JPH045587A - 高感度磁場検出器 - Google Patents
高感度磁場検出器Info
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- JPH045587A JPH045587A JP2106091A JP10609190A JPH045587A JP H045587 A JPH045587 A JP H045587A JP 2106091 A JP2106091 A JP 2106091A JP 10609190 A JP10609190 A JP 10609190A JP H045587 A JPH045587 A JP H045587A
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- Japan
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- magnetic field
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- coil
- coated wires
- superconducting
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Links
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Landscapes
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- Measurement And Recording Of Electrical Phenomena And Electrical Characteristics Of The Living Body (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高感度磁気検出器、電流針、変位計、または
高周波信号増幅器などに応用する直流駆動型超伝導量子
干渉素子（ＤＣＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ略する
。）の応用に関する。
高周波信号増幅器などに応用する直流駆動型超伝導量子
干渉素子（ＤＣＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ略する
。）の応用に関する。
この発明は、超伝導ループとそれにトランス結合する入
力コイルを存する高感度磁場検出器において、入力コイ
ルと超伝導コンタクトをする薄膜で形成された複数の検
出コイルを用い、しかも、検出コイル同志は超電導コン
タクトすることにより、微弱磁場検出バランスが崩れに
＜＜、作製が容易な高感度磁場検出器を得ることを目的
としている。
力コイルを存する高感度磁場検出器において、入力コイ
ルと超伝導コンタクトをする薄膜で形成された複数の検
出コイルを用い、しかも、検出コイル同志は超電導コン
タクトすることにより、微弱磁場検出バランスが崩れに
＜＜、作製が容易な高感度磁場検出器を得ることを目的
としている。
従来、第４図に示すように、超伝導コイル１と入力コイ
ル２はトランス結合され、入力コイル２と接続する検出
コイル１０はニオブ（Ｎｂ）線のボビン型タイプにし、
検出コイル１０と入力コイル２の接続は、はんだなどで
行っていた。
ル２はトランス結合され、入力コイル２と接続する検出
コイル１０はニオブ（Ｎｂ）線のボビン型タイプにし、
検出コイル１０と入力コイル２の接続は、はんだなどで
行っていた。
しかし、従来の高感度磁場検出器では、ニオブ（Ｎｂ）
線は弾性係数が大きいため、その端末がとがりやすいた
め、磁場検出バランスが崩れたり、作製しにくいという
課題があった。
線は弾性係数が大きいため、その端末がとがりやすいた
め、磁場検出バランスが崩れたり、作製しにくいという
課題があった。
そこで、本発明の目的は、従来のこのような課題を解決
するため、微弱磁場検出バランスが崩れに＜＜、かつ作
製しやすい高感度磁場検出器を得ることにある。
するため、微弱磁場検出バランスが崩れに＜＜、かつ作
製しやすい高感度磁場検出器を得ることにある。
上記課題を解決するために、本発明は超伝導ループとそ
れにトランス結合する入力コイルを有する高感度磁場検
出器において、入力コイルと超伝導コンタクトをする薄
膜で形成された複数の検出コイルを有する構成と、かつ
検出コイル同志は超電導コンタクトする構成にし、検出
コイルの超磁場検出バランス保持と作製能率向上を図れ
るようにした。
