JPH04294552A - ワイヤーボンディング方法 - Google Patents
ワイヤーボンディング方法Info
- Publication number
- JPH04294552A JPH04294552A JP3059915A JP5991591A JPH04294552A JP H04294552 A JPH04294552 A JP H04294552A JP 3059915 A JP3059915 A JP 3059915A JP 5991591 A JP5991591 A JP 5991591A JP H04294552 A JPH04294552 A JP H04294552A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- pellet
- wire
- pad
- stitch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07511—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07521—Aligning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5434—Dispositions of bond wires the connected ends being on auxiliary connecting means on bond pads, e.g. on other bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/951—Materials of bond pads
- H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はペレットのボンディン
グパッドにステッチボンディングするワイヤボンディン
グ方法に関するものであり、特にマルチペレットのペレ
ットトゥペレットまたはロングワイヤーに適したもので
ある。
グパッドにステッチボンディングするワイヤボンディン
グ方法に関するものであり、特にマルチペレットのペレ
ットトゥペレットまたはロングワイヤーに適したもので
ある。
【0002】
【従来の技術】ワイヤーボンディングのボールボンディ
ング法について動作概要を説明する。
ング法について動作概要を説明する。
【0003】金ワイヤーはキャピラリーツールを通り、
キャピラリーツールの先端に金ボールが形成され、キャ
ピラリーツールが降下し金ボールをボンディングパッド
のアルミニウム電極に押し付け、金ボールを変形させる
ことにより、金とアルミニウムが接合する(以下、ボー
ルボンディングと呼ぶ)。その時ペレットは250〜3
00℃程度に加熱されている。次にキャピラリーツール
を電気的に導通させたい側に移し、金ワイヤーの端をそ
の箇所へ押し付け、金ワイヤーの変形により接合する(
以下、ステッチボンディングと呼ぶ)。その後、金ワイ
ヤーをクランパでクランプし引き上げることにより接合
部端部で金ワイヤーを切断し、一つの結線が完了する。 続いてボール形成用トーチにより、金ボール形成が行な
われる。
キャピラリーツールの先端に金ボールが形成され、キャ
ピラリーツールが降下し金ボールをボンディングパッド
のアルミニウム電極に押し付け、金ボールを変形させる
ことにより、金とアルミニウムが接合する(以下、ボー
ルボンディングと呼ぶ)。その時ペレットは250〜3
00℃程度に加熱されている。次にキャピラリーツール
を電気的に導通させたい側に移し、金ワイヤーの端をそ
の箇所へ押し付け、金ワイヤーの変形により接合する(
以下、ステッチボンディングと呼ぶ)。その後、金ワイ
ヤーをクランパでクランプし引き上げることにより接合
部端部で金ワイヤーを切断し、一つの結線が完了する。 続いてボール形成用トーチにより、金ボール形成が行な
われる。
【0004】従来、一般的にはペレットのパッドとリー
ドフレームのフィンガとをワイヤーで接続する場合、パ
ッド側がボールボンディングとなり、フィンガ側がステ
ッチボンディングとなる。したがって、キャピラリーツ
ールの先端は、パッド側は金ボールを介するため非接触
となり、フィンガ側は接触してしまうが、双方共に良好
な接合が得られ、またダメージも無く安定したワイヤー
ボンディングが行えた。また、マルチペレットのワイヤ
ーボンディングにおいては、図6に示すように電気的に
導通させたいパッド同士を、フィンガ側に双方のステッ
チボンディングを行ない、結線を行なっていたため特に
問題はなかった。
ドフレームのフィンガとをワイヤーで接続する場合、パ
ッド側がボールボンディングとなり、フィンガ側がステ
ッチボンディングとなる。したがって、キャピラリーツ
ールの先端は、パッド側は金ボールを介するため非接触
となり、フィンガ側は接触してしまうが、双方共に良好
な接合が得られ、またダメージも無く安定したワイヤー
ボンディングが行えた。また、マルチペレットのワイヤ
ーボンディングにおいては、図6に示すように電気的に
導通させたいパッド同士を、フィンガ側に双方のステッ
チボンディングを行ない、結線を行なっていたため特に
問題はなかった。
【0005】一方、ペレットの中央部にボンディングパ
ッドが配置されたような場合もあるが、これらのワイヤ
ーボンディングについても一般にパッド側ボールボンデ
ィング、フィンガ側ステッチボンディングにて行なって
いた。
ッドが配置されたような場合もあるが、これらのワイヤ
ーボンディングについても一般にパッド側ボールボンデ
ィング、フィンガ側ステッチボンディングにて行なって
いた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらマルチペ
レットの場合、リ−ドフィンガを介さずにペレットとペ
レット間を直接ワイヤ−で接続する必要があるが、図7
に示すように従来方法でペレットトゥペレットのワイヤ
ーボンディングを行なうと、一方のペレットのボンディ
ングパッドはステッチボンディングを行なうことになり
、キャピラリーツールの先端とペレットのアルミニウム
電極部が直接接触するため、ワイヤーボンダーのツール
上下動機構が生み出した衝撃が直接チップにダメージを
与えてしまうため、ステッチボンディング側のパッドへ
のダメージが大きくボンディング性、品質面で不安定で
あった。
レットの場合、リ−ドフィンガを介さずにペレットとペ
レット間を直接ワイヤ−で接続する必要があるが、図7
に示すように従来方法でペレットトゥペレットのワイヤ
