JPH0145978B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0145978B2 JPH0145978B2 JP58124517A JP12451783A JPH0145978B2 JP H0145978 B2 JPH0145978 B2 JP H0145978B2 JP 58124517 A JP58124517 A JP 58124517A JP 12451783 A JP12451783 A JP 12451783A JP H0145978 B2 JPH0145978 B2 JP H0145978B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing
- cooling water
- flange
- blade
- flanges
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23D—PLANING; SLOTTING; SHEARING; BROACHING; SAWING; FILING; SCRAPING; LIKE OPERATIONS FOR WORKING METAL BY REMOVING MATERIAL, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23D59/00—Accessories specially designed for sawing machines or sawing devices
- B23D59/02—Devices for lubricating or cooling circular saw blades
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23D—PLANING; SLOTTING; SHEARING; BROACHING; SAWING; FILING; SCRAPING; LIKE OPERATIONS FOR WORKING METAL BY REMOVING MATERIAL, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23D61/00—Tools for sawing machines or sawing devices; Clamping devices for these tools
- B23D61/02—Circular saw blades
- B23D61/10—Circular saw blades clamped between hubs; Clamping or aligning devices therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/023—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a cutting blade mounted on a carriage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明はダイシング装置の改良に係り、特にダ
イシング・ブレードを固持するフランジ構造の改
良に関する。
イシング・ブレードを固持するフランジ構造の改
良に関する。
(b) 従来技術と問題点
ウエーハ・プロセスを完了した半導体基板をダ
イシング・ブレード（ダイアモンド・ホイール）
を用いてダイシングするに際し、アツプ・カツト
ではそれ程問題がないがダウン・カツトの場合、
ダイシング・ラインの近傍に配設されているボン
デイング・パツドの表面に、除去が困難な汚染物
質（半導体の粉末）が被着し、そのために該ボン
デイング・パツドに対する配線のボンデイング不
良や配線接続抵抗の増大を招き、半導体装置の品
質や信頼性が損われるという問題があつた。
イシング・ブレード（ダイアモンド・ホイール）
を用いてダイシングするに際し、アツプ・カツト
ではそれ程問題がないがダウン・カツトの場合、
ダイシング・ラインの近傍に配設されているボン
デイング・パツドの表面に、除去が困難な汚染物
質（半導体の粉末）が被着し、そのために該ボン
デイング・パツドに対する配線のボンデイング不
良や配線接続抵抗の増大を招き、半導体装置の品
質や信頼性が損われるという問題があつた。
これは第１図イに示すように従来のダイシング
装置に於ては、ダイシング・ブレード１を固持す
るフランジを軽くするために、該フランジ２縁部
の厚さt1が薄く（200〜300〔μm〕程度）形成さ
れ、且つその先端部の角度θ1が非常にシヤープ
（10〜12度程度）に形成されていたために、注水
ノズル３からフランジ２の側面に注ぎかけられた
冷却Ｗが、該フランジ２面に沿い且つ30000
〔rpm〕程度の高速で回転しているフランジ２の
遠心力によつて加速されて、半導体基板４のダイ
