JPS61155925A - 赤外線検知器 - Google Patents
赤外線検知器Info
- Publication number
- JPS61155925A JPS61155925A JP59279956A JP27995684A JPS61155925A JP S61155925 A JPS61155925 A JP S61155925A JP 59279956 A JP59279956 A JP 59279956A JP 27995684 A JP27995684 A JP 27995684A JP S61155925 A JPS61155925 A JP S61155925A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner cylinder
- insulating film
- film
- infrared detector
- adhered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/28—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using photoemissive or photovoltaic cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は赤外線撮像装置の、特に赤外線検知器内のリー
ド線配線方法に関する。
ド線配線方法に関する。
近年赤外線の応用が多方面にわたって広がっているが、
赤外線撮像装置は例えば公害監視用などの分野で積極的
に利用されつつある。第２図にその構造を示した。この
赤外線撮像装置の赤外線検知器６０用の受光素子として
通常用いられる多素子光電変換素子８は例えば水銀カド
ミラムチ／Ｌ’／Ｌ／（ＨｇＣ！ｄＴｅ ）などの多元
半導体を材料としたベレット状のものである。そしてこ
れは一枚の基板の上に複数個例えば１２０個の素子が削
設されているものであって、例えば７０°に近辺の低温
に冷却して用いられる。
赤外線撮像装置は例えば公害監視用などの分野で積極的
に利用されつつある。第２図にその構造を示した。この
赤外線撮像装置の赤外線検知器６０用の受光素子として
通常用いられる多素子光電変換素子８は例えば水銀カド
ミラムチ／Ｌ’／Ｌ／（ＨｇＣ！ｄＴｅ ）などの多元
半導体を材料としたベレット状のものである。そしてこ
れは一枚の基板の上に複数個例えば１２０個の素子が削
設されているものであって、例えば７０°に近辺の低温
に冷却して用いられる。
その冷却方法としては、第２図に示した外筒１の内部に
内筒２を配し、これら外筒と内筒との空間５０を真空に
引き、上記光電変換素子３は内筒２の一部に封着された
ヒートシンク（銅ブロック）４の上に熱的に接着してお
いた上でｒ＋＋１記内筒２の内側に配設された吸熱手段
８によって冷却きれる。
内筒２を配し、これら外筒と内筒との空間５０を真空に
引き、上記光電変換素子３は内筒２の一部に封着された
ヒートシンク（銅ブロック）４の上に熱的に接着してお
いた上でｒ＋＋１記内筒２の内側に配設された吸熱手段
８によって冷却きれる。
なお、この吸熱手段８は筐体１０内に収納された図示し
ない循環冷却Ｕから供給される、例えばヘリウム（Ｈｅ
）ガスなどの冷媒が通される冷却塔５、熱伝導率の良好
なスプリング６、およびタブレット７より成っている。
ない循環冷却Ｕから供給される、例えばヘリウム（Ｈｅ
）ガスなどの冷媒が通される冷却塔５、熱伝導率の良好
なスプリング６、およびタブレット７より成っている。
そして入射赤外線は外筒ｌに取ｆ１けられたゲルマニウ
ム（Ｏｅ）窓１１を介して矢印イ方向に入射するのであ
るが、光電変換素子８は上記のように１２０個からなる
多素子構成となっておシ、その各素子を単位画素として
それぞれ光電変換がなされて別個に得られた電気信号は
、外筒１の周囲に放射状に配設された１２０本からなる
端子１４によってそれぞれ取出される。
ム（Ｏｅ）窓１１を介して矢印イ方向に入射するのであ
るが、光電変換素子８は上記のように１２０個からなる
多素子構成となっておシ、その各素子を単位画素として
それぞれ光電変換がなされて別個に得られた電気信号は
、外筒１の周囲に放射状に配設された１２０本からなる
端子１４によってそれぞれ取出される。
ところで光電変換素子８に設けられた１２０ｆｉからな
るポンダイングリード 間の接続は従来は内筒２のまわりの真空部中に張られた
。１２０本からなる裸のリード線１２によって行なわれ
ていた。
るポンダイングリード 間の接続は従来は内筒２のまわりの真空部中に張られた
。１２０本からなる裸のリード線１２によって行なわれ
ていた。
