JPH0455854A - フォトマスク装置およびこれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ハーフミクロン以下の微細パターンを有す
る半導体装置等の製造におけるリソグラフィ等に使われ
るフォトマスク装置とそれを用いたパターン形成方法に
関するものである。

〔従来の技術〕

縮小投影露光法における解像限界を向上させる方法とし
て位相シフト法が、アイ・イー・イー・イー・トランス
アクションズ・オン・エレクトロン・テ゛パイスジＯＬ
、ＨＤ−２９，ＮＯ，１２，１２月１９８２年（ＩＥＥ
Ｅ　　Ｔｌ？ＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳＯＮ　　ＥＬＥＣＴ
Ｉ？ＯＮ　　ＤＥＶＩＣＥＳ、　　ＶＯＬ。

ＥＤ−２９，ＮＯ，１２，ＤＥＣＥＭＢＥ）ｌ　１９８
２　）に提案されている。この位相シフト法によれば、
その解像限界を通常の透過型フォトマスク装置による露
光法に比べて数段向上させることができる。また最近で
は、補助パターンによる補助型位相シフト法が、例えば
　１９８８秋季応用物理学会４ａ−に−７寺沢ら、１９
８９　ＴＥＥＥ　ＣＨ２６３７−７／８９１００００−
００５７等で発表されている。

第５図ｆａｌは位相シフト法によるフォトマスク装置の
平面図を示し、４１は透明の石英板上の光透過領域、４
２は石英板上にクロム等を塗布して形成した透過光遮断
領域、４３は透過光の位相を１８０度変化さセる位相変
換シフタであり、光透過領域４１のうち位相変換シフタ
４３のない部分の光透過領域４１Ａの透過光の位相と位
相変換シフタ４３のある部分の光透過領域４１Ｂの透過
光の位相は１８０度異ｌ６゜ 第５図（ｂ）は、シミュレーションによる第５図（ａｌ
のフォトマスク装置の透過光の光強度分布図を示すもの
である６図中の実線はパターン形成限界光強度を示し、
以降のシミュレーション結果についても同様である。

以上のように構成された従来の位相シフト法によるフォ
トマスク装置においては、第５図ｆａｔのＣ１Ｃ２ｖＡ
で示す部分では、通常の光透過領域４１Ａ（位相変換シ
フタ４３のない領域）と透過光の位相が１８０度変化す
る光透過領域４１Ｂ（位相変換シフタ４３のある領域）
との間に透過光遮断領域４２が存在する。その結果、第
５図（ａｌの０１−〇２線上での透過光のコントラスト
は、位相変換シフタのない通常の透過型フォトマスク装
置に比べて数段向上する。

位相変換シフタのない通常の透過型フォトマスク装置で
は、透過光遮断領域の幅が狭くなると、透過光遮断領域
のエツジ部分からの光の回折によって、その透過光遮断
領域の下方のｉ３過光の光強度は完全にＯにはならない
。つまり、光をｉ！ｉ遇する部分と遮断する部分とで、
光の強弱の差が少なくなり（言い替えれば、光のコント
ラストが悪くなり）、フォトマスクどおりのパターン形
成ができなくなる。

しかし、第５図ｆａ＋のフォトマスク装置のように、透
過光遮断領域４２を介して透過光の位相を１８０度変化
させる位相変換シフタ４３を片側の光透過領域４１Ｂに
設けた場合、透過光遮断領域４２では位相が１８０度異
ｌ６た２つの透過光が干渉する。

それらの回折光は、互いに消し合う作用があるため、透
過光遮断領域４２の下方の透過光の光強度はほぼ０にな
る。よって、透過光遮断領域４２の幅が狭くても、光の
コントラストが向上し、より微細なパターン形成が可能
となる。つまり、幅の狭い透過光遮断領域４２を挟んで
接合する、互いに透過光の位相路１８０変異なる２つの
光ｉ３過碩域４１Ａ、４１Ｂは、その接合部の下方に暗
部を形成する作用をもつことになる。

