JPH0454465A - Variable output circuit for ceramic type electrostatic sensor - Google Patents
Variable output circuit for ceramic type electrostatic sensorInfo
- Publication number
- JPH0454465A JPH0454465A JP16494590A JP16494590A JPH0454465A JP H0454465 A JPH0454465 A JP H0454465A JP 16494590 A JP16494590 A JP 16494590A JP 16494590 A JP16494590 A JP 16494590A JP H0454465 A JPH0454465 A JP H0454465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- detection
- control input
- resonator
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 29
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、同調回路としてのセラミック共振器のQを変
化させてセンサ出力を可変するセラミック形静電センサ
の可変出力回路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a variable output circuit for a ceramic electrostatic sensor that changes the sensor output by changing the Q of a ceramic resonator as a tuning circuit.
従来からごく一般的に用いられている静電センサ装置は
、発振回路のタンク回路に用いられている静電容量を外
部静電容量の変化に対応させて変化させ、発振周波数を
変化させるものであるが、検出感度が低く、このため、
近年においては例えば特開昭58−85948号公報に
開示されている如く、発振回路の発振周波数かられずか
にずれた共振周波数をもった同調回路のコンデンサ容量
を変化させA M (Amplitude Modul
ation)変調波を得る方式の装置が使用されるよう
になってきている。The electrostatic sensor device that has been very commonly used changes the oscillation frequency by changing the capacitance used in the tank circuit of the oscillation circuit in response to changes in external capacitance. However, the detection sensitivity is low, so
In recent years, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-85948, A M (Amplitude Module
tion) A device that obtains a modulated wave has come into use.
この方式の静電センサ装置は、第4図に示すように、発
振回路1と、同調回路2と、被検出体との静電容量変化
を検出する検出部3と、検波回路4と、増幅回路5とか
らなる。前記発振回路1と同調回路2はそれぞれ別個独
立の共振器を含み、例えば、第5図に示すように、発振
回路1の固定発振周波数f1に対して同調回路2の共振
周波数f。As shown in FIG. 4, this type of electrostatic sensor device includes an oscillation circuit 1, a tuning circuit 2, a detection section 3 for detecting changes in capacitance with the detected object, a detection circuit 4, and an amplification circuit. It consists of a circuit 5. The oscillation circuit 1 and the tuning circuit 2 each include separate and independent resonators, and for example, as shown in FIG.
をわずかにずれた位置に設定しておき、検出部3によっ
て検出される微小静電容量の変化ΔCに対応させて共振
周波数をfoからΔfだけ偏倚させ、前記静電容量の変
化ΔCを出力電圧Δ■の変化に変換して発振回路1の発
振周波数信号を搬送波とするAM変調波を作り出し、こ
れを検波増幅して取り出すものである。is set at a slightly shifted position, and the resonant frequency is shifted by Δf from fo in response to the minute capacitance change ΔC detected by the detection unit 3, and the capacitance change ΔC is set as the output voltage. This is converted into a change in Δ■ to create an AM modulated wave using the oscillation frequency signal of the oscillation circuit 1 as a carrier wave, which is detected and amplified and extracted.
本発明者等は、発振回路1と同調回路2の各共振器にセ
ラミック共振器を用い、発振周波数信号を0.5GHz
〜l0C)fzの超高周波数の信号とすることにより、
小型でI Xl0−’PF程度の微小静電容量の検出が
可能な超高感度のセラミック形静電センサを開発するこ
とに成功した。The present inventors used ceramic resonators for each resonator of the oscillation circuit 1 and the tuning circuit 2, and set the oscillation frequency signal to 0.5 GHz.
~l0C) By using an ultra-high frequency signal of fz,
We have succeeded in developing a small, ultra-sensitive ceramic electrostatic sensor that can detect minute capacitances on the order of I Xl0-'PF.
