JPH0453954A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0453954A JPH0453954A JP2164810A JP16481090A JPH0453954A JP H0453954 A JPH0453954 A JP H0453954A JP 2164810 A JP2164810 A JP 2164810A JP 16481090 A JP16481090 A JP 16481090A JP H0453954 A JPH0453954 A JP H0453954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- tnbap
- resist pattern
- substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路装置の製造に用いられるレジ
ストパターンの形成方法に関し、特にドライエツチング
処理による微細加工のためのレジストパターンの形成方
法に関する。
ストパターンの形成方法に関し、特にドライエツチング
処理による微細加工のためのレジストパターンの形成方
法に関する。
（ロ）従来の技術
半導体集積回路装置の集積度向上のために、微細なパタ
ーンを形成するのに用いられる放射線感応材料には、Ｘ
線、電子線、紫外線、遠紫外線等の放射線に対して高い
感度を有し、高解像度であることが要求されている。
ーンを形成するのに用いられる放射線感応材料には、Ｘ
線、電子線、紫外線、遠紫外線等の放射線に対して高い
感度を有し、高解像度であることが要求されている。
そこで、出願人は特公平１−２５０５４号公報において
、ポリメチルメタクリレート（以下ＰＭＭＡと称す）に
増感剤としてテトラブチルアンモニウムパークロレート
（特にテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムパークロレート
）を添加し、放射線に対する感度を高め、高解像度のポ
ジ型放射線感応材料を提供している。
、ポリメチルメタクリレート（以下ＰＭＭＡと称す）に
増感剤としてテトラブチルアンモニウムパークロレート
（特にテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムパークロレート
）を添加し、放射線に対する感度を高め、高解像度のポ
ジ型放射線感応材料を提供している。
斯様な感応材料（レジスト）を用いてフ才トマスフを作
成する場合は、まず、クロムブランクス（ガラス基板表
面全面にクロム膜が蒸着されているもの）あるいはクロ
ム膜の表面に酸化クロムで被覆されたクロムブランクス
の表面にレジストを塗布し、プリベークの後、電子線で
所望のパターンを照射描画して、メチルセロソルブとイ
ソプロピルアルコールの混合液からなる現像液で、湿式
現像を行う。そして、ポストベークを行い、残存する不
要なレジスト（電子線を照射した部分に残るもの）を除
去（ライトアッシュ）した後、形成されたレジストパタ
ーンをマスクとして、ウェットエツチングによりクロム
膜を除去し、更にレジストを全て取り除いて、所望のパ
ターンの７オトマスクを得ている。
成する場合は、まず、クロムブランクス（ガラス基板表
面全面にクロム膜が蒸着されているもの）あるいはクロ
ム膜の表面に酸化クロムで被覆されたクロムブランクス
の表面にレジストを塗布し、プリベークの後、電子線で
所望のパターンを照射描画して、メチルセロソルブとイ
ソプロピルアルコールの混合液からなる現像液で、湿式
現像を行う。そして、ポストベークを行い、残存する不
要なレジスト（電子線を照射した部分に残るもの）を除
去（ライトアッシュ）した後、形成されたレジストパタ
ーンをマスクとして、ウェットエツチングによりクロム
膜を除去し、更にレジストを全て取り除いて、所望のパ
ターンの７オトマスクを得ている。
しかし、エツチングをウェットエツチングで行う場合に
は、エツチング条件の管理が難しく、均一なエツチング
やエツチング量の制御が困難である。また、工程も比較
的煩雑で、ウェットエツチングの廃液による環境汚染の
恐れ等の問題があり、ドライエツチングによる処理への
転換が望まれている。
は、エツチング条件の管理が難しく、均一なエツチング
やエツチング量の制御が困難である。また、工程も比較
的煩雑で、ウェットエツチングの廃液による環境汚染の
恐れ等の問題があり、ドライエツチングによる処理への
転換が望まれている。
上述の場合でも、形成されたレジストパターンをマスク
とした下層膜（上述の場合ではクロム膜）のウェットエ
ツチングでも、レジストと下層膜（クロム膜）との間に
エツチング液の染み込みが起きるなどして、サブミクロ
ンレベルの微細加工の制御が難しかった。
とした下層膜（上述の場合ではクロム膜）のウェットエ
ツチングでも、レジストと下層膜（クロム膜）との間に
エツチング液の染み込みが起きるなどして、サブミクロ
ンレベルの微細加工の制御が難しかった。
（ハ）発明が解決しようとする課題
上述のようなレジストでは、増感剤として添加している
テトラブチルアンモニウムパークロレートが現像液に対
する溶解性を高めているため、未露光部の上層部分にお
いて膜減りが生じ、形成されたレジストパターンは、第
