付け、
上記発熱体5からの発熱量を制御している。
In addition, a thermistor (not shown) is attached to the hole 8 formed in the vicinity of the semiconductor laser 2,
The amount of heat generated from the heating element 5 is controlled.

上記ヒートパイプ4としては、種々の構成のも
のを使用することが可能であるが、例えば、内面
にウイツクを入れた銅パイプの内圧を低くし、内
部に水を注入したものを使用することにより、高
い熱伝導状態を達成することができる。
As the heat pipe 4, it is possible to use various configurations, but for example, by using a copper pipe with a heat pipe inside to lower the internal pressure and water injected inside. , high thermal conductivity can be achieved.

上記の構成の半導体レーザ温度制御装置であれ
ば、発熱体5からの熱は、下方から伝達されるの
であるが、ヒートパイプ4が全範囲にわたつて均
一な温度に保持されることになるので、ヒートパ
イプ4からの熱伝導により、上記開口3の近傍の
温度分布を均一に保持することができる。
In the semiconductor laser temperature control device with the above configuration, the heat from the heating element 5 is transmitted from below, but the heat pipe 4 is maintained at a uniform temperature over the entire range. Due to heat conduction from the heat pipe 4, the temperature distribution near the opening 3 can be maintained uniformly.

また、半導体レーザ2を取付けている部分の温
度をサーミスタ(図示せず)により検出して発熱
体からの発熱量をフイードバツク制御しているの
であるが、このフイードバツク制御による半導体
レーザ取付部における熱応答性が向上し、高精度
での温度制御を行なつて、出力光強度のみなら
ず、出力光の波長をも安定化することができる。
In addition, the temperature of the part where the semiconductor laser 2 is attached is detected by a thermistor (not shown) to feedback-control the amount of heat generated from the heating element. It is possible to stabilize not only the intensity of the output light but also the wavelength of the output light by controlling the temperature with high precision.

第3図は他の実施例を示す平面図、第4図は中
央縦断面図であり、上記実施例と異なる点は、恒
温ブロツク1を円柱状とし、両底面にそれぞれ半
導体レーザ2、および発熱体5を取付けた点、上
記恒温ブロツク1の前面側にストツパプレート7
をねじ止めし、上記恒温ブロツク1とストツパプ
レート7との境界部にリング状のヒートパイプ4
を挟持した点、および恒温ブロツク1の所定位置
に、半導体レーザに駆動電流を供給するリード線
を挿通するたための開口9を形成した点のみであ
る。
FIG. 3 is a plan view showing another embodiment, and FIG. 4 is a central vertical cross-sectional view.The difference from the above embodiment is that the constant temperature block 1 is cylindrical, and a semiconductor laser 2 and a heat generating device are provided on both bottom surfaces. A stopper plate 7 is attached to the front side of the constant temperature block 1 at the point where the body 5 is attached.
A ring-shaped heat pipe 4 is attached to the boundary between the constant temperature block 1 and the stopper plate 7.
The only difference is that the constant temperature block 1 has an opening 9 formed at a predetermined position in which a lead wire for supplying a driving current to the semiconductor laser is inserted.

上記の構成の半導体レーザ温度制御装置であれ
ば、発熱体5からの熱は、恒温ブロツク1の後方
から伝達される。そして、上記開口9により熱伝
達の対称性が損なわれることになるのであるが、
ヒートパイプ4が全範囲にわたつて均一な温度に
保持されることになるので、ヒートパイプ4から
の熱伝導により、半導体レーザ2を取付けた部分
の温度分布を均一に保持することができる。
In the semiconductor laser temperature control device having the above configuration, the heat from the heating element 5 is transmitted from the rear of the constant temperature block 1. The symmetry of heat transfer is impaired by the opening 9, but
Since the temperature of the heat pipe 4 is maintained at a uniform temperature over the entire range, the temperature distribution in the portion where the semiconductor laser 2 is attached can be maintained uniform by heat conduction from the heat pipe 4.

また、半導体レーザ2を取付けている部分の温
度をサーミスタ(図示せず)により検出して発熱
体からの発熱量をフイードバツク制御しているの
であるが、このフイードバツク制御による半導体
レーザ取付部における熱応答性が向上し、高精度
での温度制御を行なつて、出力光強度のみなら
ず、出力光の波長をも安定化することができる。
In addition, the temperature of the part where the semiconductor laser 2 is attached is detected by a thermistor (not shown) to feedback-control the amount of heat generated from the heating element. It is possible to stabilize not only the intensity of the output light but also the wavelength of the output light by controlling the temperature with high precision.