シング・ライン５から通常100〔μm〕程度の近傍
領域に配設されている通常アルミニウム（Al）
等よりなるダイシング・パツド６面に衝突し、該
ボンデイング・パツド６上に附着している切り粉
即ち半導体の粉粒等を該ボンデイング・パツド６
面に叩き込むためである。
装置に於ては、ダイシング・ブレード１を固持す
るフランジを軽くするために、該フランジ２縁部
の厚さt1が薄く（200〜300〔μm〕程度）形成さ
れ、且つその先端部の角度θ1が非常にシヤープ
（10〜12度程度）に形成されていたために、注水
ノズル３からフランジ２の側面に注ぎかけられた
冷却Ｗが、該フランジ２面に沿い且つ30000
〔rpm〕程度の高速で回転しているフランジ２の
遠心力によつて加速されて、半導体基板４のダイ
シング・ライン５から通常100〔μm〕程度の近傍
領域に配設されている通常アルミニウム（Al）
等よりなるダイシング・パツド６面に衝突し、該
ボンデイング・パツド６上に附着している切り粉
即ち半導体の粉粒等を該ボンデイング・パツド６
面に叩き込むためである。
第１図ロはこの状態を示す模式図で、図中１は
ダイシング・ブレード、２はフランジ、３は注水
ノズル、４は半導体基板、６はボンデイング・パ
ツド、７はフランジの側面に当つた冷却水の飛程
を表す矢印し、Ｗは冷却水を示している。
ダイシング・ブレード、２はフランジ、３は注水
ノズル、４は半導体基板、６はボンデイング・パ
ツド、７はフランジの側面に当つた冷却水の飛程
を表す矢印し、Ｗは冷却水を示している。
(c) 発明の目的
本発明は、ダイシングに際して、ダイシング・
ブレードを固持し高速回転しているフランジの側
面に注ぎかけられた冷却水の飛程をダイシング・
ラインから所定の距離だけ離隔せしめるような形
状を有するフランジを具備し、且つ冷却水をダイ
シング・ブレードの先端部即ち切削部に集中的に
注きかける冷却水ノズルを具備したダイシング装
置を提供するものであり、その目的とするところ
はウエーハ・プロセスを完了した半導体基板をダ
イシングする際に於けるボンデイング・パツドの
汚染を防止するにある。
ブレードを固持し高速回転しているフランジの側
面に注ぎかけられた冷却水の飛程をダイシング・
ラインから所定の距離だけ離隔せしめるような形
状を有するフランジを具備し、且つ冷却水をダイ
シング・ブレードの先端部即ち切削部に集中的に
注きかける冷却水ノズルを具備したダイシング装
置を提供するものであり、その目的とするところ
はウエーハ・プロセスを完了した半導体基板をダ
イシングする際に於けるボンデイング・パツドの
汚染を防止するにある。
(d) 発明の構成
即ち本発明は、ダイシング・ラインとその近傍
にボンデイング・パツド配設領域を有する半導体
ウエーハに該ダイシング・ラインに沿つた切削溝
を形成する際に用い、回転して該半導体ウエーハ
を切削するダイシング・ブレードと、該ダイシン
グ・ブレードを固持するフランジと、該ダイシン
グ・ブレードに向かつて冷却水を噴射する注水ノ
イズとを具備し、該フランジ縁部の形状が、該フ
ランジ縁部の側面の延長面と該ウエーハ面とが前
記ボンデイング・パツド配設領域に対して該ダイ
シング・ラインと反対側で交差するように形成さ
れたことを特徴とする。
にボンデイング・パツド配設領域を有する半導体
ウエーハに該ダイシング・ラインに沿つた切削溝
を形成する際に用い、回転して該半導体ウエーハ
を切削するダイシング・ブレードと、該ダイシン
グ・ブレードを固持するフランジと、該ダイシン
グ・ブレードに向かつて冷却水を噴射する注水ノ
イズとを具備し、該フランジ縁部の形状が、該フ
ランジ縁部の側面の延長面と該ウエーハ面とが前
記ボンデイング・パツド配設領域に対して該ダイ
シング・ラインと反対側で交差するように形成さ
れたことを特徴とする。
(e) 発明の実施例
以下本発明を実施例について、図を用いて詳細
に説明する。
に説明する。
第２図は本発明が適用されたダイシング装置の
要部を模式的に表わした正面図イ及びそのＡ―Ａ
矢視断面図ロで、第３図イ乃至ハは本発明に係る
フランジに於ける異なる周縁部形状例を模式的に
示す断面図、第４図イ，ロ，ハは冷却水注水ノズ
ルの実施例を模式的に示す正面図ａ及び断面図ｂ
である。
要部を模式的に表わした正面図イ及びそのＡ―Ａ
矢視断面図ロで、第３図イ乃至ハは本発明に係る
フランジに於ける異なる周縁部形状例を模式的に
示す断面図、第４図イ，ロ，ハは冷却水注水ノズ
ルの実施例を模式的に示す正面図ａ及び断面図ｂ
である。
第２図は本発明を適用したダイシング装置に於
ける半導体基板をダウン・カツトによつて切削し
ている状態を示したもので、同図に於て１１はダ
イシング・ブレード、１２は高速転軸、１３ａ，
１３ｂはフランジ、１４はナツト、１５は冷却水
注水ノズル、１６は冷却水、１７はステージ、１
８は半導体基板、１９ａ，１９ｂはボンデイン
グ・パツド、２０はブレードの回転方向矢印し、
