JPH0456292B2 - - Google Patents
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- JPH0456292B2 JPH0456292B2 JP59278943A JP27894384A JPH0456292B2 JP H0456292 B2 JPH0456292 B2 JP H0456292B2 JP 59278943 A JP59278943 A JP 59278943A JP 27894384 A JP27894384 A JP 27894384A JP H0456292 B2 JPH0456292 B2 JP H0456292B2
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は真空容器内に配置された電気光学結晶
の表面に強度変調された電子線で電荷像を形成す
る電荷像形成管の前記電荷像が形成された電気光
学結晶に偏光子を通して光を照射しその反射光を
検光子を通してスクリーンに投影する電子像投影
装置に関する。Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention relates to a charge image forming tube that forms a charge image on the surface of an electro-optic crystal placed in a vacuum container using an intensity-modulated electron beam. The present invention relates to an electronic image projection device that irradiates light onto an electro-optic crystal formed with a polarizer through a polarizer and projects the reflected light onto a screen through an analyzer.
(従来の技術)
電気光学結晶の表面に電荷像を形成すると電気
光学結晶内部に前記電荷像に対応する屈折率の分
布が発生することが知られている。(Prior Art) It is known that when a charge image is formed on the surface of an electro-optic crystal, a refractive index distribution corresponding to the charge image is generated inside the electro-optic crystal.
この結晶内の屈折率の分布を前記結晶に偏光子
を通して光を照射しその反射光を検光子を通して
スクリーンに投影して読み出すことができる。 The refractive index distribution within the crystal can be read by irradiating the crystal with light through a polarizer and projecting the reflected light onto a screen through an analyzer.
電気光学結晶として、KDP,BSO,LiNbO3等
の結晶が知られている。これ等の結晶を電子像源
をもつ電子管に封入して電荷像形成管を製造す
る。 Crystals such as KDP, BSO, and LiNbO 3 are known as electro-optic crystals. A charge image forming tube is manufactured by enclosing these crystals in an electron tube having an electron image source.
(発明が解決しようとする問題点)
前述した電気光学結晶のうちKDPは熱により
特性が劣化しやすい。したがつて、前記電荷像形
成管の製造過程におけるガス出し等の熱処理によ
り特性が劣化してしまう恐れがある。(Problems to be Solved by the Invention) Among the electro-optic crystals mentioned above, KDP's properties tend to deteriorate due to heat. Therefore, there is a risk that the characteristics may deteriorate due to heat treatment such as gas release during the manufacturing process of the charge image forming tube.
またBSO,BGOの結晶には光導電効果があり、
使用波長が制限される。 In addition, BSO and BGO crystals have a photoconductive effect,
Usable wavelengths are limited.
LiNbO3結晶を光学軸に対し55゜方向にカツトし
たものは、他の角度のカツトによるものよりも半
波長電圧が低い。 LiNbO 3 crystals cut at 55° to the optical axis have a lower half-wave voltage than those cut at other angles.
またLiNbO3結晶は耐熱性があり、光導電性が
ないので55゜方向にカツトしたLiNbO3結晶が前記
電荷像形成用の結晶に適していると思われる。 Furthermore, since LiNbO 3 crystal is heat resistant and has no photoconductivity, LiNbO 3 crystal cut in the 55° direction is considered to be suitable as the crystal for forming the charge image.
しかしながら、55゜方向にカツトしたLiNbO3結
晶は自然複屈折があるから、インコヒーレント光
で投影する場合の波長純度が悪くなり、投影像の
分解が悪くなる。 However, since the LiNbO 3 crystal cut in the 55° direction has natural birefringence, the wavelength purity when projecting with incoherent light deteriorates, resulting in poor resolution of the projected image.
本発明の目的は前記電気光学結晶の自然複屈折
の問題を解決することができる電子像投影装置を
提供することにある。 An object of the present invention is to provide an electronic image projection device that can solve the problem of natural birefringence of the electro-optic crystal.
