JPH0456230A - バンプ成形方法 - Google Patents
バンプ成形方法Info
- Publication number
- JPH0456230A JPH0456230A JP2167194A JP16719490A JPH0456230A JP H0456230 A JPH0456230 A JP H0456230A JP 2167194 A JP2167194 A JP 2167194A JP 16719490 A JP16719490 A JP 16719490A JP H0456230 A JPH0456230 A JP H0456230A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump electrode
- laser beams
- bump
- crest
- crest part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子に形成されたバンプ電極頭部を成
形するバンプ成形方法に関するものである。
形するバンプ成形方法に関するものである。
従来の技術
近年、半導体装置の多ピン化あるいは、実装面積の縮少
化の要望に応えるべく、半導体素子の電極パッド上に、
バリヤメタルを介して金（Ａｕ）メツキによりバンプを
形成し、あるいは鋼（Ｃｕ）ボール表面に半田コーティ
ングを施した半田ボールを、前記電極パッドに溶着しバ
ンプを形成した後、ＴＡＢまたはフェースダウン方式に
より、直接基板上に実装する実装方法が採用されつつあ
るが、前記Ａｕメツキバンプ及び半田ボールバンプを半
導体素子の電極パッド上に形成する工法は、前記したバ
リヤメタル形成等の特殊なプロセスを必要とし、また、
その製造装置にも多大の投資を要するため、これらの問
題のない方式として、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、
（Ｃ）の工程順側面図のように、従来より半導体装置の
組立に用いられているワイヤボンディングによる電極パ
ッド上へのバンプ形成が行われている。
化の要望に応えるべく、半導体素子の電極パッド上に、
バリヤメタルを介して金（Ａｕ）メツキによりバンプを
形成し、あるいは鋼（Ｃｕ）ボール表面に半田コーティ
ングを施した半田ボールを、前記電極パッドに溶着しバ
ンプを形成した後、ＴＡＢまたはフェースダウン方式に
より、直接基板上に実装する実装方法が採用されつつあ
るが、前記Ａｕメツキバンプ及び半田ボールバンプを半
導体素子の電極パッド上に形成する工法は、前記したバ
リヤメタル形成等の特殊なプロセスを必要とし、また、
その製造装置にも多大の投資を要するため、これらの問
題のない方式として、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、
（Ｃ）の工程順側面図のように、従来より半導体装置の
組立に用いられているワイヤボンディングによる電極パ
ッド上へのバンプ形成が行われている。
まず、第２図（ａ）のように、半導体素子１の上方に位
置するキャピラリ７から繰出されたＡｕ線６の先端に、
放電により、ボール５が形成され、キャピラリ７の下降
に従い、ボール５は、半導体素子１の電極パッド２に押
し付けられ、超音波振動及び、熱を加えられてボンディ
ングされる（このプロセスは、通常の半導体装置の組立
に用いられるワイヤボンディングと同一である）。
置するキャピラリ７から繰出されたＡｕ線６の先端に、
放電により、ボール５が形成され、キャピラリ７の下降
に従い、ボール５は、半導体素子１の電極パッド２に押
し付けられ、超音波振動及び、熱を加えられてボンディ
ングされる（このプロセスは、通常の半導体装置の組立
に用いられるワイヤボンディングと同一である）。
次に、第２図（ｂ）のように、キャピラリ７は所定の位
置まで上昇し、若干構に移動し、Ａｕ線６は剪断のダメ
ージが与えられ、その後キャピラリ７、ワイヤクランパ
の動きにより、第２図（Ｃ）のように、Ａｕ線６は、前
記の剪断ダメージを受けた部分で引きちぎられ、電極パ
ッド２上に、バンプ電極３が形成されるが、放電により
形成されたボール５の大きさのばらつき、Ａｕ線６とボ
ール５との偏芯のばらつき等によって、引きちぎられる
Ａｕ線の状態が異なり、形成されたバンプ電極頭部４の
高さ、大きさの形状は第３図に例示するごときばらつき
が生じる。
置まで上昇し、若干構に移動し、Ａｕ線６は剪断のダメ
ージが与えられ、その後キャピラリ７、ワイヤクランパ
の動きにより、第２図（Ｃ）のように、Ａｕ線６は、前
記の剪断ダメージを受けた部分で引きちぎられ、電極パ
ッド２上に、バンプ電極３が形成されるが、放電により
形成されたボール５の大きさのばらつき、Ａｕ線６とボ
ール５との偏芯のばらつき等によって、引きちぎられる
Ａｕ線の状態が異なり、形成されたバンプ電極頭部４の
高さ、大きさの形状は第３図に例示するごときばらつき
が生じる。
発明が解決しようとする課題
前記したように、ボンディング法によるバンプ電極の形
成方法は、ボールの大きさのばらつきあるいは、Ａｕ線
とボールの偏芯のばらつき等によって、形成されたバン
プ電極頭部は、高さ２大きさ、形状にばらつきを生じ、
特に高さのばらつきは、ＴＡＢあるいはフェースダウン
による実装において、高さの低いバンプ電極は電気的に
接続されないという重大な欠点を有していた。
成方法は、ボールの大きさのばらつきあるいは、Ａｕ線
とボールの偏芯のばらつき等によって、形成されたバン
プ電極頭部は、高さ２大きさ、形状にばらつきを生じ、
特に高さのばらつきは、ＴＡＢあるいはフェースダウン
による実装において、高さの低いバンプ電極は電気的に
接続されないという重大な欠点を有していた。
課題を解決するための手段
本発明は、前記課題を解決するため、ボールボンディン
グ法にて形成されたバンプ電極頭部に、レーザビームを
照射し、その一部を溶解させる。