２１はブレード進行方向矢印しを表わしている。
ける半導体基板をダウン・カツトによつて切削し
ている状態を示したもので、同図に於て１１はダ
イシング・ブレード、１２は高速転軸、１３ａ，
１３ｂはフランジ、１４はナツト、１５は冷却水
注水ノズル、１６は冷却水、１７はステージ、１
８は半導体基板、１９ａ，１９ｂはボンデイン
グ・パツド、２０はブレードの回転方向矢印し、
２１はブレード進行方向矢印しを表わしている。
即ち本発明は同図に示したような通常の駆動機
構を有するダイシング装置に於けるダイシング・
ブレード固持用フランジ１３ａ，１３ｂ及び冷却
水注水ノズル１５に適用される。そして本発明の
第１の要旨とするところは、ダイシング・ブレー
ド固持用フランジ１３ａ，１３ｂの周縁部形状に
係り、その端面の厚さを例えば１〔mm〕程度とし、
且つ周縁部の側面を例えばブレード１１の側面と
平行即ち被切削面に対して直角にすることによつ
て、フランジ１３ａ，１３ｂの側面に注水ノズル
１５から注ぎかけられた冷却水１６が、例えば、
20000〜30000〔r.p.m〕程度の高速で回転している
フランジ１３ａ，１３ｂ面で該フランジ面に沿つ
て遠心加速され被処理基板１８上に叩きつけら
れ、ダイシング・ラインから通常100〜200〔μm〕
程度しか離れていない位置に形成されているボン
デイング・パツド１９ａ，１９ｂ上に衝突するこ
とのないように、該遠心加速された冷却水の飛程
をブレード１１の側面から遠く離隔せしめたこと
にある。なお図に於てフランジ１３ｂ，１３ｂの
側面が２段に形成されているのはフランジ強度を
維持するためで、本発明に直接関係はない。
構を有するダイシング装置に於けるダイシング・
ブレード固持用フランジ１３ａ，１３ｂ及び冷却
水注水ノズル１５に適用される。そして本発明の
第１の要旨とするところは、ダイシング・ブレー
ド固持用フランジ１３ａ，１３ｂの周縁部形状に
係り、その端面の厚さを例えば１〔mm〕程度とし、
且つ周縁部の側面を例えばブレード１１の側面と
平行即ち被切削面に対して直角にすることによつ
て、フランジ１３ａ，１３ｂの側面に注水ノズル
１５から注ぎかけられた冷却水１６が、例えば、
20000〜30000〔r.p.m〕程度の高速で回転している
フランジ１３ａ，１３ｂ面で該フランジ面に沿つ
て遠心加速され被処理基板１８上に叩きつけら
れ、ダイシング・ラインから通常100〜200〔μm〕
程度しか離れていない位置に形成されているボン
デイング・パツド１９ａ，１９ｂ上に衝突するこ
とのないように、該遠心加速された冷却水の飛程
をブレード１１の側面から遠く離隔せしめたこと
にある。なお図に於てフランジ１３ｂ，１３ｂの
側面が２段に形成されているのはフランジ強度を
維持するためで、本発明に直接関係はない。
上記要旨を満足し得るフランジ周縁部の形状は
種々ある。第３図イ乃至ロはその代表的な形状例
とその形状のフランジ側面に於て遠心加速された
冷却水の飛程とを模式的に示したものでこれらの
図に於て、１１はダイシング・ブレード、１３
ａ，１３ｂはフランジ、１８は被切削半導体基
板、１９ａ，１９ｂはボンデイング・パツド、２
２ａ及び２２ｂは遠心加速された冷却水の飛程を
表わしている。
種々ある。第３図イ乃至ロはその代表的な形状例
とその形状のフランジ側面に於て遠心加速された
冷却水の飛程とを模式的に示したものでこれらの
図に於て、１１はダイシング・ブレード、１３
ａ，１３ｂはフランジ、１８は被切削半導体基
板、１９ａ，１９ｂはボンデイング・パツド、２
２ａ及び２２ｂは遠心加速された冷却水の飛程を
表わしている。
即ち第３図イに示すフランジ１３ａ，１３ｂの
周縁部の形状は第２図に示した実施例と同様で、
該構造のフランジ１３ａ，１３ｂの周縁部には被
切削半導体基板１８面と平行で、且つボンデイン
グ・パツド１９ａ，１９ｂ形成領域の上部を充分
にカバーする例えば１〔mm〕程度の厚さを有する
第１の端面２３ａと、所定の強度を維持するため
に更に必要な厚さ例えば３〔mm〕程度の第２の端
面２３ｂとが形成されてなつている。そしてこの
構造に於てフランジ１３ａ，１３ｂ面で遠心加速
された冷却水の主なる飛程は矢印し２２ａのよう
になり、従たる飛程は矢印し２２ｂのようにな
る。従つて該遠心加速された冷却水によつてボン
デイング・パツド１９ａ，１９ｂが強く叩かれる
ことはない。
周縁部の形状は第２図に示した実施例と同様で、
該構造のフランジ１３ａ，１３ｂの周縁部には被
切削半導体基板１８面と平行で、且つボンデイン
グ・パツド１９ａ，１９ｂ形成領域の上部を充分
にカバーする例えば１〔mm〕程度の厚さを有する
第１の端面２３ａと、所定の強度を維持するため
に更に必要な厚さ例えば３〔mm〕程度の第２の端
面２３ｂとが形成されてなつている。そしてこの
構造に於てフランジ１３ａ，１３ｂ面で遠心加速
された冷却水の主なる飛程は矢印し２２ａのよう
になり、従たる飛程は矢印し２２ｂのようにな