尚、この考案は上記の実施例に限定されるもの
ではなく、例えば恒温ブロツク1として任意の形
状のものを使用することが可能である他、ヒート
パイプ4を2本以上取付けることが可能であり、
さらに、発熱体5に代えて吸熱体を使用すること
により恒温ブロツク1を比較的低い温度に保持す
ることが可能であり、その他この考案の要旨を変
更しない範囲内において、種々の設計変更を施す
ことが可能である。
Note that this invention is not limited to the above-mentioned embodiments; for example, it is possible to use any shape as the constant temperature block 1, and it is also possible to attach two or more heat pipes 4. ,
Furthermore, by using a heat absorbing element in place of the heating element 5, it is possible to maintain the constant temperature block 1 at a relatively low temperature, and various other design changes can be made without changing the gist of this invention. Is possible.

〈考案の効果〉 以上のようにこの考案は、半導体レーザを支持
する恒温ブロツクの所定位置に、半導体レーザを
包囲する状態でリング状のヒートパイプを取付け
ているので、全体が均一な温度条件になるヒート
パイプからの熱伝達により、半導体レーザ取付部
分の温度を均一化することができ、ひいては半導
体レーザの出力光強度、出力光の波長を安定化す
ることができ、さらには、全体として小形化する
ことができきるという特有の実用的効果を奏す
る。
<Effects of the invention> As described above, in this invention, a ring-shaped heat pipe is attached to a predetermined position of the constant temperature block that supports the semiconductor laser so as to surround the semiconductor laser, so that the entire device is kept under uniform temperature conditions. The heat transfer from the heat pipe makes it possible to equalize the temperature of the semiconductor laser mounting area, which in turn stabilizes the output light intensity and wavelength of the semiconductor laser, and furthermore, reduces the overall size. It has the unique practical effect of being able to

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの考案の半導体レーザ温度制御装置
の一実施例を示す正面図、第2図は中央縦断面
図、第3図は他の実施例を示す平面図、第4図は
中央縦断面図、第5図、および第6図は従来例を
示す中央縦断面図。 1……恒温ブロツク、2……半導体レーザ、4
……ヒートパイプ、5……発熱体。
Fig. 1 is a front view showing one embodiment of the semiconductor laser temperature control device of this invention, Fig. 2 is a central longitudinal sectional view, Fig. 3 is a plan view showing another embodiment, and Fig. 4 is a central longitudinal sectional view. FIG. 5, and FIG. 6 are central vertical sectional views showing a conventional example. 1... Constant temperature block, 2... Semiconductor laser, 4
... Heat pipe, 5 ... Heating element.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 1 半導体レーザを支持する、熱伝導性が良好な
恒温ブロツクの所定位置に、上記半導体レーザ
を包囲する状態でリング状のヒートパイプを設
けたことを特徴とする半導体レーザ温度制御装
置。 2 恒温ブロツクが、発熱体により熱を供給され
ているものである上記実用新案登録請求の範囲
第1項記載の半導体レーザ温度制御装置。 3 恒温ブロツクが、吸熱体により熱を吸収され
ているものである上記実用新案登録請求の範囲
第1項記載の半導体レーザ温度制御装置。 4 恒温ブロツクが、ヒートパイプの外方におい
て熱結合されているものである上記実用新案登
録請求の範囲第2項または第3項記載の半導体
レーザ温度制御装置。 5 恒温ブロツクが、リング状のヒートパイプの
中心軸線方向において熱結合されているもので
ある上記実用新案登録請求の範囲第2項または
第3項記載の半導体レーザ温度制御装置。
[Claims for Utility Model Registration] 1. A semiconductor characterized in that a ring-shaped heat pipe is provided at a predetermined position of a thermostatic block with good thermal conductivity that supports the semiconductor laser and surrounds the semiconductor laser. Laser temperature control device. 2. The semiconductor laser temperature control device according to claim 1, wherein the constant temperature block is supplied with heat by a heating element. 3. The semiconductor laser temperature control device according to claim 1, wherein the constant temperature block has heat absorbed by a heat absorber. 4. The semiconductor laser temperature control device according to claim 2 or 3, wherein the constant temperature block is thermally coupled to the outside of the heat pipe. 5. The semiconductor laser temperature control device according to claim 2 or 3, wherein the constant temperature block is thermally coupled in the direction of the center axis of the ring-shaped heat pipe.
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JPS6355455U JPS6355455U (en) 1988-04-13
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