ーボンディングを行なうと、一方のペレットのボンディ
ングパッドはステッチボンディングを行なうことになり
、キャピラリーツールの先端とペレットのアルミニウム
電極部が直接接触するため、ワイヤーボンダーのツール
上下動機構が生み出した衝撃が直接チップにダメージを
与えてしまうため、ステッチボンディング側のパッドへ
のダメージが大きくボンディング性、品質面で不安定で
あった。
【0007】また、ペレット中央部のボンディングパッ
ドからのワイヤーボンディングについては、図8に示す
ようにパッド側ボールボンディング、フィンガ側ステッ
チボンディングにて行なっているが、ロングワイヤーと
なるため、ワイヤータレ、ワイヤー変形などの不具合が
発生し、それを抑制するために、機構的なループコント
ロールが必要であるが充分ではなかった。
ドからのワイヤーボンディングについては、図8に示す
ようにパッド側ボールボンディング、フィンガ側ステッ
チボンディングにて行なっているが、ロングワイヤーと
なるため、ワイヤータレ、ワイヤー変形などの不具合が
発生し、それを抑制するために、機構的なループコント
ロールが必要であるが充分ではなかった。
【0008】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で高品質でボンディング性に優れたワイヤ−ボンディン
グ方法を提供することを目的とする。
で高品質でボンディング性に優れたワイヤ−ボンディン
グ方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のワイヤ−ボンディング方法は、同一基板上に
配置された複数のペレット間をワイヤ−ボンディングに
より接続するに際し、一方のペレットのボンディングパ
ッドにはボ−ルボンディングをし、他方のペレットのボ
ンディングパッドにはパッド上に形成された突起電極を
介してステッチボンディングを行なうことを特徴とする
。
に本発明のワイヤ−ボンディング方法は、同一基板上に
配置された複数のペレット間をワイヤ−ボンディングに
より接続するに際し、一方のペレットのボンディングパ
ッドにはボ−ルボンディングをし、他方のペレットのボ
ンディングパッドにはパッド上に形成された突起電極を
介してステッチボンディングを行なうことを特徴とする
。
【0010】また、リ−ドフレ−ムのリ−ドフィンガと
、リ−ドフレ−ムのアイランド上に配置されたペレット
の中央部に位置するボンディングパッドとをワイヤ−ボ
ンディングにより接続するに際し、前記リ−ドフィンガ
側にはボ−ルボンディングを行い、前記ペレットのボン
ディングパッドにはパッド上に形成された突起電極を介
してステッチボンディングを行なうことを特徴とする。
、リ−ドフレ−ムのアイランド上に配置されたペレット
の中央部に位置するボンディングパッドとをワイヤ−ボ
ンディングにより接続するに際し、前記リ−ドフィンガ
側にはボ−ルボンディングを行い、前記ペレットのボン
ディングパッドにはパッド上に形成された突起電極を介
してステッチボンディングを行なうことを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明の、ボンディングパッドのアルミニウム
電極上に突起電極を介してステッチボンディングを行な
う方法によって、キャピラリーツールの先端がペレット
のアルミニウム電極上に接触しないでボンディングが行
えるものである。
電極上に突起電極を介してステッチボンディングを行な
う方法によって、キャピラリーツールの先端がペレット
のアルミニウム電極上に接触しないでボンディングが行
えるものである。
【0012】さらに、ロングワイヤーのボンディングに
ついては、ループ直進性の高い、安定したルーピングが
得られ、ワイヤータレ抑制が図れるものである。
ついては、ループ直進性の高い、安定したルーピングが
得られ、ワイヤータレ抑制が図れるものである。
【0013】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。図1はであり、リードフレームのアイ
ランド1にペレット2を付けペレットのボンディングパ
ッド3にステッチボンディングを行なう際にボンディン
グパッドのアルミニウム電極上に突起電極4を介してス
テッチボンディングを行なうものである、ボンディング
パッド3と金ワイヤー5に介在する突起電極4は、数々
のバンプ形成技術により可能であるが、その方法の一つ
であるスタッドバンプについて説明する。
ながら説明する。図1はであり、リードフレームのアイ
ランド1にペレット2を付けペレットのボンディングパ
ッド3にステッチボンディングを行なう際にボンディン
グパッドのアルミニウム電極上に突起電極4を介してス
テッチボンディングを行なうものである、ボンディング
パッド3と金ワイヤー5に介在する突起電極4は、数々
のバンプ形成技術により可能であるが、その方法の一つ
であるスタッドバンプについて説明する。
【0014】ボンディングパッドのアルミニウム電極上
3に金ボールのみを変形接着させる、その後、金ワイヤ
ーをクランパにて保持したまま引き上げ、金ボールネッ
ク部にて切断し、図4に示すようなバンプ状態となる、
その後、バンプ整形用キャピラリーツールにてバンプを
上部より押し、凸部をほぼ平坦な形に整形し図5に示す
ような状態とする。したがって、ボンディングパッドに
ステッチボンディングを行なう際は、事前に図5に示す
ようなバンプ形成を行なうことによりキャピラリーツー
ルの先端がアルミニウム電極部に接触しないでステッチ
ボンディングが可能となり、ワイヤーボンダーのツール
上下動機構が生み出した衝撃が、直接ペレットにダメー
ジを与えないで、良好な接合が得られる、したがって、
図1に示すようなペレットトゥペレットのワイヤーボン
ディングが容易に行えるものである。
3に金ボールのみを変形接着させる、その後、金ワイヤ
ーをクランパにて保持したまま引き上げ、金ボールネッ
ク部にて切断し、図4に示すようなバンプ状態となる、
その後、バンプ整形用キャピラリーツールにてバンプを
上部より押し、凸部をほぼ平坦な形に整形し図5に示す
ような状態とする。したがって、ボンディングパッドに
ステッチボンディングを行なう際は、事前に図5に示す
ようなバンプ形成を行なうことによりキャピラリーツー
ルの先端がアルミニウム電極部に接触しないでステッチ
ボンディングが可能となり、ワイヤーボンダーのツール
上下動機構が生み出した衝撃が、直接ペレットにダメー
ジを与えないで、良好な接合が得られる、したがって、