る。従つて該遠心加速された冷却水によつてボン
デイング・パツド１９ａ，１９ｂが強く叩かれる
ことはない。
又第３図ロに示す実施例に於ては、強度を保つ
ために必要な３〜４〔mm〕程度のフランジ厚がフ
ランジ１３ａ，１３ｂの周縁部の端部まで維持さ
れ、端面２３が被処理基板１８面に対して平行に
近い角度、即ちダイシング・ブレード１１に対し
て60〔度〕以上の角度θに形成されている。そし
てこの構造に於て遠心加速された冷却水の主たる
飛程は矢印し22aの如くなり、微少水量からなる
従たる飛程は矢印２２ｂのようにダイシング・ブ
レード１１に沿つて基板面に達する向きになる。
従つて該構造に於てもフランジ１３ａ，１３ｂ面
で遠心加速された冷却水でボンデイング・パツド
１９ａ，１９ｂが強く叩かれることはない。
ために必要な３〜４〔mm〕程度のフランジ厚がフ
ランジ１３ａ，１３ｂの周縁部の端部まで維持さ
れ、端面２３が被処理基板１８面に対して平行に
近い角度、即ちダイシング・ブレード１１に対し
て60〔度〕以上の角度θに形成されている。そし
てこの構造に於て遠心加速された冷却水の主たる
飛程は矢印し22aの如くなり、微少水量からなる
従たる飛程は矢印２２ｂのようにダイシング・ブ
レード１１に沿つて基板面に達する向きになる。
従つて該構造に於てもフランジ１３ａ，１３ｂ面
で遠心加速された冷却水でボンデイング・パツド
１９ａ，１９ｂが強く叩かれることはない。
第３図ハはフランジの減量効果を得るために、
フランジに中心から周縁部に向かう傾斜を持たせ
た一実施例である。この構造に於てはフランジ１
３ａ，１３ｂ側面で遠心加速された冷却水の飛程
は矢印し２２の如くなる。従つてこの構造に於て
フランジ端面２３の厚さは前記冷却水の飛程２２
がダイシング・ラインから見てボンデイング・パ
ツド１９ａ，１９ｂの外側になるように選ぶ必要
がある。
フランジに中心から周縁部に向かう傾斜を持たせ
た一実施例である。この構造に於てはフランジ１
３ａ，１３ｂ側面で遠心加速された冷却水の飛程
は矢印し２２の如くなる。従つてこの構造に於て
フランジ端面２３の厚さは前記冷却水の飛程２２
がダイシング・ラインから見てボンデイング・パ
ツド１９ａ，１９ｂの外側になるように選ぶ必要
がある。
又本発明の第２の要旨とするところは、冷却水
注水ノズル１５の構造に係り、第２図に示すよう
に該注水ノズル１５から噴射される冷却水１６の
向きを被切削半導体基板１８の表面に対して斜め
の方向から切削部即ちブレード１１の先端部に向
くようにしたことにある。なお本発明に於ては、
前記したようにブレード１１を固持するフランジ
１３ａ，１３ｂの縁部が１〔mm〕程度に厚く形成
されるので、切削部に冷却水１６を直かに吹きつ
けるために冷却水ノズル１５の配設位置は従来に
比べて低い位置即ち被切削半導体基板１８面に近
い位置になる。
注水ノズル１５の構造に係り、第２図に示すよう
に該注水ノズル１５から噴射される冷却水１６の
向きを被切削半導体基板１８の表面に対して斜め
の方向から切削部即ちブレード１１の先端部に向
くようにしたことにある。なお本発明に於ては、
前記したようにブレード１１を固持するフランジ
１３ａ，１３ｂの縁部が１〔mm〕程度に厚く形成
されるので、切削部に冷却水１６を直かに吹きつ
けるために冷却水ノズル１５の配設位置は従来に
比べて低い位置即ち被切削半導体基板１８面に近
い位置になる。
これによつて前述したような厚みを有するフラ
ンジ端面の下部を通つて切削部に充分な冷却水が
保給されるので切削品質を低下させることなく切
削スピードを向上せしめることができる。
ンジ端面の下部を通つて切削部に充分な冷却水が
保給されるので切削品質を低下させることなく切
削スピードを向上せしめることができる。
第４図イ，ロ，ハは冷却水ノズルの実施例を模
式的に示した側面図ａ及び断面図ｂで、３１は冷
却水供給管、３２は冷却水噴出スリツト、３３は
ひさし、３４はガイド枠、矢印３５は切削部の方
向を表わしている。なお冷却水噴出部は上記スリ
ツトに限らず複数の孔で形成してもよい。なお上
記ひさし３３は噴出された冷却水が上方に広がる
のを阻止するためのもので又ガイド枠３４は噴出
された冷却水の方向性を強めるためのものであ
る。
式的に示した側面図ａ及び断面図ｂで、３１は冷
却水供給管、３２は冷却水噴出スリツト、３３は
ひさし、３４はガイド枠、矢印３５は切削部の方
向を表わしている。なお冷却水噴出部は上記スリ
ツトに限らず複数の孔で形成してもよい。なお上
記ひさし３３は噴出された冷却水が上方に広がる
のを阻止するためのもので又ガイド枠３４は噴出
された冷却水の方向性を強めるためのものであ
る。
(f) 発明の効果
以上説明したように本発明によれば、ウエー
ハ・プロセスの完了した半導体基板をダイシング
する際、ダイシング・ブレードを固持するフラン
ジ端部の側面に沿つて高速に遠心加速された冷却
水によつてダイシング・ライン近傍に配設されて