一般に、静電容量の変化の測定に際しては、前記のよう
に超高感度のもとで検出する必要がある場合と、それよ
りも検出感度を低くしても特に支障を生じない場合が存
在する。超高感度での測定を必要としない分野で本発明
者等が開発した超高感度によるセラミック形静電センサ
を用いて静電容量の変化を検出すると、感度が良すぎて
、環境変化や外乱等の影響によって同調点が設定領域か
ら外れてしまうという場合がある0反面、セラミック静
電センサの感度を低くすると、前記超高感度での微小静
電容量の変化を検出したいときにその検出ができないと
いう問題が生じる。Generally, when measuring changes in capacitance, there are cases where it is necessary to detect with ultra-high sensitivity as described above, and cases where detection sensitivity can be lowered without causing any particular problems. . When detecting changes in capacitance using the ultra-high-sensitivity ceramic capacitive sensor developed by the present inventors in fields that do not require ultra-high sensitivity measurements, the sensitivity is so high that environmental changes and disturbances can be detected. On the other hand, if the sensitivity of the ceramic electrostatic sensor is lowered, it may be difficult to detect minute changes in capacitance with ultra-high sensitivity. The problem arises that it cannot be done.
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり
、その目的は、セラミック形静電センサのQを可変調整
することにより、高い感度をそれほど必要としない測定
分野から超高感度を必要とする測定分野にわたり、使用
目的に応じた感度のもとて静電容量の変化を検出するこ
とができるセラミック形静電センサの可変出力回路を提
供することにある。The present invention has been made to solve the above problems, and its purpose is to variably adjust the Q of a ceramic electrostatic sensor, thereby changing the field of measurement from a measurement field that does not require high sensitivity to a field that requires ultra-high sensitivity. An object of the present invention is to provide a variable output circuit for a ceramic electrostatic sensor that can detect changes in capacitance with sensitivity depending on the purpose of use in various measurement fields.
本発明は上記目的を達成するために、次のように構成さ
れている。すなわち、本発明のセラミック形静電センサ
の可変出力回路は、共振器を内蔵し発振周波数信号を出
力する発振回路と、検出される外部静電容量の変化に対
応させて前記発振回路との同調点を変化させ、この同調
点の変化に対応する振幅変調波を出力する前記発振回路
の共振器とは別個独立の同調回路としてのセラミック共
振器とを有し、前記同調回路としてのセラミック共振器
には制御入力によってインピーダンスを変化させる可変
インピーダンス回路が並列に接続されていることを特徴
として構成されている。In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows. That is, the variable output circuit of the ceramic capacitive sensor of the present invention includes an oscillation circuit that includes a built-in resonator and outputs an oscillation frequency signal, and a tuning circuit that is tuned to the oscillation circuit in response to changes in external capacitance to be detected. and a ceramic resonator as a tuning circuit separate from the resonator of the oscillation circuit that outputs an amplitude modulated wave corresponding to a change in the tuning point, the ceramic resonator as the tuning circuit The structure is characterized in that a variable impedance circuit that changes impedance according to a control input is connected in parallel.
本発明では、当初可変インピーダンス回路は最も高いイ
ンピーダンスに設定され、このときセラミック共振器は
最も高いQとなっている。この状態で可変インピーダン
ス回路に制御入力を加えると、例えば、制御入力が大き
くなるにつれて、可変インピーダンス回路のインピーダ
ンスが小さくなり、これに伴い、同調回路としてのセラ
ミック共振器のQダンプが生じ、感度も低くなり、同セ
ラミック共振器からの出力が小さくなる。In the present invention, the variable impedance circuit is initially set to the highest impedance, and the ceramic resonator has the highest Q at this time. If a control input is applied to the variable impedance circuit in this state, for example, as the control input becomes larger, the impedance of the variable impedance circuit becomes smaller, which causes a Q-dump of the ceramic resonator as a tuned circuit, and the sensitivity also decreases. The output from the ceramic resonator becomes smaller.
