JPH0234366B2 - KUKANHENCHOSOCHI - Google Patents

KUKANHENCHOSOCHI

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JPH0234366B2
JPH0234366B2 JP16183181A JP16183181A JPH0234366B2 JP H0234366 B2 JPH0234366 B2 JP H0234366B2 JP 16183181 A JP16183181 A JP 16183181A JP 16183181 A JP16183181 A JP 16183181A JP H0234366 B2 JPH0234366 B2 JP H0234366B2
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JP
Japan
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crystal plate
voltage
image
mirror surface
electrode
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Yoshiji Suzuki
Tsutomu Hara
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Hamamatsu Photonics KK
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/50Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
    • H01J31/501Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output with an electrostatic electron optic system

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  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電気光学結晶板を用いた空間変調装
置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a spatial modulation device using an electro-optic crystal plate.

記録媒体として用いるマイクロチヤンネルプレ
ートを用いた空間光変調装置(以下MSLMとい
う)は1976年のSPIE177巻67−70頁のワード等の
論文に示されている。まずこのMSLMについて
原理と動作を略述する。
A spatial light modulator (hereinafter referred to as MSLM) using a microchannel plate as a recording medium is described in an article by Ward et al. in 1976, SPIE Vol. 177, pp. 67-70. First, we will briefly explain the principle and operation of this MSLM.

第1図は前記MSLMの構成を示す略図である。
この装置は光電面22、マイクロチヤンネルプレ
ート(MCP)24、および電気光学結晶板28
を基本的に備えており、それ等は入射窓21およ
び出射窓30を有する真空容器内に封入されてい
る。23,25はそれぞれMCPの入、出力電極
である。電気光学結晶板28の前面は誘電体鏡面
27を形成しており、後面には透明電極29が設
けられている。電気光学結晶板28の前記誘電体
鏡面27は、面に沿つてきわめて高い低抗を持つ
ている。
FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of the MSLM.
This device includes a photocathode 22, a microchannel plate (MCP) 24, and an electro-optic crystal plate 28.
Basically, they are enclosed in a vacuum container having an entrance window 21 and an exit window 30. 23 and 25 are input and output electrodes of the MCP, respectively. A dielectric mirror surface 27 is formed on the front surface of the electro-optic crystal plate 28, and a transparent electrode 29 is provided on the rear surface. The dielectric mirror surface 27 of the electro-optic crystal plate 28 has an extremely high resistance along the surface.

書込光aが光電面22に入射して、電子像が形
成されると、その電子像はMCP24により増幅
される。そして増幅された電子像は誘電体鏡面2
7に入射させられる。その結果の表面の電荷分布
が電気光学結晶板28内に屈折率の空間的な変化
を生ぜしめる。左下方から投射された書込光は半
透明鏡31により反射され電気光学結晶に達し、
誘電体鏡面27で反射されて戻される。電気光学
結晶板28の屈折率は、表面電荷像に依存するの
で、反射光dは位相または強度の変調を受けるこ
とになる。
When the writing light a enters the photocathode 22 and an electronic image is formed, the electronic image is amplified by the MCP 24. The amplified electron image is then transferred to the dielectric mirror surface 2.
7. The resulting surface charge distribution causes a spatial variation of the refractive index within the electro-optic crystal plate 28. The writing light projected from the lower left is reflected by the semi-transparent mirror 31 and reaches the electro-optic crystal.
It is reflected by the dielectric mirror surface 27 and returned. Since the refractive index of the electro-optic crystal plate 28 depends on the surface charge image, the reflected light d undergoes phase or intensity modulation.

前記構成に係るMSLMは、電荷像を長時間記
憶しておくのには適しているが、再利用のため
に、電荷像を消去するのには、若干の問題がある
ように思われる。
Although the MSLM according to the above configuration is suitable for storing charge images for a long time, there seems to be some problems in erasing the charge images for reuse.