３図に示すように台形形状となる。
テトラブチルアンモニウムパークロレートが現像液に対
する溶解性を高めているため、未露光部の上層部分にお
いて膜減りが生じ、形成されたレジストパターンは、第
３図に示すように台形形状となる。
このような台形形状のレジストパターンをマスクとして
反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）等の異方性を示すド
ライエツチングを行うと、レジストパターンもエツチン
グされることにより、台形の底辺の周辺部分のレジスト
が除去されて高い精度でのエツチングができなかった。
反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）等の異方性を示すド
ライエツチングを行うと、レジストパターンもエツチン
グされることにより、台形の底辺の周辺部分のレジスト
が除去されて高い精度でのエツチングができなかった。
本発明は斯様な点に鑑みて成されたもので、放射線に対
する感度が高いレジストを用いて、微細で、ドライエツ
チングに適用し得るレジストパターンを形成するもので
ある。
する感度が高いレジストを用いて、微細で、ドライエツ
チングに適用し得るレジストパターンを形成するもので
ある。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は、ＰＭＭＡにテトラブチルアンモニウムパーク
ロレートを添加したレジストを基板に塗布する工程と、
塗布したレジスト表面のテトラブチルアンモニウムパー
クロレートを低級アルコールで抽出する工程と、表面の
テトラブチルアンモニウムパークロレートが抽出された
レジストを加熱する工程と、該レジストを所望のパター
ンに露光する工程と、露光したレジストを現像する工程
とを備えるレジストパターンの形成方法である。
ロレートを添加したレジストを基板に塗布する工程と、
塗布したレジスト表面のテトラブチルアンモニウムパー
クロレートを低級アルコールで抽出する工程と、表面の
テトラブチルアンモニウムパークロレートが抽出された
レジストを加熱する工程と、該レジストを所望のパター
ンに露光する工程と、露光したレジストを現像する工程
とを備えるレジストパターンの形成方法である。
（ホ）作用
テトラブチルアンモニウムパークロレートが添加された
レジストを用い、塗布したレジストの表面のテトラブチ
ルアンモニウムパークロレートを低級アルコールで抽出
し、加熱することにより、テトラブチルアンモニウムパ
ークロレートを抽出した部分の現像液に対する溶解度が
小さくなる。
レジストを用い、塗布したレジストの表面のテトラブチ
ルアンモニウムパークロレートを低級アルコールで抽出
し、加熱することにより、テトラブチルアンモニウムパ
ークロレートを抽出した部分の現像液に対する溶解度が
小さくなる。
そして、所望のパターンに露光後、現像すると、未露光
部の上層部分における膜減りが余り生じなイノテ、側面
が基板に対して急峻なレジストパターンが形成される。
部の上層部分における膜減りが余り生じなイノテ、側面
が基板に対して急峻なレジストパターンが形成される。
（へ）実施例
第１図は本発明方法一実施例に係る工程説明図である。
本実施例では、７オトマスクの製造を例にして説明する
。
。
まず、４ｇのＰＭＭＡ （重量平均分子量Ｍｗ＝ＩＸＩ
Ｏ’、数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎ＝ １．５）
を１００ｇの酢酸メチルセロソルブに溶解し、更にテト
ラ−ｎ−ブチルアンモニウムパークロレート（以下、Ｔ
ｎＢＡＰと称す）０．６ｇを添加してレジストを調製す
る。
Ｏ’、数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎ＝ １．５）
を１００ｇの酢酸メチルセロソルブに溶解し、更にテト
ラ−ｎ−ブチルアンモニウムパークロレート（以下、Ｔ
ｎＢＡＰと称す）０．６ｇを添加してレジストを調製す
る。
基板として膜厚８００人のクロム膜（２）を有するガラ
ス基板（１）上に、調製したレジスト（３）を膜厚５０
００人となるようにスピンコードし、１８０℃で１時間
プリベークを行う（第１図Ａ）。
ス基板（１）上に、調製したレジスト（３）を膜厚５０
００人となるようにスピンコードし、１８０℃で１時間
プリベークを行う（第１図Ａ）。
次に、レジストを塗布したガラス基板（１）を、低級ア
ルコールとしてのメチルアルコール（温度２２℃）に１
分間浸して、レジスト（３）表面（上層）のＴｎＢＡＰ
を抽出する（第１図Ｂ ｙ、’−−その後、１８０℃で
３０分間ベークする。
ルコールとしてのメチルアルコール（温度２２℃）に１
分間浸して、レジスト（３）表面（上層）のＴｎＢＡＰ
を抽出する（第１図Ｂ ｙ、’−−その後、１８０℃で
３０分間ベークする。
次に加速電圧２０ｋｅＶ、ビーム電流ｌＸ１０’Ａ、露
光量２μＣ／ｃｒｎ”の電子線により、所望のパターン
を照射描画する（第１図Ｃ）。そして、メチルセロソル
ブとイソプロピルアルコールを容積比７２．５ ： ２
７．５で混合した現像液を用い、温度２２℃で１３分間
の現像を行って露光部分を除去し、所望のレジストパ・
ターンを形成する（第１図Ｄ）。
光量２μＣ／ｃｒｎ”の電子線により、所望のパターン