グ法にて形成されたバンプ電極頭部に、レーザビームを
照射し、その一部を溶解させる。
作用
ポールボンディング法により形成されたバンプ電極頭部
にレーザビームを照射し、レーザビームのエネルギーに
よって、バンプ電極頭部の一部を溶解させ、バンプ電極
頭部面を平滑かつ、バンプ電極高さを一定化させる。
にレーザビームを照射し、レーザビームのエネルギーに
よって、バンプ電極頭部の一部を溶解させ、バンプ電極
頭部面を平滑かつ、バンプ電極高さを一定化させる。
実施例
第１図を参照し、本発明の一実施例を説明する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は実施例によるバンプ電極の
成形状態を説明する図である。
成形状態を説明する図である。
第１図（ａ）において、半導体素子１に設けられたＡ［
パッド２上に、−船釣に半導体装置の組立てに用いられ
るネールへラドボンディング法によっ゛て、Ａｕボール
はボンディングされ、バンプ電極３を形成するが、その
バンプ電極頭部は、高さ。
パッド２上に、−船釣に半導体装置の組立てに用いられ
るネールへラドボンディング法によっ゛て、Ａｕボール
はボンディングされ、バンプ電極３を形成するが、その
バンプ電極頭部は、高さ。
大きさ、形状にばらつきを有している。
レーザビーム９は、半導体素子ｌの上面との間に、所定
の間隔を有する高さに位置されている結像レンズ８を経
て集束され、前記バンプ電極頭部４に、所定の時間のみ
照射される。
の間隔を有する高さに位置されている結像レンズ８を経
て集束され、前記バンプ電極頭部４に、所定の時間のみ
照射される。
バンプ電極頭部４のレーザビームに照射された部分は、
レーザのエネルギーにより瞬時に高温となり溶解し、平
滑な面で、Ａｕの表面張力により、若干の球面形状とな
り、バンプ電極３の高さ、バンプ電極頭部４の形状が一
定化される。
レーザのエネルギーにより瞬時に高温となり溶解し、平
滑な面で、Ａｕの表面張力により、若干の球面形状とな
り、バンプ電極３の高さ、バンプ電極頭部４の形状が一
定化される。
発明の効果
本発明のバンプ形成方法は、前記したように、半導体素
子に形成されたバンプ電極頭部を、レーザエネルギーに
て溶解成形するため、バンプ電極の高さ、バンプ電極頭
部の形状は一定化され、バンプ電極を有する半導体装置
の信頼性を著しく向上させる効果がある。
子に形成されたバンプ電極頭部を、レーザエネルギーに
て溶解成形するため、バンプ電極の高さ、バンプ電極頭
部の形状は一定化され、バンプ電極を有する半導体装置
の信頼性を著しく向上させる効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるバンプ成形方法の概要
を示す側面図、第２図は従来のポールボンディング法に
よるバンプ電極の形成を説明する工程順側面図、第３図
は従来のバンプ電極頭部の大きさ、形状を例示する側面
図である。 １・・・・・・半導体素子、３・・・・・・バンプ電極
、４・・・・・・バンプ電極頭部、９・・・・・・レー
ザビーム。
を示す側面図、第２図は従来のポールボンディング法に
よるバンプ電極の形成を説明する工程順側面図、第３図
は従来のバンプ電極頭部の大きさ、形状を例示する側面
図である。 １・・・・・・半導体素子、３・・・・・・バンプ電極
、４・・・・・・バンプ電極頭部、９・・・・・・レー
ザビーム。
Claims (1)
- ボールボンディング法により形成されたバンプ電極頭
頂部に、レーザビームを照射し、前記レーザビームのエ
ネルギーによって前記バンプ電極頭部の一部分を溶解さ
せることを特徴とするバンプ成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167194A JPH0456230A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | バンプ成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167194A JPH0456230A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | バンプ成形方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456230A true JPH0456230A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15845173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2167194A Pending JPH0456230A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | バンプ成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456230A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080599A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Epson Toyocom Corp | 圧電振動子とその製造方法 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2167194A patent/JPH0456230A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080599A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Epson Toyocom Corp | 圧電振動子とその製造方法 |
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