JPH0454722A - Circuit for generating control signal while depending upon generation of extremal value of sine wave vibration and utilization of such circuit - Google Patents

Circuit for generating control signal while depending upon generation of extremal value of sine wave vibration and utilization of such circuit

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JPH0454722A
JPH0454722A JP2165479A JP16547990A JPH0454722A JP H0454722 A JPH0454722 A JP H0454722A JP 2165479 A JP2165479 A JP 2165479A JP 16547990 A JP16547990 A JP 16547990A JP H0454722 A JPH0454722 A JP H0454722A
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Abstract

PURPOSE: To generate a control signal within the relatively wide frequency range of sine wave oscillation and to make the signal usable by controlling the a circuit with the charged voltage of a storage element so that the circuit can output the control signal while the charged voltage is smaller than the extremal value of a sine wave voltage. CONSTITUTION: When a sine wave is inputted to a high-frequency input terminal 12, a circuit point 32 oscillates and a capacitor 22 is caused to discharge through an FET 26. The time constant of the discharge is set so that the potential at the point 32 can change in the positive direction during the duration of the period of the sine wave oscillation. When the sine wave oscillation at the terminal 12 again approaches the minimum value and the potential at the point 32 again becomes lower, the FET 20 is again conducted and a charging current flows to the capacitor 22 and, in addition, the potential at the point 32 is again pulled toward the minimum value of the sine wave oscillation. Because of the short current pulse which flows to recharge the capacitor 22, the FET 24 is changed to a conducted state during the duration of the current pulse. Consequently, a negative pulse at an output terminal 14 relates to the minimum value of the sine wave oscillation.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、正弦波振動の極値の発生に依存して制御パル
スを発生するための回路配置に関すると共に、コイルと
コンデンサとからなる振動中の共振回路の振動を瞬間高
周波搬送波パルスによって維持するためのかかる回路の
利用に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a circuit arrangement for generating control pulses depending on the occurrence of extrema of sinusoidal oscillations and to the resonance during oscillations consisting of a coil and a capacitor. The present invention relates to the use of such circuits to maintain circuit oscillations by means of instantaneous high frequency carrier pulses.

発明の要約 共振回路には、共振周波数で刺激されると、励振エネル
ギーの供給がなくなっても振動を継続する性質がある。
SUMMARY OF THE INVENTION Resonant circuits have the property of continuing to vibrate when stimulated at a resonant frequency even when the supply of excitation energy is removed.

しかし、共振回路の成分には損失があり、また共振回路
に接続される他の素子も減衰に影響する可能性があるか
ら、減衰損失を十分に相殺する高いエネルギーが共振回
路に対して再供給されない限り、振動は原則として不定
期に非常に急速に減衰する。エネルギー供給が自動の意
味で行われ、振動を維持するためには、この供給が正し
い瞬間に行われねばならない。従って、制御信号を発生
することができ、そのため共振回路に対してエネルギー
供給を行うことができ、そして共振回路の振動を維持す
ることを目的とする回路が要求される。
However, since the components of the resonant circuit have losses, and other elements connected to the resonant circuit can also affect the attenuation, high energy is resupplied to the resonant circuit to sufficiently offset the attenuation loss. Unless otherwise specified, the vibrations will in principle decay very rapidly at irregular intervals. In order for the energy supply to take place in an automatic sense and to maintain the oscillations, this supply must take place at the correct moment. Therefore, a circuit is required which is capable of generating a control signal and thus of energy supply to the resonant circuit and whose purpose is to maintain the oscillation of the resonant circuit.

故に、本発明は、冒頭に記載した種類の回路を提供し、
そしてこの回路により高額な支出を行うことなく、かか
る制御信号を正弦波振動の比較的大きな周波数範囲にお
いて発生・使用できるという課題に基づくものである。
The invention therefore provides a circuit of the type mentioned at the outset,
This circuit is based on the problem that such a control signal can be generated and used in a relatively large frequency range of sinusoidal oscillations without requiring large expenditures.

