JPH0453228A - 半導体基板処理装置 - Google Patents

半導体基板処理装置

Info

Publication number
JPH0453228A
JPH0453228A JP16166890A JP16166890A JPH0453228A JP H0453228 A JPH0453228 A JP H0453228A JP 16166890 A JP16166890 A JP 16166890A JP 16166890 A JP16166890 A JP 16166890A JP H0453228 A JPH0453228 A JP H0453228A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor substrate
processing
processing solution
injection nozzle
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16166890A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Kumagai
誠一 熊谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP16166890A priority Critical patent/JPH0453228A/ja
Publication of JPH0453228A publication Critical patent/JPH0453228A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は複数回の半導体基板を薬液等で浸漬洗浄処理を
行なう半導体基板処理装置に関する。
〔従来の技術〕
従来のこの種の半導体基板処理装置を第3図の透視図に
示す。第3図において、1は半導体基板処理槽(以下、
処理槽と略す)、5は処理液噴射ノズル、3は半導体基
板である。処理液噴射ノズル5より噴出した処理液は、
半導体基板3の下方から4二方へ流れ、処理層1の内槽
壁よりあふれ出る様になっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述しプご従来の半導体基板処理装置は、半導体基板表
面に処理液を供給する目的のなめ、半導体基板の下方か
ら半導体基板表面を通り、−1一方に向って処理液か流
れる構造となっている。そのため、半導体基板表面に付
着した処理液の密度より大きい密度の液体又は半導体装
置の欠陥となる様な粒子は、処理液の流れに逆らい、半
導体基板表面より排除さhすに滞留するという欠点があ
った。
本発明の目的は、半導体基板表面より前記液体又は粒子
を排除できる半導体基板処理装置を提供する事にある。
」二連しな従来の半導体基板処理装置に対し、本発明は
処理槽内でかつ半導体基板上部に位置させた処理液噴射
ノズル及び処理液噴射ノズルを移動させる駆動装置を有
するという相違点かある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、複数の半導体基板を収納した半導体基板収納
箱を処理槽内に浸漬し、薬液等による処理洗浄を行なう
半導体基板処理装置において、処理槽内でかつ半導体基
板収納箱上部に位置させた処理液噴射ノズル、及び処理
液噴射ノズルを半導体基板収納箱上部位置より移動させ
る駆動装置を有する半導体基板処理装置である。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例1を図により説明する。
第1−図の透視図において、処理槽1に半導体基板3を
浸漬後、処理液噴射ノズル2を、駆動装置4Aにより失
権aの移動方向に水平移動し、処理槽]内で旧つ半導体
基板3のト部に位置させる。本実施例において、処理液
噴射ノズル2より噴出した処理液は、半導体基板3の上
部より下方向流1)となり、半導体基板3表面における
処理液より密度の高い液体又は半導体装置の欠陥となる
粒子は、半導体基板方面より脱落してずへて排除される
第2図は本発明の実施例2の透視図である。第2図にお
いて、処理槽1に半導体基板3を浸漬後、処理液噴射ノ
ズル2を駆動装置4Bにより失権Cの移動方向に回転し
、処理槽]内で珪っ半導体基板3上部に位置させる。こ
の実施例ては、処理槽]の幅を短縮てき、かつ駆動装置
4Bの構造を簡略化できる利点かある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体基板処理槽内での
処理液の流れを下方向流にした事により、半導体基板処
理中に発生ずる半導体基板表面の処理液より密度の大き
い液体、又は半導体装置の欠陥となる粒子を、その性質
に逆らうことなく半導体基板表面より排除てきる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1を示す透視図、第2図は本発
明の実施例2を示す透視図、第3図は従来の半導体基板
処理装置を示ず透視図である。 ]・・・半導体基板処理槽、2・・・処理液噴射ノズル
、3・・・半導体基板、4A・・・噴射ノズル駆動装置
、4B・・・噴射ノズル駆動装置、5・・・処理液噴射
ノズル、a、c・・・移動方向、l)・・・下方向流。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、複数の半導体基板を収納した半導体基板収納箱を処
    理槽内に浸漬し薬液等による処理洗浄を行なう半導体基
    板処理装置において、処理槽内で且つ前記収納箱上部に
    位置させた処理液噴射ノズルと、処理液噴射ノズルを前
    記収納箱上部位置より移動させる駆動装置とを有する事
    を特徴とする半導体基板処理装置。 2、駆動装置により処理液噴射ノズルが水平移動または
    回転移動する請求項1記載の半導体基板処理装置。
JP16166890A 1990-06-20 1990-06-20 半導体基板処理装置 Pending JPH0453228A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16166890A JPH0453228A (ja) 1990-06-20 1990-06-20 半導体基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16166890A JPH0453228A (ja) 1990-06-20 1990-06-20 半導体基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0453228A true JPH0453228A (ja) 1992-02-20

Family

ID=15739570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16166890A Pending JPH0453228A (ja) 1990-06-20 1990-06-20 半導体基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0453228A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6875289B2 (en) Semiconductor wafer cleaning systems and methods
US6269511B1 (en) Surface cleaning apparatus
JPH06502514A (ja) 半導体処理方法及び装置
JP3341727B2 (ja) ウエット装置
CN105210177B (zh) 清洗方法和清洗装置
JPH01120828A (ja) 半導体ウエハの自動洗浄装置
JP2004296810A (ja) 基板のエッチング装置及びエッチング方法
JPH0453228A (ja) 半導体基板処理装置
JP2000243807A (ja) 基板処理装置
JP4028406B2 (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JP3068404B2 (ja) 半導体基板洗浄装置
JP2767165B2 (ja) ウエーハ洗浄槽
JPH0475341A (ja) 半導体基板洗浄方法及び洗浄装置
JP2001316878A (ja) 液処理装置および液処理システムならびに液処理方法
JPH0448629A (ja) 半導体ウェーハの液処理装置
JP2606150B2 (ja) ウエット処理装置
JP3450200B2 (ja) 基板処理装置
TW201801170A (zh) 洗淨方法及洗淨裝置
KR100321546B1 (ko) 이송 로봇의 척 세정 방법 및 장치
JP2003305415A (ja) 基板の処理装置及び処理方法
JPS60168580A (ja) 基板洗浄装置
JP2000133629A (ja) 基板処理装置および方法
JPS6169126A (ja) 板状体の処理方法
JPH06271068A (ja) 薄板材浸漬装置
JP3309596B2 (ja) 基板の洗浄装置と洗浄方法