上記の構成のものにあっては、リード線１２は特別にそ
れぞれシールドが施されたものではない。
れぞれシールドが施されたものではない。
そのために、この信号低送線としての役割を果たす１２
０本からなるリード線１２の特性インピーダンスは非常
に高い値を有することになる。ところが光電変換素子８
を冷却する主体は筐体ｌｏ内に収納されている循環冷凍
器であって、これが稼動する際には相当なＩＩ気的雑音
を発生するものである。したがってこの冷凍器はもちろ
ん、赤外線撮像装置内の赤外線検知器６０の周囲に配置
されている各種の機械駆動系のモータ類からの雑音は容
易に高インビーダンヌのリード５１１２によって拾われ
る。その結果赤外線検知器６０の信号対雑音比Ｓ／Ｎは
実質的に低下させられてしまうという欠点があった。
０本からなるリード線１２の特性インピーダンスは非常
に高い値を有することになる。ところが光電変換素子８
を冷却する主体は筐体ｌｏ内に収納されている循環冷凍
器であって、これが稼動する際には相当なＩＩ気的雑音
を発生するものである。したがってこの冷凍器はもちろ
ん、赤外線撮像装置内の赤外線検知器６０の周囲に配置
されている各種の機械駆動系のモータ類からの雑音は容
易に高インビーダンヌのリード５１１２によって拾われ
る。その結果赤外線検知器６０の信号対雑音比Ｓ／Ｎは
実質的に低下させられてしまうという欠点があった。
本発明は上記欠点に鑑みてなされたもので、まず光電変
換素子８０基板を、共通接地ラインとして働き、同ｆｌ
ｉｉ１２の周囲に筒状をなした形で張付けられた共通導
体に接続して１２０素子分全体の共通電路とする。そし
て当該共通導体上全面に薄い絶縁膜を張り、この絶縁膜
の上面の周囲に、冷却塔５または内筒２の長手方向に複
数本（この場合には１２０本）張９つけられたストライ
プ状の帯状導電体を介して、外筒ｌの周囲に複数本（１
２０本）放射状に配設された端子１４のそれぞれに接続
するようにしたものである。
換素子８０基板を、共通接地ラインとして働き、同ｆｌ
ｉｉ１２の周囲に筒状をなした形で張付けられた共通導
体に接続して１２０素子分全体の共通電路とする。そし
て当該共通導体上全面に薄い絶縁膜を張り、この絶縁膜
の上面の周囲に、冷却塔５または内筒２の長手方向に複
数本（この場合には１２０本）張９つけられたストライ
プ状の帯状導電体を介して、外筒ｌの周囲に複数本（１
２０本）放射状に配設された端子１４のそれぞれに接続
するようにしたものである。
上記構造の電気信号導出方法によれば、光電変換素子３
上に設けられた１２０個からなる各素子と端子１４とを
接続するストライプ状の信号低送線の一本一本の特性イ
ンピーダンスは、上記の薄い絶縁膜を介して下地の広面
積からなる共通導体との間の関係で決定され、その値は
充分低いものとなるので外来雑音を拾うことはなく、そ
の結果赤外線検知器６０としてはＳ／Ｎ比が高い高性能
のものとなるので、その効果は大なるものとなる。
上に設けられた１２０個からなる各素子と端子１４とを
接続するストライプ状の信号低送線の一本一本の特性イ
ンピーダンスは、上記の薄い絶縁膜を介して下地の広面
積からなる共通導体との間の関係で決定され、その値は
充分低いものとなるので外来雑音を拾うことはなく、そ
の結果赤外線検知器６０としてはＳ／Ｎ比が高い高性能
のものとなるので、その効果は大なるものとなる。
（実施例〕
以下、■面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明に係る赤外線検知器
のリード線配線構体の要部のみを図示したもので、前記
第２図で図示した吸熱手段８、外筒１、ならびに筐体１
０などは理解の便宜のために省略されている。そして第
１図（至）はこの要部構造図のと面図であり、そのＡ−
Ａ’断面を示したものが第１図（ａ）である。
のリード線配線構体の要部のみを図示したもので、前記
第２図で図示した吸熱手段８、外筒１、ならびに筐体１
０などは理解の便宜のために省略されている。そして第
１図（至）はこの要部構造図のと面図であり、そのＡ−
Ａ’断面を示したものが第１図（ａ）である。
すなわち、ます内筒２の周囲に例えば蒸着なの方法を用
いて厚さ１００μｍ程度の例えば銅（Ｃ！ｕ）の薄い膜
２２を配設する。そしてその上面周囲を薄い絶縁膜（例
えばポリエステ／Ｉ／製）２８で包むようにして二重層
を形成し、全面的に覆ってしまい、そのさらに上面に内
筒２の長手方向と所定の角度（この場合は同筒２の長手
方向）となるように複数本（素子数が１２０１１ならば
１２０本）のストライプ状の細線帯状の導体２４を互い
に平行に張シ付ける。
いて厚さ１００μｍ程度の例えば銅（Ｃ！ｕ）の薄い膜
２２を配設する。そしてその上面周囲を薄い絶縁膜（例