これに対し、制御入力を小さくすると、可変インピーダ
ンス回路のインピーダンスが大きくなり、前記セラミッ
ク共振器のQのダンプ量が小さくなり、感度の低下も小
さくなってセラミック共振器の出力の低下も小さくなる
。このように、可変インピーダンス回路に加える制御入
力の大きさによってセラミック共振器のQダンプ量が変
化し、同セラミック共振器の出力信号の大きさが変化す
る。On the other hand, when the control input is made smaller, the impedance of the variable impedance circuit becomes larger, the Q dump amount of the ceramic resonator becomes smaller, the sensitivity decreases less, and the output of the ceramic resonator also decreases less. In this way, the Q-dump amount of the ceramic resonator changes depending on the magnitude of the control input applied to the variable impedance circuit, and the magnitude of the output signal of the ceramic resonator changes.
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第1
図には本発明の第1の実施例が示されている。本実施例
の回路はセラミック形静電センサ回路9と可変インピー
ダンス回路13とからなり、セラミック形静電センサ回
路9は、セラミック共振器を含む発振回路1と、この発
振回路Iのセラミック共振器とは別個独立の同円回路と
してのセラミック共振器12と、静電容量の変化を検出
してこれをセラミック共振器12の出力端子に加える検
出部3と、カップリングコンデンサ6とインダクタンス
素子7とからなる高インピーダンス化回路8と、ダイオ
ード10によって構成される検波回路4と、演算増幅器
21を含む増幅回路5とを有して構成されている。Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings. 1st
The figure shows a first embodiment of the invention. The circuit of this embodiment consists of a ceramic type electrostatic sensor circuit 9 and a variable impedance circuit 13. consists of a ceramic resonator 12 as a separate and independent circular circuit, a detection unit 3 that detects a change in capacitance and applies it to the output terminal of the ceramic resonator 12, a coupling capacitor 6, and an inductance element 7. The high-impedance circuit 8 includes a detection circuit 4 including a diode 10, and an amplifier circuit 5 including an operational amplifier 21.
可変インピーダンス回路13は、前記セラミック共振δ
12と並列に接続されるもので、この可変インビーダン
ス回路工3は、抵抗器14〜16.19と、電界効果ト
ランジスタ(FET)17と、コンデンサ18とからな
る。FET17は高周波の素子からなり、そのソースは
前記セラミック共振器12の出力端子に接続されている
。また、FET17のソースは抵抗器14を介してFE
T17の駆動電源に接続されている。FET17のドレ
ーンはバイアス抵抗器19を通してアースに接続されて
いる。また、FETのベースは抵抗器16を介して制御
入力端子11に接続されるとともにコンデンサ18を通
してアースされている。そして、FET17のソースと
ベース間には抵抗器15が設けられている。このFET
17の動作はA級増幅器としての動作をする。The variable impedance circuit 13 has the ceramic resonance δ
This variable impedance circuit 3 is connected in parallel with 12, and includes resistors 14 to 16, 19, a field effect transistor (FET) 17, and a capacitor 18. The FET 17 is made of a high frequency element, and its source is connected to the output terminal of the ceramic resonator 12. Further, the source of the FET 17 is connected to the FE via the resistor 14.
Connected to the drive power supply of T17. The drain of FET 17 is connected to ground through bias resistor 19. Further, the base of the FET is connected to the control input terminal 11 via a resistor 16 and grounded via a capacitor 18. A resistor 15 is provided between the source and base of the FET 17. This FET
17 operates as a class A amplifier.
本実施例は上記のように構成されており、以下、その作
用を説明する。The present embodiment is configured as described above, and its operation will be explained below.
