JPH0453905A - 偏光素子およびその製造方法 - Google Patents
偏光素子およびその製造方法Info
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- JPH0453905A JPH0453905A JP2164703A JP16470390A JPH0453905A JP H0453905 A JPH0453905 A JP H0453905A JP 2164703 A JP2164703 A JP 2164703A JP 16470390 A JP16470390 A JP 16470390A JP H0453905 A JPH0453905 A JP H0453905A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明(友 光学機器分野において使用される偏光素子
、特に同心円偏光(または放射偏光)を直線偏光く あ
るいは直線偏光を同心円偏光(または放射偏光)に変換
する偏光素子に関する。
、特に同心円偏光(または放射偏光)を直線偏光く あ
るいは直線偏光を同心円偏光(または放射偏光)に変換
する偏光素子に関する。
従来の技術
従来 光の偏光状態を変換する偏光素子として、光学ヘ
ッド装置等では1/4波長板や1/2波長板等の直線位
相子が用いられてきた力丈 これらは光の偏光状態を全
面にわたって均一に変換するものであった 一−X 主にツイスト・ネマチック液晶(以下、TN
液晶)を用いた表示装置等で1′!、液晶配列を変化さ
せて画素単位で偏光変換を行うh匁 画素の微細化(現
在100〜200μm角程度)にも限界があつ九 しかるに近蝦 光導波路やグレーティング等を組合わせ
た光集積素子において、小面積内で、空間的に異なった
分布をもつ偏光状態を直線偏光等の均質な偏光状態へ
また均質な偏光状態を空間的に分布をもった偏光状態に
変換することが要求されつつある。
ッド装置等では1/4波長板や1/2波長板等の直線位
相子が用いられてきた力丈 これらは光の偏光状態を全
面にわたって均一に変換するものであった 一−X 主にツイスト・ネマチック液晶(以下、TN
液晶)を用いた表示装置等で1′!、液晶配列を変化さ
せて画素単位で偏光変換を行うh匁 画素の微細化(現
在100〜200μm角程度)にも限界があつ九 しかるに近蝦 光導波路やグレーティング等を組合わせ
た光集積素子において、小面積内で、空間的に異なった
分布をもつ偏光状態を直線偏光等の均質な偏光状態へ
また均質な偏光状態を空間的に分布をもった偏光状態に
変換することが要求されつつある。
特級 同心円形状のグレーティングカブラを用いて導波
光を導波路外部に放射する光集積素子の場合、同心円の
接線方向または動径方向に振動面をもつ偏光状態と均質
な偏光状態との変換を行なう必要があった力丈 この様
な偏光変換を実現する素子は過去になかっ九 そこで、本出願人は上記機能を有する偏光素子およびそ
れを用いた光学ヘッド装置を特願平1−246808号
において提示し九 以下これを先行例と称することとし 第5@第6図を用
いて先行例における偏光素子を用いた光学ヘッド装置の
説明を行なう。
光を導波路外部に放射する光集積素子の場合、同心円の
接線方向または動径方向に振動面をもつ偏光状態と均質
な偏光状態との変換を行なう必要があった力丈 この様
な偏光変換を実現する素子は過去になかっ九 そこで、本出願人は上記機能を有する偏光素子およびそ
れを用いた光学ヘッド装置を特願平1−246808号
において提示し九 以下これを先行例と称することとし 第5@第6図を用
いて先行例における偏光素子を用いた光学ヘッド装置の
説明を行なう。
第5図の先行例における光学ヘッド装置の構成図に於い
て、Si基板l上に低屈折率の透明層2が形成され そ
の上に高屈折率の透明層3A、 3Bが形成されていも
透明層3Aは円形tlL 3Bは3Aを取り巻く輪
帯状であム 透明層3A、 3Bの表面には中心軸りに対し同心円状
のグレーティングカブラ4A、4Bが形成されていも
透明層3Aの表面には低屈折率の透明層5Aを挟んで高
屈折率の透明層3cが形成され 透明層3Cは透明層3
Bとそのグレーティングカブラ4Bの内周側に面した領
域で接すム透明層3Cの表面には中心軸りに関し同心円
状のグレーティングカブラ4Cが形成されていも透明層
3Bの表面には低屈折率の透明層5Bが形成されており
、透明層5Bの屈折率は透明層5Aに等しL% Si
基板1には透明層3ん 3B間の断絶部に相当する位置
に光検出器6A、6Bが形成されており、検出器6A、
6Bを覆う形で透明層5A内に反射膜7が形成されて
いも な礼 中心軸り近傍のSi基板1は中空になって
いも半導体レーザー8を出射した直線偏光の光は集光レ
ンズ9により集光され 位相差板19Aおよび偏光素子
10Aによって同心円接線方向(または動径方向)の電
界ベクトルをもつ光11に変換されも この先11が同
心円形状のグレーティング4Cによって導波層3C内に
入力し 層内を外周方向に向かって伝搬するTEモード
(または1Mモード)の導波光12Cとなa 導波光12Cは導波層3cの最外周領域で導波層3Cか
ら導波層3Bに移り導波光12Bとなム導波光12Bは
グレーティングカブラ4Bにより放射され 放射光13
となも 放射光13は導波光12BがTEモードであれ
ば電界ベクトルが同心円接線方向を向く偏光状態(以下
、同心円偏光と称する)の光となり、TMモードであれ
ば電界ベクトルが動径方向を向く偏光状態(以下、放射
偏光と称する)の光となる。
て、Si基板l上に低屈折率の透明層2が形成され そ
の上に高屈折率の透明層3A、 3Bが形成されていも
透明層3Aは円形tlL 3Bは3Aを取り巻く輪
