JPH0453420B2 - - Google Patents
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- JPH0453420B2 JPH0453420B2 JP14809586A JP14809586A JPH0453420B2 JP H0453420 B2 JPH0453420 B2 JP H0453420B2 JP 14809586 A JP14809586 A JP 14809586A JP 14809586 A JP14809586 A JP 14809586A JP H0453420 B2 JPH0453420 B2 JP H0453420B2
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- pms
- polymer
- formula
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- resist
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
- G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、シリコン原子を有するスチレン系重
合体に、ポリシルセスキオキサンを配合してなる
感光性樹脂組成物に関する。 従来の技術 近年、半導体等の製造において、パターンの微
細化に伴い、レジストパターンを精度よく基板に
転写するために、従来のウエツトエツチングに代
わり、ガスプラズマ等を用いたドライエツチング
が用いられるようになつた。一般にスチレン系重
合体はガスプラズマ等によるドライエツチングに
対する耐性が比較的優れており、レジスト材とし
て少なからず使用されている。近年、酸素プラズ
マを用いた多層レジストが注目を浴びており、そ
の上層として、耐酸素プラズマ性を有するレジス
ト材が望まれている。 シリコン原子を有するレジスト材は、耐酸素プ
ラズマ性に優れており、それらレジスト材はいく
つか知られている。その代表的なものとしてシロ
キサン系ポリマーがあるが、このポリマーは一般
に熱転移温度が低く、室温では粘稠な液体であつ
たり、ガム状であるために、塵がつき易く、膜厚
の調節が難しい等の欠点を有する。最近、耐酸素
プラズマ性を有するレジスト材として、例えばト
リメチルシリルスチンと架橋性モノマーを共重合
させたシリコン原子を有するスチレン系重合体
（特開昭59−15419号公報）等が知られているが、
耐酸素プラズマ性は必ずしも十分とは言えない。 発明が解決しようとする問題点 本発明は、シリコン含有率が高く、耐酸素プラ
ズマ性、耐ドライエツチング性及び解像度に優れ
たレジストパターンが得られる感光性樹脂組成物
を提供することを目的とする。 問題点を解決するための手段 本発明は、一般式 〔式中、R1，R2及びR3は同じか異なるC1〜C6の
アルキル基又はC2〜C6のアルケニル基であり、
R1，R2及びR3の少なくとも一個がアルケニル基
である〕の繰り返し単位を含むスチレン系重合体
に、 一般式 〔式中、Ｒ及びR′は同じか異なるアルキル基、
アリール基又はアルケニル基である〕の繰り返し
単位をもち、かつ繰り返し単位のうちの少なくと
も一個の単位が少くとも一個のアルケニル基を有
するポリシルセスキオキサンを配合してなる感光
性樹脂組成物を要旨とする。 スチレン系重合体の製造法 本発明で用いられるスチレン系重合体は、前記
一般式（）で表わされる単位を含むものである
が、該重合体はｐ−メチルスチレン（以下PMS
という）重合体又はPMSとα−メチルスチレン
（αMSという）とのランダム若しくはブロツク共
重合体（以下PMS共重合体という）を、有機リ
チウム化合物と接触せしめ、リチオ化PMS重合
体又はリチオ化PMS共重合体とし、次いで式
（R1）（R2）（R3）six〔但し、R1，R2及びR3は前
記と同意義、ｘはハロゲン原子を示す〕で表わさ
れるケイ素化合物と反応させることによつて製造
できる。 スチレン系重合体を製造する際に用いられる各
化合物について説明する。 PMS重合体及びPMS共重合体 本発明で用いられるPMS重合体は、PMS骨
格の繰り返し単位を持つ重合体であり、代表的
にはポリPMSである。 ポリPMSは、PMS又はPMS含有量95％以
上、望ましくは97％以上のメチルスチレン混合
物を、ベンゼン、トルエン等の不活性炭化水素
溶媒中で行う溶液重合、リン酸カルシウム、ポ
リビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルロ
ース等の沈澱防止剤を含む溶液中で行う懸濁重
合、適当な界面活性剤を添加した水性媒体中で
行う乳化重合等の方法で重合することによつて
得られる。重合は、フリーラジカル型、アニオ
ン型或いはカチオン型の重合触媒の存在下で行
つてもよく、又熱的重合で行つてもよい。本発
明においては、重量平均分子量が数千〜数百万
のものが使用できる。 PMS共重合体は、PMSとαMSを、通常のラ
ジカル重合法或いはリビング重合法により、ラ
ンダム若しくはブロツク共重合することにより
製造することができるが、特にリビング重合法
を採用すると狭い分子量分布を持つ共重合体が
得られるので望ましい。又、スチレン共重合体
の繰り返し単位にPMSが均一に分散している
とレジストとした際に効果が大きいので、ラン
ダム共重合法が望ましい。 リビング重合は、スチリルアニオンを形成さ
せる開始剤、例えばｎ−ブチルリチウム、sec
−ブチルリチウム等の有機リチウム化合物の存
在下で行なわれる。又、リビング重合は、溶媒
の存在下で行うことができる。溶媒としては、
該開始剤や発生するアニオンに不活性なヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、ペ
ンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類、
ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類が挙
げられる。 リビング重合は、PMSとαMSを−80℃〜＋