発振回路1から例えばIGHzの超高周波数の発振周波
数信号が出力されている状態で、検出部3により微小静
電容量の変化が検出されると、第5図に示すように、セ
ラミック共振器12の共振周波数が偏倚し、同調点の変
化に対応して、発振回路1の発振周波数信号を搬送波と
する振幅変調波(AM(八amplitude Mod
ulation)変調波)が作り出され、このAM変調
波は高インピーダンス化回路8を経て検波回路4に加え
られる。検波回路4ではAM変調波を検波して静電容量
変化の検出帯域の信号に変換し、これを検出信号として
出力する。When the detection unit 3 detects a minute change in capacitance while the oscillation circuit 1 is outputting an oscillation frequency signal of an extremely high frequency of, for example, IGHz, as shown in FIG. 5, the ceramic resonator 12 The resonant frequency of the oscillation circuit 1 shifts, and in response to the change in the tuning point, an amplitude modulated wave (AM
This AM modulated wave is applied to the detection circuit 4 via the high impedance circuit 8. The detection circuit 4 detects the AM modulated wave, converts it into a signal in a capacitance change detection band, and outputs this as a detection signal.
検出信号は増幅回lIr5で信号増幅され、所望の信号
処理回路に加えられる。The detection signal is amplified by the amplifier circuit lIr5 and applied to a desired signal processing circuit.
この微小静電容量の検出に際し、制御入力端子11から
直流の制御入力を加えると、その制御入力の大きさに応
じてセラミック共振器12がら出力される電圧レベルの
大きさが変化する。すなわち、制御入力が大きくなると
、FET17のソース・ドレーン間の抵抗が小さくなり
、第3図に示すようにセラミンク共振器】2のQがダン
プする(Qが小さくなる)。このQのダンプ量は制御入
力が大きくなるにつれて大きくなる。Qがダンプすると
、検出感度も低くなり、セラミック共振器12の出力レ
ベルもQのダンプ量が太き(なるにつれて小さくなる。When detecting this minute capacitance, when a DC control input is applied from the control input terminal 11, the magnitude of the voltage level output from the ceramic resonator 12 changes depending on the magnitude of the control input. That is, as the control input increases, the resistance between the source and drain of the FET 17 decreases, and as shown in FIG. 3, the Q of the ceramic resonator 2 is dumped (Q becomes smaller). This dump amount of Q increases as the control input increases. When Q is damped, the detection sensitivity also becomes low, and the output level of the ceramic resonator 12 also becomes smaller as the amount of Q damping increases.
これに対し、制御入力信号の大きさを小さくすると、F
ET17のソース・ドレーン間の抵抗が太き(なり、セ
ラミック共振器12のQのダンプ量が小さくなる。そう
すると、検出感度の低下も小さくなり、セラミック共振
器12からの出力レベルの降下量も小さくなる。このよ
うに、制御入力信号の大きさを調整することにより、セ
ラミック共振器12の出力を可変調整することが可能と
なる。On the other hand, if the magnitude of the control input signal is reduced, F
The resistance between the source and drain of the ET17 becomes thicker, and the amount of Q damping of the ceramic resonator 12 becomes smaller.As a result, the detection sensitivity decreases less and the output level from the ceramic resonator 12 also decreases less. In this way, by adjusting the magnitude of the control input signal, it becomes possible to variably adjust the output of the ceramic resonator 12.
したがって、セラミック共振512のQを大きくし、微
小静電容量の検出を超高感度のもとで検出したい場合に
は、制御入力をOとすることにより達成され、検出感度
を低くした状態で静電容量の変化を検出したいときには
、制御入力信号をFET17のベース側に加えることに
より、その目的を達成することができる。そして制御入
力信号の大きさを可変調整することにより、そのQのダ
ンプ量が変化し、セラミック共振器12の出力信号のレ
ベルを任意に可変調整することが可能になる。Therefore, if you want to increase the Q of the ceramic resonance 512 and detect minute capacitance with ultra-high sensitivity, this can be achieved by setting the control input to O. When it is desired to detect a change in capacitance, this purpose can be achieved by applying a control input signal to the base side of FET 17. By variably adjusting the magnitude of the control input signal, the amount of Q dump changes, making it possible to arbitrarily variably adjust the level of the output signal of the ceramic resonator 12.