帯状であム 透明層3A、 3Bの表面には中心軸りに対し同心円状
のグレーティングカブラ4A、4Bが形成されていも
透明層3Aの表面には低屈折率の透明層5Aを挟んで高
屈折率の透明層3cが形成され 透明層3Cは透明層3
Bとそのグレーティングカブラ4Bの内周側に面した領
域で接すム透明層3Cの表面には中心軸りに関し同心円
状のグレーティングカブラ4Cが形成されていも透明層
3Bの表面には低屈折率の透明層5Bが形成されており
、透明層5Bの屈折率は透明層5Aに等しL% Si
基板1には透明層3ん 3B間の断絶部に相当する位置
に光検出器6A、6Bが形成されており、検出器6A、
6Bを覆う形で透明層5A内に反射膜7が形成されて
いも な礼 中心軸り近傍のSi基板1は中空になって
いも半導体レーザー8を出射した直線偏光の光は集光レ
ンズ9により集光され 位相差板19Aおよび偏光素子
10Aによって同心円接線方向(または動径方向)の電
界ベクトルをもつ光11に変換されも この先11が同
心円形状のグレーティング4Cによって導波層3C内に
入力し 層内を外周方向に向かって伝搬するTEモード
(または1Mモード)の導波光12Cとなa 導波光12Cは導波層3cの最外周領域で導波層3Cか
ら導波層3Bに移り導波光12Bとなム導波光12Bは
グレーティングカブラ4Bにより放射され 放射光13
となも 放射光13は導波光12BがTEモードであれ
ば電界ベクトルが同心円接線方向を向く偏光状態(以下
、同心円偏光と称する)の光となり、TMモードであれ
ば電界ベクトルが動径方向を向く偏光状態(以下、放射
偏光と称する)の光となる。
この同心円偏光(または放射偏光)の光131友偏光素
子10Bおよび位相差板19Bを経て直線偏光の光とな
り、光ディスク15の反射面16上の点Fに集光すa −人 反射面16を反射する光ζよ 再び位相差板19
Bおよび偏光素子10Bを経て同心円偏光(または放射
偏光)の光となり、グレーティングカブラ4A、4Bに
より導波層3A、 3B内に入力し それぞれ層内を外
周方匝 内周方向に向かって伝搬するTEモード(また
はTMモード)の導波光18A、 18Bとなも 導波
光18A、18Bは導波層3A、 3Bの最外端服 最
内端部で放射され それぞれ光検出器6A、 6Bに受
光されも 次へ 偏光素子10Bおよび位相差板19Bを集光点F
とグレーティングカプラ4Bの間に設けることで生ずる
効果について第6図を用いて説明すも 第6図(a)、(b)は同心円形状のグレーティングカ
ブラにより光を集光した場合の集光点での光強度分布断
面図の例を示しており、 (a)は同心円偏光(または
放射偏光)の光 (b)は直線偏光の光であ&(a)と
(b)の比較から明らかなようへ 同心円偏光(または
放射偏光)シヨ 直線偏光に比べて良好な集光性が得
られなし これは電界ベクトルが同心円中心について対
角位置で互いに逆ベクトルをなし 集光点で打消し合う
ためであも 従って偏光素子10Bおよび位相差板19
Bをグレーティングカブラ4Bと集光点との間に配置し
同心円偏光(または放射偏光)を完全な直線偏光に変
換すれば 高い集光性が得られも一人 第5図における
反射光17がグレーティングカブラ4A、 4Bにより
導波路3A、 3B内へ入力する暇 高い入力結合効率
を得るために(よ反射光と放射光の偏光状態が同じであ
ることが望ましく〜 従って、偏光素子10Bおよび位
相差板19Bが可逆的に直線偏光と同心円偏光(または
放射偏光)の変換を行うことか収 反射光の導波路への
入力結合効率を高める効果もあも次へ 第7図を用いて
、先行例における偏光素子10Bと位相差板19Bによ
る光の偏光状態の変化を説明すも 同図(a)!、t、
偏光素子10Bによる偏光変換原理を示す。偏光素
子10Bは1層のTN液晶層で構成され このTN液晶
層は片側(集光点F側)が実線40で示す一方向の直線
状の液晶配置 他面側(グレーティングカプラ4B側)
が破線41で示す円の接線方向の液晶配向を施すことで
形成されていも このような簡易な液晶配向処理を施すことで、液晶ツイ
スト角θが同心円周上の各位置で連続的に異なる分布を
持ったTN構造の液晶層が得られも すなわ板 同心円
周上で(イ)から(ロ)を経て(八)に至る各位置で、
ツイスト角θはθ=−π/2からθ=0を経てθ=π/
2へと変化しており(ただし紙面上反時計回りのツイス
トを右ねじれとしそのツイスト角を負とする)、(ニ)
から(ネ)を経て(へ)に至る各位置について耘 同様
のTN構造となも 一般にTN構造の液晶層に直線偏光の光が入射すると、
TN構造のねじれに沿って光の電界ベクトルが回転すム
従って、グレーティングカブラ4Bより放射される同
心円偏光の光(破線矢印で示される電界ベクトル42)
ζよ 素子の各位置での液晶ツイスト角とほぼ同じ角度
だけ旋光し 液晶層の直線配向方向に電界ベクトルをも
つ光(実線矢印の電界ベクトル43)となも な耘 液晶層のねじれの向きが同心円中心を通り直線配
向方向に平行な直線44で分けられる2つの領域A、
Bで互いに逆になるので、電界ベクトル43の向き耘
領域A、 Bで互いに逆向きとなる(すなわち位相
がπだけずれている)。
子10Bおよび位相差板19Bを経て直線偏光の光とな
り、光ディスク15の反射面16上の点Fに集光すa −人 反射面16を反射する光ζよ 再び位相差板19
Bおよび偏光素子10Bを経て同心円偏光(または放射
偏光)の光となり、グレーティングカブラ4A、4Bに
より導波層3A、 3B内に入力し それぞれ層内を外
周方匝 内周方向に向かって伝搬するTEモード(また
はTMモード)の導波光18A、 18Bとなも 導波
光18A、18Bは導波層3A、 3Bの最外端服 最
内端部で放射され それぞれ光検出器6A、 6Bに受
