JPH0455539B2 - - Google Patents

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JPH0455539B2
JPH0455539B2 JP30292487A JP30292487A JPH0455539B2 JP H0455539 B2 JPH0455539 B2 JP H0455539B2 JP 30292487 A JP30292487 A JP 30292487A JP 30292487 A JP30292487 A JP 30292487A JP H0455539 B2 JPH0455539 B2 JP H0455539B2
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JP
Japan
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tie bar
lead frame
lead
edge
metal plating
Prior art date
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JP30292487A
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Kazuya Murakami
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Mitsui High Tec Inc
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Mitsui High Tec Inc
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、リードフレームの製造方法に係り、
特にインナーリードの先端部への貴金属メツキ方
法に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for manufacturing a lead frame,
In particular, it relates to a method of plating the tips of inner leads with precious metals.

〔従来技術およびその問題点〕[Prior art and its problems]

IC,LSI等の半導体装置の実装に際して用いら
れるリードフレームは、鉄系あるいは銅系等の金
属材料をプレス加工またはエツチングにより所望
の形状に成形せしめられてなるものである。
Lead frames used for mounting semiconductor devices such as ICs and LSIs are made by molding iron-based or copper-based metal materials into desired shapes by press working or etching.

通常、リードフレームは、第2図に示す如く、
半導体集積回路チツプ(以下半導体チツプ)を搭
載するダイパツド11と、ダイパツドを取り囲む
ように配設せしめられた複数のインナーリード1
2と、インナーリード12を一体的に連結するタ
イバー13と、各インナーリードに連設せしめら
れタイバーの外側に伸長するアウターリード14
と、タイバー13を両サイドから支持するサイド
バー15,16と、ダイパツド11を支持するサ
ポートバー17とから構成されている。
Usually, the lead frame is as shown in Figure 2.
A die pad 11 on which a semiconductor integrated circuit chip (hereinafter referred to as a semiconductor chip) is mounted, and a plurality of inner leads 1 arranged so as to surround the die pad.
2, a tie bar 13 that integrally connects the inner leads 12, and an outer lead 14 that is connected to each inner lead and extends to the outside of the tie bar.
, side bars 15 and 16 that support the tie bar 13 from both sides, and a support bar 17 that supports the die pad 11.

そして、実装に際しては、第3図に示す如く、
リードフレーム1のダイパツド11上に半導体チ
ツプ2を搭載し、この半導体チツプのボンデイン
グパツドとリードフレームのインナーリード12
とを金線あるいはアルミ線のボンデイングワイヤ
3によつて結線し、さらにこれらを樹脂等の封止
材料4で封止した後、タイバーやサイドバーを切
断し、アウターリードを所望の形状に折り曲げて
完成せしめられる。
When implementing, as shown in Figure 3,
The semiconductor chip 2 is mounted on the die pad 11 of the lead frame 1, and the bonding pad of this semiconductor chip and the inner lead 12 of the lead frame are connected.
After connecting these with a bonding wire 3 made of gold wire or aluminum wire and sealing them with a sealing material 4 such as resin, the tie bars and side bars are cut and the outer leads are bent into a desired shape. be completed.

ところで、このようなリードフレームのインナ
ーリードの先端あるいはダイパツド等、ボンデイ
ング領域にはボンデイング性を高めるため銀メツ
キ等の貴金属メツキが施されている。
Incidentally, bonding areas such as the tips of inner leads or die pads of such lead frames are plated with a noble metal such as silver plating to improve bonding properties.

通常この貴金属メツキ工程は、打ち抜き法等に
よつてリードフレームを所望の形状に成形するパ
ターニング工程の後に行なわれるが、これではイ
ンナーリードの側面までメツキされメツキ金属の
無駄を生じるのみならず、パツケージラインの近
傍で側面にメツキ金属が付着していると湿気の侵
入によりマイグレーシヨンを生じ易く半導体装置
の信頼性低下の誘因となつていた。
Normally, this precious metal plating process is performed after the patterning process in which the lead frame is formed into a desired shape using a punching method or the like, but in this case, the side surfaces of the inner leads are plated, which not only results in wastage of the plated metal, but also leads to a loss in the package. If plated metal is attached to the side surface near the line, migration is likely to occur due to the intrusion of moisture, causing a decrease in the reliability of the semiconductor device.

そこで、この問題を解決するため、リードフレ
ーム各部の成形を行なう前の帯状材料に所定の領
域に予め貴金属メツキを施しその後成形するとい
う方法が提案されている。
In order to solve this problem, a method has been proposed in which predetermined areas of a strip material are plated with precious metal in advance before each part of the lead frame is molded, and then the lead frame is molded.

