JPH0453246B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0453246B2 JPH0453246B2 JP59279956A JP27995684A JPH0453246B2 JP H0453246 B2 JPH0453246 B2 JP H0453246B2 JP 59279956 A JP59279956 A JP 59279956A JP 27995684 A JP27995684 A JP 27995684A JP H0453246 B2 JPH0453246 B2 JP H0453246B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner cylinder
- conductor
- photoelectric conversion
- conversion element
- striped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/28—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using photoemissive or photovoltaic cells
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は赤外線撮像装置の、特に赤外線検知器
内のリード線配線方法に関する。
内のリード線配線方法に関する。
近年赤外線の応用が多方面にわたつて広がつて
いるが、赤外線撮像装置は例えば公害監視用など
の分野で積極的に利用されつつある。第２図にそ
の構造を示した。この赤外線撮像装置の赤外線検
知器６０用の受光素子として通常用いられる多素
子光電変換素子３は例えば水銀カドミウムテルル
（HgCdTe）などの多元半導体を材料としたペレ
ツト状のものである。そしてこれは一枚の基板の
上に複数個例えば120個の素子が配設されている
ものであつて、例えば70〓近辺の低温に冷却して
用いられる。
いるが、赤外線撮像装置は例えば公害監視用など
の分野で積極的に利用されつつある。第２図にそ
の構造を示した。この赤外線撮像装置の赤外線検
知器６０用の受光素子として通常用いられる多素
子光電変換素子３は例えば水銀カドミウムテルル
（HgCdTe）などの多元半導体を材料としたペレ
ツト状のものである。そしてこれは一枚の基板の
上に複数個例えば120個の素子が配設されている
ものであつて、例えば70〓近辺の低温に冷却して
用いられる。
その冷却方法としては、第２図に示した外筒１
の内部に内筒２を配し、これら外筒と内筒との空
間５０を真空に引き、上記光電変換素子３は内筒
２の一部に封着されたヒートシンク（銅ブロツ
ク）４の上に熱的に接着しておいた上で前記内筒
２の内側に配設された吸熱手段８によつて冷却さ
れる。なお、この吸熱手段８は筐体１０内に収納
された図示しない循環冷却器から供給される、例
えばヘリウム（He）ガスなどの冷媒が通される
冷却塔５、熱伝導率の良好なスプリング６、およ
びタブレツト７より成つている。そして入射赤外
線は外筒１に取付けられたゲルマニウム（Ge）
窓１１を介して矢印イ方向に入射するのである
が、光電変換素子３は上記のように120個からな
る多素子構成となつており、その各素子を単位画
素としてそれぞれ光電変換がなされて別個に得ら
れた電気信号は、外筒１の周囲に放射状に配設さ
れた120本からなる端子１４によつてそれぞれ取
出される。
の内部に内筒２を配し、これら外筒と内筒との空
間５０を真空に引き、上記光電変換素子３は内筒
２の一部に封着されたヒートシンク（銅ブロツ
ク）４の上に熱的に接着しておいた上で前記内筒
２の内側に配設された吸熱手段８によつて冷却さ
れる。なお、この吸熱手段８は筐体１０内に収納
された図示しない循環冷却器から供給される、例
えばヘリウム（He）ガスなどの冷媒が通される
冷却塔５、熱伝導率の良好なスプリング６、およ
びタブレツト７より成つている。そして入射赤外
線は外筒１に取付けられたゲルマニウム（Ge）
窓１１を介して矢印イ方向に入射するのである
が、光電変換素子３は上記のように120個からな
る多素子構成となつており、その各素子を単位画
素としてそれぞれ光電変換がなされて別個に得ら
れた電気信号は、外筒１の周囲に放射状に配設さ
れた120本からなる端子１４によつてそれぞれ取
出される。