また、本実施例では、可変インピーダンス回路をFET
17を用いて構成しているので、このFET17をセラ
ミック共振器120周辺に配置することができ、セラミ
ック形静電センサ回路9の超高周波特性を良好に維持す
ることが可能となる。In addition, in this embodiment, the variable impedance circuit is
17, this FET 17 can be placed around the ceramic resonator 120, making it possible to maintain good ultra-high frequency characteristics of the ceramic electrostatic sensor circuit 9.
第2図には本発明の第2の実施例が示されている。この
第2の実施例が前記第1の実施例と異なることは、FE
T17のソースとセラミック共振器12の出力端子をカ
ップリングコンデンサ20を介して接続していることで
あり、それ以外の構成は前記第1の実施例とほぼ同様で
ある。A second embodiment of the invention is shown in FIG. The difference between this second embodiment and the first embodiment is that the FE
The source of T17 and the output terminal of the ceramic resonator 12 are connected via a coupling capacitor 20, but the other configuration is almost the same as that of the first embodiment.
なお、本発明は上記各実施例に限定されることはなく、
様々な実施の態様を採り得る。例えば、上記各実施例で
は、可変インピーダンス回路13をFET17を用いて
構成したが、この可変インピーダンス回路は制御入力の
大きさに応じてインピーダンスが変化する高インピーダ
ンス回路であればFET17以外の回路素子を用いて構
成することができる。Note that the present invention is not limited to the above embodiments,
Various implementation modes are possible. For example, in each of the above embodiments, the variable impedance circuit 13 is configured using the FET 17, but if the variable impedance circuit is a high impedance circuit whose impedance changes depending on the magnitude of the control input, circuit elements other than the FET 17 may be used. It can be configured using
また、制御入力端子11にはセラミック形静電センサ回
路9の出力信号をフィードバックさせて加えるようにし
てもよいし、他の外部回路から制御信号を加えるように
してもよい、このように、セラミック形静電センサ回路
9と可変インピーダンス回路13とでフィードバックル
ープを構成すれば、例えば環境変化や外乱等によりセラ
ミック共振器12の同調点が大きくずれるような場合に
、この環境変化等に伴う信号変動が制御入力信号として
FET17に加えられることになる。したがって、セラ
ミック共振器12のQをその環境変化時にダンプさせて
感度を低くし、これら環境変化等による影響を緩和させ
ることができることとなり、これにより、セラミック形
静電センサ回路9における検出動作の安定化を図ること
が可能となる。Further, the output signal of the ceramic electrostatic sensor circuit 9 may be fed back and applied to the control input terminal 11, or a control signal may be applied from another external circuit. By configuring a feedback loop with the electrostatic sensor circuit 9 and the variable impedance circuit 13, for example, if the tuning point of the ceramic resonator 12 shifts significantly due to environmental changes or disturbances, signal fluctuations due to the environmental changes, etc. will be applied to FET 17 as a control input signal. Therefore, it is possible to damp the Q of the ceramic resonator 12 when the environment changes, lowering the sensitivity, and mitigating the effects of these environmental changes, etc., thereby stabilizing the detection operation in the ceramic electrostatic sensor circuit 9. This makes it possible to achieve
また、セラミック形静電センサ回路9とは別個独立にセ
ンサを設け、このセンサからの信号を制御入力信号とし
て利用することも可能である。そうすれば、複合信号処
理回路が構成され、機能性に冨んだ様々な回路展開が可
能となり、例えば、周囲の雑音を測定するセンサを設け
、このセンサの検出信号を制御入力信号とすれば、セラ
ミック形静電センサ回路9を静電マイクロホン装置とし
て構成したとき、周囲の雑音を除外して遠方の音圧を選
択的に取り入れるズームマイクロホンとしての展開が図
れることになる。It is also possible to provide a sensor separately from the ceramic electrostatic sensor circuit 9 and use a signal from this sensor as a control input signal. In this way, a composite signal processing circuit will be constructed, and it will be possible to develop various circuits with rich functionality.For example, if a sensor is installed to measure ambient noise and the detection signal of this sensor is used as a control input signal, When the ceramic electrostatic sensor circuit 9 is configured as an electrostatic microphone device, it can be developed as a zoom microphone that selectively takes in distant sound pressure while excluding surrounding noise.