本発明によれば、この課題は、正弦波振動の極値の1つ
にダイオードを介して充電される記憶素子と、この記憶
素子の放電経路と、正弦波振動の周期内で記憶素子の放
電が相当性じるように決定された放電経路の時定数と、
記憶素子の充電電圧によって制御可能であって、かつ、
充電電圧が正弦波電圧の極値以下の間出力に制御信号を
与えるスイッチ素子とによって解決される。
According to the invention, this problem is solved by a storage element that is charged via a diode to one of the extreme values of the sinusoidal oscillation, a discharge path of this storage element, and a discharge path of the storage element within the period of the sinusoidal oscillation. the time constant of the discharge path determined so that
controllable by the charging voltage of the memory element, and
and a switch element that provides a control signal to the output while the charging voltage is below the extreme value of the sinusoidal voltage.

本発明による回路の場合、正弦波振動の各極値の一つに
おいて、それぞれ一つのパルスを発生することができる
が、この関係は正弦波振動の比較的大きな範囲にわたっ
て維持される。
With the circuit according to the invention, one pulse can be generated at each extreme value of the sinusoidal oscillations, but this relationship is maintained over a relatively large range of the sinusoidal oscillations.

本発明による回路配置の好ましい利用は、後述する開示
事項の第3項によって特徴づけられる。
A preferred use of the circuit arrangement according to the invention is characterized by paragraph 3 of the disclosure below.

この利用の場合、共振回路は、瞬間高周波搬送波パルス
により刺激され振動し、この共振回路にはさらに振動を
継続させるように必要とするエネルギーが常に供給され
る。発生された制御信号がスイッチを閉じ、このスイッ
チを介して共振回路に対するエネルギー供給が各場合に
同相で行われるからである。制御信号は正弦波振動の極
値で発生されるので、エネルギー供給は必然的に同相に
なる。そのため、事実上、共振回路に対するエネルギー
供給は、結果的に自助の意味になる。
In this application, the resonant circuit is stimulated to oscillate by instantaneous high-frequency carrier pulses, and the resonant circuit is constantly supplied with the necessary energy to continue the oscillation. This is because the generated control signal closes the switch, via which the energy supply to the resonant circuit takes place in each case in phase. Since the control signals are generated at the extremes of the sinusoidal oscillations, the energy supply is necessarily in phase. Therefore, in effect, supplying energy to the resonant circuit ends up being self-help.

本発明による回路の利用に有利な展開は、後述する開示
事項の第4項によって特徴づけられる。
An advantageous development of the use of the circuit according to the invention is characterized by paragraph 4 of the disclosure below.

この展開の場合、共振回路はトランスポンダの一部であ
り、このトランスポンダの共振回路の振動が利用されて
トランスポンダの機能順序を制御するクロック信号を発
生する。本発明における特別な特徴は、トランスポンダ
がそれ自身の供給電圧電源を有せず、ただ記憶コンデン
サが設けられているに過ぎない。この記憶コンデンサは
高周波搬送波周波数パルスによって充電され、この高周
波搬送波周波数パルスも共振回路を刺激して振動させる
ことである。高周波搬送波パルスの結末直後、本発明の
回路は、共振回路内の正弦波振動の極値の一つに依存し
て制御信号の発生を開始する。また、発生された制御信
号により、エネルギーが次に記憶コンデンサから共振回
路に対し供給される。
In this development, the resonant circuit is part of the transponder, and the vibrations of the resonant circuit of the transponder are used to generate a clock signal that controls the functional sequence of the transponder. A special feature of the invention is that the transponder does not have its own supply voltage source, but is only provided with a storage capacitor. This storage capacitor is charged by a high frequency carrier frequency pulse, and this high frequency carrier frequency pulse also stimulates the resonant circuit to vibrate. Immediately after the conclusion of the high-frequency carrier pulse, the circuit of the invention begins to generate a control signal depending on one of the extreme values of the sinusoidal oscillations in the resonant circuit. The generated control signal also causes energy to then be supplied from the storage capacitor to the resonant circuit.