えばポリエステ／Ｉ／製）２８で包むようにして二重層
を形成し、全面的に覆ってしまい、そのさらに上面に内
筒２の長手方向と所定の角度（この場合は同筒２の長手
方向）となるように複数本（素子数が１２０１１ならば
１２０本）のストライプ状の細線帯状の導体２４を互い
に平行に張シ付ける。
こうしておいた上で、内筒の所定部（例えば頂部）に設
けられたヒートシンク４の上部に接着されている光電変
換素子８における図示しない各単位素子に設けられてい
るボンデ゛イングエリアのそれぞれは、上記ストライブ
状導体２４の上端２４ａＫ１それぞれポンダイングリー
ド２ｏをもってなるべく短く接続する。一方１２０個の
単位素子を有する光電変換素子の共通電極は、別にリー
ド線２６を用いて共通導体としての前記銅薄膜２２の上
端２２ａに接続する。このようＫすればストラ。
けられたヒートシンク４の上部に接着されている光電変
換素子８における図示しない各単位素子に設けられてい
るボンデ゛イングエリアのそれぞれは、上記ストライブ
状導体２４の上端２４ａＫ１それぞれポンダイングリー
ド２ｏをもってなるべく短く接続する。一方１２０個の
単位素子を有する光電変換素子の共通電極は、別にリー
ド線２６を用いて共通導体としての前記銅薄膜２２の上
端２２ａに接続する。このようＫすればストラ。
イブ状導体２４が有する特性インピーダンスを相当程度
小さな値に下げることができ、しかも下地導体としての
共通導体すなわち銅薄膜との闇に介在する絶縁体はポリ
エステｌＬ／ｗＩ４であるから、信号回送時の誘電体損
を極めて小さな値に抑えることができる。
小さな値に下げることができ、しかも下地導体としての
共通導体すなわち銅薄膜との闇に介在する絶縁体はポリ
エステｌＬ／ｗＩ４であるから、信号回送時の誘電体損
を極めて小さな値に抑えることができる。
上記銅薄膜２２の下端２２ａは共通接地線として外筒１
の一部に設けられている図示しない共通端子に接続し、
これと同様に各ストライプ導体２４のそれぞれの下端２
４１）はやはυボングイングリード（図示せず）を用い
て、外筒１の周囲に放射状に配設されている端子１４に
接続する。ちなみに別の方法として、ポリエステ／Ｌ’
膜の上下両主面の全面を金属膜で被覆した材料を用い、
その片方の主面はそのままにしておく一方で他の主面の
金属膜を例えばエツチングなどの手法を用いてあらかじ
めストライプ状導体２４に形成しておいて、こうしたも
のを内筒２の面に巻きつけることもできる。
の一部に設けられている図示しない共通端子に接続し、
これと同様に各ストライプ導体２４のそれぞれの下端２
４１）はやはυボングイングリード（図示せず）を用い
て、外筒１の周囲に放射状に配設されている端子１４に
接続する。ちなみに別の方法として、ポリエステ／Ｌ’
膜の上下両主面の全面を金属膜で被覆した材料を用い、
その片方の主面はそのままにしておく一方で他の主面の
金属膜を例えばエツチングなどの手法を用いてあらかじ
めストライプ状導体２４に形成しておいて、こうしたも
のを内筒２の面に巻きつけることもできる。
一般に内筒２と外１！１１との距離は短く、それに較べ
れば内筒の長さしは大である。このために、光電変換素
子８から端子１４までのほとんどの長。
れば内筒の長さしは大である。このために、光電変換素
子８から端子１４までのほとんどの長。
さを上記ストライプ状導体２４の長さでまかなってしま
うことができる。したがって光電変換素子８〜端子１４
間の信号回速手段としてのいわゆる伝送線路は特性イン
ピーダンスの低いストライプ状導体で構成されてしまう
ととＫなυ、このために赤外線検知器６０としては周囲
からの外来雑音を拾い難いものとなる。これはとシもな
おさず該検知器６０の実効Ｓ ／ Ｎ比を向上せしめ得
たことに他ならず、実質的に入射赤外線による検知能力
の著しい改藷をもたらすことができる。
うことができる。したがって光電変換素子８〜端子１４
間の信号回速手段としてのいわゆる伝送線路は特性イン
ピーダンスの低いストライプ状導体で構成されてしまう
ととＫなυ、このために赤外線検知器６０としては周囲
からの外来雑音を拾い難いものとなる。これはとシもな
おさず該検知器６０の実効Ｓ ／ Ｎ比を向上せしめ得
たことに他ならず、実質的に入射赤外線による検知能力
の著しい改藷をもたらすことができる。
以上、説明したように、本発明は、赤外線検知器自体の
実質的検知能力を高めうるものであるために、実用と多
大の効果が期待できる。
実質的検知能力を高めうるものであるために、実用と多
大の効果が期待できる。
第１図（川は本発明に係る赤外線検知器内のり−ド線配
線構体を示したｔＸｒｊ１図（至）の断面図、第２図は
従来のリード線配線構体を示す図である。 図において、１は外筒、２は内筒、８は光電変換素子、