ところが、この方法では、成形工程でメツキ面
が損傷を受けるのみならず、後に切除してしまう
スクラツプ領域にもメツキが行なわれるため、メ
ツキ金属すなわち貴金属の大量な無駄を生じる。
不要部に付着した貴金属はその後スクラツプ内か
ら回収することは可能であるが、回収設備が必要
となるため、依然としてコストの高騰を避けるこ
とは不可能であつた。
However, in this method, not only the plated surface is damaged during the forming process, but also the scrap area that is to be removed later is also plated, resulting in a large amount of waste of plated metal, that is, precious metal.
Although it is possible to recover the precious metals attached to the unnecessary parts from within the scrap, it is still impossible to avoid a rise in costs because recovery equipment is required.

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、
低コストで信頼性の高いリードフレームを提供す
ることを目的とする。
The present invention was made in view of the above circumstances, and
The purpose is to provide low-cost and highly reliable lead frames.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

そこで本発明の方法では、インナーリードの先
端部への貴金属メツキを行なうに先立ち、タイバ
ーのパツド側(内方)の端縁がインナーリードの
貴金属メツキライン(貴金属メツキの端縁)より
もパツド側にくるようにタイバーを幅広にした状
態で、リードフレームのパターニングを行ない、
最後に、タイバーのパツド側の端縁が貴金属メツ
キラインの外側にくるようにタイバーを通常の幅
に成形している。
Therefore, in the method of the present invention, before plating the tip of the inner lead with precious metal, the edge of the tie bar on the pad side (inner side) is positioned closer to the pad side than the noble metal plating line (edge of precious metal plating) of the inner lead. Pattern the lead frame with the tie bar widened so that the
Finally, the tie bar is shaped to a normal width so that the edge of the tie bar on the pad side is outside the precious metal plating line.

〔作用〕[Effect]

上記方法によれば、インナーリードのパツケー
ジライン近傍の側面は、幅広のタイバーの1部と
なつて露呈していない状態でメツキが施され、メ
ツキ後に形成がなされ露呈せしめられるため、メ
ツキ金属が付着することがない。したがつて、マ
イグレーシヨンの発生もなく、半導体装置の信頼
性の向上を図ることができる。
According to the above method, the side surface of the inner lead near the package line is plated while it is not exposed as it becomes part of the wide tie bar, and is formed and exposed after plating, so that the plating metal adheres to it. There's nothing to do. Therefore, migration does not occur and reliability of the semiconductor device can be improved.

また、メツキに先立ちインナーリード先端部等
のパターニングがなされているため、スクラツプ
となる不要部に付着するメツキ金属も最小限に抑
えることができ、コストの低減を図ることができ
る。さらに、メツキ後にインナーリードの先端部
の成形はなされないためメツキ面に損傷を与える
こともなく完成することが可能であり、ボンデイ
ング性の低下を招くこともない。
Furthermore, since the inner lead tips and the like are patterned prior to plating, the amount of plating metal adhering to unnecessary parts that become scrap can be minimized, and costs can be reduced. Furthermore, since the tips of the inner leads are not shaped after plating, it is possible to complete the process without damaging the plating surface, and there is no deterioration in bonding properties.

ところで、半導体チツプのボンデイングパツド
とインナーリードの先端とが同一面上にくるよう
にし、ボンデイング性を高めるために、リードフ
レームにはデイプレス加工が施されることが多
い。すなわち、リードフレームのダイパツドは、
これを支えるサポートバーを再度加圧し(デイプ
レス加工を施し)、所定の角度(すなわちデイプ
レス角度)をなすように曲げることにより、イン
ナーリードのボンデイング面よりも所定の高さだ
け低い位置にくるように形成される。
Incidentally, in order to ensure that the bonding pads of the semiconductor chip and the tips of the inner leads are on the same plane and improve bonding properties, lead frames are often subjected to day-press processing. In other words, the die pad of the lead frame is
By pressurizing the support bar that supports it again (performing day press processing) and bending it to form a predetermined angle (i.e. day press angle), it will come to a position that is a predetermined height lower than the bonding surface of the inner lead. It is formed like this.

このデイプレス加工工程と同時に前記タイバー
の成形を行なうようにすれば、デイプレス金型に
少し変形を加えるのみで何ら付加工程を要するこ
となく完成させることができる。
By forming the tie bars at the same time as this day-pressing process, it is possible to complete the process by only slightly deforming the day-pressing mold without requiring any additional process.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例について、図面を参照し
つつ詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

まず、第1図aに示す如く、通常のプレス加工
法によりリードフレームのパターンを形成する
(ここで第2図における部材と同一部材には同一
の符号を付した。)。このとき、第1図bに部分拡
大説明図を示すように、タイバー13′のダイパ
ツド11側の端縁DLが、インナーリード12の
貴金属メツキラインMLよりもダイパツド側にく
るように幅広のタイバー13′をもつ形状とする。
ここでPLはパツケージラインを示すものとする。
またULは後工程での打ち抜きラインを示す(他
は、従来例のものと全く同様である。)。
First, as shown in FIG. 1a, a lead frame pattern is formed by a normal press working method (here, the same members as those in FIG. 2 are given the same reference numerals). At this time, as shown in a partially enlarged explanatory diagram in FIG. 1b, the tie bar 13' is made wide so that the end edge DL of the tie bar 13' on the die pad 11 side is closer to the die pad than the noble metal plating line ML of the inner lead 12. Let the shape be .
Here, PL indicates the package line.
In addition, UL indicates the punching line in the post-process (the rest is exactly the same as that of the conventional example).