を照射描画する（第１図Ｃ）。そして、メチルセロソル
ブとイソプロピルアルコールを容積比７２．５ ： ２
７．５で混合した現像液を用い、温度２２℃で１３分間
の現像を行って露光部分を除去し、所望のレジストパ・
ターンを形成する（第１図Ｄ）。
このとき、形成されたレジストパターン側面の基板（１
）に対する角度θは、約８０°であった。
）に対する角度θは、約８０°であった。
尚、ＴｎＢＡＰを抽出せずに、同じ条件で露光、現像し
て形成したレジストパターンの側面の基板との角度は５
５°であった。
て形成したレジストパターンの側面の基板との角度は５
５°であった。
ここで、第２図に、ＰＭＭＡにＴｎＢＡＰを添加したレ
ジストのメチルセロソルブとイソプロピルアルコールを
混合した現像液に対する溶解特性を示す。
ジストのメチルセロソルブとイソプロピルアルコールを
混合した現像液に対する溶解特性を示す。
ここでは、基板にレジストを５０００人塗布し、１８０
℃で１時間プリベークした後、ａはそのまま現像液で溶
解したもの、ｂは１８０℃で３０分間ベークしたもの、
Ｃは２２℃のメチルアルコールに１５分間漬けてＴｎＢ
ＡＰを抽出したもの、ｄはＣと同様にＴｎＢＡＰを抽出
しな後更に１８０℃で３０分間ベークしたもの、である
。
℃で１時間プリベークした後、ａはそのまま現像液で溶
解したもの、ｂは１８０℃で３０分間ベークしたもの、
Ｃは２２℃のメチルアルコールに１５分間漬けてＴｎＢ
ＡＰを抽出したもの、ｄはＣと同様にＴｎＢＡＰを抽出
しな後更に１８０℃で３０分間ベークしたもの、である
。
この図から明らかなように、ＴｎＢＡＰを抽出した後に
加熱処理（ベーク）すると現像液に対する溶解度は極端
に低下する。
加熱処理（ベーク）すると現像液に対する溶解度は極端
に低下する。
本発明では、ＴｎＢＡＰの抽出時間を短いものにし、レ
ジストの上層部のＴｎＢＡＰを抽出することで、レジス
トの下層部において放射線に対して高い感度を維持させ
たまま、現像時における上層の膜減りを低下させ、形成
したレジストパターンの側面を基板に対して急峻にする
ことができる。
ジストの上層部のＴｎＢＡＰを抽出することで、レジス
トの下層部において放射線に対して高い感度を維持させ
たまま、現像時における上層の膜減りを低下させ、形成
したレジストパターンの側面を基板に対して急峻にする
ことができる。
露光したレジスト（３）の現像後、イソプロピルアルコ
ールで、１分間、室温で洗浄した後、１８０℃で３０分
間のボストベークを行う。
ールで、１分間、室温で洗浄した後、１８０℃で３０分
間のボストベークを行う。
そして、平行平板型ＲＩＥ装置により、エツチングガス
として０．ガスを用いて露光部に残るレジストのライト
アッシュを行う。
として０．ガスを用いて露光部に残るレジストのライト
アッシュを行う。
引き続きＲＩＥ装置により、エツチングガスをＣ１，１
０、系のガスにＷｅｔＡｉｒを加えたものを用い、ガス
圧２００ｍＴｏｒｒ、 ＲＦ出力０．３５Ｗ ／ｃｍ’
の条件で２分間エツチングを行う。これにより、レジス
ト（３）にマスクされずに露出しているクロム膜（２）
部分は全て除去される（第１図Ｅ）。
０、系のガスにＷｅｔＡｉｒを加えたものを用い、ガス
圧２００ｍＴｏｒｒ、 ＲＦ出力０．３５Ｗ ／ｃｍ’
の条件で２分間エツチングを行う。これにより、レジス
ト（３）にマスクされずに露出しているクロム膜（２）
部分は全て除去される（第１図Ｅ）。
その後、エツチングガスを０．ガスとしてエツチングを
行い、残存するレジスト（３）を除去して７オトマスク
が完成する（第１図Ｆ）。
行い、残存するレジスト（３）を除去して７オトマスク
が完成する（第１図Ｆ）。
（ト）発明の効果
本発明は、以上の説明から明らかなように、ＴｎＢＡＰ
が添加されたレジストを基板に塗布した後、レジストの
上層のＴ ｎ Ｂ Ａ Ｐを抽出して、更に加熱するこ
とにより、ＴｎＢＡＰを抽出した部分の現像液に対する
溶解度を減少させている。これにより、レジストの下層
部において露光光に対する感度を高いものに維持したま
ま、未露光部の上層部分における膜減りを低下させ、側
面が基板に対して急峻なレジストパターンを形成してい
る。而して、微細で、ドライエツチングに適用し得るレ
ジストパターンの形成がされて、半導体製造工程のドラ
イ化が可能になり、生産性の向上を図ることができる。
が添加されたレジストを基板に塗布した後、レジストの
上層のＴ ｎ Ｂ Ａ Ｐを抽出して、更に加熱するこ
とにより、ＴｎＢＡＰを抽出した部分の現像液に対する
溶解度を減少させている。これにより、レジストの下層
部において露光光に対する感度を高いものに維持したま
ま、未露光部の上層部分における膜減りを低下させ、側
面が基板に対して急峻なレジストパターンを形成してい
る。而して、微細で、ドライエツチングに適用し得るレ
ジストパターンの形成がされて、半導体製造工程のドラ
イ化が可能になり、生産性の向上を図ることができる。
第１図は本発明方法一実施例に係る工程説明図、第２図
は本発明方法に係るレジストの現像液に対する溶解特性
を示す図、第３図は従来のレジストパターンの説明図で
ある。
は本発明方法に係るレジストの現像液に対する溶解特性
を示す図、第３図は従来のレジストパターンの説明図で
ある。
Claims (3)
- （１）ポリメチルメタクリレートにテトラブチルアンモ