４はヒートシンク、２０はボングイングリード、２２は
銅薄膜、２４はストライプ状導体、をそれぞれ示す。 第１図（０） 第２図（ｂ） 第２図 手続補正書（旗） 昭和６０年 ５月ＩＧ日 １、 ２１材牛の耘 ３、補正をする者 明牛との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地（５
２２）名称富士通株 式 会社 千 ′１ 口 づトー÷Ｎ署゛ コ
線構体を示したｔＸｒｊ１図（至）の断面図、第２図は
従来のリード線配線構体を示す図である。 図において、１は外筒、２は内筒、８は光電変換素子、
４はヒートシンク、２０はボングイングリード、２２は
銅薄膜、２４はストライプ状導体、をそれぞれ示す。 第１図（０） 第２図（ｂ） 第２図 手続補正書（旗） 昭和６０年 ５月ＩＧ日 １、 ２１材牛の耘 ３、補正をする者 明牛との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地（５
２２）名称富士通株 式 会社 千 ′１ 口 づトー÷Ｎ署゛ コ
Claims (1)
- 内筒の外側に外筒を備え、当該内筒と外筒との空間を真
空となし、上記内筒の所定の部位に光電変換素子を配し
た構成の赤外線検知器において、上記内筒の側面周囲に
導電体膜と絶縁体膜との２重層を設け、当該絶縁体膜の
上面に、複数からなるストライプ状の帯状導体を配設し
、当該帯状導体を信号伝送線の片方として用いると共に
前記導電体膜を該信号伝送線の共通導体として利用する
ようにしたことを特徴とする赤外線検知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59279956A JPS61155925A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 赤外線検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59279956A JPS61155925A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 赤外線検知器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61155925A true JPS61155925A (ja) | 1986-07-15 |
| JPH0453246B2 JPH0453246B2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=17618265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59279956A Granted JPS61155925A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 赤外線検知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61155925A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5049751A (en) * | 1989-12-06 | 1991-09-17 | Fujitsu Limited | Infrared rays detecting apparatus |
| JPH0560605A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電型リニアアレイ赤外線検出素子の製造方法 |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP59279956A patent/JPS61155925A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5049751A (en) * | 1989-12-06 | 1991-09-17 | Fujitsu Limited | Infrared rays detecting apparatus |
| JPH0560605A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電型リニアアレイ赤外線検出素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0453246B2 (ja) | 1992-08-26 |
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