次いで、第1図cに示す如く、テープ(図示せ
ず)を貼着することにより非メツキ領域を被覆し
た状態で銀の無電解メツキ液に浸漬し銀メツキ層
Gを形成する。
Next, as shown in FIG. 1c, a tape (not shown) is attached to cover the non-plated area, and the plate is immersed in a silver electroless plating solution to form a silver plating layer G.

この後、第1図dおよび第1図eに示す如く、
サポートバーを曲げ加工し、ダイパツドの面をイ
ンナーリードの先端面より低く成形すると同時
に、タイバーのダイパツド側の端縁を切除し通常
の幅のタイバー13となるような金型を用いてデ
イプレス加工を行なう。ここで第1図eは、第1
図dのA−A断面図である。
After this, as shown in Figures 1d and 1e,
The support bar is bent and the die pad surface is formed to be lower than the tip end surface of the inner lead.At the same time, the edge of the tie bar on the die pad side is cut off and day press processing is performed using a mold that creates a tie bar 13 with a normal width. Do this. Here, Figure 1e is the first
It is an AA sectional view of figure d.

このようにして形成されたリードフレームは、
第1図fに部分拡大説明図を示すようにマイグレ
ーシヨンの発生しやすいパツケージラインPL近
傍のインナーリード側面Sは銀メツキが付着する
ことなく維持されているため、湿気の侵入による
マイグレーシヨンの発生等もなく信頼性の高いも
のとなつている。
The lead frame formed in this way is
As shown in the partially enlarged explanatory diagram in Figure 1 f, the inner lead side surface S near the package line PL, where migration is likely to occur, is maintained without silver plating, so migration occurs due to moisture intrusion. There are no other issues, making it highly reliable.

また、スクラツプとなる部分はタイバーの1部
のみであるため、スクラツプ部分に付着する貴金
属もわずかとなり、コストも低減される。
Further, since only a portion of the tie bar is scrapped, only a small amount of precious metal adheres to the scrapped portion, reducing costs.

さらに、タイバーの成形はデイプレス加工と同
一工程で行なわれるため、何ら工程を付加するこ
となく形成可能である。
Furthermore, since the tie bars are formed in the same process as the day press process, they can be formed without any additional process.

なお、実施例では、デイプレス加工と同時にタ
イバーの成形を行なうようにしたが、必ずしも同
時に行なう必要はなく、ダイパツドが別に形成さ
れる方式のものあるいは一体的に形成されていて
もデイプレス加工を行わないものについては、独
立の工程でタイバーの成形を行なえばよい。
In the example, the tie bars were formed at the same time as the day-pressing process, but it is not necessary to do it at the same time, and even if the die pad is formed separately or integrally, the day-press process can be performed If this is not the case, the tie bars may be formed in an independent process.

また、タイバーを幅広に形成する範囲は、イン
ナーリード先端がタイバーと平行に延びるパツド
の側面に位置する範囲内で良く、サイドバーの近
傍では従来の幅と同様にすれば良いが、全体につ
いて幅広にしてもよいことはいうまでもない。
In addition, the width of the tie bar can be widened within the range where the tip of the inner lead is located on the side of the pad that extends parallel to the tie bar, and the width can be made the same as the conventional width near the side bar, but the overall width can be widened. Needless to say, it is okay to do so.

また、実施例では、プレス加工によつてリード
フレームのパターニングを行なう場合について説
明したが、プレス加工に限定されることなくエツ
チングによるパターニングを行なつた場合にも有
効であることはいうまでもない。
Further, in the embodiment, the case where the lead frame is patterned by press working is explained, but it goes without saying that patterning is not limited to press working and is also effective when patterning is performed by etching. .

さらに、ダイパツドおよびサポートバーの形状
についても実施例に限定されることなく適宜変更
可能であり、例えばダイパツドが4本のサポート
バーによつて支持せしめられているような形状を
とることも可能である。
Further, the shapes of the die pad and support bar are not limited to the embodiments, and can be changed as appropriate. For example, it is also possible to adopt a shape in which the die pad is supported by four support bars. .