第７図ｔａ＋は補助型の位相シフト法の一例によるフォ
トマスク装置の平面図を示し、５１は透明の石英板上の
光透過領域、５２は石英板上にクロム等を塗布して形成
した透過光遮断領域、５３は透過光の位相を１８０度変
化させる位相変換シフタであり、光透過領域５１の透過
光遮断領域５２に接する領域に形成されており、光透過
領域５１のうち位相変換シフタ５３のない部分の光透過
領域５１Ａの透過光の位相と位相変換シフタ５３のある
部分の光透過領域５１Ｂの透過光の位相は１８０度異ｌ
６゜ 第７図Ｃｂ）は第７図（ａｌのフォトマスク装置の透過
光の振幅の分布図を示し、第７図（Ｃ１は透過光の光強
度分布図を示している。

第７図［ａｌのフォトマスク装置においては、第７図（
ｂｌのように、光透過領域５１Ａを通っ透過光の振幅Ｔ
１は、ゆるやかにすそをひく分布をもつ。

一方、透過光の位相が１８０度変化する光透過領域５１
Ｂを通った光の振幅Ｔ２は、光透過領域５１Ａを通った
光の振幅Ｔ１と逆の向きに、光透過領域５１Ａを通っ透
過光の振幅Ｔ１の両すそ部分で小さな山をもつ。両者を
たし合わせると、振幅Ｔ１のすそが振幅Ｔ２で打ち消さ
れて消滅し、急峻な振幅Ｔ３が得られる。よって、光透
過領域５１と透過光遮断領域５２との間に大きな強度差
をもった第７図ｔｃ＋のような光強度分布が得られる。

第８図ｆａｔは、光透過領域のみから構成される従来の
透過型フォトマスク装置を示す。第８図ｆａｌにおいて
、９１は透明の石英板上の光ｉ３過領域（全体）、９２
は石英板上に形成して透過光の位相を１８０度変化させ
る位相変換シフタであり、光透過領域９１のうち位相変
換シフタ９２のない部分の光透過領域９１Ａの透過光の
位相と位相変換シフタ９２のある部分の光透過領域９１
Ｂの透過光の位相は１８０度異ｌ６゜この場合、透過光
の位相が１８０度異ｌ６光透過領域を直接接合させるこ
とで、その接合部の下方に暗部が形成されることになり
、透過光の位相が１８０度異ｌ６２つの光透過領域が暗
部形成の作用をもつことになる。

第８図（ａｌに示すフォトマスク装置では、透過光の位
相を１８０度変化させる位相変換シフタ９２の周辺部全
域で光強度がＯになるため、位相変換シフタ９２の周辺
に沿った一筆書きパターンが得られる。第９図ｆａｔに
、第８図（ａｌに示すフォトマスク装置による転写像の
うち一点鎖線９９Ａで囲んだ領域の部分での透過光の相
対的な光強度のシミュレーション結果を示す。パターン
１００は位相変換ソフタ９２の周辺部に沿ってループ状
に形成されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、前記の通常の位相シフト法は、第５図ｔ
ａ＋に示すように、光透過領域４１　（クロム等の透過
光遮断領域がない部分）で、かつ透過光の位相を１８０
度変化させる位相変換シフタ４３の境界（第５図＋ａｌ
のＫ）が存在するとき、つまり透過光の位相が１８０度
異ｌ６２つの光透過領域４１Ａ４１Ｂが直接接合する領
域が存在するときは、その接合部の下方に不要暗部が形
成され、そこに透過光遮断領域があるかのようにレジス
トパターンが形成されてしまう。すなわち、そこでの断
面（第５図のり、−Ｄ２線）では、その境界で１８０度
の位相差を持つ２つの透過光の位相が、互いに相殺し、
その振幅がＯになる。光強度は、振幅の２乗で表される
ので、前記のような境界ではほぼ０になる。第５図（′
ｂ）に示した透過光の光強度のシミュレーション結果で
も、境界Ｋに対応する箇所では、そこに透過光遮断領域
があるかのように光強度は０になっている。