本発明は、可変インピーダンス回路の制御入力によって
同調回路としてのセラミック共振器のQのダンプ量を可
変し、該セラミック共振器の出力の大きさを可変調整す
るように構成したものであるから、静電容量の検出を超
高感度での検出からそれよりも感度の低い状態での検出
にわたり、目的とする適切な感度のもとて微小静電容量
の検出を行うことができる。The present invention is configured to vary the amount of Q damping of a ceramic resonator as a tuning circuit by the control input of the variable impedance circuit, and to variably adjust the magnitude of the output of the ceramic resonator. Capacitance detection ranges from detection at ultra-high sensitivity to detection at lower sensitivity, and minute capacitance can be detected with the desired sensitivity.
また、可変インピーダンス回路の制御入力信号を、セラ
ミック形静電センサの出力信号をフィードバックさせて
利用したり、あるいは別個独立のセンサ信号を利用する
等、様々な回路展開が可能となり、併せてセラミック形
静電センサにおける回路動作の安定化を達成することが
できる。In addition, various circuit developments are possible, such as using the control input signal of the variable impedance circuit by feeding back the output signal of the ceramic electrostatic sensor, or using separate sensor signals. Stabilization of circuit operation in an electrostatic sensor can be achieved.
さらに、可変インピーダンス回路に加える制御入力は直
流あるいは低周波の信号が一般的となるから、回路設計
や配線に際し、特別の配慮が不要となり、取り扱いが非
常に容易となる。Furthermore, since the control input applied to the variable impedance circuit is generally a direct current or low frequency signal, no special consideration is required in circuit design or wiring, making handling extremely easy.
第1図は本発明に係るセラミック形静電センサの可変出
力回路の第1の実施例を示す回路図、第2図は本発明の
第2の実施例を示す回路図、第3図は本発明の各実施例
における同調回路としてのセラミンク共振器のQダンプ
の説明図、第4図は従来の一般的な静電センサ回路のブ
ロック図、第5図は第4図の静電センサにおける微小静
電容量の検出動作を示す説明図である。
1・・・発振回路、2・・・同調回路、3・・・検出部
、4・・・検波回路、5・・・増幅回路、6・・・カッ
プリングコンデンサ、7・・・インダクタンス素子、8
・・・高インピーダンス化回路、9・・・セラミック形
静電センサ回路、10・・・ダイオード、11・・・制
御入力端子、12・・・セラミック共振器、13・・・
可変インピーダンス回路、14〜16・・・抵抗器、1
7・・−電界効果トランジスタCFET) 、18・・
・コンデンサ、20・・・カンプリングコンデンサ、2
1・・・演算増幅器。
第 1 図FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of a variable output circuit for a ceramic electrostatic sensor according to the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention, and FIG. An explanatory diagram of the Q-dump of the ceramic resonator as a tuning circuit in each embodiment of the invention, FIG. 4 is a block diagram of a conventional general electrostatic sensor circuit, and FIG. 5 is a microscopic diagram of the electrostatic sensor of FIG. FIG. 3 is an explanatory diagram showing a capacitance detection operation. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Oscillation circuit, 2... Tuning circuit, 3... Detection part, 4... Detection circuit, 5... Amplification circuit, 6... Coupling capacitor, 7... Inductance element, 8
... High impedance circuit, 9... Ceramic electrostatic sensor circuit, 10... Diode, 11... Control input terminal, 12... Ceramic resonator, 13...
Variable impedance circuit, 14-16...Resistor, 1
7...-field effect transistor CFET), 18...