そして、この供給は記憶コンデンサのエネルギーが使い
尽くされるまで継続される。この期間は、共振回路の正
弦波振動から誘導されるクロック信号の制御下で、トラ
ンスポンダに記憶されたメツセージを受信装置に対して
転送するために利用される。
This supply continues until the energy in the storage capacitor is exhausted. This period is used to transfer the message stored in the transponder to the receiving device under the control of a clock signal derived from the sinusoidal oscillations of the resonant circuit.

実施例 ここで、本発明を実施例により、図面を用いて説明する
EXAMPLES The present invention will now be described by way of examples and with reference to the drawings.

第1図に具体的に説明される回路10には、動作時、正
弦波振動が加えられる高周波入力端子12が含まれる。
The circuit 10 illustrated in FIG. 1 includes a high frequency input terminal 12 to which sinusoidal vibrations are applied during operation.

この回路には、また、制御信号を供給することができる
出力端子14も含まれる。
The circuit also includes an output terminal 14 to which control signals can be supplied.

端子工6は電源電圧端子としての働きをし、また入力端
子18は接地端子としての働きをする。
The terminal 6 serves as a power supply voltage terminal, and the input terminal 18 serves as a ground terminal.

高周波入力端子12は、ダイオードとして接続される電
界効果トランジスタ20を介し、コンデンサ22の一方
のプレートに接続される。そして、このコンデンサ22
は、今後説明されるように、記憶素子としての働きをす
るものである。該コンデンサ22の他方のプレートは、
電源電圧端子16に接続される。そのほか、高周波入力
端子12は、直列接続された2個の電界効果トランジス
タ24.25のうちの一方の電界効果トランジスタ24
のソースに接続されており、他方の電界効果トランジス
タ25のドレインは、電源電圧端子16に接続されてい
る。電界効果トランジスタ24.25によるソースドレ
ーンの接続点から出力14が得られる。ダイオードとし
て機能するように接続された電界効果トランジスタ20
は、電界効果トランジスタ24のゲートに、また電界効
果トランジスタ26のドレーンに接続される。また、こ
の電界効果トランジスタ26のソースは電源電圧端子1
6に接続される一方、そのゲートは電界効果トランジス
タ25のゲートに接続される。
The high frequency input terminal 12 is connected to one plate of a capacitor 22 via a field effect transistor 20 connected as a diode. And this capacitor 22
serves as a storage element, as will be explained later. The other plate of the capacitor 22 is
It is connected to the power supply voltage terminal 16. In addition, the high frequency input terminal 12 is connected to one field effect transistor 24 of two field effect transistors 24 and 25 connected in series.
The drain of the other field effect transistor 25 is connected to the power supply voltage terminal 16. Output 14 is obtained from the source-drain connection by field-effect transistors 24,25. Field effect transistor 20 connected to function as a diode
is connected to the gate of field effect transistor 24 and to the drain of field effect transistor 26. Further, the source of this field effect transistor 26 is connected to the power supply voltage terminal 1.
6, while its gate is connected to the gate of a field effect transistor 25.

さらに、電界効果トランジスタ26のゲートに接続され
るものには、電源電圧端子16と接地端子18との間に
直列に接続される2個の抵抗器28.30の接続点があ
る。
Furthermore, connected to the gate of the field effect transistor 26 is the junction of two resistors 28, 30 connected in series between the supply voltage terminal 16 and the ground terminal 18.

第1図の回路に記載される電界効果トランジスタ20.
24はN−チャネル酸化金属半導体電界効果トランジス
タであり、また電界効果トランジスタ25.26はP−
チャネル酸化金属半導体電界効果トランジスタである。
Field effect transistor 20 as described in the circuit of FIG.
24 is an N-channel metal oxide semiconductor field effect transistor, and field effect transistors 25 and 26 are P-channel
It is a channel metal oxide semiconductor field effect transistor.