図1に示すようなペレットトゥペレットのワイヤーボン
ディングが容易に行えるものである。
【0015】さらに他の実施例として図2に示すように
、ペレット中央部のボンディングパッド3とリードフレ
ームのフィンガ6とを、金ワイヤー5で接続するロング
ワイヤーに於いてもペレットのボンディングパッドのア
ルミニウム電極上に突起電極4を介してステッチボンデ
ィングが可能である。この場合、フィンガ6にボ−ルボ
ンドすなわちファ−ストボンドを行なった後、金ワイヤ
−5は一旦上方へ持ち上げられ引続きペレット中央部の
突起電極4にステッチボンドすなわちセカンドボンドが
行なわれる。このため同図のように金ワイヤ−5はペレ
ット端部に対して充分な距離と高さが保たれ、ロングワ
イヤ−であってもワイヤ−たれ等によるペレットとの接
触が防止できる。
、ペレット中央部のボンディングパッド3とリードフレ
ームのフィンガ6とを、金ワイヤー5で接続するロング
ワイヤーに於いてもペレットのボンディングパッドのア
ルミニウム電極上に突起電極4を介してステッチボンデ
ィングが可能である。この場合、フィンガ6にボ−ルボ
ンドすなわちファ−ストボンドを行なった後、金ワイヤ
−5は一旦上方へ持ち上げられ引続きペレット中央部の
突起電極4にステッチボンドすなわちセカンドボンドが
行なわれる。このため同図のように金ワイヤ−5はペレ
ット端部に対して充分な距離と高さが保たれ、ロングワ
イヤ−であってもワイヤ−たれ等によるペレットとの接
触が防止できる。
【0016】なお、同様の効果はロングワイヤ−の場合
に限らず、図3に示すようにボンディングパッドがペレ
ットの端部に位置している場合にも得られるものである
。
に限らず、図3に示すようにボンディングパッドがペレ
ットの端部に位置している場合にも得られるものである
。
【0017】なお、本実施例ではスタッドバンプを用い
たが、他の導電性バンプでも実現できることは言うまで
もないことである。
たが、他の導電性バンプでも実現できることは言うまで
もないことである。
【0018】
【発明の効果】以上のように本発明は、ボンディングパ
ッドにステッチボンディングを行なう際、突起電極を介
して行なうので、接合に必要な荷重を十分に得て、かつ
衝撃荷重を小さくできるため、ボンディングパッド周辺
のペレットへのダメージを抑制できる。
ッドにステッチボンディングを行なう際、突起電極を介
して行なうので、接合に必要な荷重を十分に得て、かつ
衝撃荷重を小さくできるため、ボンディングパッド周辺
のペレットへのダメージを抑制できる。
【0019】また、ペレット中央部でのボンディングパ
ッドへのステッチボンディングについては、安定したル
ーピングでロングワイヤーが可能となり、さらにペレッ
ト中央部へのボンディングパッドレイアウトも可能にな
る。
ッドへのステッチボンディングについては、安定したル
ーピングでロングワイヤーが可能となり、さらにペレッ
ト中央部へのボンディングパッドレイアウトも可能にな
る。
【図1】本発明のワイヤーボンディング方法の一実施例
を説明するための接続部分の拡大側面図
を説明するための接続部分の拡大側面図
【図2】本実施
例のワイヤーボンディングを示す側面図
例のワイヤーボンディングを示す側面図
【図3】本発明
の他実施例におけるワイヤーボンディングを説明するた
めの側面図
の他実施例におけるワイヤーボンディングを説明するた
めの側面図
【図4】スタッドバンプの斜視図
【図5】スタッドバンプ、スタンピング後の斜視図
【図
6】従来のマルチペレットワイヤーボンディングを説明
するための側面図
6】従来のマルチペレットワイヤーボンディングを説明
するための側面図
【図7】従来のペレットトゥペレットワイヤーボンディ
ングを説明するための側面図
ングを説明するための側面図
【図8】従来のペレット中央部からのワイヤーボンディ
ングを説明するための側面図
ングを説明するための側面図
1 リードフレーム、アイランド
2 ペレット
3 ボンディングパッド、アルミニウム電極部4
バンプ 5 金ワイヤー 6 リードフレーム、フィンガ
バンプ 5 金ワイヤー 6 リードフレーム、フィンガ
Claims (3)
- 【請求項1】同一基板上に配置された複数のペレット間
をワイヤ−ボンディングにより接続するに際し、一方の
ペレットのボンディングパッドにはボ−ルボンディング
を行い、他方のペレットのボンディングパッドにはパッ
ド上に形成された突起電極を介してステッチボンディン
グを行なうことを特徴とするワイヤ−ボンディング方法
。 - 【請求項2】リ−ドフレ−ムのリ−ドフィンガと、リ−
ドフレ−ムのアイランド上に配置されたペレットのボン
ディングパッドとをワイヤ−ボンディングにより接続す
るに際し、前記リ−ドフィンガ側にはボ−ルボンディン
グを行い、前記ペレットのボンディングパッドにはパッ
ド上に形成された突起電極を介してステッチボンディン
グを行なうことを特徴とするワイヤ−ボンディング方法
。 - 【請求項3】突起電極が形成されたボンディングパッド
が、前記ペレットの中央部に位置していることを特徴と
する請求項2記載のワイヤ−ボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3059915A JPH04294552A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | ワイヤーボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3059915A JPH04294552A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | ワイヤーボンディング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04294552A true JPH04294552A (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=13126904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3059915A Pending JPH04294552A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | ワイヤーボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04294552A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997012394A1 (de) * | 1995-09-26 | 1997-04-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum elektrischen verbinden eines halbleiterchips mit zumindest einer kontaktfläche |