(問題を解決するための手段)
前記目的を達成するために本発明による第1の
像投影装置は、真空容器内に配置された電気光学
結晶の表面に強度変調された電子線で電荷像を形
成する電荷像形成管前記電荷像が形成された電気
光学結晶に偏光子を通してインコヒーレント光を
照射しその反射光を検光子を通してスクリーンに
投影する像投影装置であつて、前記電気光学結晶
に前記電気光学結晶の厚さ方向の光路長と略等し
い光路長を持つ補償用の結晶をその結晶の軸を前
記電気光学結晶の軸から90°回転させて配置する
ことにより前記電気光学結晶の自然複屈折の影響
を防止するように構成されている。(Means for Solving the Problem) In order to achieve the above object, a first image projection device according to the present invention projects a charge image using an intensity-modulated electron beam on the surface of an electro-optic crystal placed in a vacuum container. Charge image forming tube to form an image projection device which irradiates incoherent light through a polarizer to the electro-optic crystal on which the charge image is formed and projects the reflected light onto a screen through an analyzer, By arranging a compensating crystal having an optical path length approximately equal to the optical path length in the thickness direction of the electro-optic crystal with its axis rotated by 90 degrees from the axis of the electro-optic crystal, the natural complex of the electro-optic crystal can be reduced. It is configured to prevent the effects of refraction.
また、本発明による第2の像投影装置は、真空
容器内に配置された電気光学結晶の表面に強度変
調された電子線で電荷像を形成する電荷像形成管
の前記電荷像が形成された電気光学結晶に偏光子
を通してインコヒーレント光を照射しその反射光
を検光子を通してスクリーンに投影する像投影装
置であつて、前記電荷像形成用の電気光学結晶に
前記電荷像形成用の電気光学結晶の厚さ方向の光
路長と略等しい光路長を持つ補償用の電気光学結
晶をその結晶の軸を前記電荷像形成用の電気光学
結晶の軸から90°回転させて配置し、前記補償用
の電気光学結晶の両面に透明電極を配置して調整
用の電界を印加することにより前記電荷像形成用
の電気光学結晶と補償用の電気光学結晶の光路長
を等しくし電気電荷像形成用の電気光学結晶の自
然複屈折の影響を防止するように構成されてい
る。 Further, in the second image projection device according to the present invention, the charge image is formed in a charge image forming tube that forms a charge image with an intensity-modulated electron beam on the surface of an electro-optic crystal disposed in a vacuum container. An image projection device for irradiating incoherent light onto an electro-optic crystal through a polarizer and projecting the reflected light onto a screen through an analyzer, the electro-optic crystal for forming a charge image being provided with the electro-optic crystal for forming a charge image. A compensating electro-optic crystal having an optical path length approximately equal to the optical path length in the thickness direction of By arranging transparent electrodes on both sides of the electro-optic crystal and applying an electric field for adjustment, the optical path lengths of the electro-optic crystal for forming the charge image and the electro-optic crystal for compensation are equalized, and the electric field for forming the electric charge image is made equal. It is configured to prevent the influence of natural birefringence of the optical crystal.
(実施例)
以下、図面を参照して本発明をさらに詳しく説
明する。(Example) Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.
第1図は本発明による第1の電子像投影装置の
実施例を示す略図、第2図は前記投影装置で使用
する電荷像形成用の電気光学結晶と補償用の電気
光学結晶の第1の実施例を示す断面図である。 FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of a first electronic image projection device according to the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram showing a first embodiment of an electro-optic crystal for forming a charge image and a first electro-optic crystal for compensation used in the projection device. It is a sectional view showing an example.
電荷像形成管1には、電子銃3および電荷像形
成用電気光学結晶と補償用結晶の組立2が封入さ
れている。 The charge image forming tube 1 includes an electron gun 3 and an assembly 2 of an electro-optic crystal for forming a charge image and a compensation crystal.
この電荷像形成用電気光学結晶と補償用結晶の
組立2は第2図に示すように、電荷像形成用電気
光学結晶22と補償用電気光学結晶24から形成
されており、電荷像形成用電気光学結晶22の表
面には高抵抗の誘導体のミラー21が設けられて
いる。電荷像形成用電気光学結晶22の裏面には
透明電極23が設けられている。 As shown in FIG. 2, this assembly 2 of electro-optic crystal for charge image formation and compensation crystal is formed from electro-optic crystal 22 for charge image formation and electro-optic crystal for compensation 24, and includes an electro-optic crystal for charge image formation. A high-resistance dielectric mirror 21 is provided on the surface of the optical crystal 22 . A transparent electrode 23 is provided on the back surface of the electro-optic crystal 22 for forming a charge image.
電子銃3には像信号源5からの像情報が接続さ
れており、像情報により強度変調された電子は偏
向コイル4が発生する偏向磁界により偏向され、
前記電荷像形成用電気光学結晶22のミラー21
の各所に向けられる。電荷像形成用電気光学結晶
22の表面に形成された電荷像の分布に対応する
屈折率の分布が結晶22内に形成される。 Image information from an image signal source 5 is connected to the electron gun 3, and the electrons whose intensity is modulated by the image information are deflected by a deflection magnetic field generated by a deflection coil 4.
Mirror 21 of the electro-optic crystal 22 for forming charge images
Directed to various parts of the world. A refractive index distribution is formed within the crystal 22 that corresponds to the distribution of the charge image formed on the surface of the electro-optic crystal 22 for forming charge images.
インコヒーレント光源12からの光はコリメー
トレンズ9により平行光線に変換される。 The light from the incoherent light source 12 is converted into parallel light beams by the collimating lens 9.
前記平行光線は偏光子7、ビームスプリツタ6
をとおり、電荷像形成用電気光学結晶と補償用結
晶の組立2に補償用結晶24側から入射させられ
る。前記ミラー21に達した光はここで反射さ
れ、電荷像形成用電気光学結晶と補償用結晶の組
立2をとおつて管1外に導かれ、ビームスプリツ
タ6で反射された光は、検光子8をとおり投影レ
ンズ10によりスクリーン11上に拡大された像
として投影される。 The parallel light beams pass through a polarizer 7 and a beam splitter 6.
, and enters the assembly 2 of the electro-optic crystal for charge image formation and the compensation crystal from the compensation crystal 24 side. The light that has reached the mirror 21 is reflected there and guided out of the tube 1 through the assembly 2 of electro-optic crystal for charge image formation and compensation crystal, and the light reflected by the beam splitter 6 is sent to the analyzer. 8 and is projected onto a screen 11 by a projection lens 10 as an enlarged image.
電気光学結晶の示すポツケルス効果について第
5図を参照して簡単に説明する。 The Pockels effect exhibited by electro-optic crystals will be briefly explained with reference to FIG.
第5図のZ軸方向へ電界を印加すると、直線偏
光されたz方向に伝播する波に対してx,y方向
の屈折率が電界により変化することによりい、出
力光が楕円偏波になる。 When an electric field is applied in the Z-axis direction in Figure 5, the refractive index in the x and y directions changes with respect to the linearly polarized wave propagating in the z direction, and the output light becomes elliptically polarized. .
ここで出力側に検光子を置いて出力をとりだす
と協調変調された光が取り出される。 If an analyzer is placed on the output side and the output is taken out, cooperatively modulated light is taken out.
第2図に示す結晶組立2では、電荷像形成用の
電気光学結晶22のy軸は紙面に垂直であり、補
償用の電気光学結晶24のy軸は紙面に平行で前
記電荷像形成用の電気光学結晶22のy軸に対し
て90゜である。 In the crystal assembly 2 shown in FIG. 2, the y-axis of the electro-optic crystal 22 for charge image formation is perpendicular to the plane of the paper, and the y-axis of the electro-optic crystal 24 for compensation is parallel to the plane of the paper and The angle is 90° with respect to the y-axis of the electro-optic crystal 22.
次に自然複屈折の影響を除去できる理由を説明
する。 Next, the reason why the influence of natural birefringence can be removed will be explained.
自然複屈折を有するLiNbO3結晶の場合の出力
は次の式で与えられる。 The output power in the case of LiNbO 3 crystal with natural birefringence is given by the following formula:
I=I0sin2ρ
ただし
ρ=(2π/λ)(Al+BV) ……
ここで
I:出力の光強度
I0:入力光の強度
l:結晶の厚さ
V:結晶に印加した電圧
AおよびB:定数
λ:入射光の波長
ρの波長依存性について簡単な計算をすると波
長幅5nmで位相としてπ変わる。 I = I 0 sin 2 ρ where ρ = (2π/λ) (Al + BV) ... where I: Output light intensity I 0 : Input light intensity l: Crystal thickness V: Voltage A applied to the crystal and B: Constant λ: Wavelength of incident light A simple calculation of the wavelength dependence of ρ shows that the phase changes by π in a wavelength width of 5 nm.
そのため、入射光として5nm以下の波長純度
のすぐれた光を使用しなければならない。 Therefore, it is necessary to use light with excellent wavelength purity of 5 nm or less as the incident light.