ところで光電変換素子３に設けられた120個か
らなるボンデイングエリアと前記端子１４との間
の接続は従来は内筒２のまわりの真空部中に張ら
れた120本からなる裸のリード線１２によつて行
なわれていた。
らなるボンデイングエリアと前記端子１４との間
の接続は従来は内筒２のまわりの真空部中に張ら
れた120本からなる裸のリード線１２によつて行
なわれていた。
上記の構成のものにあつては、リード線１２は
特別にそれぞれシールドが施されたものではな
い。そのために、この信号伝送線としての役割を
果たす120本からなるリード線１２の特性インピ
ーダンスは非常に高い値を有することになる。と
ころが光電変換素子３を冷却する主体は筐体１０
内に収納されている循環冷凍器であつて、これが
稼動する際には相当な電気的雑音を発生するもの
である。したがつてこの冷凍器はもちろん、赤外
線撮像装置内の赤外線検知器６０の周囲に配置さ
れている各種の機械駆動系のモータ類からの雑音
は容易に高インピーダンスのリード線１２によつ
て拾われる。その結果赤外線検知器６０の信号対
雑音比Ｓ／Ｎは実質的に低下させられてしまうと
いう欠点があつた。
特別にそれぞれシールドが施されたものではな
い。そのために、この信号伝送線としての役割を
果たす120本からなるリード線１２の特性インピ
ーダンスは非常に高い値を有することになる。と
ころが光電変換素子３を冷却する主体は筐体１０
内に収納されている循環冷凍器であつて、これが
稼動する際には相当な電気的雑音を発生するもの
である。したがつてこの冷凍器はもちろん、赤外
線撮像装置内の赤外線検知器６０の周囲に配置さ
れている各種の機械駆動系のモータ類からの雑音
は容易に高インピーダンスのリード線１２によつ
て拾われる。その結果赤外線検知器６０の信号対
雑音比Ｓ／Ｎは実質的に低下させられてしまうと
いう欠点があつた。
本発明は上記欠点に鑑みてなされたもので、ま
ず光電変換素子３の基板を、共通接地ラインとし
て働き、同筒２の周囲に筒状をなした形で張付け
られた共通導体に接続して120素子分全体の共通
電路とする。そして当該共通導体上全面に薄い絶
縁膜を張り、この絶縁膜の上面の周囲に、冷却塔
５または内筒２の長手方向に複数本（この場合に
は120本）張りつけられたストライプ状の帯状導
電体を介して、外筒１の周囲に複数本（120本）
放射状に配設された端子１４のそれぞれに接続す
るようにしたものである。
ず光電変換素子３の基板を、共通接地ラインとし
て働き、同筒２の周囲に筒状をなした形で張付け
られた共通導体に接続して120素子分全体の共通
電路とする。そして当該共通導体上全面に薄い絶
縁膜を張り、この絶縁膜の上面の周囲に、冷却塔
５または内筒２の長手方向に複数本（この場合に
は120本）張りつけられたストライプ状の帯状導
電体を介して、外筒１の周囲に複数本（120本）
放射状に配設された端子１４のそれぞれに接続す
るようにしたものである。
上記構造の電気信号導出方法によれば、光電変
換素子３上に設けられた120個からなる各素子と
端子１４とを接続するストライプ状の信号伝送線
の一本一本の特性インピーダンスは、上記の薄い
絶縁膜を介して下地の広面積からなる共通導体と
の間の関係で決定され、その値は充分低いものと
なるので外来雑音を拾うことはなく、その結果赤
外線検知器６０としてはＳ／Ｎ比が高い高性能の
ものとなるので、その効果は大なるものとなる。
換素子３上に設けられた120個からなる各素子と
端子１４とを接続するストライプ状の信号伝送線
の一本一本の特性インピーダンスは、上記の薄い
絶縁膜を介して下地の広面積からなる共通導体と
の間の関係で決定され、その値は充分低いものと
なるので外来雑音を拾うことはなく、その結果赤
外線検知器６０としてはＳ／Ｎ比が高い高性能の
ものとなるので、その効果は大なるものとなる。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
第１図ａ，ｂは本発明に係る赤外線検知器のリ
ード線配線構体の要部のみを図示したもので、前
記第２図で図示した吸熱手段８、外筒１、ならび
に筐体１０などは理解の便宜のために省略されて
いる。そして第１図ｂはこの要部構造図の上面図
であり、そのＡ〜A′断面を示したものが第１図
ａである。
ード線配線構体の要部のみを図示したもので、前
記第２図で図示した吸熱手段８、外筒１、ならび
に筐体１０などは理解の便宜のために省略されて
いる。そして第１図ｂはこの要部構造図の上面図