いるボンデイング・パツド面が強く叩かれること
が回避されるので、該冷却水によつて半導体等の
切り粉が叩き込まれてボンデイング・パツド面が
汚染されるということがなくなり、半導体装置の
組立歩留りや信頼性が向上する。
ハ・プロセスの完了した半導体基板をダイシング
する際、ダイシング・ブレードを固持するフラン
ジ端部の側面に沿つて高速に遠心加速された冷却
水によつてダイシング・ライン近傍に配設されて
いるボンデイング・パツド面が強く叩かれること
が回避されるので、該冷却水によつて半導体等の
切り粉が叩き込まれてボンデイング・パツド面が
汚染されるということがなくなり、半導体装置の
組立歩留りや信頼性が向上する。
なお又本発明によれば冷却水を多くかけてもパ
ツド面が汚染されることはなくなるので、ダイシ
ング効率も向上する。
ツド面が汚染されることはなくなるので、ダイシ
ング効率も向上する。
第１図イは従来のフランジ構造を示す模式図、
第１図ロは従来の問題点説明図、第２図は本発明
の適用されたダイシング装置の要部を模式的に表
わした正面図イ及びそのＡ―Ａ矢視断面図ロで、
第３図イ乃至ハは本発明に係るフランジに於ける
異なる周縁部形状例を模式的に示す断面図、第４
図イ，ロ，ハは冷却水注水ノズルの実施例を模式
的に示す側面図ａ及び断面図ｂである。 図に於て、１１はダイシング・ブレード、１２
は高速回転軸、１３ａ，１３ｂはフランジ、１５
は冷却水注水管、１６は冷却水、１８は半導体基
板、１９ａ，１９ｂはボンデイング・パツド、２
０はブレードの回転方向矢印し、２１はブレード
の進行方向矢印し、２２ａ，２２ｂは遠心加速さ
れた冷却水の飛程、２３はフランジの端面、２３
ａは同第１の端面、２３ｂは同第２の端面を示
す。
第１図ロは従来の問題点説明図、第２図は本発明
の適用されたダイシング装置の要部を模式的に表
わした正面図イ及びそのＡ―Ａ矢視断面図ロで、
第３図イ乃至ハは本発明に係るフランジに於ける
異なる周縁部形状例を模式的に示す断面図、第４
図イ，ロ，ハは冷却水注水ノズルの実施例を模式
的に示す側面図ａ及び断面図ｂである。 図に於て、１１はダイシング・ブレード、１２
は高速回転軸、１３ａ，１３ｂはフランジ、１５
は冷却水注水管、１６は冷却水、１８は半導体基
板、１９ａ，１９ｂはボンデイング・パツド、２
０はブレードの回転方向矢印し、２１はブレード
の進行方向矢印し、２２ａ，２２ｂは遠心加速さ
れた冷却水の飛程、２３はフランジの端面、２３
ａは同第１の端面、２３ｂは同第２の端面を示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ダイシング・ラインとその近傍にボンデイン
グ・パツド配設領域を有する半導体ウエーハに該
ダイシング・ラインに沿つた切削溝を形成する際
に用い、 回転して該半導体ウエーハを切削するダイシン
グ・ブレードと、該ダイシング・ブレードを固持
するフランジと、該ダイシング・ブレードに向か
つて冷却水を噴射する注水ノイズとを具備し、 該フランジ縁部形状が、 該フランジ縁部の側面の延長面と該ウエーハ面
とが前記ボンデイング・パツド配設領域に対して
該ダイシング・ラインと反対側で交差するように
形成されたことを特徴とするダイシング装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58124517A JPS6030314A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | ダイシング装置 |
| DE8484107440T DE3473985D1 (en) | 1983-07-08 | 1984-06-28 | Dicing apparatus |
| EP84107440A EP0131809B1 (en) | 1983-07-08 | 1984-06-28 | Dicing apparatus |
| KR1019840003696A KR900001993B1 (ko) | 1983-07-08 | 1984-06-28 | 다이싱장치(dicing apparatus) |
| US06/628,862 US4569326A (en) | 1983-07-08 | 1984-07-09 | Dicing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58124517A JPS6030314A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | ダイシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030314A JPS6030314A (ja) | 1985-02-15 |
| JPH0145978B2 true JPH0145978B2 (ja) | 1989-10-05 |
Family