電界効果トランジスタ25.26は、・抵抗器28と3
0からなる分圧器に接続されるため、固定バイアス電圧
に印加されるので、定電流電源としての働きをする。電
界効果トランジスタ25は、電界効果トランジスタ24
の負荷抵抗としての働きをする。
The field effect transistors 25, 26 are: - resistors 28 and 3
Since it is connected to a voltage divider consisting of 0, a fixed bias voltage is applied, so it functions as a constant current power supply. The field effect transistor 25 is the field effect transistor 24
acts as a load resistance.

第1図の回路は、次のように動作する:正弦波振動、す
なわち正弦波が、高周波入力端子12に加えられると、
回路点32は正弦波振動がその最小値に達するまでその
正弦波振動に従って振動する。正弦波振動が再び大きく
なり始めるや否や電界効果トランジスタ20の制止動作
が働くため、回路点32は正弦波振動の最小値の電位に
保持される。コンデンサ22は、正弦波振動の最小値の
該電位のための記憶素子としての働きをする。コンデン
サ22に並列に、かつ、既述のように電流源として作用
する電界効果トランジスタ26を介し、コンデンサ22
の放電が起こる。この時、放電時定数は、抵抗体28と
30からなる分圧器によって正弦波振動の周期の継続期
間以内に記憶素子のかなりの放電が生じるように、即ち
、回路点32の電位が正方向に変化するように設定され
る。
The circuit of FIG. 1 operates as follows: When a sinusoidal vibration, or sine wave, is applied to the high frequency input terminal 12,
Circuit point 32 oscillates according to the sinusoidal oscillation until it reaches its minimum value. As soon as the sinusoidal oscillation begins to increase again, the blocking action of the field effect transistor 20 takes effect, so that the circuit point 32 is held at the potential of the minimum value of the sinusoidal oscillation. Capacitor 22 acts as a storage element for the potential of the minimum value of the sinusoidal oscillation. In parallel to the capacitor 22, the capacitor 22 is
A discharge occurs. The discharge time constant is then set such that the voltage divider consisting of the resistors 28 and 30 causes a significant discharge of the storage element within the duration of the period of the sinusoidal oscillation, i.e. the potential at the circuit point 32 is in the positive direction. Set to change.

高周波入力端子12における正弦波振動が、再びその最
小値に近づき、そして特に再び回路点32の電位より低
い電圧値(ダイオードとして接続される電界効果トラン
ジスタ20のしきい値電圧とは別)に達するや否や、電
界効果トランジスタ20が再び導電性になるため、充電
電流がコンデンサ22に流れ、その結果、回路点32の
電位が再び正弦波振動の最小値の方へ引き寄せられる。
The sinusoidal oscillation at the high-frequency input terminal 12 approaches its minimum value again and, in particular, again reaches a voltage value lower than the potential of the circuit point 32 (apart from the threshold voltage of the field-effect transistor 20 connected as a diode). As soon as the field effect transistor 20 becomes conductive again, a charging current flows through the capacitor 22, so that the potential at the circuit point 32 is again drawn towards the minimum of the sinusoidal oscillation.

コンデンサ22の再充電のために流れる短い電流パルス
によって、電界効果トランジスタ24が該電流パルスの
継続期間導電性状態に変化する。その結果、出力端子1
4において、負パルスが現れるが、この負パルスは明ら
かに高周波入力端子12の正弦波振動の最小値に関連す
る。
A short current pulse flowing to recharge capacitor 22 causes field effect transistor 24 to change into a conductive state for the duration of the current pulse. As a result, output terminal 1
4, a negative pulse appears, which is clearly associated with the minimum value of the sinusoidal oscillation of the high-frequency input terminal 12.

第1図の回路配置の好ましい利用を、第2図に、略図の
回路図を用いて示す。
A preferred use of the circuit arrangement of FIG. 1 is illustrated in FIG. 2 using a schematic circuit diagram.