であり、そのＡ〜A′断面を示したものが第１図
ａである。
すなわち、まず内筒２の周囲に例えば蒸着なの
方法を用いて厚さ100μｍ程度の例えば銅（Cu）
の薄い膜２２を配設する。そしてその上面周囲を
薄い絶縁膜（例えばポリエステル製）２３で包む
ようにして二重層を形成し、全面的に覆つてしま
い、そのさらに上面に内筒２の長手方向と所定の
角度（この場合は同筒２の長手方向）となるよう
に複数本（素子数が120個ならば120本）のストラ
イプ状の細線帯状の導体２４を互いに平行に張り
付ける。
方法を用いて厚さ100μｍ程度の例えば銅（Cu）
の薄い膜２２を配設する。そしてその上面周囲を
薄い絶縁膜（例えばポリエステル製）２３で包む
ようにして二重層を形成し、全面的に覆つてしま
い、そのさらに上面に内筒２の長手方向と所定の
角度（この場合は同筒２の長手方向）となるよう
に複数本（素子数が120個ならば120本）のストラ
イプ状の細線帯状の導体２４を互いに平行に張り
付ける。
こうしておいた上で、内筒の所定部（例えば頂
部）に設けられたヒートシンク４の上部に接着さ
れている光電変換素子３における図示しない各単
位素子に設けられているボンデイングエリアのそ
れぞれは、上記ストライプ状導体２４の上端２４
ａに、それぞれボンデイングリード２０をもつて
なるべく短く接続する。一方120個の単位素子を
有する光電変換素子の共通電極は、別にリード線
２６を用いて共通導体としての前記銅薄膜２２の
上端２２ａに接続する。このようにすればストラ
イプ状導体２４が有する特性インピーダンスを相
当程度小さな値に下げることができ、しかも下地
導体としての共通導体すなわち銅薄膜との間に介
在する絶縁体はポリエステル膜であるから、信号
伝送時の誘電体損を極めて小さな値に抑えること
ができる。
部）に設けられたヒートシンク４の上部に接着さ
れている光電変換素子３における図示しない各単
位素子に設けられているボンデイングエリアのそ
れぞれは、上記ストライプ状導体２４の上端２４
ａに、それぞれボンデイングリード２０をもつて
なるべく短く接続する。一方120個の単位素子を
有する光電変換素子の共通電極は、別にリード線
２６を用いて共通導体としての前記銅薄膜２２の
上端２２ａに接続する。このようにすればストラ
イプ状導体２４が有する特性インピーダンスを相
当程度小さな値に下げることができ、しかも下地
導体としての共通導体すなわち銅薄膜との間に介
在する絶縁体はポリエステル膜であるから、信号
伝送時の誘電体損を極めて小さな値に抑えること
ができる。
上記銅薄膜２２の下端２２ａは共通接地線とし
て外筒１の一部に設けられている図示しない共通
端子に接続し、これと同様に各ストライプ導体２
４のそれぞれの下端２４ｂはやはりボンデイング
リード（図示せず）を用いて、外筒１の周囲に放
射状に配設されている端子１４に接続する。ちな
みに別の方法として、ポリエステル膜の上下両主
面の全面を金属膜で被覆した材料を用い、その片
方の主面はそのままにしておく一方で他の主面の
金属膜を例えばエツチングなどの手法を用いてあ
らかじめストライプ状導体２４に形成しておい
て、こうしたものを内筒２の面に巻きつけること
もできる。
て外筒１の一部に設けられている図示しない共通
端子に接続し、これと同様に各ストライプ導体２
４のそれぞれの下端２４ｂはやはりボンデイング
リード（図示せず）を用いて、外筒１の周囲に放
射状に配設されている端子１４に接続する。ちな
みに別の方法として、ポリエステル膜の上下両主
面の全面を金属膜で被覆した材料を用い、その片
方の主面はそのままにしておく一方で他の主面の
金属膜を例えばエツチングなどの手法を用いてあ
らかじめストライプ状導体２４に形成しておい
て、こうしたものを内筒２の面に巻きつけること
もできる。
一般に内筒２と外筒１との距離は短く、それに
較べれば内筒の長さＬは大である。このために、
光電変換素子３から端子１４までのほとんどの長
さを上記ストライプ状導体２４の長さでまかなつ
てしまうことができる。したがつて光電変換素子
３〜端子１４間の信号伝達手段としてのいわゆる
伝送線路は特性インピーダンスの低いストライプ
状導体で構成されてしまうことになり、このため
に赤外線検知器６０としては周囲からの外来雑音
を拾い難いものとなる。これはとりもなおさず該
検知器６０の実効Ｓ／Ｎ比を向上せしめ得たこと
に他ならず、実質的に入射赤外線による検知能力
の著しい改善をもたらすことができる。
較べれば内筒の長さＬは大である。このために、