さらに、第５図のり、−Ｄ２線上でのフォトマスク装置
の断面図を第６図（ａｌに示し、その透過光の光強度分
布図を第６図（ｂｌに示し、またそれによって形成され
るレジストパターンの断面図を第６図（Ｃ１に示す。こ
のとき、上記の理由により、正常なレジストパターン４
８の他に、境界Ｋに対応する箇所にレジストパターン４
８Ａが形成されることになる。

これは、つぎのエンチング工程ではマスクとなり、本来
つながらないパターンがつながってしまうという好まし
くない事態が起こる。

以上のように、従来の位相シフト法では、光透過領域が
分枝パターンでの境界が存在しにくい閉ループでは適応
が可能であるが、前記のような境界が存在する開ループ
では、位相変換シックの境界でパターンがつながり、適
応が不可能である。

現在、主流になっている高解像度レジストがポジレジス
トであり、より微細化を要求されるパターンが配線等の
開ループであることを考慮すると、位相変換シックを適
応できるパターンが非常に限られてくるという問題点を
有していた。

また前記の補助型位相シフト法は、位相シフト法で問題
となるパターンによる制限はない。しかし、その効果は
位相シフト法に比べて少なく、主流の技術とはなりにく
いことは日経マイクロデバイス（ＮＩＫＫＥＩ　ＭＩＣ
Ｉ？０ＤＥＶＩＣＥ　＞　１９９０年５月号Ｐ７４７５
に論ぜられている。

一方、第８図（ａｌに示す従来の透過型フォトマスク装
置では、位相変換シフタ９２の周辺に沿った一筆書きパ
ターンしか得られず、孤立したパターンが得られないと
いう欠点がある。

この発明の目的は、位相変換シフタを用いてパターン形
成を行う際に、不要暗部の形成を防止し、開ループパタ
ーンや孤立パターン等を容易に形成することができるフ
ォトマスク装置およびこれを用いたパターン形成方法を
提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

請求項（１）記載のフォトマスク装置は、透過光の位相
が互いに略１８０変異なる暗部形成用の第１および第２
の光透過領域を直接もしくは透過光遮断領域を介して接
合し、前記第１および第２の光透過領域の接合部の暗部
形成不要部分に前記第１および第２の光透過領域の透過
光の位相の中間の位相で光を透過させる第３の光透過領
域を介在させている。

請求項（２）記載のパターン形成方法は、請求項ｆｉ＋
記載のフォトマスク装置を基板上に形成されたレジスト
上に設置し、前記フォトマスク装置の第１第２および第
３の光透過領域を通して露光光を前記レジスト上に照射
する。

〔作　　　用〕

請求項ｆｉｌ記載のフォトマスク装置では、透過光の位
相が互いに略１８０変異なる暗部形成用の第１および第
２の光透過領域を直接もしくは透過光遮断領域を介して
接合することで、第１の光透過領域を透過する光と第２
の光ｉ３過領域を透過する光とが互いに弱め合い、これ
によって直接接合しもしくは透過光遮断領域を介して接
合した第１および第２の光透過領域の接合部周辺の下方
に暗部を形成する。

ところが、第１および第２の光透過領域を平面上に形成
する場合、暗部形成不要部分にも第１および第２の光透
過領域が接合する場合がある。このような暗部形成不要
部分において、第１および第２の光透過領域の間に第１
および第２の光透過領域の透過光の位相の中間の位相で
光を透過させる第３の光透過領域を介在させると、光の
打ち消し作用が抑えられることになり、不要暗部の形成
が防止される。