光されも 次へ 偏光素子10Bおよび位相差板19Bを集光点F
とグレーティングカプラ4Bの間に設けることで生ずる
効果について第6図を用いて説明すも 第6図(a)、(b)は同心円形状のグレーティングカ
ブラにより光を集光した場合の集光点での光強度分布断
面図の例を示しており、 (a)は同心円偏光(または
放射偏光)の光 (b)は直線偏光の光であ&(a)と
(b)の比較から明らかなようへ 同心円偏光(または
放射偏光)シヨ 直線偏光に比べて良好な集光性が得
られなし これは電界ベクトルが同心円中心について対
角位置で互いに逆ベクトルをなし 集光点で打消し合う
ためであも 従って偏光素子10Bおよび位相差板19
Bをグレーティングカブラ4Bと集光点との間に配置し
同心円偏光(または放射偏光)を完全な直線偏光に変
換すれば 高い集光性が得られも一人 第5図における
反射光17がグレーティングカブラ4A、 4Bにより
導波路3A、 3B内へ入力する暇 高い入力結合効率
を得るために(よ反射光と放射光の偏光状態が同じであ
ることが望ましく〜 従って、偏光素子10Bおよび位
相差板19Bが可逆的に直線偏光と同心円偏光(または
放射偏光)の変換を行うことか収 反射光の導波路への
入力結合効率を高める効果もあも次へ 第7図を用いて
、先行例における偏光素子10Bと位相差板19Bによ
る光の偏光状態の変化を説明すも 同図(a)!、t、
偏光素子10Bによる偏光変換原理を示す。偏光素
子10Bは1層のTN液晶層で構成され このTN液晶
層は片側(集光点F側)が実線40で示す一方向の直線
状の液晶配置 他面側(グレーティングカプラ4B側)
が破線41で示す円の接線方向の液晶配向を施すことで
形成されていも このような簡易な液晶配向処理を施すことで、液晶ツイ
スト角θが同心円周上の各位置で連続的に異なる分布を
持ったTN構造の液晶層が得られも すなわ板 同心円
周上で(イ)から(ロ)を経て(八)に至る各位置で、
ツイスト角θはθ=−π/2からθ=0を経てθ=π/
2へと変化しており(ただし紙面上反時計回りのツイス
トを右ねじれとしそのツイスト角を負とする)、(ニ)
から(ネ)を経て(へ)に至る各位置について耘 同様
のTN構造となも 一般にTN構造の液晶層に直線偏光の光が入射すると、
TN構造のねじれに沿って光の電界ベクトルが回転すム
従って、グレーティングカブラ4Bより放射される同
心円偏光の光(破線矢印で示される電界ベクトル42)
ζよ 素子の各位置での液晶ツイスト角とほぼ同じ角度
だけ旋光し 液晶層の直線配向方向に電界ベクトルをも
つ光(実線矢印の電界ベクトル43)となも な耘 液晶層のねじれの向きが同心円中心を通り直線配
向方向に平行な直線44で分けられる2つの領域A、
Bで互いに逆になるので、電界ベクトル43の向き耘
領域A、 Bで互いに逆向きとなる(すなわち位相
がπだけずれている)。
第7図(b)は先行例における位相差板19Bの位相補
償原理を示し 同心円中心を通り液晶層の直線配向方向
と略平行な直線44 (同図(a)参照)で2っに分け
られた領域ん Bの片側Bに位相差板19Bを構成して
いも 位相差板19Bの屈折率をn1、厚みをd1、レーザー
光の波長をλとすると、位相差板19Bを透過する側の
光と透過しない側の光の位相差力(2π(rz−1)d
+となるようく すなわ板d+=(2k l)λ/2
(n+−1)(k; 自然数) の関係を満すように作成すれば 領域A、 Bを透過
する光の位相をπだけずらすことができも 従って、液
晶層を通過した光(互いに向きの異なる電界ベクトルa
S、a・の光)は位相差板19Bを透過することで位相
が揃し\ 互いに向きの等しい電界ベクトルam、aマ
の光 すなわち完全な直線偏光の光となム このように
偏光素子10Bと位相差板19Bとを組み合わせるこ
とで領域九Bを通過する光の位相差が補償され同心円偏
光を直線偏光に変換することができも また これらの変換には可逆性があり、直線偏光から同
心円偏光への変換も同様に行なうことができも なお 第5図における位相差板19Aおよび偏光素子1
0Aは上記の位相差板19Bおよび偏光素子10Bと同
じ構成であり、同様の原理で半導体レーザー8から出射
する直線偏光の光を完全な同心円偏光に変換することが
できも 発明が解決しようとする課題 以上説明したようへ 同心円形状のグレーティングカプ
ラを用いて高い集光性および高い入力結合効率を実現す
るには可逆的に直線偏光と同心円偏光との変換を行う偏
光素子が必要であり、特願平1−246808において
提案した偏光素子を用いれはこの偏光変換が実現できも 一人 上記先行例の偏光素子において、偏光変換性能を
更に向上させるためには 次のような課題があっち 第8図は先行例の偏光素子におけるTN液晶層のツイス
ト角分布を表わす図であも 第8図で点0は上記の同心
円状配向の円中心を示し 矢印Sは液晶配向面の直線配
向側の配向方向を示す。TN液晶層の液晶配列が理想的
に形成されれば 同心円中心を通り、方向Sに直交する
直線上で液晶ツイスト角θ=0となり、領域Aの点0に
対する方位角α自の直線上では 液晶ツイスト角θがθ
=α1、領域Bの方位角α―の直線上ではθ=α8とな
a (ただし α4、α8ともに時計回り方向を正とす
も ) すなわ杖 点Oを通る直線S方向の直線領域BOでは互
いに逆ねじれ(ツイスト角θ−π/2とθ−−π/2)
のTN構造が隣接する境界線 いわゆるディスクリネー
ションラインが発生すム このディスクリネーションラ
インは幅がきわめて小さい線状の領域であるので、第8
図のようにディスクリネーションラインが同心円中心を
通る直線配向方向の直線と完全に一致していれ(二 偏
光変換性能に大きい影響を及ぼさな(℃ しかしなか収 第9図の偏光素子10Bの平面図に示す