| WO1998021780A3 (de) * | 1996-11-11 | 1998-06-25 | Siemens Ag | Verbindung zwischen zwei kontaktflächen und verfahren zum herstellen einer solchen verbindung |
| US6079610A (en) * | 1996-10-07 | 2000-06-27 | Denso Corporation | Wire bonding method |
| EP1094517A3 (en) * | 1999-10-19 | 2002-04-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method for producing the same |
| US6420256B1 (en) * | 1997-04-22 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | Method of improving interconnect of semiconductor devices by using a flattened ball bond |
| US6601752B2 (en) | 2000-03-13 | 2003-08-05 | Denso Corporation | Electronic part mounting method |
| EP1367644A1 (en) * | 2002-05-29 | 2003-12-03 | STMicroelectronics S.r.l. | Semiconductor electronic device and method of manufacturing thereof |
| US6803665B1 (en) * | 2001-11-02 | 2004-10-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Off-chip inductor |
| JP2005340677A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ワイヤボンダの押さえパーツおよび支持パーツ |
| US7067413B2 (en) | 2003-09-04 | 2006-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wire bonding method, semiconductor chip, and semiconductor package |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6039254B2 (ja) * | 1976-12-09 | 1985-09-05 | ハ−マン・ウント・ライマ−・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | アルキルアリ−ルエ−テル類の製造方法 |
| JPH01293626A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Ricoh Co Ltd | フレキシブル配線板におけるワイヤボンディング法 |
| JPH02114545A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Toshiba Corp | ワイヤボンディング接続方法 |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP3059915A patent/JPH04294552A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6039254B2 (ja) * | 1976-12-09 | 1985-09-05 | ハ−マン・ウント・ライマ−・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | アルキルアリ−ルエ−テル類の製造方法 |
| JPH01293626A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Ricoh Co Ltd | フレキシブル配線板におけるワイヤボンディング法 |
| JPH02114545A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Toshiba Corp | ワイヤボンディング接続方法 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100377077B1 (ko) * | 1995-09-26 | 2003-05-17 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 반도체칩을적어도하나의접촉면과전기적으로접속하기위한방법 |
| WO1997012394A1 (de) * | 1995-09-26 | 1997-04-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum elektrischen verbinden eines halbleiterchips mit zumindest einer kontaktfläche |
| US6079610A (en) * | 1996-10-07 | 2000-06-27 | Denso Corporation | Wire bonding method |
| WO1998021780A3 (de) * | 1996-11-11 | 1998-06-25 | Siemens Ag | Verbindung zwischen zwei kontaktflächen und verfahren zum herstellen einer solchen verbindung |