つまり、このフォトマスク装置では、透過光の位相差を
１８０度有する隣接する第１および第２の光透過領域の
境界に、両光透過領域の透過光の位相の中間の位相で光
を透過させる第３の光透過領域を設けることにより、そ
の境界部分の光強度を持ち上げる。第３の光透過領域は
、第１および第２の光透過領域の境界部での光の位相の
移り変わりを、ゆるやかにする作用を存し、１８０度の
位相差を持つ２光の干渉を弱める作用をもつのである。

これによって、透過光の位相差を１８０度をする隣接す
る第１および第２の光透過領域の境界部の下方における
不要暗部の形成を阻止し、位相シフト法によって分枝パ
ターンや開ループパターンを容易に形成できるものであ
る。

請求項（２）記載のパターン形成方法では、フォトマス
ク装置の第１．第２および第３の光透過領域を通して露
光光を前記レジスト上に照射するので、レジストを分枝
パターンや開ループパターンに残すことができる。

〔実　施　例〕

第１図ｉａｌはこの発明の第１の実施例の位相シフト法
によるフォトマスク装置の平面図を示し、（１）は透明
の石英板上の光透過領域、Ｉ２は石英板上にクロム等を
塗布して形成した透過光遮断領域、Ｉ３は透過光の位相
を１８０度変化させる位相変換シフタ、１４は透過光の
位相を９０度変化させる位相変換シフタであり、光透過
領域（１）のうち位相変換シフタ１３．１４のない部分
の光透過領域（１）Ａの透過光の位相と位相変換シフタ
】３のある部分の光透過領域（１）Ｂの透過光の位相は
１８０度異変異、光透過領域（１）Ａの透過光の位相と
位相変換シフタ１４のある部分の光透過領域（１）Ｃの
透過光の位相は９０度変異り、光透過領域（１）Ｃの透
過光の位相と位相変換シフタ１３のある光透過領域（１
）Ｂの透過光の位相も９０度変異る。

第１図中）は、シミュレーションによる第】図ｔａ）の
フォトマスク装置の透過光の光強度分布図を示すもので
ある。

以上のように構成されたこの実施例のフォトマスク装置
において、以下その動作を説明する。

透過光の位相を１８０度変化させる位相変換シフタ１３
の境界が光透過領域（１）に存在するとき、その境界部
に透過光の位相を９０度変化させる位相変換シフタ１４
を配置する。光透過領域（１）Ａの透過光に対して９０
度の位相差をもった光を透過させる位相変換シフタ１４
は、光透過領域（１）Ｂから光透過領域（１）Ａにかけ
て、透過光の位相が１８０度から０度へ移り変わるとき
のバッファの役割を果たし、境界部分の光強度がＯにな
ることを避ける効果をもつ。つまり、１８０度位変位相
透過領域（１）Ｂと９０度変位相光ｉ３ｊＭ領域（１）
Ｃとの境界では光強度は０にならず、同様に９０度の光
透過領域（１）Ｃと０変位相の光透過領域（１）Ａとの
境界においても光強度が０にならない現象を利用して光
透過領域（１）Ａ、ＩＩＢの接合部の下方の不要暗部の
形成を防止したものである。

この現象は、実数軸をＸ軸にとり、虚数軸をＹ軸にとっ
た複素平面を考えると理解できる。光強度を、長さ１を
もったベクトルと考えると、１８０変位相が異なったも
のどうしをたし合わせると−、クトルが０になる（つま
り消える）のが容易に理解される。これは光強度が０の
現象である。

しかし、位相が９０度変異ったものどうしをたし合わせ
ると４５度傾いたベクトルが得られる。

つまり、ベクトルが長さをもてば、その光強度は０には
ならない。また、４５度１頃いたベクトルと１３５３５
度傾ベクトルをたし合わせると、実数成分がＯの虚数軸
上のベクトルができる。しかし、光強度は２乗した絶対
値で表されるから、この部分も光強度は０にはならない
。よって、１８０度と０度との間に位相が違う成分が入
ると、その境界での光強度は０よりも大きくなる。