50℃の温度で0.5〜50時間反応させることによ
つて行なわれる。ランダム共重合は、PMSと
αMSを同時に用いて共重合することにより、
又ブロツク共重合は、PMS又はαMSの一方を
先に単独重合した後、他を共重合することによ
り行なわれる。 PMSとαMSの使用割合は、通常PMS／
αMS（モル比）が２〜98／98〜２、望ましくは
25〜75／75〜25である。かくすることにより、
数千〜数百万、望ましくは１万〜50万の数平均
分子量、ｗ／ｎが2.0未満、望ましくは1.0
〜1.5で、PMS部分／αMS部分が上記モル比の
PMS共重合体が得られる。 有機リチウム化合物 PMS重合体又はPMS共重合体をリチオ化す
る際に用いられる有機リチウム化合物は、一般
式RLiで表わされる。具体的には、Ｒが炭素数
１〜12個のアルキル基の化合物が挙げられ、代
表的な化合物としては、メチルリチウム、エチ
ルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、sec−ブチ
ルリチウム、tert−ブチルリチウム、ｎ−ペン
チルリチウム、tert−ペンチルリチウム、ヘキ
シルリチウム、オクチルリチウム、ドデシルリ
チウム等であるが、特にブチルリチウムが望ま
しい。 ケイ素化合物 ケイ素化合物は、前記の式で表わされるが、
式においてR1，R2，R3がアルキル基の場合、
望ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ
−ブチル基であり、特にメチル、エチル基が望
ましい。又、R1，R2，R3がアルケニル基の場
合、望ましくは、ビニル、アリル、ピロペニ
ル、イソプロペニル、ブテニル基であり、特に
ビニル、アリル基が望ましい。Ｘは塩素原子が
望ましい。 PMS重合体又はPMS共重合体と有機リチウム化
合物との反応 PMS重合体又はPMS共重合体と有機リチウム
化合物との反応は、有機リチウム化合物に対して
不活性な溶媒中で行うことができる。用い得る溶
媒としては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シ
クロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の炭化水素類、ジエチルエーテル、ジブチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエー
テル類が挙げられる。反応は、これらの溶媒に
PMS重合体又はPMS共重合体を溶解若しくは溶
媒で膨潤させ、有機リチウム化合物を作用させ
る。この際、有機リチウム化合物の反応性を高め
るような成分、例えばアミン類を用いることがで
きる。用い得るアミンとしては、Ｎ，Ｎ，N′，
N′−テトラメチルエチレンジアミンが望ましい。 反応温度は、−70℃から各溶媒の沸点温度迄自
由に設定することができるが、高いリチオ化率を
効率よく達成するためには、室温以上の温度が望
ましい。又、有機リチウム化合物の使用量は、存
在するパラメチルスチレン骨格単位に対し任意に
設定することができ、リチオ化率を任意に調節で
きる。アミン類は有機リチウム化合物と当量用い
ればよいが、過剰量用いてもよい。反応時間は、
反応温度によつても異なるが、通常0.1〜100時間
であり、反応時間を長くすることによつて、リチ
オ化率を高めることができる。 このようにして調整されたリチオ化PMS重合
体又はPMS共重合体は、反応性が高く、空気中
との水分とも反応してしまうため、分離せずに、
後続の反応に用いるのが望ましい。 リチオ化PMS重合体又はPMS共重合体とケイ素
化合物との反応 リチオ化PMS重合体又はPMS共重合体とケイ
素化合物との反応は、リチオ化PMS重合体又は
リチオ化PMS共重合体の存在する前段の反応系
に、直接ケイ素化合物を添加して接触させること
によつて達成される。ケイ素化合物は、前段で用
いた有機リチウム化合物に対して通常１〜100倍
モル、好ましくは１〜10倍モル用いられる。反応
は−50℃〜＋150℃、好ましくは０〜50℃で0.1〜
100時間、好ましくは0.5〜20時間行なわれる。生
成したポリマーは、水、希塩酸等で洗浄するのが
望ましく、又再沈澱等により精製するのが望まし
い。 上記のようにして得られたスチレン系重合体
は、下記の式、
合体に、ポリシルセスキオキサンを配合してなる
感光性樹脂組成物に関する。 従来の技術 近年、半導体等の製造において、パターンの微
細化に伴い、レジストパターンを精度よく基板に
転写するために、従来のウエツトエツチングに代
わり、ガスプラズマ等を用いたドライエツチング
が用いられるようになつた。一般にスチレン系重
合体はガスプラズマ等によるドライエツチングに
対する耐性が比較的優れており、レジスト材とし
て少なからず使用されている。近年、酸素プラズ
マを用いた多層レジストが注目を浴びており、そ
の上層として、耐酸素プラズマ性を有するレジス
ト材が望まれている。 シリコン原子を有するレジスト材は、耐酸素プ
ラズマ性に優れており、それらレジスト材はいく
つか知られている。その代表的なものとしてシロ
キサン系ポリマーがあるが、このポリマーは一般
に熱転移温度が低く、室温では粘稠な液体であつ
たり、ガム状であるために、塵がつき易く、膜厚
の調節が難しい等の欠点を有する。最近、耐酸素
プラズマ性を有するレジスト材として、例えばト
リメチルシリルスチンと架橋性モノマーを共重合
させたシリコン原子を有するスチレン系重合体
（特開昭59−15419号公報）等が知られているが、
耐酸素プラズマ性は必ずしも十分とは言えない。 発明が解決しようとする問題点 本発明は、シリコン含有率が高く、耐酸素プラ
ズマ性、耐ドライエツチング性及び解像度に優れ
たレジストパターンが得られる感光性樹脂組成物
を提供することを目的とする。 問題点を解決するための手段 本発明は、一般式 〔式中、R1，R2及びR3は同じか異なるC1〜C6の
アルキル基又はC2〜C6のアルケニル基であり、
R1，R2及びR3の少なくとも一個がアルケニル基
である〕の繰り返し単位を含むスチレン系重合体
に、 一般式 〔式中、Ｒ及びR′は同じか異なるアルキル基、