本発明の主目的は多くの使用モードを選択可能
であり、書込まれた電荷像を消去し、あるいは一
定な均一な電荷分布状態を形成して、再書込みを
可能にする空間変調装置を提供することにある。
The main object of the present invention is to provide a spatial modulation device that can select from many usage modes, erases a written charge image, or forms a constant and uniform charge distribution state to enable rewriting. It's about doing.

前記主目的を達成するために本発明による空間
変調装置は、電子像発生手段と電気光学結晶板を
含み、前記電気光学結晶板の鏡面に前記電子像発
生源からの電子により電荷像を形成し、前記電荷
像と他面に設けられている透明電極間の電界によ
り結晶板内の屈折率の2次元分布を変化させる放
射線像変換管を用いた空間変調装置において、前
記結晶板と電子像発生手段との間に鏡面への電荷
像形成を妨げないように配置され、前記鏡面で発
生した2次電子を捕集するための2次電子捕集電
極と、前記捕集電極に捕集電圧を供給する捕集電
極電源と、前記透明電極に鏡面の2次電子放出比
を1よりも大きくするための第1の電圧、前記放
出比を実質的に1とするための第2の電圧を切換
接続可能な結晶板電極電源または前記第2の電圧
と前記放出比を1より小とするための第3の電圧
を切換接続可能な結晶板電極電源とを設けて構成
されている。
In order to achieve the above main object, a spatial modulation device according to the present invention includes an electron image generating means and an electro-optic crystal plate, and forms a charge image on a mirror surface of the electro-optic crystal plate by electrons from the electron image generating source. , in a spatial modulation device using a radiation image conversion tube that changes a two-dimensional distribution of refractive index within a crystal plate by an electric field between the charge image and a transparent electrode provided on the other surface, the crystal plate and an electron image generation a secondary electron collecting electrode for collecting secondary electrons generated on the mirror surface, which is arranged between the means so as not to impede the formation of a charge image on the mirror surface; and a collecting voltage is applied to the collecting electrode. Switching the collecting electrode power supply, a first voltage to make the secondary electron emission ratio of the specular surface larger than 1, and a second voltage to make the emission ratio substantially 1 to the transparent electrode. A connectable crystal plate electrode power supply or a crystal plate electrode power supply capable of switching and connecting the second voltage and a third voltage for making the emission ratio smaller than 1 is provided.

以下図面等を参照して、本発明による空間変調
装置をさらに詳しく説明する。
The spatial modulation device according to the present invention will be described in more detail below with reference to the drawings and the like.

第1図は本発明による空間変調装置の実施例を
示す図である。図において1は被写体、2は対物
レンズ、3は対物レンズ2により形成された被写
体の光学像である。4はガラス気密容器および容
器に内蔵される構成を含めて光像変換管全体を指
称する。前記容器内には光電面5、集束電極6、
マイクロチヤンネルプレート(以下MCPという)
7、2次電子捕集電極8、電気光学結晶板9がこ
の順に配されている。前記捕集電極8は銅メツシ
ユで、30本/mmの格子間隔をもち開口比は60%で
ある。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a spatial modulation device according to the present invention. In the figure, 1 is a subject, 2 is an objective lens, and 3 is an optical image of the subject formed by the objective lens 2. 4 designates the entire light image conversion tube including the glass airtight container and the components built into the container. Inside the container are a photocathode 5, a focusing electrode 6,
Microchannel plate (hereinafter referred to as MCP)
7, a secondary electron collecting electrode 8, and an electro-optic crystal plate 9 are arranged in this order. The collection electrode 8 is a copper mesh having a lattice spacing of 30 lines/mm and an aperture ratio of 60%.

そしてこの捕集電極8は電気光学結晶板9と平
行に間隔0.5mmを保たされている。
The collection electrode 8 is arranged parallel to the electro-optic crystal plate 9 with a distance of 0.5 mm.

容器の後端面は情報取出窓となつている。 The rear end of the container serves as an information extraction window.