れにトランス結合する入力コイルを有する高感度磁場検
出器において、入力コイルと超伝導コンタクトをする薄
膜で形成された複数の検出コイルを有する構成と、かつ
検出コイル同志は超電導コンタクトする構成にし、検出
コイルの超磁場検出バランス保持と作製能率向上を図れ
るようにした。
上記のように構成された高感度磁場検出器において、測
定目的の微弱磁場は！膜型検出コイルに検出され上記検
出コイルに電流が発生し、この電流が鉛インジウム（Ｐ
ｂＩｎ）線を通じて入力コイルに流れ、入力コイルがこ
れとトランス結合している超伝導ループに測定磁場を伝
達することにより微弱磁場を測ることができる。
定目的の微弱磁場は！膜型検出コイルに検出され上記検
出コイルに電流が発生し、この電流が鉛インジウム（Ｐ
ｂＩｎ）線を通じて入力コイルに流れ、入力コイルがこ
れとトランス結合している超伝導ループに測定磁場を伝
達することにより微弱磁場を測ることができる。
すなわち、検出コイルが薄膜で形成されているため、各
検出コイルの形状・寸法を均一にすることが可能となり
、検出バランスの良い微弱磁場測定が可能となる。
検出コイルの形状・寸法を均一にすることが可能となり
、検出バランスの良い微弱磁場測定が可能となる。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図において、本発明の実施例の高感度磁場検出器の
概略図を示す。Ｎｂ／ＡＩＪ３／Ｎｂ （膜厚Ｎｂ。
概略図を示す。Ｎｂ／ＡＩＪ３／Ｎｂ （膜厚Ｎｂ。
１１００ｎ 、、Ａ１ｚＯ３ｉ ０．５ｎｍ ）ジョセ
フソン接合８を２個含むＤＣ型超伝導ループ１と入力コ
イル２の１チツプ６ＩＩ１ｍ角一体薄膜型５ＱＬＩＩＤ
素子をスパッタとフォトリソの複数の工程で作製する。
フソン接合８を２個含むＤＣ型超伝導ループ１と入力コ
イル２の１チツプ６ＩＩ１ｍ角一体薄膜型５ＱＬＩＩＤ
素子をスパッタとフォトリソの複数の工程で作製する。
薄膜型５ＱＵＩＤ素子の検出コイル７との接続線は鉛イ
ンジウム（ＰｂＩｎ）被覆！４ （径３ｍｍ）を用いて
接続部３で接続する。鉛インジウム（ＰｂＩｎ）被覆線
４ば径１０ｍｎ＋、長さ４０ｎ＋ｎのベーク板製円柱５
の中に配線されている。この円柱５の接続部３の反対の
端に、幅１００μｍのニオブ（スパッタで１１００ｎに
設定）検出コイルループ７を上部に持つ１０ｍｍ角、厚
さ２ｍｍのＳｉ基板６を４個組み込みかつ同時に各検出
コイルループと鉛インジウム（ＰｂＩｎ）被覆線とを接
続させる様に、側面にざくりをいれ鉛インジウム（Ｐｂ
ｉｎ）被覆線を配線する。第２図は、検出コイルの斜視
図である。第２図において、１０１角、厚さ２ｍ端のＳ
ｉ基板６上に輻１００ μｍの２１１１ｍループ７をＮ
ｂ（スパフ’／で１１００ｎに設定）で作製する。本実
施例では、２次微分グラジオメーター型検出コイルを構
成するため、第３図の様に鉛インジウム（ＰｂＩｎ）被
覆線４と４個の検出コイルルー１７が接続されている。
ンジウム（ＰｂＩｎ）被覆！４ （径３ｍｍ）を用いて
接続部３で接続する。鉛インジウム（ＰｂＩｎ）被覆線
４ば径１０ｍｎ＋、長さ４０ｎ＋ｎのベーク板製円柱５
の中に配線されている。この円柱５の接続部３の反対の
端に、幅１００μｍのニオブ（スパッタで１１００ｎに
設定）検出コイルループ７を上部に持つ１０ｍｍ角、厚
さ２ｍｍのＳｉ基板６を４個組み込みかつ同時に各検出
コイルループと鉛インジウム（ＰｂＩｎ）被覆線とを接
続させる様に、側面にざくりをいれ鉛インジウム（Ｐｂ
ｉｎ）被覆線を配線する。第２図は、検出コイルの斜視
図である。第２図において、１０１角、厚さ２ｍ端のＳ
ｉ基板６上に輻１００ μｍの２１１１ｍループ７をＮ
ｂ（スパフ’／で１１００ｎに設定）で作製する。本実
施例では、２次微分グラジオメーター型検出コイルを構
成するため、第３図の様に鉛インジウム（ＰｂＩｎ）被
覆線４と４個の検出コイルルー１７が接続されている。
また、磁束漏れをさらに防ぐために、鉛インジウム（Ｐ
ｂＩｎ）被覆線４は第３図に示すように、より線にしで
ある。尚、２次微分以外の場合（マグネ７）メーター、
１次微分系、３次以上微分系等）についても、本発明の
構造は適用できるが、詳細な説明は省略する。
ｂＩｎ）被覆線４は第３図に示すように、より線にしで
ある。尚、２次微分以外の場合（マグネ７）メーター、
１次微分系、３次以上微分系等）についても、本発明の
構造は適用できるが、詳細な説明は省略する。
本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載されるような効果を奏する。
下に記載されるような効果を奏する。