アリール基又はアルケニル基である〕の繰り返し
単位をもち、かつ繰り返し単位のうちの少なくと
も一個の単位が少くとも一個のアルケニル基を有
するポリシルセスキオキサンを配合してなる感光
性樹脂組成物を要旨とする。 スチレン系重合体の製造法 本発明で用いられるスチレン系重合体は、前記
一般式（）で表わされる単位を含むものである
が、該重合体はｐ−メチルスチレン（以下PMS
という）重合体又はPMSとα−メチルスチレン
（αMSという）とのランダム若しくはブロツク共
重合体（以下PMS共重合体という）を、有機リ
チウム化合物と接触せしめ、リチオ化PMS重合
体又はリチオ化PMS共重合体とし、次いで式
（R1）（R2）（R3）six〔但し、R1，R2及びR3は前
記と同意義、ｘはハロゲン原子を示す〕で表わさ
れるケイ素化合物と反応させることによつて製造
できる。 スチレン系重合体を製造する際に用いられる各
化合物について説明する。 PMS重合体及びPMS共重合体 本発明で用いられるPMS重合体は、PMS骨
格の繰り返し単位を持つ重合体であり、代表的
にはポリPMSである。 ポリPMSは、PMS又はPMS含有量95％以
上、望ましくは97％以上のメチルスチレン混合
物を、ベンゼン、トルエン等の不活性炭化水素
溶媒中で行う溶液重合、リン酸カルシウム、ポ
リビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルロ
ース等の沈澱防止剤を含む溶液中で行う懸濁重
合、適当な界面活性剤を添加した水性媒体中で
行う乳化重合等の方法で重合することによつて
得られる。重合は、フリーラジカル型、アニオ
ン型或いはカチオン型の重合触媒の存在下で行
つてもよく、又熱的重合で行つてもよい。本発
明においては、重量平均分子量が数千〜数百万
のものが使用できる。 PMS共重合体は、PMSとαMSを、通常のラ
ジカル重合法或いはリビング重合法により、ラ
ンダム若しくはブロツク共重合することにより
製造することができるが、特にリビング重合法
を採用すると狭い分子量分布を持つ共重合体が
得られるので望ましい。又、スチレン共重合体
の繰り返し単位にPMSが均一に分散している
とレジストとした際に効果が大きいので、ラン
ダム共重合法が望ましい。 リビング重合は、スチリルアニオンを形成さ
せる開始剤、例えばｎ−ブチルリチウム、sec
−ブチルリチウム等の有機リチウム化合物の存
在下で行なわれる。又、リビング重合は、溶媒
の存在下で行うことができる。溶媒としては、
該開始剤や発生するアニオンに不活性なヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、ペ
ンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類、
ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類が挙
げられる。 リビング重合は、PMSとαMSを−80℃〜＋
50℃の温度で0.5〜50時間反応させることによ
つて行なわれる。ランダム共重合は、PMSと
αMSを同時に用いて共重合することにより、
又ブロツク共重合は、PMS又はαMSの一方を
先に単独重合した後、他を共重合することによ
り行なわれる。 PMSとαMSの使用割合は、通常PMS／
αMS（モル比）が２〜98／98〜２、望ましくは
25〜75／75〜25である。かくすることにより、
数千〜数百万、望ましくは１万〜50万の数平均
分子量、ｗ／ｎが2.0未満、望ましくは1.0
〜1.5で、PMS部分／αMS部分が上記モル比の
PMS共重合体が得られる。 有機リチウム化合物 PMS重合体又はPMS共重合体をリチオ化す
る際に用いられる有機リチウム化合物は、一般
式RLiで表わされる。具体的には、Ｒが炭素数
１〜12個のアルキル基の化合物が挙げられ、代
表的な化合物としては、メチルリチウム、エチ
ルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、sec−ブチ
ルリチウム、tert−ブチルリチウム、ｎ−ペン
チルリチウム、tert−ペンチルリチウム、ヘキ
シルリチウム、オクチルリチウム、ドデシルリ
チウム等であるが、特にブチルリチウムが望ま
しい。 ケイ素化合物 ケイ素化合物は、前記の式で表わされるが、
式においてR1，R2，R3がアルキル基の場合、
望ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ
−ブチル基であり、特にメチル、エチル基が望
ましい。又、R1，R2，R3がアルケニル基の場
合、望ましくは、ビニル、アリル、ピロペニ
ル、イソプロペニル、ブテニル基であり、特に
ビニル、アリル基が望ましい。Ｘは塩素原子が
望ましい。 PMS重合体又はPMS共重合体と有機リチウム化
合物との反応 PMS重合体又はPMS共重合体と有機リチウム
化合物との反応は、有機リチウム化合物に対して
不活性な溶媒中で行うことができる。用い得る溶
媒としては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シ
クロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の炭化水素類、ジエチルエーテル、ジブチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエー
テル類が挙げられる。反応は、これらの溶媒に
PMS重合体又はPMS共重合体を溶解若しくは溶
媒で膨潤させ、有機リチウム化合物を作用させ
る。この際、有機リチウム化合物の反応性を高め
るような成分、例えばアミン類を用いることがで
きる。用い得るアミンとしては、Ｎ，Ｎ，N′，
N′−テトラメチルエチレンジアミンが望ましい。 反応温度は、−70℃から各溶媒の沸点温度迄自
由に設定することができるが、高いリチオ化率を
効率よく達成するためには、室温以上の温度が望
ましい。又、有機リチウム化合物の使用量は、存
在するパラメチルスチレン骨格単位に対し任意に
設定することができ、リチオ化率を任意に調節で
きる。アミン類は有機リチウム化合物と当量用い