第2図に具体的に説明される回路はトランスポンダの一
部であり、第1図の回路の利用を説明するために必要な
素子だけを示すものである。第2図の回路に含まれ、コ
ンデンサ36と38からなる共振回路は、送信装置によ
って発信される高周波搬送波パルスを用いて刺激すれば
、振動させることができる。該パルスは、第2図には示
してないが、共振回路に対して供給されるアンテナによ
って受信することができるけれども、コイル38にかぎ
り該アンテナの一部とすることができる。
The circuit specifically illustrated in FIG. 2 is part of a transponder, and only those elements necessary to explain the use of the circuit of FIG. 1 are shown. The resonant circuit included in the circuit of FIG. 2 and consisting of capacitors 36 and 38 can be caused to oscillate when stimulated using high frequency carrier pulses emitted by a transmitting device. Although the pulses can be received by an antenna, not shown in FIG. 2, which is fed to the resonant circuit, only the coil 38 can be part of the antenna.

共振回路34に対して並列な位置にある抵抗器40は、
共振回路34を減衰させる全ての要因を代表するものと
して示すものである。
A resistor 40 located in parallel to the resonant circuit 34 is
It is shown to be representative of all factors that dampen the resonant circuit 34.

ダイオード42は、抵抗器40、コンデンサ36、およ
びコイル38からなる並列回路からアースへ接続されて
いる。このダイオードと並列にスイッチ44があり、こ
のスイッチは回路10からの制御信号によって閉じるこ
とができる。実際には、スイッチ44は電子スイッチで
あり、このスイッチは出力端子14からの制御信号を受
けると、非導電性状態から導電性状態になる。
Diode 42 is connected to ground from a parallel circuit consisting of resistor 40, capacitor 36, and coil 38. In parallel with this diode is a switch 44 which can be closed by a control signal from the circuit 10. In practice, switch 44 is an electronic switch that changes from a non-conductive state to a conductive state upon receiving a control signal from output terminal 14 .

第2図には、供給電圧電源46が具体的に説明されてい
る。この供給電圧電源は、トランスポンダで概要を述べ
た利用の場合、コンデンサによる構成とすることができ
る。このコンデンサは、ダイオード42を用いて高周波
搬送波パルスを整流することによって充電されるもので
ある。コンデンサ46の電圧は、回路10の供給電圧と
しての働きをすると同時に、エネルギー源としての働き
をする。このエネルギー源から、回路10からの制御信
号の制御下でスイッチ44が閉じる毎に、共振回路34
は共振回路34内で正弦波振動を維持するエネルギーパ
ルスを受ける。勿論、コンデンサ36およびこのコンデ
ンサに蓄えられるエネルギーの大きさによって左右され
る限定された時間、正弦波振動を維持することができる
に過ぎない。
In FIG. 2, the supply voltage power source 46 is specifically illustrated. This supply voltage source can be configured by a capacitor in the case of the application outlined in the transponder. This capacitor is charged by rectifying a high frequency carrier pulse using a diode 42. The voltage on capacitor 46 serves as a supply voltage for circuit 10 and at the same time serves as an energy source. From this energy source, each time the switch 44 closes under the control of the control signal from the circuit 10, the resonant circuit 34
receives an energy pulse that maintains a sinusoidal oscillation within the resonant circuit 34. Of course, sinusoidal oscillations can only be maintained for a limited time, which depends on the capacitor 36 and the amount of energy stored in it.

回路10は、常に共振回路34の正弦波振動の最小値の
領域内で、出力端子14に制御信号を発生し、その結果
、スイッチが閉じることもこの領域で起きる。これは、
共振回路に対する同相のエネルギー供給になり、正弦波
振動を維持するための前提条件である。
The circuit 10 always generates a control signal at the output terminal 14 within the region of the minimum value of the sinusoidal oscillation of the resonant circuit 34, so that the closing of the switch also occurs in this region. this is,
This results in an in-phase energy supply to the resonant circuit, a prerequisite for maintaining sinusoidal oscillations.

