JPH0455818A - 液晶表示装置と液晶表示装置の製造法 - Google Patents

液晶表示装置と液晶表示装置の製造法

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JPH0455818A
JPH0455818A JP2167231A JP16723190A JPH0455818A JP H0455818 A JPH0455818 A JP H0455818A JP 2167231 A JP2167231 A JP 2167231A JP 16723190 A JP16723190 A JP 16723190A JP H0455818 A JPH0455818 A JP H0455818A
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JP
Japan
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liquid crystal
display device
crystal display
vertical alignment
alignment layer
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JP2167231A
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Yoshio Iwai
義夫 岩井
Hisanori Yamaguchi
山口 久典
Katsuhiko Kumakawa
克彦 熊川
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、液晶を均一に配向させる液晶表示装置と液晶
表示装置の製造法に関するものである。
従来の技術 近年、液晶表示装置の大容量化、高速応答化への取り組
みが盛んに行なわれている。単純マトリックスタイプの
液晶表示素子の動作モードとして、不マチ、り液晶を用
いたツィスティッド ネマチンク(TN型)、スーパー
ツィスティッド ネマチンク(STN) 型、エレクト
リカリ−コンドロールド ハイディリンジェンス(EC
B)型など、また強誘電性液晶を用いたフェロ リキッ
ド クリスタル(FLC)型がある。各動作モードとも
大容量化、高速応答化につれて液晶分子を大面積にわた
って均一に配向させ、かつ液晶分子をガラス基板面に対
して、均一に傾斜させる技術が要求される。STN型で
は液晶分子をガラス基板面から数度傾斜して配向させ、
逆にECB型ではガラス基板面に対してほぼ垂直に配向
させることが必要である。
さてECBモードは、その階調性、色相変化の少なさ、
高コントラスト表示、高速応答などの優れた可蛯性を有
しており、現在STNモードに代わるものとして盛んに
開発が進められている。
ECBモードでは、電界印加時に垂直に配向した液晶分
子がその強度に応してティルトし、その時に生しる複屈
折により明暗を表示するものであるが、その時に液晶分
子が両側のガラス基板界面において完全に垂直配向して
いると、液晶分子はランダムな方向にティルトしてしま
い、その結果散乱状態が発生し、表示品位を著しく損な
う。そのためガラス基板界面において液晶分子を一方向
にかつ一様にティルトさせる必要がある。また電圧無印
加時の液晶分子のガラス基板法線方向からの傾斜角(以
下プレティルト角と呼ぶ)は表示品位に太き(影響し、
両ガラス基板界面においてプレティルト角を1°以下、
特に0.5°にする事が望ましいと報告されている(例
えばジエ・エフ・クレール、エム・アイザワ、ニス・ヤ
マウチ、ジエ・デュシューネ:ジャパン デイスプレィ
1119.188頁1989年;J、F、C1erc、
M、Aizawa。
S、Yamauchi、J、Duchene:JAPA
N DISPLAY’89.PP、188191 (1
989) )。従来より液晶分子の傾斜垂直配向法とし
て、2枚のガラス基板面においてそれぞれ垂直配向膜を
一方向にラビングする方法と、5jOなと蒸着物をガラ
ス基板面に対して斜め方向から蒸着し、その上に垂直配
向膜を形成する斜方蒸着法などが報告されている。
発明が解決しようとする課題 上記2種類の配向法では、ラビング強度、あるいは蒸着
時の蒸着角度、膜厚のわずかな差によってプレティルト