ればよいが、過剰量用いてもよい。反応時間は、
反応温度によつても異なるが、通常0.1〜100時間
であり、反応時間を長くすることによつて、リチ
オ化率を高めることができる。 このようにして調整されたリチオ化PMS重合
体又はPMS共重合体は、反応性が高く、空気中
との水分とも反応してしまうため、分離せずに、
後続の反応に用いるのが望ましい。 リチオ化PMS重合体又はPMS共重合体とケイ素
化合物との反応 リチオ化PMS重合体又はPMS共重合体とケイ
素化合物との反応は、リチオ化PMS重合体又は
リチオ化PMS共重合体の存在する前段の反応系
に、直接ケイ素化合物を添加して接触させること
によつて達成される。ケイ素化合物は、前段で用
いた有機リチウム化合物に対して通常１〜100倍
モル、好ましくは１〜10倍モル用いられる。反応
は−50℃〜＋150℃、好ましくは０〜50℃で0.1〜
100時間、好ましくは0.5〜20時間行なわれる。生
成したポリマーは、水、希塩酸等で洗浄するのが
望ましく、又再沈澱等により精製するのが望まし
い。 上記のようにして得られたスチレン系重合体
は、下記の式、
【式】
【式】
(A)及び(B)からなる重合体又は(A)、(B)及び(C)から
なる共重合体である。 上記式(A)及び(B)の繰り返し単位からなる重合体
は、重量平均分子量が数千〜数百万、重量平均分
子量（ｗ）／数平均分子量（ｎ）＝1.0〜1.2
と非常に分子量分布が狭く、かつケイ素含有置換
基（−SiR1R2R3）の含有率が、通常は５〜80ユ
ニツトモル％、特に５〜50ユニツトモル％からな
る。 又、PMS共重合体は、前記(A)、(B)及び(C)の繰
り返し単位がランダムに結合したものか、(A)繰り
返し単位と(B)繰り返し単位とのランダム結合部分
と(C)繰り返し単位部分とがブロツク結合したもの
である。望ましくは(A)，(B)，(C)のランダム共重合
体である。(A)，(B)及び(C)の割合は、(A)１〜70モル
％、(B)１〜97モル％、(C)２〜98モル％であるが、
特に(A)５〜50モル％、(B)５〜40モル％、(C)20〜80
モル％のものがレジストとして用いた場合に好ま
しい。 このPMS共重合体は、数千〜数百万の重量平
均分子量を持ち、かつ重量平均分子量（ｗ）／
数平均分子量（ｎ）＝2.0以下の分子量分布を持
つが、特にｗ＝１万〜50万、ｗ／ｎ＝1.0
〜1.5のものがレジストとして用いた場合に効果
が大きいので望ましい。 上記のようにして得られたスチレン系重合体の
繰り返し単位(A)のR1，R2，R3はケイ素化合物の
場合と同一である。すなわち、R1〜R3の少なく
とも一個はアルケニル基である。R1，R2又はR3
がアルキル基の場合、C1〜C4のアルキル基が望
ましく、特にメチル、エチル基が望ましい。又、
アルケニル基の場合、C2〜C4のアルケニル基が
望ましく、特にビニル、アリル基が望ましい。 本発明で用いられるポリシルセスキオキサン
は、一般式 を繰返し単位として表わされる。ここでＲ及び
R′は、同じか異なるメチル基、エチル基、プロ
ピル基等のアルキル基、フエニル基、トリル基等
のアリール基又はビニル基、アリル基等のアルケ
ニル基である。このうちアルケニル基は、繰り返
し単位のうちの少なくとも一個の単位に少なくと
も一個含まれることが必要である。このアルケニ
ル基は、ポリシルセスキオキサン全体に５〜30ユ
ニツトモル％を含むことが好ましい。 上記のＲ及びR′のうちでは、メチル基、フエ
ニル基及びビニル基のものが耐熱性のうえから好
ましい。なお、一般式〔〕の末端は通常水素及
び水酸基が結合されている。本発明におけるポリ
シルセスキオキサンは、重量平均分子量数千〜数
十万程度のものが使用される。 次に、ポリシルセスキオキサンの製造方法は、
例えば特開昭58−59222号公報に具体的に開示さ
れている。それによるとポリシルセスキオキサン
は、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロ
シラン等の低級アルキルトリハロゲノシラン及び
ビニルトリクロロシラン、アリルトリクロロシラ
ン等のアルケニルトリハロゲノシラン、必要に応
じてフエニルトリクロロシラン等のアリールトリ
ハロゲノシランを用いて、メチルイソブチルケト
ン、ジオキサン等の溶媒中で、トリエチルアミン
等のアミンを共存させ、10〜50℃の条件下に水を
添加して加水分解した後、この加水分解物を70〜
110℃、１〜６時間の条件下に縮合させることに
よつて製造できる。 本発明の組成物中に占めるポリシルセスキオキ
サンの割合は、スチレン系重合体100重量部に対
し、10〜50重量部が好ましい。ポリシルセスキオ
キサンの配合量が50重量部を越えるような多量で
はレジスト材料として用いる場合に解像度が低下
する傾向にある。 本発明の組成物の調整は、スチレン系重合体及
びポリシルセスキオキサンを溶媒中で溶解させた
後に溶媒を除去するか、あるいは溶解した溶液を
直接用いることもできる。両者を溶解させる際に
用いられる溶媒としては、特に制限されないが、
例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香
族炭化水素、モノクロルベンゼン、ジクロルベン
ゼン、モノクロルトルエン等のハロゲン化芳香族
炭化水素等が使用できる。 このようにして得られた感光性樹脂組成物を半
導体素子製造時のレジストとして使用する場合に
は、一般に行われているスピンナーコーテイング
法を用いることができる。 該組成物を前記の溶媒に溶解し、所望の濃度と
した溶液を、通常用いられる基板上にスピンナー
コーテイングを行えば、基板上に均一なレジスト
層を形成することができる。レジスト層は、通常
0.2〜1.0μｍである。このレジスト層は、通常プ
リベークされ、その条件は一般的に90〜130℃で、
0.1〜１時間である。勿論減圧下でより低温で行
つてもよい。 次いで、電子線、Ｘ線、遠視外線等の照射によ
り、パターンを焼付け、必要に応じてポストペー
クした後、前記溶媒の現像液により現像すれば、
シヤープなネガ型パターンを得ることができる。 実施例 以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