第1図に具体的に説明される回路を変更すれば、正弦波
振動の最大値の領域内で容易に制御信号を発生できるこ
とが指摘される。これを行うためには、現在使用されて
いる各N−チャネル酸化金属電界効果形トランジスタの
代わりにP−チャネル酸化金属電界効果形トランジスタ
を使用し、またその逆に現在使用されている各P−チャ
ネル酸化金属電界効果形トランジスタの代わりにN−チ
ャネル酸化金属電界効果形トランジスタを使用すること
が必要になるに過ぎないであろう。第2図の回路も、容
易に、回路10からの制御信号の開極性に対して適応さ
せることができるであろう。
It is pointed out that by modifying the circuit specifically illustrated in FIG. 1, it is possible to easily generate a control signal within the region of the maximum value of the sinusoidal vibration. To do this, a P-channel metal oxide field effect transistor is used in place of each N-channel metal oxide field effect transistor currently used, and vice versa. It would only be necessary to use an N-channel metal oxide field effect transistor instead of a channel metal oxide field effect transistor. The circuit of FIG. 2 could also be easily adapted to the polarity of the control signal from circuit 10.

以上の記載に関連して以下の事項を開示する。The following matters are disclosed in connection with the above description.

1、正弦波振動の極値の発生に依存して制御信号を発生
する回路において、 正弦波振動の極値の1つにダイオードを介して充電され
る記憶素子22と、 その記憶素子22用の放電経路と、 正弦波振動の周期期間内に記憶素子22の相当の放電が
生じるように決定された放電経路の時定数と、 前記記憶素子の充電電圧によって制御され、かつ、前記
充電電圧が正弦波電圧の極値より小さい期間中出力端子
14に制御信号を与えるスイッチ素子と、 を備えることを特徴とする回路。
1. In a circuit that generates a control signal depending on the occurrence of an extreme value of a sine wave oscillation, a memory element 22 that is charged via a diode to one of the extreme values of the sine wave oscillation; a discharge path, a time constant of the discharge path determined such that a substantial discharge of the storage element 22 occurs within a period of the sinusoidal oscillation; and a charging voltage of the storage element, the charging voltage being 1. A circuit comprising: a switch element that applies a control signal to an output terminal 14 during a period when the wave voltage is smaller than an extreme value.

2、 前記スイッチ素子が電界効果トランジスタ24で
あり、そのゲート電極に前記記憶素子22の充電電圧が
印加され、そのソース電極に正弦波振動が供給され、そ
してそのドレーン電極が負荷抵抗としての働きをする定
電流電源22と接続状態にあることを特徴とする前記第
1項記載の回路。
2. The switching element is a field effect transistor 24, the charging voltage of the storage element 22 is applied to its gate electrode, a sine wave vibration is applied to its source electrode, and its drain electrode functions as a load resistance. 2. The circuit according to item 1, wherein the circuit is connected to a constant current power source 22.

3、前記共振回路34が制御可能なスイッチ44と直列
接続の状態にあり、この制御可能なスイッチが次に供給
電圧電源46と並列に接続されること、および該制御可
能なスイッチ44がスイッチ素子24により供給される
制御信号によって閉状態に切り替えることができ、この
閉状態において該制御可能なスイッチが供給電圧電源4
6の出力電圧を共振回路に印加することを特徴とし、コ
イルとコンデンサからなり、かつ、瞬間高周波搬送波パ
ルスによって刺激されて振動する共振回路の振動を維持
するための前記第1項又は2項記載の回路。
3. said resonant circuit 34 is in series connection with a controllable switch 44, which controllable switch is in turn connected in parallel with a supply voltage source 46; and said controllable switch 44 is a switch element. 24, in which the controllable switch is switched to the closed state by a control signal supplied by the supply voltage source 4.
6 is applied to the resonant circuit, and the resonant circuit is composed of a coil and a capacitor, and is stimulated by an instantaneous high-frequency carrier wave pulse to maintain the vibration of the resonant circuit. circuit.

