JPH0456250A - 半導体ウエハ - Google Patents
半導体ウエハInfo
- Publication number
- JPH0456250A JPH0456250A JP16721790A JP16721790A JPH0456250A JP H0456250 A JPH0456250 A JP H0456250A JP 16721790 A JP16721790 A JP 16721790A JP 16721790 A JP16721790 A JP 16721790A JP H0456250 A JPH0456250 A JP H0456250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- semiconductor element
- semiconductor
- semiconductor wafer
- dicing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 11
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、ダイシングするために形成されるスクライ
ブラインを有する半導体ウェハに関するものである。
ブラインを有する半導体ウェハに関するものである。
従来の技術
近年、電子機器の小型化に伴いそれに使用される半導体
チップにも、微細化および大集積化が要求されている。
チップにも、微細化および大集積化が要求されている。
これに伴い半導体チップの保留向上を目指すため、半導
体ウェハの表面に形成されるスクライブラインの間隔が
ますます狭められてきている。
体ウェハの表面に形成されるスクライブラインの間隔が
ますます狭められてきている。
第３図は従来の半導体ウェハを示す断面図である。
第３図に示すように、半導体ウェハ１の上にトランジ、
スタ等の半導体素子２が形成され、同半導体素子２０表
面には半導体素子２を保護するための保護膜３が形成さ
れ、隣接する半導体素子２゜２の間のスクライブライン
４のほぼ中央部に半導体素子２の表面を保護するための
保護膜３とは完全に分離された保護膜３１が形成された
構造であり、この保護膜３１の部分をダイヤモンドブレ
ード５により、はぼ中央部を切断することにより、多数
の半導体チップに分割される。
スタ等の半導体素子２が形成され、同半導体素子２０表
面には半導体素子２を保護するための保護膜３が形成さ
れ、隣接する半導体素子２゜２の間のスクライブライン
４のほぼ中央部に半導体素子２の表面を保護するための
保護膜３とは完全に分離された保護膜３１が形成された
構造であり、この保護膜３１の部分をダイヤモンドブレ
ード５により、はぼ中央部を切断することにより、多数
の半導体チップに分割される。
発明が解決しようとする課題
ところが、ダイヤモンドブレード５を高速゛回転で移動
しながら半導体ウェハ１を切断した場合、ダイヤモンド
ブレード５の移動スピードを速（した場合、保護膜３１
の表面状態の硬度が高い場合、あるいは低い場合、また
は粘度が高い場合、あるいは低い場合等で様々な条件に
よって、ダイヤモンドブレード５の移動スピードの速さ
を増すことにより、亀裂が発生して、この亀裂が半導体
素子２に達することがある。この状態を第４図のＡで示
した。
しながら半導体ウェハ１を切断した場合、ダイヤモンド
ブレード５の移動スピードを速（した場合、保護膜３１
の表面状態の硬度が高い場合、あるいは低い場合、また
は粘度が高い場合、あるいは低い場合等で様々な条件に
よって、ダイヤモンドブレード５の移動スピードの速さ
を増すことにより、亀裂が発生して、この亀裂が半導体
素子２に達することがある。この状態を第４図のＡで示
した。
このようにして、半導体素子２を保護するための保護膜
３に亀裂が発生した場合、界面からの水の進入等により
、信頼性に悪影響を及ぼす。これらは、微細化及び大集
積化、パッケージの制約。
３に亀裂が発生した場合、界面からの水の進入等により
、信頼性に悪影響を及ぼす。これらは、微細化及び大集
積化、パッケージの制約。
半導体素子間の距離が狭くなるにつれてより一層大きな
問題となってきている。
問題となってきている。
本発明は、ダイヤモンドブレードを高速回転でしかも高
速度で移動しながらスクライブラインを切断した場合に
おいて、亀裂が発生しても、半導体素子までの到達を阻
止できる半導体ウェハを提供することを目的とするもの
である。
速度で移動しながらスクライブラインを切断した場合に
おいて、亀裂が発生しても、半導体素子までの到達を阻
止できる半導体ウェハを提供することを目的とするもの
である。
課題を解決するための手段
本発生の半導体ウェハは、ダイシングを行なう予定中央
部分の両側に半導体素子の保護膜とは完全に分離された
保護膜を互いに分けて設けている。
部分の両側に半導体素子の保護膜とは完全に分離された
保護膜を互いに分けて設けている。
作用
このようにすれば、スクライブライン上の保護膜により
、ダイシング時に半導体ウニｔｄこ加わる無理な力で発
生する亀裂は、この完全に分離され、かつ分割された保
護膜でほぼ完全に止まり、抑制することができる。
、ダイシング時に半導体ウニｔｄこ加わる無理な力で発
生する亀裂は、この完全に分離され、かつ分割された保
護膜でほぼ完全に止まり、抑制することができる。
実施例
本発明の半導体ウェハをダイシングについて一実施例を
第１図のスクライブライン付近の断面図を参照しながら
説明する。
第１図のスクライブライン付近の断面図を参照しながら
説明する。
これは、半導体ウェハ１の上にトランジスタ等の半導体
素子２が形成され、同半導体素子２の表面には半導体素
子２を保護するための保護膜３が形成され、隣接する半
導体素子２，２の間のスクライブライン４の中央部両側
に半導体素子２の表面を保護するための保護膜３とは完
全に分離された保護膜３１が互いに分割されて形成され
た構造であり、この分割された保護膜３１の間にそって
、ダイヤモンドブレード５によりダイシングするもので
ある。
素子２が形成され、同半導体素子２の表面には半導体素
子２を保護するための保護膜３が形成され、隣接する半
導体素子２，２の間のスクライブライン４の中央部両側
に半導体素子２の表面を保護するための保護膜３とは完