よう&へ 一般にディスクリネーションライン411戴
同心円中心0を通る直線配向方向の直線L4に対し
乱れた状態となも これは液晶住人時の液晶の流動性や
、液晶配向面の表面状態およびツイスト・ネマチック液
晶材料に含まれる旋回性物質の影響により液晶層内のの
弾性エネルギの均衡がくずれていることによム このようにディスクリネーションライン41が乱れると
、位相差板端面(直線L4に相当)との開にずれた領域
(斜線部F)が生し この領域で偏光素子の変換特性が
劣化すム 特&へ 偏光素子が小さい場合に慰 このデ
ィスクリネーションラインの乱れによる影響は大きいも
のとな4課題を解決するための手段 本発明は上記の問題点を解決する偏光素子とその製造方
法を提供するものであり、以下の手段を用いも すなわ板 液晶配向面の一方が直線方向 もう一方が同
心円の接線方向の配向である液晶配向面間にツイスト・
ネマチック液晶層を有する偏光素子において、同心円中
心を通り直線配向方向に略平行な直線で分けられる2つ
の領域で液晶層の厚みを異ならせることであム あるい(よ 直線方向の液晶配向面上へ 同心円中心を
通り前記直線方向に略平行な直線状の領域に凹部または
凸部を設(す、同心円中心を通り直線配向方向に略平行
な直線上で液晶層の厚みが変化する構成とす4 あるいは 同心円中心を通り直線配向方向に略平行な直
線によって分けられる液晶層の2つの領域で直線配向方
向の角度を異ならせも あるいは 液晶配向面の一方が直線方向 もう一方が同
心円接線方向の配向処理を施した2枚の透明基板間にツ
イスト・ネマチック液晶層を設けてなる偏光素子の製造
において、前記2枚の透明基板間に液晶を封入した抵
液晶をN−I点近傍に加熱したのち冷却を行なう熱処理
を施すことであム あるい(よ 表面に透明導電膜を有する2枚の透明基板
の一方に直線方向 もう一方に同心円の接線方向の配向
処理を施した後、前記2枚の透明基板間にツイスト・ネ
マチック液晶層を設けた後、液晶層に電圧を印加する。
償原理を示し 同心円中心を通り液晶層の直線配向方向
と略平行な直線44 (同図(a)参照)で2っに分け
られた領域ん Bの片側Bに位相差板19Bを構成して
いも 位相差板19Bの屈折率をn1、厚みをd1、レーザー
光の波長をλとすると、位相差板19Bを透過する側の
光と透過しない側の光の位相差力(2π(rz−1)d
+となるようく すなわ板d+=(2k l)λ/2
(n+−1)(k; 自然数) の関係を満すように作成すれば 領域A、 Bを透過
する光の位相をπだけずらすことができも 従って、液
晶層を通過した光(互いに向きの異なる電界ベクトルa
S、a・の光)は位相差板19Bを透過することで位相
が揃し\ 互いに向きの等しい電界ベクトルam、aマ
の光 すなわち完全な直線偏光の光となム このように
偏光素子10Bと位相差板19Bとを組み合わせるこ
とで領域九Bを通過する光の位相差が補償され同心円偏
光を直線偏光に変換することができも また これらの変換には可逆性があり、直線偏光から同
心円偏光への変換も同様に行なうことができも なお 第5図における位相差板19Aおよび偏光素子1
0Aは上記の位相差板19Bおよび偏光素子10Bと同
じ構成であり、同様の原理で半導体レーザー8から出射
する直線偏光の光を完全な同心円偏光に変換することが
できも 発明が解決しようとする課題 以上説明したようへ 同心円形状のグレーティングカプ
ラを用いて高い集光性および高い入力結合効率を実現す
るには可逆的に直線偏光と同心円偏光との変換を行う偏
光素子が必要であり、特願平1−246808において
提案した偏光素子を用いれはこの偏光変換が実現できも 一人 上記先行例の偏光素子において、偏光変換性能を
更に向上させるためには 次のような課題があっち 第8図は先行例の偏光素子におけるTN液晶層のツイス
ト角分布を表わす図であも 第8図で点0は上記の同心
円状配向の円中心を示し 矢印Sは液晶配向面の直線配
向側の配向方向を示す。TN液晶層の液晶配列が理想的
に形成されれば 同心円中心を通り、方向Sに直交する
直線上で液晶ツイスト角θ=0となり、領域Aの点0に
対する方位角α自の直線上では 液晶ツイスト角θがθ
=α1、領域Bの方位角α―の直線上ではθ=α8とな
a (ただし α4、α8ともに時計回り方向を正とす
も ) すなわ杖 点Oを通る直線S方向の直線領域BOでは互
いに逆ねじれ(ツイスト角θ−π/2とθ−−π/2)
のTN構造が隣接する境界線 いわゆるディスクリネー
ションラインが発生すム このディスクリネーションラ
インは幅がきわめて小さい線状の領域であるので、第8
図のようにディスクリネーションラインが同心円中心を
通る直線配向方向の直線と完全に一致していれ(二 偏
光変換性能に大きい影響を及ぼさな(℃ しかしなか収 第9図の偏光素子10Bの平面図に示す
よう&へ 一般にディスクリネーションライン411戴
同心円中心0を通る直線配向方向の直線L4に対し
乱れた状態となも これは液晶住人時の液晶の流動性や
、液晶配向面の表面状態およびツイスト・ネマチック液
晶材料に含まれる旋回性物質の影響により液晶層内のの
弾性エネルギの均衡がくずれていることによム このようにディスクリネーションライン41が乱れると
、位相差板端面(直線L4に相当)との開にずれた領域
(斜線部F)が生し この領域で偏光素子の変換特性が
劣化すム 特&へ 偏光素子が小さい場合に慰 このデ
ィスクリネーションラインの乱れによる影響は大きいも
のとな4課題を解決するための手段 本発明は上記の問題点を解決する偏光素子とその製造方
法を提供するものであり、以下の手段を用いも すなわ板 液晶配向面の一方が直線方向 もう一方が同