ID=14887432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Families Citing this family (20)
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|---|---|---|---|---|
| DE8901638U1 (de) * | 1989-01-31 | 1989-06-22 | Frost, Günther, 8400 Regensburg | Vorrichtung zum Zertrennen eines mehrere gedruckte Schaltkreise aufweisenden plattenförmigen Nutzens |
| DE9015096U1 (de) * | 1990-11-02 | 1991-04-18 | Lindner, Horst, 8400 Regensburg | Säge zum Trennen von Materialproben |
| US5252079A (en) * | 1992-02-10 | 1993-10-12 | Amp Incorporated | Method of manufacture of a contact guide |
| US5261385A (en) * | 1992-03-27 | 1993-11-16 | Dicing Technology Inc. | Abrasive cutting blade assembly with multiple cutting edge exposures |
| US5613350A (en) * | 1992-12-24 | 1997-03-25 | Boucher; John N. | Method for packaging and handling fragile dicing blade |
| JP3209818B2 (ja) * | 1993-03-08 | 2001-09-17 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置の切削刃取付構造 |
| EP0676253A1 (en) * | 1994-04-06 | 1995-10-11 | Motorola, Inc. | A chamfered hub blade |
| US5718615A (en) * | 1995-10-20 | 1998-02-17 | Boucher; John N. | Semiconductor wafer dicing method |
| US6152803A (en) * | 1995-10-20 | 2000-11-28 | Boucher; John N. | Substrate dicing method |
| KR100225909B1 (ko) * | 1997-05-29 | 1999-10-15 | 윤종용 | 웨이퍼 소잉 장치 |
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| JP3482331B2 (ja) * | 1997-12-17 | 2003-12-22 | 東芝機械株式会社 | 仕上げ加工方法 |
| US20040112360A1 (en) * | 1998-02-12 | 2004-06-17 | Boucher John N. | Substrate dicing method |
| RU2155131C2 (ru) * | 1998-09-11 | 2000-08-27 | Ульяновский государственный технический университет | Способ резки монокристаллов кремния |
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Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2163687A (en) * | 1938-01-10 | 1939-06-27 | Bucyrus Monighan Company | Cutting |
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| FR2382097A1 (fr) * | 1977-02-23 | 1978-09-22 | Radiotechnique Compelec | Procede de fabrication de diodes semi-conductrices de type p-i-n |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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