よって、このフォトマスク装置に露光光が入射すると、
第１図（ａｌのＡ、−Ａ２線上では、通常のコントラス
ト向上効果が得られる。つまり、透過光遮断領域１３を
介して光透過領域（１）Ａと光透過領域（１）Ｂとが接
合しているので、従来例で述べたのと同様に、１８０度
位変位相なる光透過領域（１）Ａ（１）Ｂの接合が暗部
を作るように作用する。

また、第１図ｆａｌのＢ、−８２線上では、ｉ３過光の
位相を９０度変化させる位相変換ソフタ１４によって、
透過光の位相が０度、９０度、１８０度と段階的に変化
する。

よって、第１図（ｂ）に示すように、はぼマスク通りの
光強度分布が得られる。

つぎに、第１図（ａ）のＢ、−８２線上のフォトマスク
装置の断面図を第２図（ａ）に示し、フォトマスク装置
を透過した光の強度分布図を同図（ｂｌに示し、それに
よって形成されたレジストパターンの断面図を同図ｆｃ
ｌに示す。透過光の位相を９０度変化させる位相変換シ
フタ１４を設けたことによって、従来例で現れた不要な
レジストパターンは現れず、マスク通りのレジストパタ
ーン１８のみが形成される。

以上のように、この実施例によれば、透過光の位相を９
０度変化させる位相変換シフタ１４を１８０度位変位相
化させる位相変換シフタ１３の境界に設けることにより
、位相が１８０度異ｌ９光透過領域の接合による不要暗
部の形成を容易に防止することができ、分枝を含むよう
な開ループのパターンでもマスクを任意に作成すること
ができる。

さらに前記の例は、わかりやすく９０度変位相異なる位
相変換シフタ１４を１つ間に挟んだが、その境界での光
強度分布をｉ３過型マスクのものに近づけようとすれば
、１８０度の光透過領域から０度の光透過領域の間に多
くの位相の異なる位相変換シフタを段階的に配置すれば
よい。

第３図は上記のような構成としたこの発明の第２の実施
例の位相シフト法によるフォトマスク装置の平面図を示
し、２１は透明の石英板上の光透過領域、２２は石英板
上にクロム等を塗布して形成した透過光遮断領域、２３
は透過光の位相を１８０度変化させる位相変換シフタ、
２５は透過光の位相を１２０度変化させる位相変換シフ
タ、２６は透過光の位相を６０度変化させる位相変換シ
フタであり、光透過領域２１のうち位相変換シフタ２３
．２５．２６のない部分の光透過領域２１Ａの透過光の
位相と位相変換シフタ２３のある部分の光透過領域２１
Ｂの透過光の位相は１８０度異ｌ９、光透過領域２１Ａ
の透過光の位相と位相変換シフタ２６のある部分の光Ｍ
　Ａ　？ｉＪｆ域２１Ｃの透過光の位相は６０度変異り
、光ｉ３過領域２ＩＣの透過光の位相と位相変換シフタ
２５のある部分の光透過領域２１Ｄのｉ３過先の位相も
６０度変異り、光透過領域２１Ｄの透過光の位相と位相
変換シフタ２３のある部分の光透過領域２１Ｂの透過光
の位相も６０度変異る。

上記のように、透過光の位相を６０度変化させる位相変
換シフタ２６と１２０度変化させる位相変換シフタ２５
を、段階的に１８０度位変位相化させる位相変換シフタ
２３の境界に設けることにより、よりスムーズなマスク
通りの光強度分布が得られる。

