JPH0456262A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH0456262A
JPH0456262A JP2167207A JP16720790A JPH0456262A JP H0456262 A JPH0456262 A JP H0456262A JP 2167207 A JP2167207 A JP 2167207A JP 16720790 A JP16720790 A JP 16720790A JP H0456262 A JPH0456262 A JP H0456262A
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chip
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semiconductor
bonding
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Susumu Sanai
佐内　進
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体集積回路設置、特にその３次元の構造に
関するものである。
従来の技術 半導体集積回路は通常、基板上に１個又は数個、半導体
チップを配置する２次元構造である。
発明が解決しようとする課題 従来の２次元構造の集積回路装置では、半導体を多数用
いると、機器が太き（なる問題がある。
また半導体と半導体を結ぶ配線の長さによる負荷等で、
機器のスピードが遅くなる問題があった。
本発明は、半導体集積回路装置を用いた装置の小型化と
装置の電気的特性の向上を目的とする。
課題を解決するための手段 半導体のチップを基板上に２つ以上積み重ねた構造にし
、基板と１番目のチップとボンディングし、さらに２番
目、３番目、ｎ番目のチップと基板をボンディングする
ことにより構成される３次元の半導体集積回路装置であ
る。
作用 多層構造の集積回路装置にすることにより、面積あたり
の集積度が向上し、またチップ間の配線長が従来より短
くなるため、電気特性を向上させることができる。
実施例 以下本発明の実施例について添付図面に基づき説明する
。第１図は本発明の半導体集積回路装置の断面図である
。この装置は、半導体チップ１゜２．３を、それぞれ、
基板４のＡｕ薄膜１０上に積み重ねて接着し、ボンディ
ングワイヤ５でチップと基板４上の配線６を接続する。
このチップ上を樹脂７でハードコートする。ただし、基
板上のボンディング部分を除く。次にチップ２を接着剤
８を用いて接着し、ボンディングでチップ２と基板４上
の配線６とを接続する。同様な工程を繰り返すことによ
ってチップ３も基板４上の配線６と接続される。最後に
全体を樹脂９でおおうことによって製品が得られる。な
お、図中の符号１０は金（Ａｕ）の膜を示し、これは、
Ａｕのほか、他の金属導電薄膜であってもよい。
第２図は半導体集積回路の基板を電源電圧又はアースに
接続した実施例である。半導体チップ１は前記の方法と
同様にして、基板４上の配線６に接続される。樹脂７で
ハードコートした後に、Ａｕ又は他の金属による導電薄
膜１１を設け、半導体チップ２をこの膜上に接着した後
に、配線６と導電薄膜１１とをボンディングする。他の
工程は前記の実施例と同様である。導電薄膜１１を設け
ることにより、チップ１と同様にチップの基板を電源ま
たはアースに接続することができる。
この方法を用いることにより、チップを２個以上積層す
ることができる。
またチップ間の結線長が本発明では数關であるのに対し
、通常のパッケージされた集積回路では数ｃｍ以上と長
い。このため、従来と比較して回路の特性が向上した。
以上の実施例より、本発明の半導体集積回路装置は、半
導体チップを積層することができ、高密度化を図ること
ができる。
発明の効果 本発明によると、半導体集積回路装置の面積あたりの集
積度が向上するため、機器の小型化が図れる。またチッ
プを積層しているため、チップ間の配線距離が短くなる
ため、機器の電気的スピードのアップを図ることができ
る。見かけ上、大チップ（３０ｍ＋＋口以上）を用いた
集積回路装置とほぼ同じ効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図はそれぞれ本発明の各実施例半導体集積
回路装置の断面図である。 （２．３・・・・・・半導体チップ、４・・・・・・基
板、５・・・・・・ボンディングワイヤ、６・・・・・
・基板上の配線、７・・・・・・樹脂、８・・・・・・
接着剤、９・・・・・・樹脂、１０・・・・・・Ａｕの
膜、１１・・・・・・導電薄膜。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　ほか１名第１図 第　２　図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体のチップを２つ以上積み重ねた多層構造を
    特徴とする半導体集積回路装置。
  2. （２）基板上に、半導体のチップ、樹脂の順に積層した
    ことを特徴とする請求項（１）記載の半導体集積回路装
    置。
  3. （３）基板上に、半導体のチップを接着し、前記チップ
    と基板をボンディングした後に、表面にハードコート処
    理を基板上のボンディング部分を除いて施し、この処理
    の後に、半導体チップを前記チップ上に接着し、ボンデ
    ィングを２番目のチップと基板間で行い、さらに表面を
    ハードコート処理し、チップを接着するという方法で半
    導体チップを２つ以上積層した構造を特徴とする請求項
    （２）記載の半導体集積回路装置。
  4. （４）半導体チップ上にハードコート処理をした後、こ
    の表面上に金属の薄膜を設けた構造である請求項（３）
    記載の半導体集積回路装置。
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