4、共振回路34の前記コイル38がトランスポンダの
受信部の受信コイルであり、このトランスポンダの供給
電圧電源がコンデンサによって形成され、このコンデン
サが該共振回路34の該コイル38によって受信される
高周波搬送波パルスの整流によって充電されること、お
よび該高周波搬送波パルスの結末後該共振回路の振動が
該トランスポンダのクロックパルスの発生に役立つこと
を特徴とする前記第3項記載の回路。
4. The coil 38 of the resonant circuit 34 is the receiving coil of the receiving part of the transponder, and the supply voltage source of this transponder is formed by a capacitor, and this capacitor is responsible for the high-frequency carrier pulses received by the coil 38 of the resonant circuit 34. 4. A circuit according to claim 3, characterized in that the circuit is charged by the rectification of the high-frequency carrier pulse, and that the oscillations of the resonant circuit after the conclusion of the high-frequency carrier pulse serve to generate the clock pulse of the transponder.

5、 回路はその助けで、正弦波振動の極値の発生に依
存して、制御信号を発生することができるものと説明さ
れる。
5. The circuit is described as being able to generate control signals with the help of which, depending on the occurrence of the extrema of the sinusoidal oscillations.

回路10には、記憶素子22が含まれるが、この記憶素
子はダイオード20を介して正弦波振動の各極値の一つ
に充電される。記憶素子22には、放電通路26が存在
するけれども、その時定数の大きさは、正弦波振動の周
期の継続期間以内に、記憶素子22のかなりの放電が起
こるように決められる。記憶素子22の充電電圧によっ
て制御可能なスイッチ素子24は、記憶素子22の充電
電圧が正弦波振動の極値より小さい時間の間、制御信号
をその出力端子14に供給する。この回路は、瞬間高周
波搬送波パルスによって振動するように刺激を受ける共
振回路の振動を維持するために利用することができる。
Circuit 10 includes a storage element 22 which is charged via diode 20 to one of each extreme value of the sinusoidal oscillation. A discharge path 26 is present in the storage element 22, the time constant of which is dimensioned such that a significant discharge of the storage element 22 occurs within the duration of a period of sinusoidal oscillation. A switch element 24 controllable by the charging voltage of the storage element 22 supplies a control signal to its output terminal 14 during the time when the charging voltage of the storage element 22 is less than the extreme value of the sinusoidal oscillation. This circuit can be utilized to maintain the oscillation of a resonant circuit that is stimulated to oscillate by an instantaneous high frequency carrier pulse.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明による回路図、 第2図は、本発明による実施例を説明するための基本回
路図である。 10・・・・・・回路、 16・・・・・・電源電圧端子、 18・・・・・・接地端子、 20.24・・・・・・N−チャネル電界効果トランジ
スタ、 25.26・・・・・・P−チャネル電界効果トランジ
スタ。
FIG. 1 is a circuit diagram according to the present invention, and FIG. 2 is a basic circuit diagram for explaining an embodiment according to the present invention. 10... Circuit, 16... Power supply voltage terminal, 18... Ground terminal, 20.24... N-channel field effect transistor, 25.26. ...P-channel field effect transistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 正弦波振動の極値の発生に依存して制御信号を発生する
回路において、 正弦波振動の極値の1つにダイオードを介して充電され
る記憶素子(22)と、 その記憶素子(22)用の放電経路を、 正弦波振動の周期期間内に記憶素子(22)の相当の放
電が生じるように決定された放電経路の時定数と、 前記記憶素子の充電電圧によって制御され、かつ、前記
充電電圧が正弦波電圧の極値より小さい期間中出力端子
(14)に制御信号を与えるスイッチ素子と、 を備えることを特徴とする回路。
[Claims] A circuit for generating a control signal depending on the occurrence of an extreme value of a sinusoidal oscillation, comprising: a memory element (22) charged via a diode to one of the extreme values of the sinusoidal oscillation; The discharge path for the storage element (22) is determined by the time constant of the discharge path, which is determined such that a substantial discharge of the storage element (22) occurs within the period of the sinusoidal oscillation, and by the charging voltage of said storage element. a switching element which is controlled and which provides a control signal to an output terminal (14) during a period in which said charging voltage is smaller than an extreme value of a sinusoidal voltage.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003002130A (en) * 2001-06-20 2003-01-08 Fuji Heavy Ind Ltd Interior material with seal function

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