角が数度のオーダーで急激に変化するため、2枚のガラ
ス基板界面においてもプレティルト角を同じ様に1°以
内に制御することは非常に困難であり、しかも再現性に
乏しい。通常得られるプレティルト角はせいぜい両ガラ
ス基板界面において数度であるために、バルク中におい
ても液晶分子は数度のプレティルト角を持つことになる
。その結果、電界無印加時において複屈折状態となるた
め、暗状態にならず、コントラストを著しく低下させる
という問題点がある。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明の液晶表示装置と液
晶表示装置の製造法は、一対の基板間に液晶を挟持して
成る液晶表示装置において、一方の基板の液晶と接する
基板界面において、液晶分子が基板垂直方向から数度傾
斜した傾斜垂直配向状態をとり、かつ対向する基板の基
板界面において、液晶分子が垂直配向状態をとり、かつ
液晶分子が負の誘電異方性を有するものである。
作用 上記構成によれば、傾斜垂直配向層では数度傾斜した垂
直配向、垂直配向層では完全な垂直配向となるので、バ
ルク中の液晶分子のプレティルト角は、傾斜垂直配向層
でのプレティルト角のおよそ1/2程度の値になるため
、複屈折量は小さくなり、暗状態での透過光量をかなり
低下させることができる。
実施例 以下に本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
(実施例1) 第1図は本発明の液晶表示装置の一例である。
1はガラス、2は1頃斜垂直配向膜、3は垂直配向膜、
4は液晶分子、5は偏光子、6は検光子である。偏光子
5と検光子6は偏光軸が互いに90゜になり、かつ液晶
分子の傾斜方向と45°の角度になるように配置されて
いる。一般に、PCBモードにおける液晶パネルの透過
光強度Iは1−1O3IN2(πΔnd/λ<5IN2
θ〉)Ioは入射光強度、Δnは液晶分子の屈折率異方
性、dは液晶パネルのセルギャップ、λは入射光の波長
、θは液晶分子のプレティルト角である。
上記関係式より、電圧OFF時の透過強度はプレティル
ト角の関数になり、プレティルト角が増大するにつれ、
電圧OFF時の透過強度はSINの4剰の関係で増大す
ることがわかる。第2図は2枚のガラス基板上で傾斜垂
直配向膜を用いた場合の液晶表示装置の一例である0本
発明の液晶表示装置の場合、傾斜配向層界面ではプレテ
ィルト角θ、を持つが、垂直配向膜界面ではほぼ完全な
垂直配向となるために、バルク中でのプレティルト角は
θ°〜θ1間の値をとることになり、中央部ではほぼθ
、/2と成る。従って本発明の液晶表示装置での平均的
なプレティルト角ΦIはΦ1=I/d  θ(z)dz で与えられる。他方、第2図の液晶表示装置の場合、プ
レティルト角は両ガラス基板界面において同しであるの
で、バルク中のプレティルト角もすべて同じになる。界
面でのプレティルト角を61とすると、第2図の液晶表
示装置の平均的なプレティルト角Φ2は Φ2=θ1 となる。従って、本液晶表示装置の場合、ガラス基板界
面において、液晶分子のグイレフターの向きが連続的に
しかも直線的に変化すると仮定すると、 Φ1=Φ2/2 となり、OFF時の透過光量はSINの4剰に比例して
小さくなることがわかる。上記の扱いは、近似的な取扱
であり、厳密には弾性体理論により液晶分子のグイレフ
ターの向きを決定し、Berremanの4×4マトリ
ツクスにより透過光量を計夏する必要がある。
第3図は、本発明の液晶表示装置と第2図の液晶表示装
置の電気光学特性を示したものである。
(a)は本発明の液晶表示装置の電気光学特性を、(ト
))は第2図の液晶表示装置のそれをそれぞれ示す。
縦軸は透過率、横軸は印加電圧を示す。プレティルト角
θ=2°である。第2図の液晶表示装置では、しきい値
電圧以下でも光が透過し、しかも光学特性の評価基準の
一つである急峻性も悪いことがわかる。これに比べて、
本発明の液晶表示装置は傾斜垂直配向膜と垂直配向膜と
を組み合わせているので、しきい値電圧以下でも光の漏
れが少なく、しかも急峻性も向上していることがわかる
次に本液晶表示装置の製造法について説明する。
酸化インジュウム・錫(ITO)を極が形成されたガラ
ス基板上に、無機酸化物(例えばSin。
ZrO2等)を基板法線方向から85°〜88゜の角度
で蒸着する。蒸着された無機酸化物の膜厚はおよそ0.