なお、生成物の同定は下記の機器にて行つた。1 H NMR：試料をCDCl3の20重量％溶液とし、
Varian社製EM360A型（60MHz）で測定。 測定条件；20℃ 又、レジスト評価は、下記の機器、条件にて行つ
た。 スピナー：ミカサ(株)製、スピンナー 1H−D2型 電子線描画装置：エリオニクス社製 ELS−5000 照射条件：照射電流 ７×10-12A、ビーム径
0.01μｍ、加速電圧20kV 膜厚測定：ランクテーラーホブソン社製、タリス
テツプ 実施例 １ PMS共重合体の合成 窒素ガス置換したフラスコに、蒸留により精製
したテトラヒドロフラン100mlとｎ−ブチルリチ
ウム0.54ミリモルを入れ、ドライアイス−メタノ
ール浴で冷却し、撹拌により溶液とした。別の容
器に、窒素ガス雰囲気下PMS5.5mlとαMS5.5ml
を入れ両者を混合した。この混合液を、先のｎ−
ブチルリチウム溶液に加え、撹拌下重合反応を開
始した。２時間経過後、メタノール２mlを加えて
重合反応を停止させた。次いで、反応液をメタノ
ール中に入れて、10.3ｇのPMS共重合体を析出
させた。得られたPMS共重合体をテトラヒドロ
フランに溶解し、GPCにより測定したところ、
Ｍｗ＝39400，ｗ／ｎ＝1.38であつた。又、
H1NMR分析の結果、PMS部分が、50モル％、
αMS部分が50モル％であつた。 窒素ガス置換したフラスコに、上記で得た
PMS共重合体2.0ｇとシクロヘキサン40mlを入
れ、撹拌して溶液とした。これにｎ−ブチルリチ
ウム17.4ミリモルのｎ−ヘキサン溶液とＮ，Ｎ，
N′，N′−テトラメチルエチレンジアミン
（TMEDA）17.4ミリモルを加え、50℃で２時間
反応させてリチオ化PMS共重合体とした。次い
でこの反応系を20℃に冷却し、アリルジメチルク
ロロシラン40ミリモル（5.4ｇ）を加え、２時間
反応した。反応液を水洗した後、メタノール中に
滴下してポリマーを析出せしめ、白色のポリマー
2.25ｇを得た。GPCにより測定したところ、ｗ
＝44700、ｗ／ｎ＝1.42であつた。 このポリマーの1H NMRケミカルシフト値は、
下記の通りであつた。1 H NMR〔δ（ppm）〕：7.12〜6.14（ベンゼン環）、
5.74（−ＣＨ＝CH2）、4.87，4.82（−CH＝ＣＨ
2）、2.24（
なる共重合体である。 上記式(A)及び(B)の繰り返し単位からなる重合体
は、重量平均分子量が数千〜数百万、重量平均分
子量（ｗ）／数平均分子量（ｎ）＝1.0〜1.2
と非常に分子量分布が狭く、かつケイ素含有置換
基（−SiR1R2R3）の含有率が、通常は５〜80ユ
ニツトモル％、特に５〜50ユニツトモル％からな
る。 又、PMS共重合体は、前記(A)、(B)及び(C)の繰
り返し単位がランダムに結合したものか、(A)繰り
返し単位と(B)繰り返し単位とのランダム結合部分
と(C)繰り返し単位部分とがブロツク結合したもの
である。望ましくは(A)，(B)，(C)のランダム共重合
体である。(A)，(B)及び(C)の割合は、(A)１〜70モル
％、(B)１〜97モル％、(C)２〜98モル％であるが、
特に(A)５〜50モル％、(B)５〜40モル％、(C)20〜80
モル％のものがレジストとして用いた場合に好ま
しい。 このPMS共重合体は、数千〜数百万の重量平
均分子量を持ち、かつ重量平均分子量（ｗ）／
数平均分子量（ｎ）＝2.0以下の分子量分布を持
つが、特にｗ＝１万〜50万、ｗ／ｎ＝1.0
〜1.5のものがレジストとして用いた場合に効果
が大きいので望ましい。 上記のようにして得られたスチレン系重合体の
繰り返し単位(A)のR1，R2，R3はケイ素化合物の
場合と同一である。すなわち、R1〜R3の少なく
とも一個はアルケニル基である。R1，R2又はR3
がアルキル基の場合、C1〜C4のアルキル基が望
ましく、特にメチル、エチル基が望ましい。又、
アルケニル基の場合、C2〜C4のアルケニル基が
望ましく、特にビニル、アリル基が望ましい。 本発明で用いられるポリシルセスキオキサン
は、一般式 を繰返し単位として表わされる。ここでＲ及び
R′は、同じか異なるメチル基、エチル基、プロ
ピル基等のアルキル基、フエニル基、トリル基等
のアリール基又はビニル基、アリル基等のアルケ
ニル基である。このうちアルケニル基は、繰り返
し単位のうちの少なくとも一個の単位に少なくと
も一個含まれることが必要である。このアルケニ
ル基は、ポリシルセスキオキサン全体に５〜30ユ
ニツトモル％を含むことが好ましい。 上記のＲ及びR′のうちでは、メチル基、フエ
ニル基及びビニル基のものが耐熱性のうえから好
ましい。なお、一般式〔〕の末端は通常水素及
び水酸基が結合されている。本発明におけるポリ
シルセスキオキサンは、重量平均分子量数千〜数
十万程度のものが使用される。 次に、ポリシルセスキオキサンの製造方法は、
例えば特開昭58−59222号公報に具体的に開示さ
れている。それによるとポリシルセスキオキサン
は、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロ
シラン等の低級アルキルトリハロゲノシラン及び
ビニルトリクロロシラン、アリルトリクロロシラ
ン等のアルケニルトリハロゲノシラン、必要に応
じてフエニルトリクロロシラン等のアリールトリ
ハロゲノシランを用いて、メチルイソブチルケト
ン、ジオキサン等の溶媒中で、トリエチルアミン
等のアミンを共存させ、10〜50℃の条件下に水を
添加して加水分解した後、この加水分解物を70〜
110℃、１〜６時間の条件下に縮合させることに
よつて製造できる。 本発明の組成物中に占めるポリシルセスキオキ
サンの割合は、スチレン系重合体100重量部に対
し、10〜50重量部が好ましい。ポリシルセスキオ
キサンの配合量が50重量部を越えるような多量で
はレジスト材料として用いる場合に解像度が低下
する傾向にある。 本発明の組成物の調整は、スチレン系重合体及
びポリシルセスキオキサンを溶媒中で溶解させた
後に溶媒を除去するか、あるいは溶解した溶液を
直接用いることもできる。両者を溶解させる際に
