JPH0453228A - 半導体基板処理装置 - Google Patents
半導体基板処理装置Info
- Publication number
- JPH0453228A JPH0453228A JP16166890A JP16166890A JPH0453228A JP H0453228 A JPH0453228 A JP H0453228A JP 16166890 A JP16166890 A JP 16166890A JP 16166890 A JP16166890 A JP 16166890A JP H0453228 A JPH0453228 A JP H0453228A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- processing
- processing solution
- injection nozzle
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 3
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- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は複数回の半導体基板を薬液等で浸漬洗浄処理を
行なう半導体基板処理装置に関する。
行なう半導体基板処理装置に関する。
従来のこの種の半導体基板処理装置を第3図の透視図に
示す。第3図において、1は半導体基板処理槽(以下、
処理槽と略す)、5は処理液噴射ノズル、3は半導体基
板である。処理液噴射ノズル5より噴出した処理液は、
半導体基板3の下方から4二方へ流れ、処理層1の内槽
壁よりあふれ出る様になっている。
示す。第3図において、1は半導体基板処理槽(以下、
処理槽と略す)、5は処理液噴射ノズル、3は半導体基
板である。処理液噴射ノズル5より噴出した処理液は、
半導体基板3の下方から4二方へ流れ、処理層1の内槽
壁よりあふれ出る様になっている。
上述しプご従来の半導体基板処理装置は、半導体基板表
面に処理液を供給する目的のなめ、半導体基板の下方か
ら半導体基板表面を通り、−1一方に向って処理液か流
れる構造となっている。そのため、半導体基板表面に付
着した処理液の密度より大きい密度の液体又は半導体装
置の欠陥となる様な粒子は、処理液の流れに逆らい、半
導体基板表面より排除さhすに滞留するという欠点があ
った。
面に処理液を供給する目的のなめ、半導体基板の下方か
ら半導体基板表面を通り、−1一方に向って処理液か流
れる構造となっている。そのため、半導体基板表面に付
着した処理液の密度より大きい密度の液体又は半導体装
置の欠陥となる様な粒子は、処理液の流れに逆らい、半
導体基板表面より排除さhすに滞留するという欠点があ
った。
本発明の目的は、半導体基板表面より前記液体又は粒子
を排除できる半導体基板処理装置を提供する事にある。
を排除できる半導体基板処理装置を提供する事にある。
」二連しな従来の半導体基板処理装置に対し、本発明は
処理槽内でかつ半導体基板上部に位置させた処理液噴射
ノズル及び処理液噴射ノズルを移動させる駆動装置を有
するという相違点かある。
処理槽内でかつ半導体基板上部に位置させた処理液噴射
ノズル及び処理液噴射ノズルを移動させる駆動装置を有
するという相違点かある。
本発明は、複数の半導体基板を収納した半導体基板収納
箱を処理槽内に浸漬し、薬液等による処理洗浄を行なう
半導体基板処理装置において、処理槽内でかつ半導体基
板収納箱上部に位置させた処理液噴射ノズル、及び処理
液噴射ノズルを半導体基板収納箱上部位置より移動させ
る駆動装置を有する半導体基板処理装置である。
箱を処理槽内に浸漬し、薬液等による処理洗浄を行なう
半導体基板処理装置において、処理槽内でかつ半導体基
板収納箱上部に位置させた処理液噴射ノズル、及び処理
液噴射ノズルを半導体基板収納箱上部位置より移動させ
る駆動装置を有する半導体基板処理装置である。
以下、本発明の実施例1を図により説明する。
第1−図の透視図において、処理槽1に半導体基板3を
浸漬後、処理液噴射ノズル2を、駆動装置4Aにより失
権aの移動方向に水平移動し、処理槽]内で旧つ半導体
基板3のト部に位置させる。本実施例において、処理液
噴射ノズル2より噴出した処理液は、半導体基板3の上
部より下方向流1)となり、半導体基板3表面における
処理液より密度の高い液体又は半導体装置の欠陥となる
粒子は、半導体基板方面より脱落してずへて排除される
。
浸漬後、処理液噴射ノズル2を、駆動装置4Aにより失
権aの移動方向に水平移動し、処理槽]内で旧つ半導体
基板3のト部に位置させる。本実施例において、処理液
噴射ノズル2より噴出した処理液は、半導体基板3の上
部より下方向流1)となり、半導体基板3表面における
処理液より密度の高い液体又は半導体装置の欠陥となる
粒子は、半導体基板方面より脱落してずへて排除される
。
第2図は本発明の実施例2の透視図である。第2図にお
いて、処理槽1に半導体基板3を浸漬後、処理液噴射ノ
ズル2を駆動装置4Bにより失権Cの移動方向に回転し
、処理槽]内で珪っ半導体基板3上部に位置させる。こ
の実施例ては、処理槽]の幅を短縮てき、かつ駆動装置
4Bの構造を簡略化できる利点かある。
いて、処理槽1に半導体基板3を浸漬後、処理液噴射ノ
ズル2を駆動装置4Bにより失権Cの移動方向に回転し
、処理槽]内で珪っ半導体基板3上部に位置させる。こ
の実施例ては、処理槽]の幅を短縮てき、かつ駆動装置
4Bの構造を簡略化できる利点かある。
以上説明したように本発明は、半導体基板処理槽内での
処理液の流れを下方向流にした事により、半導体基板処
理中に発生ずる半導体基板表面の処理液より密度の大き
い液体、又は半導体装置の欠陥となる粒子を、その性質
に逆らうことなく半導体基板表面より排除てきる効果が
ある。
処理液の流れを下方向流にした事により、半導体基板処
理中に発生ずる半導体基板表面の処理液より密度の大き
い液体、又は半導体装置の欠陥となる粒子を、その性質
に逆らうことなく半導体基板表面より排除てきる効果が
ある。
第1図は本発明の実施例1を示す透視図、第2図は本発
明の実施例2を示す透視図、第3図は従来の半導体基板
処理装置を示ず透視図である。 ]・・・半導体基板処理槽、2・・・処理液噴射ノズル
、3・・・半導体基板、4A・・・噴射ノズル駆動装置
、4B・・・噴射ノズル駆動装置、5・・・処理液噴射
ノズル、a、c・・・移動方向、l)・・・下方向流。
明の実施例2を示す透視図、第3図は従来の半導体基板
処理装置を示ず透視図である。 ]・・・半導体基板処理槽、2・・・処理液噴射ノズル
、3・・・半導体基板、4A・・・噴射ノズル駆動装置
、4B・・・噴射ノズル駆動装置、5・・・処理液噴射
ノズル、a、c・・・移動方向、l)・・・下方向流。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、複数の半導体基板を収納した半導体基板収納箱を処
理槽内に浸漬し薬液等による処理洗浄を行なう半導体基
板処理装置において、処理槽内で且つ前記収納箱上部に
位置させた処理液噴射ノズルと、処理液噴射ノズルを前
記収納箱上部位置より移動させる駆動装置とを有する事
を特徴とする半導体基板処理装置。 2、駆動装置により処理液噴射ノズルが水平移動または
回転移動する請求項1記載の半導体基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16166890A JPH0453228A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 半導体基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16166890A JPH0453228A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 半導体基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453228A true JPH0453228A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15739570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16166890A Pending JPH0453228A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 半導体基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0453228A (ja) |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP16166890A patent/JPH0453228A/ja active Pending
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