ここで式の(2π/λ)Alは自然複屈折の項
である。本発明では、この項を除去することがで
きる。そのため、読み出し光の波長純度は大幅に
緩和され、白色光とバンドパスフイルタで構成さ
れる光源の使用が可能となる。 Here, (2π/λ)Al in the formula is a term of natural birefringence. In the present invention, this term can be removed. Therefore, the wavelength purity of the readout light is significantly relaxed, making it possible to use a light source composed of white light and a bandpass filter.
第2図に示すように、この実施例では、電荷像
形成用の電気光学結晶22の電子ビームの入射側
に対する側に透明電極23をつけ、接着剤を介し
て軸を90゜回転した同じ厚みの補償用の電気光学
結晶24を張り合わせてある。 As shown in FIG. 2, in this embodiment, a transparent electrode 23 is attached to the side opposite to the electron beam incident side of an electro-optic crystal 22 for forming a charge image, and a transparent electrode 23 is attached to the electro-optic crystal 22 for forming a charge image with the same thickness by rotating the axis by 90 degrees. An electro-optic crystal 24 for compensation is laminated together.
結晶24に光18が入射した場合の位相変化
は、結晶24において電圧が印加されていないた
めρ=(2π/λ)(Al)になる。 The phase change when the light 18 is incident on the crystal 24 is ρ=(2π/λ)(Al) since no voltage is applied to the crystal 24.
結晶22の中において電子ビームによりミラー
21面に形成された電荷と透明電極23による電
界が印加され、かつ結晶の軸が90゜ずれているた
め、位相として
ρ=−(2π/λ)(Al+BV)となる。 In the crystal 22, charges formed on the mirror 21 surface by the electron beam and an electric field from the transparent electrode 23 are applied, and the crystal axis is shifted by 90 degrees, so the phase is ρ=-(2π/λ)(Al+BV ).
全体の位相量はρ=−(2π/λ)(BV)となり
自然複屈折の項がなくなる。 The total phase amount becomes ρ=−(2π/λ)(BV), and the term of natural birefringence disappears.
第3図は、前記投影装置で使用する電荷像形成
用の電気光学結晶と補償用の電気光学結晶の第2
のこの実施例は補償用の結晶として正の自然複屈
折をもつ水晶を用いている。 FIG. 3 shows a second electro-optic crystal for charge image formation and a second electro-optic crystal for compensation used in the projection device.
This embodiment uses a quartz crystal with positive natural birefringence as the compensating crystal.
この実施例の電荷像形成用電気光学結晶と補償
用結晶の組立は、ミラー21、電荷像形成用電気
光学結晶22、透明電極23、水晶の補償用結晶
25から構成されている。 The assembly of the electro-optic crystal for charge image formation and the compensation crystal in this embodiment includes a mirror 21, an electro-optic crystal for charge image formation 22, a transparent electrode 23, and a compensation crystal 25 of quartz.
負の自然複屈折のLiNbO3ではA=−0.07であ
るが、水晶においてはA=0.0091となり、正と負
の複屈折を使用した場合の位相として
ρ=(2π/λ)(−0.07l1+0.0091l2
となる。 In LiNbO 3 , which has negative natural birefringence, A = -0.07, but in quartz, A = 0.0091, and the phase when using positive and negative birefringence is ρ = (2π/λ) (-0.07l 1 +0.0091l 2 .
l1,l2はそれぞれLiNbO3と水晶の厚みを示す。 l 1 and l 2 indicate the thickness of LiNbO 3 and crystal, respectively.
自然複屈折の補償をするには、l2=7.7l1とな
る。 To compensate for natural birefringence, l 2 =7.7l 1 .
このように補償用結晶である水晶の厚みが電荷
像形成用のLiNbO3より厚くすることができるの
で、補償用結晶である水晶の厚さの加工が容易と
なる。 In this way, since the thickness of the quartz crystal for compensation can be made thicker than the LiNbO 3 for charge image formation, it becomes easy to process the thickness of the quartz crystal for compensation.
第4図は本発明による第2の電子像投影装置の
実施例で使用する電荷像形成用電気光学結晶と補
償用電気光学結晶組立の実施例を示す断面図であ
る。 FIG. 4 is a sectional view showing an embodiment of an electro-optic crystal for forming a charge image and an electro-optic crystal for compensation used in an embodiment of the second electronic image projection apparatus according to the present invention.
第2の電子像投影装置の基本的な構成は第1図
に示した実施例と異ならない。 The basic configuration of the second electronic image projection device is the same as the embodiment shown in FIG.