心円の接線方向の配向である液晶配向面間にツイスト・
ネマチック液晶層を有する偏光素子において、同心円中
心を通り直線配向方向に略平行な直線で分けられる2つ
の領域で液晶層の厚みを異ならせることであム あるい(よ 直線方向の液晶配向面上へ 同心円中心を
通り前記直線方向に略平行な直線状の領域に凹部または
凸部を設(す、同心円中心を通り直線配向方向に略平行
な直線上で液晶層の厚みが変化する構成とす4 あるいは 同心円中心を通り直線配向方向に略平行な直
線によって分けられる液晶層の2つの領域で直線配向方
向の角度を異ならせも あるいは 液晶配向面の一方が直線方向 もう一方が同
心円接線方向の配向処理を施した2枚の透明基板間にツ
イスト・ネマチック液晶層を設けてなる偏光素子の製造
において、前記2枚の透明基板間に液晶を封入した抵
液晶をN−I点近傍に加熱したのち冷却を行なう熱処理
を施すことであム あるい(よ 表面に透明導電膜を有する2枚の透明基板
の一方に直線方向 もう一方に同心円の接線方向の配向
処理を施した後、前記2枚の透明基板間にツイスト・ネ
マチック液晶層を設けた後、液晶層に電圧を印加する。
作用
上記の構成によれば ディスクリネーションラインの位
置を、同心円中心を通る直線配向方向に略平行な直線上
に安定して作成することができるので、TN液晶層の液
晶配列が良好で偏光変換性能の高い偏光素子が得られも 実施例 本発明による偏光素子の実施例について、第1図から第
4図を用いて説明すム な耘 先行例と同じ構成につい
ては同じ番号を用1.% 具体的な説明は省略すも 第1図に本発明の実施例の偏光素子を平面図および断面
構成図で示す。図において、透明基板20Aの内面側の
表面に1よ エツチング等により透明の段差部21が設
けられていも 透明基板20Aおよび段差部21と、透
明基板20Bの表面には液晶を配向させるための液晶配
向膜22、23がそれぞれ形成されており、 22の表
面には段差境界線L+と平行な矢印26方向の直線配向
戟 23の表面にはLi上の点0を中心とする同心円接
線方向(破線矢印27)の配向が施されていもさて、以
上の様に 液晶層24、25は2枚の透明基板20Aお
よび20Bにより挟まれており、同心円中心0を通り直
線L1によって分けられる2つの領域A、 Bのうち
の領域Aに属する液晶層24と、領域Bに属する液晶層
25とでGi 段差部21により液晶層の厚みが異な
っていも このような構成により、先行例と同様 同心
円周上の液晶ツイスト角θパ 領域九 Bでそれぞれθ
=−π/2からθ=π/2まで連続的に分布したTN液
晶層構造が得られ かス 液晶層24と液晶層25は段
差部21の端面部(直線L1に相当)で厚みの変化によ
り明確な不連続性をも1 従って、ディスクリネーションは 段差部21の端面部
(直線L+)上に現れやすくなるので、TN液晶構造が
所望の状態に安定して形成されることになム また 本実施例の偏光素子でζ友 液晶層24.25を
透過した光は先行例と同様 直線配向方向26の互いに
向きの異なる電界ベクトルの光である力交 2つの領域
A、 Bでその光路長が異なっているた6 A、8
間で位相差が発生ずも しかし先行例における光学ヘッ
ド装置のごとく入力グレーティングカブラ4Cとレーザ
ー光源8との肌および出力グレーティングカブラ4Bと
集光点Fとの間の両方に直線配向方向を一致させて配置
すれば 互いに位相が補償され 完全な直線偏光の光に
変換することができも この場合、位相差板19A、1
9Bは省略できも 次に 第1図の偏光素子により、先行例における偏光素
子10Bと位相差板19Bの組合せと同様 完全な同心
円偏光と直線偏光との変換を行なう場合について考察す
も 一般?−、TN液晶層に入射側液晶分子軸と平行または
直交する電界ベクトルの直線偏光が入射し出射側分子軸
と平行または直交する電界ベクトルの直線偏光が出射す
るときへ ツイスト角θと光の波長λとの関係1i
Gooch−Tarryの式(C9H,Go。
置を、同心円中心を通る直線配向方向に略平行な直線上
に安定して作成することができるので、TN液晶層の液
晶配列が良好で偏光変換性能の高い偏光素子が得られも 実施例 本発明による偏光素子の実施例について、第1図から第
4図を用いて説明すム な耘 先行例と同じ構成につい
ては同じ番号を用1.% 具体的な説明は省略すも 第1図に本発明の実施例の偏光素子を平面図および断面
構成図で示す。図において、透明基板20Aの内面側の
表面に1よ エツチング等により透明の段差部21が設
けられていも 透明基板20Aおよび段差部21と、透
明基板20Bの表面には液晶を配向させるための液晶配
向膜22、23がそれぞれ形成されており、 22の表
面には段差境界線L+と平行な矢印26方向の直線配向
戟 23の表面にはLi上の点0を中心とする同心円接
線方向(破線矢印27)の配向が施されていもさて、以
上の様に 液晶層24、25は2枚の透明基板20Aお
よび20Bにより挟まれており、同心円中心0を通り直
線L1によって分けられる2つの領域A、 Bのうち
の領域Aに属する液晶層24と、領域Bに属する液晶層
25とでGi 段差部21により液晶層の厚みが異な
っていも このような構成により、先行例と同様 同心
円周上の液晶ツイスト角θパ 領域九 Bでそれぞれθ
=−π/2からθ=π/2まで連続的に分布したTN液
晶層構造が得られ かス 液晶層24と液晶層25は段
差部21の端面部(直線L1に相当)で厚みの変化によ
り明確な不連続性をも1 従って、ディスクリネーションは 段差部21の端面部
(直線L+)上に現れやすくなるので、TN液晶構造が
所望の状態に安定して形成されることになム また 本実施例の偏光素子でζ友 液晶層24.25を
透過した光は先行例と同様 直線配向方向26の互いに
