JPH0454823Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0454823Y2 JPH0454823Y2 JP7465786U JP7465786U JPH0454823Y2 JP H0454823 Y2 JPH0454823 Y2 JP H0454823Y2 JP 7465786 U JP7465786 U JP 7465786U JP 7465786 U JP7465786 U JP 7465786U JP H0454823 Y2 JPH0454823 Y2 JP H0454823Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- processing stage
- stage plate
- processed
- lamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 4
- MUJOIMFVNIBMKC-UHFFFAOYSA-N fludioxonil Chemical compound C=12OC(F)(F)OC2=CC=CC=1C1=CNC=C1C#N MUJOIMFVNIBMKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
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Landscapes
- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案はランプイメージフアーネスに関するも
のである。
のである。
ランプイメージフアーネスは、ランプの放射光
をミラーで反射して被処理物に照射し、加熱処理
するものであるが、他の加熱炉に比べてエネルギ
ー効率が高くて迅速に処理でき、被処理物を汚染
しないなどの利点を有するために、各種の産業用
用途に幅広く利用されている。
をミラーで反射して被処理物に照射し、加熱処理
するものであるが、他の加熱炉に比べてエネルギ
ー効率が高くて迅速に処理でき、被処理物を汚染
しないなどの利点を有するために、各種の産業用
用途に幅広く利用されている。
ところで、従来は単一の楕円形ミラーで被処理
物に集光する方式のものが多かつたが、この方式
では、被処理物の出し入れを容易にするためもあ
つて楕円形ミラーで被処理物をも完全に取り囲ん
でいるわけではないので、どうしても光が外部に
拡散してしまう。更には、ランプの発光部は完全
な点ではなくて大きさを有するために、この発光
部をミラーの第1焦点に配置しても第2焦点に配
置された被処理物に完全には集光せず、処理台も
加熱するために光の利用効率が高くないという問
題点がある。また、加熱処理中の被処理物の温度
を測定するなどして被処理物を観測することは困
難であつた。
物に集光する方式のものが多かつたが、この方式
では、被処理物の出し入れを容易にするためもあ
つて楕円形ミラーで被処理物をも完全に取り囲ん
でいるわけではないので、どうしても光が外部に
拡散してしまう。更には、ランプの発光部は完全
な点ではなくて大きさを有するために、この発光
部をミラーの第1焦点に配置しても第2焦点に配
置された被処理物に完全には集光せず、処理台も
加熱するために光の利用効率が高くないという問
題点がある。また、加熱処理中の被処理物の温度
を測定するなどして被処理物を観測することは困
難であつた。
そこで本考案は、ランプの放射光が被処理物に
効率良く集光してエネルギーの利用効率が高く、
また、加熱処理中の被処理物の温度を測定するな
どして被処理物を観測することが可能であり、更
には被処理物の出し入れも容易なランプイメージ
フアーネスを提供することを目的とするものであ
る。
効率良く集光してエネルギーの利用効率が高く、
また、加熱処理中の被処理物の温度を測定するな
どして被処理物を観測することが可能であり、更
には被処理物の出し入れも容易なランプイメージ
フアーネスを提供することを目的とするものであ
る。
本考案のランプイメージフアーネスは、石英ガ
ラス、透明マグネシア、サフアイアなどの透明な
材質からなり、被処理物が載置される処理ステー