入力コイルと超伝導コンタクトをする薄膜で形成された
複数の検出コイルを有する手段と、検出コイル同志は超
電導コンタクトする手段を用いることにより、検出コイ
ルにおいて微弱磁場検出バランスが崩れに＜＜、かつ作
製しゃすい大量生産可能な高感度磁場検出器を作製でき
るという効果がある。
複数の検出コイルを有する手段と、検出コイル同志は超
電導コンタクトする手段を用いることにより、検出コイ
ルにおいて微弱磁場検出バランスが崩れに＜＜、かつ作
製しゃすい大量生産可能な高感度磁場検出器を作製でき
るという効果がある。
第１図は本発明の実施例の高感度磁場検出器の概略図、
第２図は検出コイルの斜視図、第３図は、ベータ板内部
の鉛インジウム（ＰｂＩｎ）被覆線の説明図、第４図は
、従来の高感度磁場検出器の概略図である。 １・・・超伝導ループ ２・・・入力コイル ３・・・接合部 ・鉛インジウム（ＰｂＩｎ）被覆線 ・ベーク板 ・Ｓｉ基板 ・検出コイル ・ジョセフソン接合 ・検出コイルと鉛イ 線の接続部 ンジウム（ＰｂＩｎ）被覆 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 弗３図 第４ｒ２Ｊ
第２図は検出コイルの斜視図、第３図は、ベータ板内部
の鉛インジウム（ＰｂＩｎ）被覆線の説明図、第４図は
、従来の高感度磁場検出器の概略図である。 １・・・超伝導ループ ２・・・入力コイル ３・・・接合部 ・鉛インジウム（ＰｂＩｎ）被覆線 ・ベーク板 ・Ｓｉ基板 ・検出コイル ・ジョセフソン接合 ・検出コイルと鉛イ 線の接続部 ンジウム（ＰｂＩｎ）被覆 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 弗３図 第４ｒ２Ｊ
Claims (2)
- （１）超伝導ループと、該超伝導ループにトランス結合
する入力コイルと少なくとも１つの検出コイルを有する
高感度磁場検出器において、前記検出コイルは薄膜化で
形成され、かつ前記入力コイル及び前記検出コイルの各
接続部は超伝導コンタクトされていることを特徴とする
高感度磁場検出器。 - （２）前記各接続部は鉛インジウム（ＰｂＩｎ）線で接
続されている請求項１記載の高感度磁場検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2106091A JPH045587A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 高感度磁場検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2106091A JPH045587A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 高感度磁場検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH045587A true JPH045587A (ja) | 1992-01-09 |
Family
ID=14424879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2106091A Pending JPH045587A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 高感度磁場検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH045587A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6357912B1 (en) * | 1998-08-28 | 2002-03-19 | Royal Holloway & Bedford New College | Current sensing noise thermometer |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP2106091A patent/JPH045587A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6357912B1 (en) * | 1998-08-28 | 2002-03-19 | Royal Holloway & Bedford New College | Current sensing noise thermometer |
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