向きの異なる電界ベクトルの光である力交 2つの領域
A、 Bでその光路長が異なっているた6 A、8
間で位相差が発生ずも しかし先行例における光学ヘッ
ド装置のごとく入力グレーティングカブラ4Cとレーザ
ー光源8との肌および出力グレーティングカブラ4Bと
集光点Fとの間の両方に直線配向方向を一致させて配置
すれば 互いに位相が補償され 完全な直線偏光の光に
変換することができも この場合、位相差板19A、1
9Bは省略できも 次に 第1図の偏光素子により、先行例における偏光素
子10Bと位相差板19Bの組合せと同様 完全な同心
円偏光と直線偏光との変換を行なう場合について考察す
も 一般?−、TN液晶層に入射側液晶分子軸と平行または
直交する電界ベクトルの直線偏光が入射し出射側分子軸
と平行または直交する電界ベクトルの直線偏光が出射す
るときへ ツイスト角θと光の波長λとの関係1i
Gooch−Tarryの式(C9H,Go。
ch and HoA、Tarry、 ’The o
ptical property of twiste
d nematic 1iquid crystal
5tructures with twist a
ngles<90° ’ 、App1、Phys、、V
o1、8,1975.参照。 ) よ リ、 θ(1+(πdΔnバθλ))” ]’ ”2kyr
(k;整数)・・・(1) で表わされ、L (1)式で八〇は液晶の屈折率異方
法dは液晶層の厚みを表わす。
ptical property of twiste
d nematic 1iquid crystal
5tructures with twist a
ngles<90° ’ 、App1、Phys、、V
o1、8,1975.参照。 ) よ リ、 θ(1+(πdΔnバθλ))” ]’ ”2kyr
(k;整数)・・・(1) で表わされ、L (1)式で八〇は液晶の屈折率異方
法dは液晶層の厚みを表わす。
(1)式を変形すると、(2)式のように表わせムλ−
Δnd(4k”−θ”/rr ”)−””
・・・(2)(2)式より、 λはθに対し θ=0
を極小値とした下に凸の曲線を描く。
Δnd(4k”−θ”/rr ”)−””
・・・(2)(2)式より、 λはθに対し θ=0
を極小値とした下に凸の曲線を描く。
−X 本発明の偏光素子は液晶層のツイスト角θバ
−π/2≦θ≦π/2の範囲で連続的に分布しているの
六 〇=0のときλは極小値(=λ重)、θ=土π/2
のときλは極大値(=λa)をとも 従って、使用する
光源の波長をλとすると、 λ1≦λ≦λ虚の関係を満
たすように液晶層のΔnd値を設定すればよt〜 すなわ板 θ=0のとき(1)弐Cよ Δnd(2k)−’−λ (−λ+) (k;自然数
) −−−(3)θ=π/2のとき(1)式は △nd(4k” −174)−” ”−λ (−λ2)
−−−(4)(k;自然数) であるので、下記の(5)式の条件を満たすことで良好
な偏光変換が実現できも (4k”−1/4)”’≦Δnd/λ≦2k
−・(5)(k:自然数) 以上のことか収 第1図に示す偏光素子の液晶層24.
25力丈 それぞれ(6)! (7)式を満足してい
ることが望まししも (16に+”−1)””≦2△nch/λ≦4に+
−−−(a)(kB自然数) (18に2”−1)””≦2△nds/λ≦4に2”(
7)(k2;自然数) さらに 透明段差部21に先行例の位相差板19Bの機
能をもたせるために 位相差板19Bの屈折率を氏 レ
ーザー光の波長をλとすると、段差部21を透過する側
の光と透過しない側の光の位相差力(2yr(n+−n
o)ld+−dalであるか収(n+ −no )ld
+ −d21 = (2kg −1)λ/2 ・−(
8)(k3;自然数) の関係を満すように作成すれば 領域A、 Bを透過
する光の位相が揃った 完全な同心円偏光と直線偏光へ
の変換ができも 第2図は本発明の他の実施例である偏光素子の断面構成
図であり、図のように2枚の透明基板20A(直線配向
側)、 20B(同心円配向側)の液晶配向面のう−直
線配向側の基板20A上に同心円中心を通る直線配向方
向の直線凹部50また(友 直線凸部51を設けられて
いも このような構成によってL 凹部50または凸部
51により液晶層52の厚みが変化していることでディ
スクリネーシーンラインが凹部50または凸部51に沿
って安定されも 第3図は更に実施例である偏光素子の直線配向面の配向
方法を示す図であも 図において基板31の表面にはポ
リイミド等の有機配向膜がスピンコード等により塗布さ
れていも この基板31をナイロン製の布などでラビングし 直線
方向の配向処理を施す暇 図のようにま哄 基板31の
半分の領域Aを薄板材30で覆t\薄板材30の直線状
端面L2に対して2〜3 (deg)程度(図中時計回
りを正とする)傾いたPb方向にラビングすム 次にラ
ビングした領域を薄板材30で覆(X 領域Bを直線L
2に対して−2〜−3(deg)程度類いた方向P−に
ラビングする。
−π/2≦θ≦π/2の範囲で連続的に分布しているの
六 〇=0のときλは極小値(=λ重)、θ=土π/2
のときλは極大値(=λa)をとも 従って、使用する
光源の波長をλとすると、 λ1≦λ≦λ虚の関係を満
たすように液晶層のΔnd値を設定すればよt〜 すなわ板 θ=0のとき(1)弐Cよ Δnd(2k)−’−λ (−λ+) (k;自然数
) −−−(3)θ=π/2のとき(1)式は △nd(4k” −174)−” ”−λ (−λ2)
−−−(4)(k;自然数) であるので、下記の(5)式の条件を満たすことで良好
な偏光変換が実現できも (4k”−1/4)”’≦Δnd/λ≦2k
−・(5)(k:自然数) 以上のことか収 第1図に示す偏光素子の液晶層24.