ジ板と、この処理ステージ板の下側に配置され、
被処理物観測孔を有する凹状の第1ミラーと、該
処理ステージ板と該第1ミラーとを一体的に支持
する可動型保持台と、処理ステージ板を上側から
取り囲む第2ミラーと、発光フイラメントもしく
は発光プラズマが該第2ミラー内に位置し、その
放射光が第2ミラーに反射されて被処理物に指向
するランプとよりなることを特徴とするものであ
る。
ラス、透明マグネシア、サフアイアなどの透明な
材質からなり、被処理物が載置される処理ステー
ジ板と、この処理ステージ板の下側に配置され、
被処理物観測孔を有する凹状の第1ミラーと、該
処理ステージ板と該第1ミラーとを一体的に支持
する可動型保持台と、処理ステージ板を上側から
取り囲む第2ミラーと、発光フイラメントもしく
は発光プラズマが該第2ミラー内に位置し、その
放射光が第2ミラーに反射されて被処理物に指向
するランプとよりなることを特徴とするものであ
る。
以下に図面に示す実施例に基いて本考案を具体
的に説明する。
的に説明する。
基板11上には支持板12が配置され、この支
持板12にはレール13が取付けられている。第
1ミラー2の下面には冷却板9を介してスライド
シフター14が固着されており、このスライドシ
フター14がレール13に摺動可能に跨つてい
る。第1ミラー2はアルミ合金の表面に赤外線の
反射率が高い金メツキを施した球面鏡であり、そ
の中央には観測孔21が穿設されている。第1ミ
ラー2の上には受枠16が取付けられ、この受枠
16に例えば電子部品用のアルミナ製コンデンサ
ーである被処理物10が載置される透明な処理ス
テージ板1が嵌め込まれている。従つて、スライ
ドシフター14は処理ステージ板1と第1ミラー
2を一体的に保持する可動型保持台となつてい
る。この処理ステージ板1は石英ガラス、透明マ
グネシア、サフアイアなどの透明な材質からなる
が、処理温度が800℃程度以下のときは石英ガラ
ス、1500℃程度以下のときはサフアイア、200℃
程度以下のときは透明マグネシアを使用するのが
良い。そして、被処理物10が載置される部分は
第1ミラー2の球面の中心に位置している。観測
孔21の直下には、ランプ7の主な放射成分であ
る可視光は透過する赤外線反射フイルターからな
るハーフミラー3が45度の角度で配置されてお
り、透明な処理ステージ板1を透過した被処理物
10からの放射成分を直角に反射するが、その光
路にはシリコン検出素子からなる放射温度計4が
配置されている。このシリコン検出素子は波長が
0.9μmの光を中心とした赤外線を検出する特性を
有する。
持板12にはレール13が取付けられている。第
1ミラー2の下面には冷却板9を介してスライド
シフター14が固着されており、このスライドシ
フター14がレール13に摺動可能に跨つてい
る。第1ミラー2はアルミ合金の表面に赤外線の
反射率が高い金メツキを施した球面鏡であり、そ
の中央には観測孔21が穿設されている。第1ミ
ラー2の上には受枠16が取付けられ、この受枠
16に例えば電子部品用のアルミナ製コンデンサ
ーである被処理物10が載置される透明な処理ス
テージ板1が嵌め込まれている。従つて、スライ
ドシフター14は処理ステージ板1と第1ミラー
2を一体的に保持する可動型保持台となつてい
る。この処理ステージ板1は石英ガラス、透明マ
グネシア、サフアイアなどの透明な材質からなる
が、処理温度が800℃程度以下のときは石英ガラ
ス、1500℃程度以下のときはサフアイア、200℃
程度以下のときは透明マグネシアを使用するのが
良い。そして、被処理物10が載置される部分は
第1ミラー2の球面の中心に位置している。観測
孔21の直下には、ランプ7の主な放射成分であ
る可視光は透過する赤外線反射フイルターからな
るハーフミラー3が45度の角度で配置されてお
り、透明な処理ステージ板1を透過した被処理物
10からの放射成分を直角に反射するが、その光
路にはシリコン検出素子からなる放射温度計4が
配置されている。このシリコン検出素子は波長が
0.9μmの光を中心とした赤外線を検出する特性を
有する。
基板11上に立設したスペーサ15の上面には
アルミ合金の表面に金メツキを施した球面鏡5が
固着され、この球面鏡5の上にはパイレツクスガ
ラスに同じく金メツキを施した楕円鏡6が連設さ