光電変換素子３から端子１４までのほとんどの長
さを上記ストライプ状導体２４の長さでまかなつ
てしまうことができる。したがつて光電変換素子
３〜端子１４間の信号伝達手段としてのいわゆる
伝送線路は特性インピーダンスの低いストライプ
状導体で構成されてしまうことになり、このため
に赤外線検知器６０としては周囲からの外来雑音
を拾い難いものとなる。これはとりもなおさず該
検知器６０の実効Ｓ／Ｎ比を向上せしめ得たこと
に他ならず、実質的に入射赤外線による検知能力
の著しい改善をもたらすことができる。
以上、説明したように、本発明は、赤外線検知
器自体の実質的検知能力を高めうるものであるた
めに、実用上多大の効果が期待できる。
器自体の実質的検知能力を高めうるものであるた
めに、実用上多大の効果が期待できる。
第１図ａは本発明に係る赤外線検知器内のリー
ド線配線構体を示した第１図ｂの断面図、第２図
は従来のリード線配線構体を示す図である。 図において、１は外筒、２は内筒、３は光電変
換素子、４はヒートシンク、２０はボンデイング
リード、２２は銅薄膜、２４はストライプ状導
体、をそれぞれ示す。
ド線配線構体を示した第１図ｂの断面図、第２図
は従来のリード線配線構体を示す図である。 図において、１は外筒、２は内筒、３は光電変
換素子、４はヒートシンク、２０はボンデイング
リード、２２は銅薄膜、２４はストライプ状導
体、をそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ 内筒の外側に外筒を備え、当該内筒と外筒と
の空間を真空となし、上記内筒の所定の部位に光
電変換素子を配した構成の赤外線検知器におい
て、上記内筒の側面周囲に導電体膜と絶縁体膜と
の２重層を設け、当該絶縁体膜の上面に、複数か
らなるストライプ状の帯状導体を配設し、当該帯
状導体を信号伝送線の片方として用いると共に前
記導電体膜を該信号伝送線の共通導体として利用
するようにしたことを特徴とする赤外線検知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59279956A JPS61155925A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 赤外線検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59279956A JPS61155925A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 赤外線検知器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61155925A JPS61155925A (ja) | 1986-07-15 |
| JPH0453246B2 true JPH0453246B2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=17618265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59279956A Granted JPS61155925A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 赤外線検知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61155925A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2763355B2 (ja) * | 1989-12-06 | 1998-06-11 | 富士通株式会社 | 赤外線検知装置 |
| JPH0774759B2 (ja) * | 1991-09-05 | 1995-08-09 | 松下電器産業株式会社 | 焦電型リニアアレイ赤外線検出素子の製造方法 |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP59279956A patent/JPS61155925A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61155925A (ja) | 1986-07-15 |
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