25力丈 それぞれ(6)! (7)式を満足してい
ることが望まししも (16に+”−1)””≦2△nch/λ≦4に+
−−−(a)(kB自然数) (18に2”−1)””≦2△nds/λ≦4に2”(
7)(k2;自然数) さらに 透明段差部21に先行例の位相差板19Bの機
能をもたせるために 位相差板19Bの屈折率を氏 レ
ーザー光の波長をλとすると、段差部21を透過する側
の光と透過しない側の光の位相差力(2yr(n+−n
o)ld+−dalであるか収(n+ −no )ld
+ −d21 = (2kg −1)λ/2 ・−(
8)(k3;自然数) の関係を満すように作成すれば 領域A、 Bを透過
する光の位相が揃った 完全な同心円偏光と直線偏光へ
の変換ができも 第2図は本発明の他の実施例である偏光素子の断面構成
図であり、図のように2枚の透明基板20A(直線配向
側)、 20B(同心円配向側)の液晶配向面のう−直
線配向側の基板20A上に同心円中心を通る直線配向方
向の直線凹部50また(友 直線凸部51を設けられて
いも このような構成によってL 凹部50または凸部
51により液晶層52の厚みが変化していることでディ
スクリネーシーンラインが凹部50または凸部51に沿
って安定されも 第3図は更に実施例である偏光素子の直線配向面の配向
方法を示す図であも 図において基板31の表面にはポ
リイミド等の有機配向膜がスピンコード等により塗布さ
れていも この基板31をナイロン製の布などでラビングし 直線
方向の配向処理を施す暇 図のようにま哄 基板31の
半分の領域Aを薄板材30で覆t\薄板材30の直線状
端面L2に対して2〜3 (deg)程度(図中時計回
りを正とする)傾いたPb方向にラビングすム 次にラ
ビングした領域を薄板材30で覆(X 領域Bを直線L
2に対して−2〜−3(deg)程度類いた方向P−に
ラビングする。
この紘 基板31を同心円接線方向の配向を施したもう
一枚の基板と貼合わせる際 領域Aと領域Bの境界が同
心円の中心軸と交わるようにアライメントし 液晶材料
シール材を介して貼合わせも 直線配向面にこのよう
な配向処理を施すことで、直線L2上の領域では直線配
向面近傍の液晶分子の向きが不連続であることから直線
Le上にディスクリネーションラインが安定して形成さ
れも一人 先行例の偏光素子について、その製造方法に
工夫を施すことによってk ディスクリネーションライ
ンの位置を安定に作成することができも 第4図は 偏光素子を作成した夜 液晶材料のN−I点
(液晶の光学的異方性が消失する温度)まで液晶を一旦
加熱し その檄 徐冷した場合のディスクリネーション
ラインの変化を示す図であも 同図(a)は加熱前の状
態を示し 同図(b)は加熱後の状態を示す。図のよう
に素子を加賑徐冷することで、液晶注入時の流動性や液
晶配向面の表面等により生じた液晶層の弾性エネルギの
不均衡状態を解除し 液晶を所望の状態に再配列するこ
とができも また 液晶層を挟む透明基板上にITO等の透明導電膜
を設(す、偏光素子を作成檄 この透明導電膜により液
晶層−に1度または数度にわたり、電圧を印加すること
によっても液晶の再配列により、第4図のごとく直線L
s上にディスクリネーションラインを作成できも 発明の効果 本発明によれば ディスクリネーションラインの位置の
不安定性をなくし 液晶ツイスト角が所定の位置でより
安定した状態で偏光素子を作成することができるので、
高い同心円偏光と直線偏光との偏光変換性能を有する偏
光素子が実現されその効果は非常に太き(t
一枚の基板と貼合わせる際 領域Aと領域Bの境界が同
心円の中心軸と交わるようにアライメントし 液晶材料
シール材を介して貼合わせも 直線配向面にこのよう
な配向処理を施すことで、直線L2上の領域では直線配
向面近傍の液晶分子の向きが不連続であることから直線
Le上にディスクリネーションラインが安定して形成さ
れも一人 先行例の偏光素子について、その製造方法に
工夫を施すことによってk ディスクリネーションライ
ンの位置を安定に作成することができも 第4図は 偏光素子を作成した夜 液晶材料のN−I点
(液晶の光学的異方性が消失する温度)まで液晶を一旦
加熱し その檄 徐冷した場合のディスクリネーション
ラインの変化を示す図であも 同図(a)は加熱前の状
態を示し 同図(b)は加熱後の状態を示す。図のよう
に素子を加賑徐冷することで、液晶注入時の流動性や液
晶配向面の表面等により生じた液晶層の弾性エネルギの
不均衡状態を解除し 液晶を所望の状態に再配列するこ
とができも また 液晶層を挟む透明基板上にITO等の透明導電膜
を設(す、偏光素子を作成檄 この透明導電膜により液
晶層−に1度または数度にわたり、電圧を印加すること
によっても液晶の再配列により、第4図のごとく直線L
s上にディスクリネーションラインを作成できも 発明の効果 本発明によれば ディスクリネーションラインの位置の
不安定性をなくし 液晶ツイスト角が所定の位置でより
安定した状態で偏光素子を作成することができるので、
高い同心円偏光と直線偏光との偏光変換性能を有する偏
光素子が実現されその効果は非常に太き(t
第3図は更に他の実施例における配向方法を示す工程説
明医 第4図は本発明の偏光素子の製造方法の一実施例
におけるディスクリネーションラインの変化医 第5図
Cヨ 先行例の偏光素子およびそれを用いた光学ヘッ
ド装置の側断面医 第6図は第5図の光学ヘッド装置の
集光位置での光強度分布医 第7図(友 先行例の偏光
素子の偏光変換性能医 第8図は先行例の偏光素子の液
晶ツイスト角分布l 第9図はディスクリネーションラ
インの変動図であも ■・・・Si基板 2・・・低屈折率の透明# 3A、
3B、3C・・・高屈折率の透明[4A、4B、4C・
・・グレーティングカプラ、 L・・・中心$111
5A、5B、5C・・・低屈折率の透明W/L 6A、
6B・・・光検出銖 7・・・反射風 8・・・半導体
レーザー、 9・・・集光レン、CIOA、 10&
・・・偏光素子、 11・・・入力元 12C,18A
、18B・・・導波光 13・・・放射光 16・・・
光デイスク反射面 17A、17B・・・反射119A
、 19B・・・位相差板21・・・透明段差部 24
、25・・・液晶層 26.27・・・液晶配向方陳