れているが、楕円鏡6の第1焦点と球面鏡5の中
心は一致している。この球面鏡5と楕円鏡6とが
第2ミラーを構成しており、これが処理ステージ
板1を上側から取り囲んでいる。そして、処理ス
テージ板1は楕円鏡6の第2焦点に位置してい
る。定格が100V,1000Wのハロゲン白熱電球か
らなるランプ7がホルダー17によつて保持され
て楕円鏡6内に挿通されているが、その発光部7
1である発光フイラメントは楕円鏡6の第1焦点
および球面鏡5の中心に位置している。従つて、
ランプ7の放射光は楕円鏡6で反射して第2焦点
に位置する被処理物10に集光し、球面鏡5に入
射した光はその中心に位置する発光部71に戻
り、再び楕円鏡6で反射して被処理物10に集光
する。ランプ7が前述の白熱電球の場合は1500℃
程度まで被処理物10を昇温できるが、これ以上
の温度で加熱するときは、白熱電球に代えて放電
灯を使用するのが良く、このときも発光プラズマ
は楕円鏡6の第1焦点および球面鏡5の中心に位
置させる。
アルミ合金の表面に金メツキを施した球面鏡5が
固着され、この球面鏡5の上にはパイレツクスガ
ラスに同じく金メツキを施した楕円鏡6が連設さ
れているが、楕円鏡6の第1焦点と球面鏡5の中
心は一致している。この球面鏡5と楕円鏡6とが
第2ミラーを構成しており、これが処理ステージ
板1を上側から取り囲んでいる。そして、処理ス
テージ板1は楕円鏡6の第2焦点に位置してい
る。定格が100V,1000Wのハロゲン白熱電球か
らなるランプ7がホルダー17によつて保持され
て楕円鏡6内に挿通されているが、その発光部7
1である発光フイラメントは楕円鏡6の第1焦点
および球面鏡5の中心に位置している。従つて、
ランプ7の放射光は楕円鏡6で反射して第2焦点
に位置する被処理物10に集光し、球面鏡5に入
射した光はその中心に位置する発光部71に戻
り、再び楕円鏡6で反射して被処理物10に集光
する。ランプ7が前述の白熱電球の場合は1500℃
程度まで被処理物10を昇温できるが、これ以上
の温度で加熱するときは、白熱電球に代えて放電
灯を使用するのが良く、このときも発光プラズマ
は楕円鏡6の第1焦点および球面鏡5の中心に位
置させる。
しかして、スライドシフター14を移動して処
理ステージ板1を球面鏡5および楕円鏡6からな
る第2ミラーから取りだし、被処理物10である
アルミナ製コンデンサーの薄板を処理ステージ板
10上に載置し、再びスライドシフター14を移
動して処理ステージ板1を第2ミラー内の所定位
置に戻す。そして、ランプ7を点灯するとその放
射光は被処理物10に指向して加熱する。このと
き、処理ステージ板1が第2ミラーで取り囲まれ
ているので、光は外部に拡散せず、全ての光が被
処理物10に集光する。そして、処理ステージ板
1が透明であるため、処理ステージ板1に指向し
た光はこれを透過して第1ミラー2で反射し、再
び被処理物10に集光するので光の利用効率は非
常に高い。また、処理ステージ板1が透明である
ために被処理物10から放射する赤外線がこれを
透過し、温度計4によつてその温度を測定して被
処理物10の状態を観測することができる。そし
て、処理が完了するとスライドシフター14を移
動して処理ステージ板1を第2ミラーから取りだ
し、被処理物10を搬出するが、スライドシフタ
ー14を移動して被処理物10を搬入搬出できる
ので、処理ステージ板1が第2ミラーで取り囲ま
れているにもかかわらず、取扱が容易である利点
を有する。
理ステージ板1を球面鏡5および楕円鏡6からな
る第2ミラーから取りだし、被処理物10である
アルミナ製コンデンサーの薄板を処理ステージ板
10上に載置し、再びスライドシフター14を移
動して処理ステージ板1を第2ミラー内の所定位
置に戻す。そして、ランプ7を点灯するとその放
射光は被処理物10に指向して加熱する。このと
き、処理ステージ板1が第2ミラーで取り囲まれ
ているので、光は外部に拡散せず、全ての光が被
処理物10に集光する。そして、処理ステージ板
1が透明であるため、処理ステージ板1に指向し
た光はこれを透過して第1ミラー2で反射し、再
び被処理物10に集光するので光の利用効率は非
常に高い。また、処理ステージ板1が透明である
ために被処理物10から放射する赤外線がこれを