第４図はこの発明の第３の実施例の位相シフト法による
フォトマスク装置の平面図を示し、３１は透明の石英板
上の光透過領域、３２は石英板上にクロム等を塗布して
形成した透過光遮断領域、３３は透過光の位相を９０度
変化させる位相変換シフタ、３４は透過光の位相を一９
０度変化させる位相変換シックであり、光ｉ３過領域３
１のうち位相変換シフタ３４のある部分の光透過領域３
１Ａのｉ３過光の位相と位相変換シック３３．３４のな
い部分の光透過領域３１Ｂの３過光の位相は９０度変声
り、光透過領域３１Ｂの透過光の位相と位相変換シフタ
３３のある部分の光透過領域３１Ｃの透過光の位相は９
０度変声り、光透過領域３１Ａの透過光の位相と光透過
領域３１Ｃのｉ３過光の位相は１８０度異ｌ６゜ この実施例では、位相を１８０度変化させる位相変換シ
フタを使わず、位相を９０度変化させる位相変換シフタ
と位相を一９０度変化させる位相変換ソフタとの２種類
の位相変換シックでコントラストを向上させ、位相変換
シフタのない透過光（０変位相）をへソファとして用い
ている。

この例のように位相差が１８０度の境界にバッフアを置
くという概念が重要であって、位相変換シフタをどのよ
うに配置するかは重要でないことは言うまでもない。

なお、第１．第２．第３の実施例において、９０度、１
８０度、−９０度等の位相変換シフタは、クロムの上に
形成しても、エツチングによ、て透過光遮断領域を構成
するクロムの下に形成してもよい。また、異なる屈折率
を持ったもので１８０度と９０度、２７０度の位相変換
シフタを作り分けてもよく、このようにすると、位相の
変化量の異なる位相変換シフタの高さを揃えることが可
能となり、フォトマスクの表面の段差を少なくすること
ができる。以上のように、レチクル上に異なる位相変換
シックを２つ以上作る方法は、どのようにしてもよい。

第８１Ｄ（ｂｌにこの発明の第４の実施例のフォトマス
ク装置の平面図を示す。第８図（ｂｌは、光透過領域の
みから構成されるフォトマスク装置の構成を示すもので
ある。第８図において、９３は透過光の位相を９０度変
化させる位相変換シフタであり、位相変換シフタ９２の
端縁部に配設されている。

位相変換シフタ９２．９３のない部分の光透過領域９１
Ａ（７）透過光の位相と位相変換シフタ９２のある部分
の光透過領域９１Ｂ１７）透過光の位相は１８０度異ｌ
６、光透過領域９１Ａのｉ３過光の位相と位相変換シフ
タ９３のある部分の光透過領域９１Ｃのｙ過充の位相は
９０度変声り、光透過領域９１Ｃの透過光の位相と光透
過領域９１Ｂの透過光の位相も９０度変声る。

以上のように構成されたこの実施例のフォトマスク装置
において、以下その動作を説明する。

透過光の位相を１８０度変化させる位相変換シフタ９２
の境界が光透過領域９１に存在するとき、その境界部に
透過光の位相を９０度変化させる位相変換シフタ９３を
配置する。光透過領域９１Ａ。

９１Ｂの透過光に対して９０度の位相差をもつ光を透過
させる位相変換シフタ９３は、透過光が１８０度から０
度の位相へ移り変わる時のバッフアの役割を果たし、そ
の光強度が光透過領域９１Ａ、　９１Ｂの接合部分でＯ
になることを避ける作用をもつ。

この実施例では、位相変換シフタ９３によって、位相変
換シフタ９２と位相変換シフタ９３との境界部分でのパ
ターン（暗部）形成が阻止される。

第９図中）に第８図中３に示すフォトマスク装置による
転写像のうち一点鎖線９９Ｂで囲んだ領域の部分での相
対光強度分布のシミュレーンヨン結果を示す。この図に
よれば、パターン１０１とパターン１０２とが独立して
形成されることが判る。