50・・・直線凹脈 51・・・直線5昆 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名第1図 XIAお8 n、23 N、25 為、27 r i!1111暮仮 段 惇 部 牽晶配向− 漠晶層 潅晶配置11方呵 1911Q 牲− 第 図 第 図 2−* * 口 卸 51−−− a輪凸部 52− 漬晶壜 0g 0B 第 図 暮 伝 帖 図 り 軸 (り 一)(μm) −(り 軸)(μm) 第 図
明医 第4図は本発明の偏光素子の製造方法の一実施例
におけるディスクリネーションラインの変化医 第5図
Cヨ 先行例の偏光素子およびそれを用いた光学ヘッ
ド装置の側断面医 第6図は第5図の光学ヘッド装置の
集光位置での光強度分布医 第7図(友 先行例の偏光
素子の偏光変換性能医 第8図は先行例の偏光素子の液
晶ツイスト角分布l 第9図はディスクリネーションラ
インの変動図であも ■・・・Si基板 2・・・低屈折率の透明# 3A、
3B、3C・・・高屈折率の透明[4A、4B、4C・
・・グレーティングカプラ、 L・・・中心$111
5A、5B、5C・・・低屈折率の透明W/L 6A、
6B・・・光検出銖 7・・・反射風 8・・・半導体
レーザー、 9・・・集光レン、CIOA、 10&
・・・偏光素子、 11・・・入力元 12C,18A
、18B・・・導波光 13・・・放射光 16・・・
光デイスク反射面 17A、17B・・・反射119A
、 19B・・・位相差板21・・・透明段差部 24
、25・・・液晶層 26.27・・・液晶配向方陳
50・・・直線凹脈 51・・・直線5昆 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名第1図 XIAお8 n、23 N、25 為、27 r i!1111暮仮 段 惇 部 牽晶配向− 漠晶層 潅晶配置11方呵 1911Q 牲− 第 図 第 図 2−* * 口 卸 51−−− a輪凸部 52− 漬晶壜 0g 0B 第 図 暮 伝 帖 図 り 軸 (り 一)(μm) −(り 軸)(μm) 第 図
Claims (6)
- (1)一対の液晶配向面の一方が直線方向、もう一方が
同心円の接線方向の配向である配向面間にツイスト・ネ
マチック液晶層を有する偏光素子であって、前記同心円
の中心を通り前記直線方向に略平行な直線で分けられる
2つの領域で液晶層の厚みが異なることを特徴とする偏
光素子。 - (2)2つの領域の一方に液晶層に隣接して透明な段差
部を配置することで前記2つの領域間の液晶層の厚みを
異ならせると共に、透明な段差部の屈折率をn、前記ツ
イスト・ネマチック液晶層の屈折率異方性をΔn(=n
_o−n_o)、前記2つの領域の液晶層の厚みをd_
1、d_2、光の波長をλとして、これらの値が (16k_1^2−1)^1^/^≦2Δnd_1/λ
≦4k_1かつ (16k_2^2−1)^1^/^2≦2Δnd_2/
λ≦4k_2かつ |n−n_o||d_2−d_1|=(2k_3−1)
λ/2(または|n−n_o||d_2−d_1|=(
2k_3−1)λ/2)(k_1、k_2、k_3;自
然数) の関係を満たすことを特徴とする請求項1記載の偏光素
子。 - (3)一対の液晶配向面の一方が直線方向、もう一方が
同心円の接線方向の配向である液晶配向面間にツイスト
・ネマチック液晶層を有する偏光素子であって、直線配
向面に、同心円中心を通り前記直線配向方向に略平行な
直線状の凹部または凸部を形成したことを特徴とする偏
光素子。 - (4)一対の液晶配向面の一方が直線方向、もう一方が
同心円の接線方向の配向である液晶配向面間にツイスト
・ネマチック液晶層を有する偏光素子であって、前記同
心円中心を通り前記直線方向に略平行な直線によって分
けられる液晶層の2つの領域で直線配向方向が異なるこ
とを特徴とする偏光素子。 - (5)一対の液晶配向面の一方に直線方向、もう一方に
同心円の接線方向の配向処理を施した2枚の透明基板間
にツイスト・ネマチック液晶層を設けてなる偏光素子の
製造方法であって、前記2枚の透明基板間に液晶を封入
した後、液晶をN−I点近傍に加熱したのち冷却する熱
処理を施すことを特徴とする偏光素子の製造方法。 - (6)表面に透明導電膜を有する2枚の透明基板の一方
に直線方向、もう一方に同心円の接線方向の配向処理を
施した後、前記2枚の透明基板間にツイスト・ネマチッ
ク液晶層を設けてなる偏光素子の製造方法であって、前
記2枚の透明基板間に液晶を封入した後、前記液晶層に
電圧を印加して液晶を再配列させる工程を実施すること
を特徴とする偏光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2164703A JPH0453905A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | 偏光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2164703A JPH0453905A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | 偏光素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453905A true JPH0453905A (ja) | 1992-02-21 |
Family
ID=15798271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2164703A Pending JPH0453905A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | 偏光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0453905A (ja) |
-
1990
- 1990-06-22 JP JP2164703A patent/JPH0453905A/ja active Pending
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