ニウムパークロレートを添加したレジストを基板に塗布
する工程と、塗布したレジスト表面のテトラブチルアン
モニウムパークロレートを低級アルコールで抽出する工
程と、表面のテトラブチルアンモニウムパークロレート
が抽出されたレジストを加熱する工程と、該レジストを
所望のパターンに露光する工程と、露光したレジストを
現像する工程とを備えることを特徴とするレジストパタ
ーンの形成方法。 - （２）前記テトラブチルアンモニウムパークロレートは
、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムパークロレートであ
ることを特徴とする請求項１記載のレジストパターンの
形成方法。 - （３）前記低級アルコールは、メチルアルコールである
ことを特徴とする請求項１又は２記載のレジストパター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2164810A JPH0453954A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2164810A JPH0453954A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453954A true JPH0453954A (ja) | 1992-02-21 |
Family
ID=15800350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2164810A Pending JPH0453954A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0453954A (ja) |
-
1990
- 1990-06-22 JP JP2164810A patent/JPH0453954A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4165395A (en) | Process for forming a high aspect ratio structure by successive exposures with electron beam and actinic radiation | |
| US4568631A (en) | Process for delineating photoresist lines at pattern edges only using image reversal composition with diazoquinone | |
| JPH06348032A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| EP0037708B1 (en) | Method of forming patterns | |
| KR100298609B1 (ko) | 위상쉬프트층을갖는포토마스크의제조방법 | |
| CA1194615A (en) | Bilevel ultraviolet resist system for patterning substrates of high reflectivity | |
| JP3288884B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS5922050A (ja) | ホトマスク | |
| JPH0453954A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH04301846A (ja) | 露光用マスク基板の製造方法 | |
| KR100207445B1 (ko) | 포토마스크 제조방법 | |
| JPH07325382A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPS59141230A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH05243114A (ja) | 露光方法 | |
| JPH0451151A (ja) | 位相シフトレチクルの製作方法 | |
| JPS6156867B2 (ja) | ||
| JP2548268B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0954438A (ja) | フォトレジストパターン及びその形成方法 | |
| JPH03279960A (ja) | ポジ型放射線感応材料 | |
| JPH07325385A (ja) | ホトレジスト膜の形成方法とホトプレート | |
| KR100190075B1 (ko) | 반도체 소자의 투과율 조절 마스크 제조 방법 | |
| JPH04318852A (ja) | レジスト・パターン形成方法 | |
| JPH09258426A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS63202025A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6351637A (ja) | マスク形成方法 |