用いられる溶媒としては、特に制限されないが、
例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香
族炭化水素、モノクロルベンゼン、ジクロルベン
ゼン、モノクロルトルエン等のハロゲン化芳香族
炭化水素等が使用できる。 このようにして得られた感光性樹脂組成物を半
導体素子製造時のレジストとして使用する場合に
は、一般に行われているスピンナーコーテイング
法を用いることができる。 該組成物を前記の溶媒に溶解し、所望の濃度と
した溶液を、通常用いられる基板上にスピンナー
コーテイングを行えば、基板上に均一なレジスト
層を形成することができる。レジスト層は、通常
0.2〜1.0μｍである。このレジスト層は、通常プ
リベークされ、その条件は一般的に90〜130℃で、
0.1〜１時間である。勿論減圧下でより低温で行
つてもよい。 次いで、電子線、Ｘ線、遠視外線等の照射によ
り、パターンを焼付け、必要に応じてポストペー
クした後、前記溶媒の現像液により現像すれば、
シヤープなネガ型パターンを得ることができる。 実施例 以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
なお、生成物の同定は下記の機器にて行つた。1 H NMR：試料をCDCl3の20重量％溶液とし、
Varian社製EM360A型（60MHz）で測定。 測定条件；20℃ 又、レジスト評価は、下記の機器、条件にて行つ
た。 スピナー：ミカサ(株)製、スピンナー 1H−D2型 電子線描画装置：エリオニクス社製 ELS−5000 照射条件：照射電流 ７×10-12A、ビーム径
0.01μｍ、加速電圧20kV 膜厚測定：ランクテーラーホブソン社製、タリス
テツプ 実施例 １ PMS共重合体の合成 窒素ガス置換したフラスコに、蒸留により精製
したテトラヒドロフラン100mlとｎ−ブチルリチ
ウム0.54ミリモルを入れ、ドライアイス−メタノ
ール浴で冷却し、撹拌により溶液とした。別の容
器に、窒素ガス雰囲気下PMS5.5mlとαMS5.5ml
を入れ両者を混合した。この混合液を、先のｎ−
ブチルリチウム溶液に加え、撹拌下重合反応を開
始した。２時間経過後、メタノール２mlを加えて
重合反応を停止させた。次いで、反応液をメタノ
ール中に入れて、10.3ｇのPMS共重合体を析出
させた。得られたPMS共重合体をテトラヒドロ
フランに溶解し、GPCにより測定したところ、
Ｍｗ＝39400，ｗ／ｎ＝1.38であつた。又、
H1NMR分析の結果、PMS部分が、50モル％、
αMS部分が50モル％であつた。 窒素ガス置換したフラスコに、上記で得た
PMS共重合体2.0ｇとシクロヘキサン40mlを入
れ、撹拌して溶液とした。これにｎ−ブチルリチ
ウム17.4ミリモルのｎ−ヘキサン溶液とＮ，Ｎ，
N′，N′−テトラメチルエチレンジアミン
（TMEDA）17.4ミリモルを加え、50℃で２時間
反応させてリチオ化PMS共重合体とした。次い
でこの反応系を20℃に冷却し、アリルジメチルク
ロロシラン40ミリモル（5.4ｇ）を加え、２時間
反応した。反応液を水洗した後、メタノール中に
滴下してポリマーを析出せしめ、白色のポリマー
2.25ｇを得た。GPCにより測定したところ、ｗ
＝44700、ｗ／ｎ＝1.42であつた。 このポリマーの1H NMRケミカルシフト値は、
下記の通りであつた。1 H NMR〔δ（ppm）〕：7.12〜6.14（ベンゼン環）、
5.74（−ＣＨ＝CH2）、4.87，4.82（−CH＝ＣＨ
2）、2.24（
【式】）、2.08〜1.14（−
CH2
【式】主鎖）、0.48〜0.00
（
【式】）、−0.07（
【式】）
上記のNMR分析の積分比から、アリルジメチ
ルシリル基の導入率は32.0ユニツトモル％、
PMS部分18.0ユニツトモル％、αMS部分50.0ユ
ニツトモル％であり、従つてこのスチレン系共重
合体は、次の(A)、(B)、(C)の繰り返し単位からなる
ランダム共重合体であることが判明した。
ルシリル基の導入率は32.0ユニツトモル％、
PMS部分18.0ユニツトモル％、αMS部分50.0ユ
ニツトモル％であり、従つてこのスチレン系共重
合体は、次の(A)、(B)、(C)の繰り返し単位からなる
ランダム共重合体であることが判明した。
【式】
【式】
ポリシルセスキオキサンの合成
窒素置換したフラスコに、メチルイソブチルケ
トン80ml、トリエチルアミン７ml、トリクロロメ
チルシラン８ml、トリクロロフエニルシラン２ml
及びトリクロロビニルシラン2.5mlとを入れ、氷
水溶中で撹拌しながら25mlを30分間にわたりゆつ
くり添加した。添加終了後、混合物を100℃にて
４時間加熱、撹拌した。反応混合物を、洗浄水が
中性になるまで水洗し、溶媒を除去して固形分
9.0ｇを得た。 得られた固形分をCDCl3溶液とし、1H NMRを
測定したところ、δ7.00〜7.90（フエニル基）、
δ6.10（ビニル基）、δ0.10（メチル基）に吸収が観
測された。これらの吸収を積分することにより、
オルガノポリシルセスキオキサンの側鎖の置換基
の割合を求めたところ、フエニル基：ビニル基：
メチル基＝25：18：57であつた。 レジスト評価 上記で得られたシリコン原子を有するスチレン
系共重合体0.3ｇとポリシルセスキオキサン0.1ｇ
をキシレン3.6ｇに溶解してキシレン溶液とした。
この溶液をシリコンウエーハー上に0.4μｍ厚さに
スピンコートし、70℃で30分間プリペークした
後、照射電流７×10-12Aで電子線照射し、シク
ロヘキサノン−イソプロパノール混合液で現像
し、120℃で20分間ポストベークしたところ、
0.5μｍの微細なパターンを解像した。照射量と規
格化残膜率との関係を示す感度曲線は、図面の曲
線１のようにD0.5 g＝2.5×10-6c／cm2、γ≒２とな
り、ポリシルセスキオキサンを配合したことによ
るγ値の低下等は認められなかつた。 耐酸素プラズマ性評価 上記の組成物について、レジスト評価と同様に
電子線照射、現像及びポストベークを行い100μ
ｍ×100μｍの正方形パターンを得た。得られた
パターンにおいて、ULVAC社製平行平板型リア
クテイブイオンエツチング装置を用いて、RF出