・Capacitor, 20... Campling capacitor, 2
1...Operation amplifier. Figure 1
Claims (1)
検出される外部静電容量の変化に対応させて前記発振回
路との同調点を変化させ、この同調点の変化に対応する
振幅変調波を出力する前記発振回路の共振器とは別個独
立の同調回路としてのセラミック共振器とを有し、前記
同調回路としてのセラミック共振器には制御入力によっ
てインピーダンスを変化させる可変インピーダンス回路
が並列に接続されているセラミック形静電センサの可変
出力回路。An oscillation circuit that has a built-in resonator and outputs an oscillation frequency signal,
A tuning point separate and independent from the resonator of the oscillation circuit that changes a tuning point with the oscillation circuit in response to a change in detected external capacitance and outputs an amplitude modulated wave corresponding to the change in the tuning point. A variable output circuit for a ceramic electrostatic sensor, which has a ceramic resonator as a circuit, and a variable impedance circuit that changes impedance according to a control input is connected in parallel to the ceramic resonator as a tuning circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2164945A JPH0769371B2 (en) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | Variable output circuit of ceramic electrostatic sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2164945A JPH0769371B2 (en) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | Variable output circuit of ceramic electrostatic sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0454465A true JPH0454465A (en) | 1992-02-21 |
| JPH0769371B2 JPH0769371B2 (en) | 1995-07-31 |
Family
ID=15802839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2164945A Expired - Fee Related JPH0769371B2 (en) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | Variable output circuit of ceramic electrostatic sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769371B2 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5885948A (en) * | 1981-11-16 | 1983-05-23 | Murata Mfg Co Ltd | Detector for change of electrostatic capacitance |
-
1990
- 1990-06-22 JP JP2164945A patent/JPH0769371B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5885948A (en) * | 1981-11-16 | 1983-05-23 | Murata Mfg Co Ltd | Detector for change of electrostatic capacitance |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0769371B2 (en) | 1995-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8120439B2 (en) | Fast start-up crystal oscillator | |
| US4816743A (en) | Method and apparatus for the identification of oscillatory properties as well as for the operation of a piezo-electric tranducer | |
| US4310807A (en) | Digital position sensor including L/C sensing oscillator | |
| ATE284092T1 (en) | LOOP FILTER WITH A SWITCHED CAPACITOR RESISTOR FOR A PHASE CONTROL LOOP | |
| US3936765A (en) | Surface acoustic wave oscillators | |
| RU2483278C2 (en) | Inertial angular velocity sensor with deviation compensation | |
| US6191580B1 (en) | Configurable inductive proximity detector to detect ferrous or non-ferrous metal objects | |
| US11910150B2 (en) | Control of an electrostatic acoustic device | |
| US20070089513A1 (en) | Resonator based transmitters for capacitive sensors | |
| US7859351B2 (en) | Driver device, physical quantity measuring device, and electronic instrument | |
| US6588276B2 (en) | Acceleration sensor | |
| US20060022763A1 (en) | Temperature compensated piezoelectric oscillator and electronic apparatus comprising it | |
| US5508662A (en) | Variable frequency inductive proximity sensor | |
| US4553110A (en) | JFET Reflection oscillator | |
| Cao et al. | Drive amplitude dependence of micromechanical resonator series motional resistance | |
| US4733200A (en) | Controlled feedback path voltage controlled oscillator | |
| JPH0454465A (en) | Variable output circuit for ceramic type electrostatic sensor | |
| JP5040798B2 (en) | Piezoelectric oscillator | |
| US4609885A (en) | Device providing compensation for acceleration sensitivity of an oscillator | |
| KR0155240B1 (en) | Drive of electrostatic converting means | |
| JP3307032B2 (en) | Electrostatic sensor | |
| JPH0815347A (en) | Multichannel electrostatic sensor | |
| JP2518187B2 (en) | Electrostatic sensor device | |
| JPH04186168A (en) | Static electricity sensor device | |
| JPH0430699A (en) | Condenser microphone device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |