JPS6370532A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、詳しくは半導体ペレットの
大型化に伴なうバクケージング技術の改良に関する。

〔従来の技術〕

従来の半導体装置にあっては、実装基体上にマウントす
る半導体ペレット（以下単にペレットとい５）は一つで
ある。例えば、デエアル・イン・ライン（ＤＩＬ）プラ
スチックパッケージにあっては、多連のリードフレーム
上にペレットをマウントし、ワイヤポンディングした後
に、モールド金星に入れて樹脂でトランスファモールド
し、個別に切断分離する方法がとられるが、切断分離後
の各パッケージ内には−のペレットがマウントされ収納
されている。

なお、半導体パッケージのパッケージング技術について
述べた文献の例としては、１９８０年１月１５日（株）
工業１Ｉ４ｆ会発行「ＩＣ化実装技術」ｐ１３５〜１５
６があげられる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかるに、半導体集積回路装置における集積度の増大に
伴ない、ペレットは増々犬型化する傾向にある。ペレッ
トサイズが大きくなっても、それに相応してパッケージ
を大きくすることはできない。すなわち、パッケージに
はＭＩＬ規格などの規格があり、また、小型高密度実装
はパッケージ使用者のニーズでもある。

七のため、ペレットサイズの大型化に伴ない、パッケー
ジ強度が劣化する傾向にあり、当該強度をになう、樹脂
封止部の当該樹脂を工夫するなどの対策が施されている
。

本発明は、かかる技術的背景の下、小型高密度＊装を実
現できる技術を提供することを目的とする。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および絡付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔問題点を解決するための手段〕

本腰において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

丁なわち、本発明においては、複数のペレットを多段に
マウントするようにした。

〔作　用〕

このように、複数のペレットを多段にマウントすること
により、例えばペレットサイズが２倍となった場合には
、平面的にみて、ペレットが占めるパッケージ内での占
有ｉａ（床面積）が２倍となり、樹脂封止部における樹
脂層厚みが１／２となり、パッケージ強度が低下するが
、本発明では例えば２段にペレットを積層することによ
り、平面的にみたペレットの占有面４積を上記に比して
小さくすることができ、同一パッケージ内において、実
装密度を向上させ、小形高密度実装を笑風できる。

〔実施例〕

次に、本発明を図面に示す実施例に基づいて説明する。

実施例１゜ 第１図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
構成断面図で、同図に示すように、リードフレーム（１
）のタブ（２）上に、二段にペレット（３）。

（４）を積み重ねる。当該各ペレット＋３１　、　（４
１について、それぞれボンディング用ワイヤ（５１、（
６１により、リードフレーム（１）のリード（７）と、
ワイヤボンディングする。

第１段ペレット（３）や第２段ペレット（４）の取着は
、各種の方法により行なうことができ、例えば、第２段
ペレット（４）を第１段ペレット（３）に貼着するに、
導電性樹脂接着剤を用いて行なうことができる。

その具体例としては、Ａｇ粉を含むエポキシ樹脂系接着
剤ペースト（Ａｇペースト）により行なうことができ、
これら第１段ペレット（３）と第２段ペレット（４）と
の間に導通なとる必要のない場合には、非導電性の樹脂
接着剤などにより貼着するようにしてもよい。また、こ
れらを絶縁するために、第１段ペレット（３）と第２段
ペレット＋４１との当接面に絶縁層（図示せず）を介在
させてもよい。

第２図には、第１段ペレット（３）のボンデイングパク
ド部（８）とリード（力とのワイヤボンディングおよび
第２段ペレット（４１のポンディングパッド部（９）と
リード（７）とのワイヤボンディングを、平面的にかつ
模式的に示しである。

かかるワイヤボンディング後に、当該素子組立品をモー
ルド金型に入れ、エポキシ樹脂やシリコン樹脂などの樹
脂により、トランスファーモールドを行ない、かかる主
要工程を経て、ＤＩＬのプラスチックパッケージを得る
。