MSC7の前面にはMCPの電子入射側の電極で
ある入力電極71、後面には電子出射側の電極で
ある出力電極72が設けられている。電気光学結
晶板9として例えばLiNbO3の結晶または
LiTaO3の結晶等を利用することができる。
An input electrode 71, which is an electrode on the electron incident side of the MCP, is provided on the front surface of the MSC 7, and an output electrode 72, which is an electrode on the electron output side, is provided on the rear surface. As the electro-optic crystal plate 9, for example, LiNbO 3 crystal or
LiTaO 3 crystal etc. can be used.

この結晶9の前面は鏡面に仕上げられ以下鏡面
92ということになる。また結晶板9の後面に
は、透明な結晶板電極91が設けられている。
The front surface of this crystal 9 is finished to a mirror surface and will be referred to as a mirror surface 92 hereinafter. Further, a transparent crystal plate electrode 91 is provided on the rear surface of the crystal plate 9.

なお、この実施例では光電面を用いるようにし
てあるが、X線のように直接MCP7を励起でき
るような像源の場合には、光電面は不可欠な構成
でなくなる。MCP以前の構成が電子像発生手段
の実施例であると理解されたい。
In this embodiment, a photocathode is used, but in the case of an image source such as X-rays that can directly excite the MCP 7, the photocathode is no longer an essential component. It should be understood that the configuration prior to MCP is an example of an electronic image generating means.

A・B・C・D・E・F・Gはそれぞれ電源で
あつて、電源Aは光電面5と集電極6間のバイヤ
ス電圧を提供し、電源Bは集束電極6とMCPの
入射側電極71間に電圧を提供し、電源Cは
MCP7のバイヤス電圧を提供する。
A, B, C, D, E, F, and G are power supplies, respectively, where power supply A provides a bias voltage between the photocathode 5 and the collecting electrode 6, and power supply B provides the bias voltage between the focusing electrode 6 and the incident side electrode of the MCP. 71, and the power supply C is
Provides bias voltage for MCP7.

この実施例装置では、これ等の電源により、光
電面5は基準電位であるMCPの出射側の電極の
電位(0V)に対して−0.4KVに保たれている。
同様に集束電極は−3.7KVにMCPの入射側の電
極71は−1.0KVに保たれている。電源Dは2次
電子捕集電極8の電源を構成し2次電子捕集電極
8は4.0KVに保たれている。電源E,F,Gはそ
れぞれ電気光学結晶板9の電極91の電位を決定
するための電源で結晶板電極電源の要素である。
スイツチ15の切換えにより、前記電極91に接
続され、15aに接続されたときは0.1KV、15
bに接続されたときは4KV、15cに接続され
たときは8KVの電圧が電極91に供給される。
In this example device, these power supplies keep the photocathode 5 at -0.4 KV with respect to the reference potential (0 V) of the electrode on the emission side of the MCP.
Similarly, the focusing electrode is kept at -3.7 KV and the electrode 71 on the incident side of the MCP is kept at -1.0 KV. The power source D constitutes a power source for the secondary electron collecting electrode 8, and the secondary electron collecting electrode 8 is maintained at 4.0 KV. Power supplies E, F, and G are power supplies for determining the potential of the electrode 91 of the electro-optic crystal plate 9, and are elements of the crystal plate electrode power supply.
By switching the switch 15, it is connected to the electrode 91, and when connected to 15a, the voltage is 0.1KV, 15
A voltage of 4KV is supplied to the electrode 91 when connected to b, and a voltage of 8KV is supplied to the electrode 91 when connected to 15c.

半透明鏡10、単色フイルタ11、コリメータ
レンズ12、点光源13、および写真フイルム1
4は読出しのための装置である。
Semi-transparent mirror 10, monochromatic filter 11, collimator lens 12, point light source 13, and photographic film 1
4 is a device for reading.

光源13としてレーザ光源を用いれば、可干渉
光による光学像が得られる。この光学像は画像演
算に用いることができる。
If a laser light source is used as the light source 13, an optical image using coherent light can be obtained. This optical image can be used for image calculations.

第3図は電気光学結晶板9の鏡面92の2次電
子放出比δを入射電子の加速電圧を横軸にとつて
示したグラフである。
FIG. 3 is a graph showing the secondary electron emission ratio δ of the mirror surface 92 of the electro-optic crystal plate 9, with the accelerating voltage of incident electrons taken as the horizontal axis.

ここで、結晶特有の入射電子の加速電圧E1
下で放出比δが1より小さく、上記E1と結晶特
有の入射電子の加速電圧E2との間で放出比δが
1より大きく、上記E2より大きいと再び放出比
δが1より小さくなる特性を持つ。
Here, the emission ratio δ is less than 1 when the accelerating voltage E of incident electrons peculiar to the crystal is less than 1 , the emission ratio δ is greater than 1 between the above E 1 and the accelerating voltage E 2 of incident electrons peculiar to the crystal, and the above When E is larger than 2 , the emission ratio δ becomes smaller than 1 again.

加速電圧E1またはE2のとき、2次電子放出比
は実湿的に1となる。
When the accelerating voltage is E 1 or E 2 , the secondary electron emission ratio is actually 1.

加速電圧はこの実施例ではMCP7の出力電極
と鏡面92間の電位差によつて与えられ、鏡面9
2の電位は表面に電荷が存在しないときは、透明
電極91の電位と略等しい。
In this embodiment, the accelerating voltage is given by the potential difference between the output electrode of the MCP 7 and the mirror surface 92;
The potential of the transparent electrode 91 is approximately equal to the potential of the transparent electrode 91 when there is no charge on the surface.

本発明ではこのE2の前後でδの符号が変化す
ることを利用して、電荷像の形成および消去また
は均一な電荷分布状態を形成するようにしたもの
である。
In the present invention, the change in the sign of δ before and after E 2 is utilized to form and erase a charge image or to form a uniform charge distribution state.

そのため、2次電子捕集電極電圧をほぼE2
設定して、MCP7の出力電極電圧と、電気光学
結晶板9の透明電極91の電圧との差が第3図に
示すE2より大きくなるように透明電極91に電
圧を与えた時は、電気光学結晶板9の鏡面92に
2次電子捕集電極の電圧と等しい電圧となるよう
に電子が付着して(δ<1)負電荷像が形成され
る。
Therefore, by setting the secondary electron collecting electrode voltage to approximately E2 , the difference between the output electrode voltage of the MCP 7 and the voltage of the transparent electrode 91 of the electro-optic crystal plate 9 becomes larger than E2 shown in FIG. When a voltage is applied to the transparent electrode 91 as shown in FIG. is formed.

負電荷による電位が前記2次電子捕集電極の電
位E2と等しくなつた時は、その後に電子が飛来
しても電荷は変化しない。
When the potential due to the negative charge becomes equal to the potential E 2 of the secondary electron collecting electrode, the charge does not change even if electrons fly thereafter.

またMCP7の出力電極電圧と電気光学結晶の
透明電極91の電圧との差が第3図に示すE1
E2との間になるように、上記透明電極91に電
圧を与えた時は、電気光学結晶板9の鏡面92に
到達した電子により発生させられる2次電子(δ
>1)が前記2次電子捕集電極32に捕捉される
ことにより、当該部分に結果的に正電荷像が形成
される。
Also, the difference between the output electrode voltage of the MCP 7 and the voltage of the transparent electrode 91 of the electro-optic crystal is E 1 shown in FIG.
When a voltage is applied to the transparent electrode 91 such that the voltage is between the secondary electrons (δ
>1) is captured by the secondary electron collecting electrode 32, and as a result, a positive charge image is formed in that portion.

本発明による装置の動作モードは次の,,
,に大別できる。第4図に前記,の動作
モードを第3図に示した2次電子放出比と対比し
て示してある。第5図には同様な第、第の動
作モードを示してある。客図において、縦軸は鏡
面92の電位を示し、e(o),e(+),e(−)
はそれぞれ、電荷の存在しないこと、正の電荷が
存在していること、および負の電荷が存在してい
ることを示す。またWrは書込、Erは消去、Prは
準備を意味する。
The operating modes of the device according to the invention are as follows:
, can be roughly divided into . FIG. 4 shows the above operation mode in comparison with the secondary electron emission ratio shown in FIG. FIG. 5 shows similar first and second operating modes. In the customer diagram, the vertical axis indicates the potential of the mirror surface 92, e(o), e(+), e(-)
indicate the absence of charge, the presence of positive charge, and the presence of negative charge, respectively. Also, Wr means write, Er means erase, and Pr means preparation.