この実施例の電荷像形成用電気光学結晶と補償
用電荷光学結晶の組立は、ミラー21、電荷像形
成用電気光学結晶22、透明電極23、補償用電
気光学結晶26、透明電極27から構成されてい
る。調整用の電圧源28により補償用電気光学結
晶26に電圧を印加する。 The assembly of the electro-optic crystal for forming charge images and the charge-optic crystal for compensation in this embodiment includes a mirror 21, an electro-optic crystal for forming charge images 22, a transparent electrode 23, an electro-optic crystal for compensation 26, and a transparent electrode 27. ing. A voltage is applied to the compensating electro-optic crystal 26 by a voltage source 28 for adjustment.
このように補償用電気電気光学結晶26に電圧
を印加することにより、電気光学結晶22,26
の微妙な厚みの差を補償することができる。 By applying a voltage to the compensating electro-electro-optic crystal 26 in this way, the electro-optic crystals 22, 26
It is possible to compensate for subtle differences in thickness.
(発明の効果)
以上述べたように本発明では、電荷像形成用電
気光学結晶に補償用の結晶を対応させることによ
り、電荷像形成用電気光学結晶の自然複屈折によ
る問題を完全に解決することができ、統計品質の
優れた電子像投影装置を提供することができる。(Effects of the Invention) As described above, the present invention completely solves the problem caused by the natural birefringence of the electro-optic crystal for charge image formation by making the compensation crystal correspond to the electro-optic crystal for charge image formation. Therefore, it is possible to provide an electronic image projection device with excellent statistical quality.
第1図は本発明による第1の電子像投影装置の
実施例を示す略図である。第2図は前記投影装置
で使用する電荷像形成用の電気光学結晶と補償用
の電気光学結晶の第1の実施例を示す断面図であ
る。第3図は前記投影装置で使用する電荷像形成
用の電気光学結晶と補償用結晶の第2の実施例を
示す断面図である。第4図は本発明による第2の
電子像投影装置の実施例で使用する電荷像形成用
の電気光学結晶と補償用の電気光学結晶の実施例
を示す断面図である。第5図はポツケルス効果を
説明するための斜視図である。
1……電荷像形成管、2……電荷像形成用電気
光学結晶と補償用結晶組立、3……電子銃、4…
…偏向コイル、5……像信号源、6……ビームス
プリツタ、7……偏光子、8……検光子、9……
コリメートレンズ、10……投影レンズ、11…
…スクリーン、12……読み出し光源、18……
読み出し光、21……ミラー、22……電荷像形
成用電気光学結晶、23……透明電極、24……
補償用電気光学結晶、25……補償用結晶(水
晶)、26……補償用電気光学結晶、28……調
整用電源。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of a first electronic image projection device according to the present invention. FIG. 2 is a sectional view showing a first embodiment of an electro-optic crystal for forming a charge image and an electro-optic crystal for compensation used in the projection apparatus. FIG. 3 is a sectional view showing a second embodiment of an electro-optic crystal for forming a charge image and a compensation crystal used in the projection apparatus. FIG. 4 is a sectional view showing an embodiment of an electro-optic crystal for forming a charge image and an electro-optic crystal for compensation used in an embodiment of the second electronic image projection apparatus according to the present invention. FIG. 5 is a perspective view for explaining the Pockels effect. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Charge image forming tube, 2...Electro-optical crystal for charge image formation and compensation crystal assembly, 3...Electron gun, 4...
... Deflection coil, 5 ... Image signal source, 6 ... Beam splitter, 7 ... Polarizer, 8 ... Analyzer, 9 ...
Collimating lens, 10... Projection lens, 11...
... Screen, 12 ... Readout light source, 18 ...
Readout light, 21...Mirror, 22...Electro-optic crystal for charge image formation, 23...Transparent electrode, 24...
Compensation electro-optic crystal, 25...Compensation crystal (crystal), 26...Compensation electro-optic crystal, 28...Adjustment power supply.