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明してきたように、本発明の方法によれ
ば、インナーリードの先端付近までくるようにタ
イバーを幅広にしたリードフレームのパターンを
形成し、インナーリードの先端部への貴金属メツ
キを行なつた後、タイバーを所定幅まで成形する
ようにしているため、低価格でかつ信頼性の高い
リードフレームを提供することが可能となる。
As explained above, according to the method of the present invention, a lead frame pattern is formed in which the tie bar is widened so that it comes close to the tip of the inner lead, and precious metal plating is performed on the tip of the inner lead. Since the tie bars are then molded to a predetermined width, it is possible to provide a lead frame with low cost and high reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図a乃至第1図fは、本発明実施例のリー
ドフレームの製造工程を示す図、第2図は、従来
例のリードフレームを示す図、第3図は、従来の
半導体装置の実装例を示す図である。 11……ダイパツド、12……インナーリー
ド、13……タイバー、14……アウターリー
ド、15,16……サイドバー、17……サポー
トバー、1……リードフレーム、2……半導体チ
ツプ、3……ボンデイングワイヤ、4……封止材
料、PL……パツケージライン、ML……貴金属
メツキライン、DL……ダイパツドの端縁、UL…
…後工程でのタイバーの打ち抜きライン。
1a to 1f are diagrams showing the manufacturing process of a lead frame according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a lead frame of a conventional example, and FIG. 3 is a diagram showing a conventional mounting of a semiconductor device. It is a figure which shows an example. 11... Die pad, 12... Inner lead, 13... Tie bar, 14... Outer lead, 15, 16... Side bar, 17... Support bar, 1... Lead frame, 2... Semiconductor chip, 3... ...Bonding wire, 4...Sealing material, PL...Package line, ML...Precious metal plating line, DL...Edge of die pad, UL...
...A punching line for tie bars in the post-process.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 先端部に貴金属めつき層からなるボンデイン
グエリアを具え複数のインナーリードと、 インナーリードを一体的に連結するタイバー
と、 各インナーリードに連設せしめられ、タイバー
の外方に伸長するアウターリードとを具えたリー
ドフレームの製造方法において、 前記タイバーの内方の端縁がインナーリードの
貴金属めつき層形成予定部の端縁よりも内方にく
るようにタイバーを幅広にしたリードフレームの
形状加工を行う第1の成形工程と 前記リードフレームのインナーリードの先端部
に貴金属めつき層を形成するめつき工程と 前記タイバーの内方の端縁が前記貴金属めつき
層の端縁よりも外方にくるようにタイバーの内縁
を切除する第2の成形工程とを具備したことを特
徴とするリードフレームの製造方法。 2 半導体チツプを搭載するダイパツドと、 ダイパツドの周りに配設せしめられたインナー
リードと、 インナーリードを一体的に連結するタイバー
と、 各インナーリードに連設せしめられるアウター
リードと、 ダイパツドを支持するサポートバーとを具えた
リードフレームの製造方法において 前記タイバーの内方の端縁がインナーリードの
貴金属めつき層形成予定部の端縁よりも内方にく
るようにタイバーを幅広にしたリードフレームの
形状加工を行う第1の成形工程と 前記リードフレームのインナーリードの先端部
に貴金属めつき層を形成するめつき工程と 前記サポートバーを所定の角度だけ曲げ加工す
ると同時に 前記タイバーの内方の端縁が前記貴金属めつき
層の端縁よりも外方にくるようにタイバーの内縁
を切除する第2の成形工程とを具備したことを特
徴とするリードフレームの製造方法。
[Scope of Claims] 1. A plurality of inner leads having bonding areas made of a precious metal plating layer at their tips, a tie bar that integrally connects the inner leads, and a tie bar that is connected to each inner lead and that is connected to the outside of the tie bar. In the method for manufacturing a lead frame, the tie bar is made wider so that the inner edge of the tie bar is located inward than the edge of the portion of the inner lead where the precious metal plating layer is to be formed. a first forming step for shaping the lead frame; a plating step for forming a noble metal plating layer on the tips of the inner leads of the lead frame; A method for manufacturing a lead frame, comprising: a second molding step of cutting the inner edge of the tie bar so that it is located outward from the edge. 2. A die pad on which a semiconductor chip is mounted, inner leads arranged around the die pad, a tie bar that integrally connects the inner leads, an outer lead connected to each inner lead, and a support that supports the die pad. In the method for manufacturing a lead frame comprising a bar, the lead frame has a shape in which the tie bar is made wider so that the inner edge of the tie bar is located inward than the edge of the area where the noble metal plating layer is to be formed of the inner lead. a first forming step for processing; a plating step for forming a precious metal plating layer on the tips of the inner leads of the lead frame; and a plating step for bending the support bar by a predetermined angle, and simultaneously bending the inner edge of the tie bar. A method for manufacturing a lead frame, comprising: a second molding step of cutting the inner edge of the tie bar so that it is located outside the edge of the noble metal plating layer.
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