また、各図において書込まれた像はそれぞれ特
殊な形状を想定し2次元像の1次元方向のみを横
軸により略図示したものである。
Furthermore, each image drawn in each figure assumes a special shape, and only the one-dimensional direction of the two-dimensional image is schematically illustrated by the horizontal axis.

() まず第1の動作モードから説明する(第
4図参照)。
() First, the first operation mode will be explained (see FIG. 4).

このモードでは書込Wr時にスイツチ15を
接点15aに接続し電気光学結晶板9の透明電
極91の電圧を0.1KVとする。被写体1からの
書込み光により光電面5に被写体1の像が形成
される。光電変換された電子像はMCP7増倍
され、電気光学結晶板9に増倍電子が入射させ
られる。その結果電気光学結晶板9の鏡面92
上に正電荷像e(+)が形成される。
In this mode, during writing Wr, the switch 15 is connected to the contact 15a, and the voltage of the transparent electrode 91 of the electro-optic crystal plate 9 is set to 0.1 KV. An image of the subject 1 is formed on the photocathode 5 by the writing light from the subject 1 . The photoelectrically converted electron image is multiplied by the MCP 7, and the multiplied electrons are made incident on the electro-optic crystal plate 9. As a result, the mirror surface 92 of the electro-optic crystal plate 9
A positive charge image e(+) is formed thereon.

電気光学結晶板9の鏡面62には当初電荷が
存在しないので、透明電荷像91と略同電位で
0.1KVに保たれている。すなわち鏡面92の電
位はMCP7の出力電極72より0.1KV高いの
で、第4図左側に示すように2次電子放出比δ
はδ>1である。したがつてこの面への1次電
子の入射量に応じて正に帯電される。放出され
た2次電子は鏡面92より高い電位E2=4KV
の2次電子捕集電極8に捕集される。読取時に
もスイツチ15は接点15aに接続されてい
る。点光源13からの光はコリメータレンズ1
2で平行光化される。
Since there is no charge initially on the mirror surface 62 of the electro-optic crystal plate 9, it has approximately the same potential as the transparent charge image 91.
It is maintained at 0.1KV. In other words, since the potential of the mirror surface 92 is 0.1 KV higher than the output electrode 72 of the MCP 7, the secondary electron emission ratio δ is as shown on the left side of FIG.
is δ>1. Therefore, it is positively charged depending on the amount of primary electrons incident on this surface. The emitted secondary electrons have a higher potential than the mirror surface 92 E 2 = 4KV
The secondary electron collecting electrode 8 collects the electrons. The switch 15 is also connected to the contact 15a during reading. The light from the point light source 13 passes through the collimator lens 1
2 makes it parallel light.

そしてフイルタ11で単色化される。この単
色化平行光は電気光学結晶板9で変調される。
すなわち前記単色化平行光は、電気光学結晶板
9がその鏡面92上の正電荷像により結晶中の
光路長が変化しているので干渉により強められ
る部分と、弱められる部分が生じ光学像に対応
する変調が行なわれる。
Then, it is converted into a monochromatic color by a filter 11. This monochromatic parallel light is modulated by an electro-optic crystal plate 9.
In other words, since the optical path length of the monochromatic parallel light in the crystal changes due to the positive charge image on the mirror surface 92 of the electro-optic crystal plate 9, there are parts where it is strengthened and parts where it is weakened due to interference, which corresponds to an optical image. Modulation is performed.

変調された光は半透明鏡10で反射され写真
フイルム14上に記録媒体される。
The modulated light is reflected by a semi-transparent mirror 10 and recorded on a photographic film 14.