全に分離された保護膜３１が互いに分割されて形成され
た構造であり、この分割された保護膜３１の間にそって
、ダイヤモンドブレード５によりダイシングするもので
ある。
なお、保護膜３１は酸化膜やシリコンナイトライド等の
半導体素子を保護するための保護膜であり、ダイシング
を行なう予定部分の両側の所に半導体素子２の保護膜３
とは完全に分離して形成される必要がある。
半導体素子を保護するための保護膜であり、ダイシング
を行なう予定部分の両側の所に半導体素子２の保護膜３
とは完全に分離して形成される必要がある。
本実施例の半導体ウェハをダイシングした時のダイシン
グによる影響について以下に説明する。
グによる影響について以下に説明する。
第２図は、第１図の完全に分離され保護膜３１の中央部
をダイシングしたときの様子を示したものである。
をダイシングしたときの様子を示したものである。
ダイヤモンドブレード５を高速回転で、しかも高速移動
しながら、スクライブライン４を切断してもスクライブ
ラインに半導体素子の保護膜とは完全に分離された保護
膜３１を設けてあり、この保護膜３１が設けであるため
ダイシング時に半導体ウェハ１に加わる無理な力を緩和
あるいは吸収することができるため、亀裂などの不安定
なカットを抑制することができる。
しながら、スクライブライン４を切断してもスクライブ
ラインに半導体素子の保護膜とは完全に分離された保護
膜３１を設けてあり、この保護膜３１が設けであるため
ダイシング時に半導体ウェハ１に加わる無理な力を緩和
あるいは吸収することができるため、亀裂などの不安定
なカットを抑制することができる。
特に、スクライブライン４の上に保護膜３１を半導体素
子２の上の保護膜３から分離して形成することにより、
この保護膜３１で緩和あるいは、吸収することができる
ため半導体素子２に達する亀裂は殆どなくなる。このた
め、半導体素子２゜２のスクライブライン幅を狭くする
ことができ、半導体ウェハ上に形成される素子数量を増
加させることができる。
子２の上の保護膜３から分離して形成することにより、
この保護膜３１で緩和あるいは、吸収することができる
ため半導体素子２に達する亀裂は殆どなくなる。このた
め、半導体素子２゜２のスクライブライン幅を狭くする
ことができ、半導体ウェハ上に形成される素子数量を増
加させることができる。
発明の効果
本発明の半導体ウェハを用いてダイシングした場合スク
ライブラインに半導体素子の保護膜とは完全に分離され
、かつ、互いに分割された保護膜を備えることによって
、ダイヤモンドブレードを高速回転でしかも、高速度で
移動しながらスクライブラインを切断した場合において
も亀裂等の不安定なカットを抑えることができる。
ライブラインに半導体素子の保護膜とは完全に分離され
、かつ、互いに分割された保護膜を備えることによって
、ダイヤモンドブレードを高速回転でしかも、高速度で
移動しながらスクライブラインを切断した場合において
も亀裂等の不安定なカットを抑えることができる。
第１図は本発明の半導体ウェハを用いてダイシングした
一実施例を示す断面図、第２図は同実施例においてダイ
シングしたときの状態を表わす断面図、第３図、第４図
は従来の半導体ウェハを用いてダイシングした時の断面
図である。 １・・・・・・半導体ウェハ、２・・・・・・半導体素
子、３・・・・・・保護膜、３１・・・・・・完全に分
離された保護膜、４・・・・・・スクライブライン、５
・・・・・・ダイヤモンドブレード。
一実施例を示す断面図、第２図は同実施例においてダイ
シングしたときの状態を表わす断面図、第３図、第４図
は従来の半導体ウェハを用いてダイシングした時の断面
図である。 １・・・・・・半導体ウェハ、２・・・・・・半導体素
子、３・・・・・・保護膜、３１・・・・・・完全に分
離された保護膜、４・・・・・・スクライブライン、５
・・・・・・ダイヤモンドブレード。
Claims (1)
- 半導体ウエハをダイシングするために前記半導体ウエ
ハ表面に形成されたスクライブライン上に半導体素子の
保護膜とは完全に分離され、かつ、互いに分割された保
護膜を設けたことを特徴とする半導体ウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16721790A JPH0456250A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16721790A JPH0456250A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体ウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456250A true JPH0456250A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15845607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16721790A Pending JPH0456250A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体ウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456250A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5462636A (en) * | 1993-12-28 | 1995-10-31 | International Business Machines Corporation | Method for chemically scribing wafers |
| US5834829A (en) * | 1996-09-05 | 1998-11-10 | International Business Machines Corporation | Energy relieving crack stop |
| DE102007029729A1 (de) | 2007-06-27 | 2009-01-02 | Hitachi, Ltd. | Schneckengetriebeeinheit und ihr Herstellungsverfahren |