〔発　明　の　効　果〕

この発明によれば、透過光の位相で１８０度異ｌ６第１
および第２の光透過領域の間にそれらの透過光の位相の
中間の位相で光を透過させる第３の光透過領域を介在さ
せたので、第１および第２の光透過領域の接合による不
要暗部の形成を防止することができ、あらゆるパターン
においても位相シフトマスク法を適応することができる
。例えば、露光光源に従来のｇ線、ｉ線を用いて６４Ｍ
ビ・２トのＤＲＡＭ等の０．３〜０．４　ｐ　ｍルール
のパターニングが可能となる。またＫｒＦエキシマレー
ザ−（２４８ｎｍ）では０．２μｍルールのバターニン
グが可能となり、フォトリソグラフィの限界をより伸ば
すことができ、その実用的効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａｌはこの発明の第１の実施例のフォトマスフ
装置の平面図、第１図（ｂｌは第１図＋８１のフォトマ
スク装置の透過光のソミュレーソヨンによる光強度分布
図、第２図ｆａｔは第１図（ａｌのＢ、−８２線でのマ
スク断面図、第２図ｆｂｌは第１図ｔａ＋０Ｂ１Ｂ２線
での透過光の光強度分布図、第２図ｆｃｌは第１図（ａ
ｌのフォトマスク装置を通して露光して得られたレジス
トパターンのＢ、−８２線での断面図、第３図はこの発
明の第２の実施例のフォトマスク装置の平面図、第４図
はこの発明の第３の実施例のフォトマスク装置の平面図
、第５図（ａｌはフォトマスク装置の従来例の平面図、
第５図中）は第５図（ａｌのフォトマスク装置の透過光
のシミュレーションによる光強度分布図、第１図＋８１
は第５図（ａｌのＤ１Ｄ２線でのフォトマスク断面図、
第６図（ｂ）は第５図ｔａｌのり、−Ｄ２線でのｉ３過
光の光強度分布図、第６図ｔｅｌは第５図ｔａ＋のフォ
トマスク装置を通して露光して得られたレジストパター
ンのり、−Ｄ２線での断面図、第７図（ａｌは補助型位
相シフト法によるフォトマスク装置の従来例の平面図、
第７図（ｂｌは第７図（ａｌのフォトマスク装置を通っ
た光の振幅分布図、第７図ｆｃｌは同しくその光強度分
布図、第１図＋８１はフォトマスク装置の他の従来例の
平面図、第８図ｆｂｌはこの発明の第４の実施例におけ
るフォトマスク装置の平面図、第９図（ａｌは第８図（
ａｌにおけるフォトマスク装置による転写光のシミュレ
ーション結果を示す光強度分布図、第１図＋８１は第８
図（ｂｌに示すフォトマスク装置による転写光のシミュ
レーション結果を示す光強度分布図である。 （１）（１）Ａ〜ＩＩＣ，２１，２１Ａ〜２１Ｄ、３１
゜３１Ａ〜３１Ｃ，９１，９１Ａ〜９１Ｃ・・・光透過
領域、１２．２２．３２・・・ｉ３過光遮断領域、１３
，１４２３．２５．２６，３３．３４・・・位相変換シ
ック（１）Ｃ・・ｔ３のｔ遠湯優成 （１）１図 （ａ） （ｂ） 第 第 図 （ｂ） 図 第 第 （ｂ） 図 図 区 ｌｊ’）ｔｖ の 田 区 Ｃす

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）透過光の位相が互いに略１８０度異なる暗部形成
   用の第１および第２の光透過領域を直接もしくは透過光
   遮断領域を介して接合し、前記第１および第２の光透過
   領域の接合部の暗部形成不要部分に前記第１および第２
   の光透過領域の透過光の位相の中間の位相で光を透過さ
   せる第３の光透過領域を介在させたフォトマスク装置。
2. （２）請求項（１）記載のフォトマスク装置を基板上に
   形成されたレジスト上に設置し、前記フォトマスク装置
   の第１、第２および第３の光透過領域を通して露光光を
   前記レジスト上に照射することを特徴とするパターン形
   成方法。