力100W、真空度0.05Torr、酸素流量22sccmの設
定条件下に、酸素のリアクテイブイオンエツチン
グを行つた。 なお、比較のために、東京応化社製ノボラツク
系ポジ型フオトレジストONPR800（商品名）を
シリコンウエハー上に2.0μｍ厚さに塗布し、200
℃で30分間ベークした後、同様に酸素のリアクテ
イブイオンエツチングを行つた。 ５分間のエツチングによる結果は、本発明の組
成物のものは800Å、ONPR800のものは6000Å
それぞれエツチングされ、本発明の組成物のもの
が耐酸素プラズマ性に優れていることを示した。 実施例 ２ PMS重合体の合成 窒素ガス置換したフラスコに蒸留により精製し
たテトラヒドロフラン100mlとｎ−ブチルリチウ
ム0.39ミリモルを入れ、ドライアイス−メタノー
ル浴で冷却し、撹拌しておいた。ここに精製した
PMS10ｇを加え、撹拌下重合を開始した。２時
間経過後、メタノール２mlを加えて重合反応を停
止させた。次いで反応液をメタノール中に投入
し、10ｇのポリマーを得た。テトラヒドロフラン
溶液としてGPC測定したところ、ｗ＝34900、
Ｍｗ／ｎ＝1.16であつた。 窒素ガス置換したフラスコに、上記で得た重合
体2.0ｇとシクロヘキサン40mlを入れ、撹拌して
溶液とした。これにｎ−ブチルリチウム17.4ミリ
モルのｎ−ヘキサン溶液と、Ｎ，Ｎ，N′，N′−
テトラメチルエチレンジアミン（TMEDA）17.4
ミリモルを加え、50℃で２時間反応させてリチオ
化PMS重合体とした。次いでこの反応系を20℃
に冷却し、アリルジメチルクロロシラン40ミリモ
ルを加え、２時間反応した。反応液を水洗した
後、メタノール中に滴下してポリマーを析出さ
せ、白色のポリマー2.55ｇを得た。GPC測定した
ところｗ＝45200、ｗ／ｎ＝1.17であつた。 1H NMR分析したところ、アリルジメチルシ
リル基の導入率は40.6ユニツトモル％であつた。1 H NMR〔δ（ppm）〕：7.02〜6.10（芳香環）、5.78
（−ＣＨ＝CH2）、4.94，4.72（−CH＝ＣＨ 2）、
2.25（
トン80ml、トリエチルアミン７ml、トリクロロメ
チルシラン８ml、トリクロロフエニルシラン２ml
及びトリクロロビニルシラン2.5mlとを入れ、氷
水溶中で撹拌しながら25mlを30分間にわたりゆつ
くり添加した。添加終了後、混合物を100℃にて
４時間加熱、撹拌した。反応混合物を、洗浄水が
中性になるまで水洗し、溶媒を除去して固形分
9.0ｇを得た。 得られた固形分をCDCl3溶液とし、1H NMRを
測定したところ、δ7.00〜7.90（フエニル基）、
δ6.10（ビニル基）、δ0.10（メチル基）に吸収が観
測された。これらの吸収を積分することにより、
オルガノポリシルセスキオキサンの側鎖の置換基
の割合を求めたところ、フエニル基：ビニル基：
メチル基＝25：18：57であつた。 レジスト評価 上記で得られたシリコン原子を有するスチレン
系共重合体0.3ｇとポリシルセスキオキサン0.1ｇ
をキシレン3.6ｇに溶解してキシレン溶液とした。
この溶液をシリコンウエーハー上に0.4μｍ厚さに
スピンコートし、70℃で30分間プリペークした
後、照射電流７×10-12Aで電子線照射し、シク
ロヘキサノン−イソプロパノール混合液で現像
し、120℃で20分間ポストベークしたところ、
0.5μｍの微細なパターンを解像した。照射量と規
格化残膜率との関係を示す感度曲線は、図面の曲
線１のようにD0.5 g＝2.5×10-6c／cm2、γ≒２とな
り、ポリシルセスキオキサンを配合したことによ
るγ値の低下等は認められなかつた。 耐酸素プラズマ性評価 上記の組成物について、レジスト評価と同様に
電子線照射、現像及びポストベークを行い100μ
ｍ×100μｍの正方形パターンを得た。得られた
パターンにおいて、ULVAC社製平行平板型リア
クテイブイオンエツチング装置を用いて、RF出
力100W、真空度0.05Torr、酸素流量22sccmの設
定条件下に、酸素のリアクテイブイオンエツチン
グを行つた。 なお、比較のために、東京応化社製ノボラツク
系ポジ型フオトレジストONPR800（商品名）を
シリコンウエハー上に2.0μｍ厚さに塗布し、200
℃で30分間ベークした後、同様に酸素のリアクテ
イブイオンエツチングを行つた。 ５分間のエツチングによる結果は、本発明の組
成物のものは800Å、ONPR800のものは6000Å
それぞれエツチングされ、本発明の組成物のもの
が耐酸素プラズマ性に優れていることを示した。 実施例 ２ PMS重合体の合成 窒素ガス置換したフラスコに蒸留により精製し
たテトラヒドロフラン100mlとｎ−ブチルリチウ
ム0.39ミリモルを入れ、ドライアイス−メタノー
ル浴で冷却し、撹拌しておいた。ここに精製した
PMS10ｇを加え、撹拌下重合を開始した。２時
間経過後、メタノール２mlを加えて重合反応を停
止させた。次いで反応液をメタノール中に投入
し、10ｇのポリマーを得た。テトラヒドロフラン
溶液としてGPC測定したところ、ｗ＝34900、
Ｍｗ／ｎ＝1.16であつた。 窒素ガス置換したフラスコに、上記で得た重合
体2.0ｇとシクロヘキサン40mlを入れ、撹拌して
溶液とした。これにｎ−ブチルリチウム17.4ミリ
モルのｎ−ヘキサン溶液と、Ｎ，Ｎ，N′，N′−
テトラメチルエチレンジアミン（TMEDA）17.4
ミリモルを加え、50℃で２時間反応させてリチオ
化PMS重合体とした。次いでこの反応系を20℃
に冷却し、アリルジメチルクロロシラン40ミリモ
ルを加え、２時間反応した。反応液を水洗した
後、メタノール中に滴下してポリマーを析出さ
せ、白色のポリマー2.55ｇを得た。GPC測定した
ところｗ＝45200、ｗ／ｎ＝1.17であつた。 1H NMR分析したところ、アリルジメチルシ
リル基の導入率は40.6ユニツトモル％であつた。1 H NMR〔δ（ppm）〕：7.02〜6.10（芳香環）、5.78
（−ＣＨ＝CH2）、4.94，4.72（−CH＝ＣＨ 2）、
2.25（
【式】）、2.08〜1.05
（
【式】主鎖）−0.05
（
【式】）
レジスト評価
上記で得られたシリコン含有PMS重合体0.3ｇ