| DE102008056719A1 (de) | 2007-11-12 | 2009-05-20 | Hitachi, Ltd. | Schneckengetriebe und elektrische Servolenkung |
| WO2011074155A1 (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-23 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2016072413A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP16721790A patent/JPH0456250A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5462636A (en) * | 1993-12-28 | 1995-10-31 | International Business Machines Corporation | Method for chemically scribing wafers |
| US5834829A (en) * | 1996-09-05 | 1998-11-10 | International Business Machines Corporation | Energy relieving crack stop |
| DE102007029729A1 (de) | 2007-06-27 | 2009-01-02 | Hitachi, Ltd. | Schneckengetriebeeinheit und ihr Herstellungsverfahren |
| DE102008056719A1 (de) | 2007-11-12 | 2009-05-20 | Hitachi, Ltd. | Schneckengetriebe und elektrische Servolenkung |
| WO2011074155A1 (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-23 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2016072413A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2921953B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI645464B (zh) | Wafer processing method | |
| US6879025B2 (en) | Semiconductor device incorporating a dicing technique for wafer separation and a method for manufacturing the same | |
| KR100276854B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 형성 방법 | |
| US4364078A (en) | Edge barrier of polysilicon and metal for integrated circuit chips | |
| US6887771B2 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
| US20120038028A1 (en) | Multiple seal ring structure | |
| US6890836B2 (en) | Scribe street width reduction by deep trench and shallow saw cut | |
| US20120286397A1 (en) | Die Seal for Integrated Circuit Device | |
| JPH0145978B2 (ja) | ||
| EP1278236A1 (en) | Method of dicing a compound semiconductor wafer and compound semiconductor substrate thereby formed | |
| JPH0456250A (ja) | 半導体ウエハ | |
| US6465344B1 (en) | Crystal thinning method for improved yield and reliability | |
| JP2718901B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20040235272A1 (en) | Scribe street width reduction by deep trench and shallow saw cut | |
| US11651998B2 (en) | Plasma die singulation systems and related methods | |
| JPH01196850A (ja) | 半導体ウエハーのダイシング方法 | |
| US9875913B2 (en) | Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures | |
| CN110993569B (zh) | 半导体装置及其制作方法 | |
| JPH065701A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP1278235A1 (en) | Manufacturing method of compound semiconductor device | |
| US8310032B2 (en) | Wafer and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP2013008899A (ja) | パッケージ形成方法 | |
| KR100506100B1 (ko) | 반도체장치 | |
| JP2004273739A (ja) | 半導体装置の製造方法 |