第３図は当該樹脂封止泣半導体装置の外観図の一例を示
す。

第１図および第３図にて、αＱは樹脂封止部である。

実施例２゜ 第４図は本発明の他の実施例を示す半導体装置の構成断
面図である。

セラミック基板ａυのキャビティ（１３内に、第１段ペ
レット（３）を固着し、さらに、１２ｆｔ第１段ペレッ
ト（３１の上に、第２段ペレット（４１を貼着する。

セラミック基板Ｃ１１ｌの多段に′ｍ成された導体部α
３゜α荀と、第１段ペレット（３）と第２段ペレット（
４１とをそれぞれボンディング用ワイヤ（５１、＋６１
により、ワイヤボンディングする。

当該導体部（１３、α４は、セラミック基板（１１１の
裏面に垂設されたリードピンα９と導通がとられている
。

セラミック基板（１１１上には、キャップ傾を取着し、
ハーメチックシールを行なう。

これら実施例において、第１段ペレット（３）および第
２段ペレット（４）は、それぞれ、例えばシリコン単結
晶基板から成り、周知の技術によってこれらペレット（
チップ）内には多数の回路素子が形成され、１つの回路
機能が与えられている。回路素子の具体例は、例えばＭ
ＯＳ）ランジスタから放り、これらの回路素子によって
、例えば論理回路およびメモリの回路機能が形成されて
いる。

リードフレーム（１）は、例えばＮｉ−Ｆｅ系合金やＣ
ｕ系合金により構成され、従来公知のリードフレームを
使用することができる。ボンディング用ワイヤ（５１、
（６１は、それぞれ例えばＡ〕線により構成される。

本発明によれば、このように、第１段ペレット（３）の
上に、第２段ペレット（４１を積み重ねるようにしたの
で、仮に、このようにベレッ）　（３１、（４１を積み
重ねずに、第１段ペレット（３）のサイズを大きくして
そのままパッケージングしたときには、平面的にみて、
その占有面積が大となり、樹脂封止部αｅの当該ペレッ
ト（３）との間隔も狭くならざるを得ず、白該樹脂封止
部α１の強度を劣化させてしま５が、本発明によれば、
同一サイズのパッケージにおいて、平面的にみて、ベレ
ン）　＋３１　、　［４１の占有面積（床面積）が上記
に比して小さくなり、したがって小形高密度実装化を実
現できた。

第４図に示すような実施例において、ペレットサイズが
大となり、キャビティＱ３余裕がなくなってきた場合に
も非常に有利である。

以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではな（、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることは−・５までもない。

例えば、前記実施例ではペレットを二段に積み重ねる例
を示したが、三段以上であってもよい。

また、実装基体の例として、リードフレームやセラミッ
ク基板を示したが、他のものでも差支えなＸ、′１゜ 以上の説明では主としく本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＤｒＬプラスチック
パッケージやピングリットアレイセラミックパッケージ
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、他の各種半導体装置にも適用できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。

本発明によれば、ペレットサイズが大型化しても、小形
高密度実装化を実現できた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示ｊ樹脂封止型半導体装置の
構成断面図。 第２図は本発明の実施例な示す要部説明平面図、第３図
は本発明の実施例を示す樹脂封止屋半導体装置の斜視図
、 第４囚は本発明の他の実施例を示す構成断面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・タブ、３・・・ペレ
ット（第１段）、４・・・ペレット（第２段）、５・・
・ボンディング用ワイヤ、６・・・ボンディング用ワイ
ヤ、７・・・リード、８・・・ボンディング用パッド部
、９・・・ボンディング用パッド部、１０・・・樹脂封
止部、１１・・・セラミック基板、１２・・・キャビテ
ィ、１３・・・導体部、１４・・・導体部、１５・・・
リードビン、１６・・・キャップ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、実装基体上に複数の半導体ペレットを積層して成る
   ことを特徴とする半導体装置。 ２、半導体装置が樹脂封止型半導体装置で、リードフレ
   ーム上に半導体ペレットを二段に積層し、各ペレットと
   前記リードフレームのリードとをボンディング用ワイヤ
   により接続し、樹脂封止を行なって成る、特許請求の範
   囲第１項記載の半導体装置。