| US6420256B1 (en) * | 1997-04-22 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | Method of improving interconnect of semiconductor devices by using a flattened ball bond |
| US6624059B2 (en) | 1997-04-22 | 2003-09-23 | Micron Technology, Inc. | Method of improving interconnect of semiconductor devices by utilizing a flattened ball bond |
| EP1713122A3 (en) * | 1999-10-19 | 2006-11-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method for producing the same |
| EP1094517A3 (en) * | 1999-10-19 | 2002-04-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method for producing the same |
| US6601752B2 (en) | 2000-03-13 | 2003-08-05 | Denso Corporation | Electronic part mounting method |
| US6803665B1 (en) * | 2001-11-02 | 2004-10-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Off-chip inductor |
| EP1367644A1 (en) * | 2002-05-29 | 2003-12-03 | STMicroelectronics S.r.l. | Semiconductor electronic device and method of manufacturing thereof |
| US7067413B2 (en) | 2003-09-04 | 2006-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wire bonding method, semiconductor chip, and semiconductor package |
| JP2005340677A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ワイヤボンダの押さえパーツおよび支持パーツ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6774494B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| US6495773B1 (en) | Wire bonded device with ball-shaped bonds | |
| US6624059B2 (en) | Method of improving interconnect of semiconductor devices by utilizing a flattened ball bond | |
| US5328079A (en) | Method of and arrangement for bond wire connecting together certain integrated circuit components | |
| JPH10275827A (ja) | フェイスダウンボンディング用リードフレーム | |
| JPH04294552A (ja) | ワイヤーボンディング方法 | |
| JP2005039192A (ja) | 半導体装置及びワイヤボンディング方法 | |
| US20050092815A1 (en) | Semiconductor device and wire bonding method | |
| US6474532B2 (en) | Apparatus for forming wire bonds from circuitry on a substrate to a semiconductor chip, and methods of forming semiconductor chip assemblies | |
| JP3762475B2 (ja) | ワイヤボンディング方法及び半導体装置 | |
| JP4021378B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH0256942A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05267385A (ja) | ワイヤーボンディング装置 | |
| JP2733418B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2665061B2 (ja) | ワイヤーボンディング方法 | |
| JP3202193B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP2532304B2 (ja) | 半導体チップと、これが搭載される基板との間のワイヤボンディング構造 | |
| JP2004031451A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6379331A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| JPH10199913A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH05243307A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07130749A (ja) | 電子部品のリード接合装置並びに接合方法 | |
| JPH0262055A (ja) | バンプ形成方法とそれに用いられるボンディングウェッジ | |
| JP2004311644A (ja) | ウェッジボンディング方法 | |
| JPS63138744A (ja) | ワイヤボンデイング方法 |