と実施例１で合成したポリシルセスキオキサン
0.1ｇをキシレン3.6ｇに溶解して溶液とした。シ
リコンウエハー上に0.4μｍ厚に塗布し、70℃30分
プリベークし、７×10-12Aで電子線照射し、シ
クロヘキサノン−イソプロパノール混合液で現
像、90℃20分間ポストベークしたところ、0.6μｍ
の微細なパターンを解像した。感度曲線は図面の
曲線２のようになりD0.5 g＝4.0×10-6c／cm2、γ≒
２となり、ポリシルセスキオキサンにより、γ値
の低下等は認められない。 耐酸素プラズマ性 上記の組成物について、実施例１の場合と同様
にして酸素によるリアクテイブイオンエツチング
を行なつた。５分間のエツチングにより
ONPR800は6000Åエツチングされたが、上記組
成物は900Åしかエツチングされなかつた。 発明の効果 本発明による組成物は、シリコン原子を有し、
分子量分布が非常に狭まいスチレン系重合体に、
シリコン原子と架橋性基を有するポリシルセスキ
オキサンを配合することから、シリコン含有率の
高いレジストパターンが得られる。このシリコン
含有率の高いレジストは、耐酸素プラズマ性に優
れ、多層レジストの上層として酸素プラズマによ
り下層へのパターンの転写を可能とする。さら
に、少ない照射量によりパターンを焼付けること
ができ高感度である。
と実施例１で合成したポリシルセスキオキサン
0.1ｇをキシレン3.6ｇに溶解して溶液とした。シ
リコンウエハー上に0.4μｍ厚に塗布し、70℃30分
プリベークし、７×10-12Aで電子線照射し、シ
クロヘキサノン−イソプロパノール混合液で現
像、90℃20分間ポストベークしたところ、0.6μｍ
の微細なパターンを解像した。感度曲線は図面の
曲線２のようになりD0.5 g＝4.0×10-6c／cm2、γ≒
２となり、ポリシルセスキオキサンにより、γ値
の低下等は認められない。 耐酸素プラズマ性 上記の組成物について、実施例１の場合と同様
にして酸素によるリアクテイブイオンエツチング
を行なつた。５分間のエツチングにより
ONPR800は6000Åエツチングされたが、上記組
成物は900Åしかエツチングされなかつた。 発明の効果 本発明による組成物は、シリコン原子を有し、
分子量分布が非常に狭まいスチレン系重合体に、
シリコン原子と架橋性基を有するポリシルセスキ
オキサンを配合することから、シリコン含有率の
高いレジストパターンが得られる。このシリコン
含有率の高いレジストは、耐酸素プラズマ性に優
れ、多層レジストの上層として酸素プラズマによ
り下層へのパターンの転写を可能とする。さら
に、少ない照射量によりパターンを焼付けること
ができ高感度である。
図面は、本発明の感光性樹脂組成物を用いたレ
ジストの電子線照射感度曲線を示すグラフであ
る。曲線１は実施例１のレジスト、曲線２は実施
例２のレジストの場合をそれぞれ示す。
ジストの電子線照射感度曲線を示すグラフであ
る。曲線１は実施例１のレジスト、曲線２は実施
例２のレジストの場合をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 〔式中、R1，R2及びR3は同じか異なるC1〜C6の
アルキル基又はC1〜C6のアルケニル基であり、
R1，R2及びR3の少なくとも一個がアルケニル基
である〕の繰り返し単位を含むスチレン系重合体
に、 一般式 〔式中、Ｒ及びR′は同じか異なるアルキル基、
アリール基又はアルケニル基である〕の繰り返し
単位をもち、かつ繰り返し単位のうちの少なくと
も一個の単位が少くとも一個のアルケニル基を有
するポリシルセスキオキサンを配合してなる感光
性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14809586A JPS635337A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14809586A JPS635337A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS635337A JPS635337A (ja) | 1988-01-11 |
| JPH0453420B2 true JPH0453420B2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=15445129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14809586A Granted JPS635337A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS635337A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2606321B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1997-04-30 | 富士通株式会社 | 感光性耐熱樹脂組成物と半導体装置の製造方法 |
| JPH10319597A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 感光性シリコーンラダー系樹脂組成物、この樹脂組成物にパターンを転写するパターン転写方法および上記樹脂組成物を用いた半導体装置 |
| KR101844737B1 (ko) * | 2010-05-13 | 2018-04-03 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 열경화성 수지 조성물 및 디스플레이 장치 |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP14809586A patent/JPS635337A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS635337A (ja) | 1988-01-11 |
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