Claims (1)
電気光学結晶の表面に、強度変調された電子線で
電荷像を形成する電荷像形成管を備え、この電荷
像形成管の前記電荷像が形成された電気光学結晶
に偏光子を通してインコヒーレント光を照射し、
その反射光を検光子を通してスクリーンに投影す
る電子像投影装置であつて、 前記電気光学結晶に前記電気光学結晶の厚さ方
向の光路長と略等しい光路長を持ち、その結晶の
軸を前記電気光学結晶の軸から90度回転させて配
置され、前記電気光学結晶の自然複屈折の影響を
防止する補償用の結晶をさらに備えていることを
特徴とする電子像投影装置。 2 前記補償用の結晶は前記電気光学結晶と同じ
材料の結晶である請求項1記載の電子像投影装
置。 3 前記補償用の結晶は水晶である請求項1記載
の電子像投影装置。 4 真空容器内に配置された電気光学結晶の表面
に強度変調された電子線で電荷像を形成する電荷
像形成管を備え、この電荷像形成管の前記電荷像
が形成された電気光学結晶に偏光子を通してイン
コヒーレント光を照射し、その反射光を検光子を
通してスクリーンに投影する電子像投影装置であ
つて、 前記電荷像形成用の電気光学結晶に前記電荷像
形成用の電気光学結晶の厚さ方向の光路長と略等
しい光路長を持つ補償用の電気光学結晶をその結
晶の軸を前記電荷像形成用の電気光学結晶の軸か
ら90度回転させて配置し、前記補償用の電気光学
結晶の両面に透明電極を配置して調整用の電界を
印加することにより前記電荷像形成用の電気光学
結晶と補償用の電気光学結晶の光路長を等しくし
前記電荷像形成用の電気光学結晶の自然複屈折の
影響を防止するように構成した電子像投影装置。[Scope of Claims] 1. A charge image forming tube that forms a charge image using an intensity-modulated electron beam on the surface of an electro-optic crystal having natural birefringence that is placed in a vacuum container, and this charge image forming tube irradiating incoherent light through a polarizer to the electro-optic crystal on which the charge image is formed;
An electronic image projection device that projects the reflected light onto a screen through an analyzer, wherein the electro-optic crystal has an optical path length approximately equal to the optical path length in the thickness direction of the electro-optic crystal, and the axis of the crystal is An electronic image projection device further comprising a compensating crystal arranged to be rotated by 90 degrees from the axis of the optical crystal to prevent the influence of natural birefringence of the electro-optic crystal. 2. The electronic image projection apparatus according to claim 1, wherein the compensating crystal is a crystal made of the same material as the electro-optic crystal. 3. The electronic image projection apparatus according to claim 1, wherein the compensation crystal is a quartz crystal. 4. A charge image forming tube that forms a charge image with an intensity-modulated electron beam on the surface of an electro-optic crystal placed in a vacuum container, and a charge image forming tube that forms a charge image on the surface of the electro-optic crystal on which the charge image is formed in the charge image forming tube. An electronic image projection device that irradiates incoherent light through a polarizer and projects the reflected light onto a screen through an analyzer, the electro-optic crystal for forming a charge image having a thickness of the electro-optic crystal for forming a charge image. A compensating electro-optic crystal having an optical path length substantially equal to the optical path length in the transverse direction is arranged with the axis of the crystal rotated by 90 degrees from the axis of the electro-optic crystal for forming a charge image, and the compensating electro-optic crystal is By arranging transparent electrodes on both sides of the crystal and applying an electric field for adjustment, the optical path lengths of the electro-optic crystal for forming charge images and the electro-optic crystal for compensation are equalized, and the electro-optic crystal for forming charge images is made equal. An electronic image projection device configured to prevent the effects of natural birefringence.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27894384A JPS61156222A (en) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | Electronic image projecting device |
| US06/798,932 US4763996A (en) | 1984-11-20 | 1985-11-18 | Spatial light modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27894384A JPS61156222A (en) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | Electronic image projecting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156222A JPS61156222A (en) | 1986-07-15 |
| JPH0456292B2 true JPH0456292B2 (en) | 1992-09-08 |
Family
ID=17604222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27894384A Granted JPS61156222A (en) | 1984-11-20 | 1984-12-28 | Electronic image projecting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61156222A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5083854A (en) * | 1990-02-15 | 1992-01-28 | Greyhawk Systems, Inc. | Spatial light modulator with improved aperture ratio |
| US5064257A (en) * | 1990-04-06 | 1991-11-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical heterodyne scanning type holography device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57125919A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-05 | Sharp Corp | Two layer type liquid crystal display device |
| JPH0234366B2 (en) * | 1981-10-09 | 1990-08-02 | Hamamatsu Photonics Kk | KUKANHENCHOSOCHI |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP27894384A patent/JPS61156222A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61156222A (en) | 1986-07-15 |
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