005〜0.015μmである。上記蒸着物上に垂直配
向Ws(例えば0DS−E ;チッソ■製、DMOAP
 ;東しシリコン■製等)を塗布し、およそ+50°C
で焼成する。つぎに他方のITO付ガラス基板に垂直配
向膜だけを塗布し、同様に150°Cで焼成する。その
後、6μmの樹脂ビーズを上記ガラス基板上に分散させ
た後、2枚のガラス基板を貼合わせ、負の誘電異方性を
もった液晶(例えばEN−35;チッソ■製)を注入す
る。2枚の偏光板はそれぞれ蒸着方向に対して、45”
と−45″になるように配置する。
上記製造法により作製した液晶表示装置では、傾斜垂直
配向膜界面でのプレティルト角がおよそ1°〜2°の値
になるので、良好な表示特性を得ることができる。また
バルク中の液晶分子は一方向にプレティルト角を有する
ので、電圧印加時においても、逆方向のティルトによる
散乱現象も防くことができる。
次に他の実施例について説明する。
(実施例2) ITO付ガラス基板上に実施例1と同様な垂直配向膜を
塗布し、150°Cで焼成した後、回転うピングを行う
。ラビング強度は通常の水平配向膜のそれの2以下であ
る。対向側のITO付ガラス基板には垂直配向層を形成
した後、ラビング処理は施されない。以下ガラス基板の
貼合わせから偏光板配置まで実施例1と同様に行う。
上記製造法では、ラビング処理を施したガラス基板界面
において、プレティルト角はラビング強度を変えること
により任意に変えることができる。
本実施例も実施例1と同様の効果がある。
(実施例3) ITO付ガラス基板上に、水平配量作用を有するポリイ
ミド膜(例えばRN−718、■8産化学製)を形成し
た後、強いラビング強度で回転ラビングを一方向に施す
。その後、実施例1と同様の垂直配向膜を塗布し、焼成
する。対向するガラス基板には実施例1と同様、垂直配
向膜のみ形成されている。上記実施例と同様にして、2
枚のガラス基板を貼合わせ負の誘電異方性液晶を注入す
る。本実施例の場合、プレティルト角はおよそ0°〜4
5°まで変えることができるが、ラビング強度、及びポ
リイミド膜を適宜選択することによって、実施例1と同
様の効果を得ることができる。
発明の効果 本発明の液晶表示装置と液晶表示装置の製造法は、傾斜
垂直配向膜と垂直配向膜を組み合わせることにより、バ
ルク中のプレティルト角を小さくすることができ、PC
Bモードでの表示特性の向上に非常に大きな効果がある
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の液晶表示装置の断面図、第2図は従来
の傾斜垂直配向型液晶表示装置の断面図、第3図は電気
光学特性図である。 1・・・・・・ガラス基板、2・・・・・・傾斜垂直配
向膜、3・・・・・・垂直配向膜、4・・・・・・液晶
分子、5・・・・・・偏光子、6・・・・・・検光子。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名rjS2 
 図 イ 3−  支1紅荀V 1−一−シス1分3− 第3図 CII加覧圧(’vdtう

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶表示装置
    において、一方の基板の液晶と接する基板界面において
    、液晶分子が基板垂直方向から数度傾斜した傾斜垂直配
    向状態をとり、かつ対向する基板の基板界面において、
    液晶分子が垂直配向状態をとり、かつ液晶分子が負の誘
    電異方性を有することを特徴とする液晶表示装置。 (2)一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶表示装置
    において、一方の基板面に液晶分子を基板法線方向から
    数度傾斜して配向させる作用を有する傾斜垂直配向層が
    形成され、かつ対向する基板面に垂直配向層が形成され
    たことを特徴とする液晶表示装置の製造法。(3)傾斜
    垂直配向層が、基板面に対して斜め方向から蒸着された
    無機酸化膜からなる第一の配向層と第一の配向層上に形
    成された垂直配向作用を有する第二の配向層とによって
    形成されることを特徴とする請求項(2)記載の液晶表
    示装置の製造法。 (4)第一の配向層の無機酸化物がSiOまたはZrO
    _2であり、かつ基板法線方向に対して85°〜88°
    の入射角で蒸着され、かつ該配向層の膜厚が0.015
    μm以下であることを特徴とする請求項(3)記載の液
    晶表示装置の製造法。 (5)傾斜垂直配向層が、垂直配向膜をラビングするこ
    とによって形成されることを特徴とする請求項(2)記
    載の液晶表示装置の製造法。 (6)傾斜垂直配向層が、基板面に対して数度のプレテ
    ィルト角を有する水平配向膜を塗布し、ラビングした後
    、該水平配向膜上に垂直配向膜を塗布することによって
    形成されることを特徴とする請求項(2)記載の液晶表
    示装置の製造法。
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