透過し、温度計4によつてその温度を測定して被
処理物10の状態を観測することができる。そし
て、処理が完了するとスライドシフター14を移
動して処理ステージ板1を第2ミラーから取りだ
し、被処理物10を搬出するが、スライドシフタ
ー14を移動して被処理物10を搬入搬出できる
ので、処理ステージ板1が第2ミラーで取り囲ま
れているにもかかわらず、取扱が容易である利点
を有する。
〔考案の効果〕
以上説明したように、本考案のランプイメージ
フアーネスは、透明な処理ステージ板を上側から
第2ミラーで取り囲むようにしたので、光が外部
に拡散せず、また、下側に凹状の第1ミラーを配
置して、被処理物にあたらなかつた放射光を再度
透明な処理ステージ板を透して下方からも加熱で
きるようにしたので、ランプの放射光が被処理物
に効率良く指向され、エネルギーの利用効率が高
く、また、加熱処理中の被処理物の温度を測定す
るなどして被処理物を観測することが可能であ
り、更には被処理物の出し入れも容易なランプイ
メージフアーネスとすることができる。
フアーネスは、透明な処理ステージ板を上側から
第2ミラーで取り囲むようにしたので、光が外部
に拡散せず、また、下側に凹状の第1ミラーを配
置して、被処理物にあたらなかつた放射光を再度
透明な処理ステージ板を透して下方からも加熱で
きるようにしたので、ランプの放射光が被処理物
に効率良く指向され、エネルギーの利用効率が高
く、また、加熱処理中の被処理物の温度を測定す
るなどして被処理物を観測することが可能であ
り、更には被処理物の出し入れも容易なランプイ
メージフアーネスとすることができる。
図面は本考案実施例の断面図である。
1……処理ステージ板、2……第1ミラー、2
1……観測孔、3……ハーフミラー、4……温度
計、5……球面鏡、6……楕円鏡、7……ラン
プ、71……発光部、9……冷却板。
1……観測孔、3……ハーフミラー、4……温度
計、5……球面鏡、6……楕円鏡、7……ラン
プ、71……発光部、9……冷却板。
Claims (1)
- 石英ガラス、透明マグネシア、サフアイアなど
の透明な材質からなり、被処理物が載置される処
理ステージ板と、この処理ステージ板の下側に配
置され、被処理物観測孔を有する凹状の第1ミラ
ーと、該処理ステージ板と該第1ミラーとを一体
的に支持する可動型保持台と、処理ステージ板を
上側から取り囲む第2ミラーと、発光フイラメン
トもしくは発光プラズマが該第2ミラー内に位置
し、その放射光が第2ミラーに反射されて被処理
物に指向するランプとよりなることを特徴とする
ランプイメージフアーネス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7465786U JPH0454823Y2 (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7465786U JPH0454823Y2 (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62187626U JPS62187626U (ja) | 1987-11-28 |
| JPH0454823Y2 true JPH0454823Y2 (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=30920072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7465786U Expired JPH0454823Y2 (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0454823Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-05-20 JP JP7465786U patent/JPH0454823Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62187626U (ja) | 1987-11-28 |
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