消去Er時にはスイツチ15を15bに接続
し、電極91を4KVにする。図示しない消去
用の光源を用いて、光電面5全面に一様な強さ
の光を照射する。光電変換により得られた均一
な分布の電子はMCP7で増倍され電気光学結
晶板9に入射し、鏡面92上の電荷を0にして
消去を終了する。
When erasing Er, switch 15 is connected to 15b and electrode 91 is set to 4KV. Using a light source for erasing (not shown), the entire surface of the photocathode 5 is irradiated with light of uniform intensity. The uniformly distributed electrons obtained by photoelectric conversion are multiplied by the MCP 7 and incident on the electro-optic crystal plate 9, where the charge on the mirror surface 92 is reduced to 0 and erasing is completed.

前述したように電気光学結晶板9の鏡面は、
透明電極の電位は4KVに正の帯電による電位
上昇分が部分的に加わつた電位となつている。
そのため、鏡面92の電位は第4図左側に示す
ようにE2(=4KV)より高いので鏡面92のδ
はδ<1となる。したがつて、E2になるまで
は負電荷が加えられる傾向にあり、E2に達す
るとδ=1となり帯電は0となり鏡面92の電
位は4KVとなる。
As mentioned above, the mirror surface of the electro-optic crystal plate 9 is
The potential of the transparent electrode is 4KV plus a potential increase due to positive charging.
Therefore, since the potential of the mirror surface 92 is higher than E 2 (=4KV) as shown on the left side of FIG.
becomes δ<1. Therefore, a negative charge tends to be added until E2 is reached, and when E2 is reached, δ=1, the charge becomes 0, and the potential of the mirror surface 92 becomes 4KV.

() 次に第2の動作モードについて説明する
(第4図参照)。
() Next, the second operation mode will be explained (see FIG. 4).

このモードは、準備、書込、消去の順に実行
され、準備の工程では、スイツチ15は接点1
5aに接続され電気光学結晶板の電極91は
0.1KVに保たれる。書込工程ではスイツチ15
は15bに接続され、電気光学結晶板の電極9
1は4.0KVに保たれる。また消去の工程ではス
イツチ15は接点15aに接続され、電極91
は0.1KVに保たれる。
This mode is executed in the order of preparation, writing, and erasing, and in the preparation process, the switch 15 is
The electrode 91 of the electro-optic crystal plate connected to 5a is
Maintained at 0.1KV. Switch 15 during the writing process
is connected to 15b, and electrode 9 of the electro-optic crystal plate
1 is kept at 4.0KV. Further, in the erasing process, the switch 15 is connected to the contact 15a, and the electrode 91 is connected to the contact 15a.
is kept at 0.1KV.

準備Prの際に、光電面5の全面に一様な強
さの光を照射する。光電変換により得られた電
子像はMCP7により増倍され、増倍された電
子像は電気光学結晶板9に入射させられる。鏡
面92の電荷を正(e(+))にする。
During preparation Pr, the entire surface of the photocathode 5 is irradiated with light of uniform intensity. The electron image obtained by photoelectric conversion is multiplied by the MCP 7, and the multiplied electron image is made incident on the electro-optic crystal plate 9. The charge on the mirror surface 92 is made positive (e(+)).

前述したように電気光学結晶板9の鏡面92
の電位は当初0.1KVにある。
As mentioned above, the mirror surface 92 of the electro-optic crystal plate 9
The potential of is initially 0.1KV.

このとき、鏡面92の2次電子放出比δはδ
>1であるから、結晶板の鏡面92は一様に正
に帯電される。その結果鏡面92の電位はE2
(=4KV)に近づいて均一な正電位分布とな
る。
At this time, the secondary electron emission ratio δ of the mirror surface 92 is δ
>1, the mirror surface 92 of the crystal plate is uniformly positively charged. As a result, the potential of the mirror surface 92 is E 2
(=4KV), resulting in a uniform positive potential distribution.

書込Wr時には、光電面5に被写体1の像3
を投影する。光電変換により得られた電子像
は、MCP7で増倍され電気光学結晶板に投射
される。
When writing Wr, the image 3 of the subject 1 is displayed on the photocathode 5.
to project. The electronic image obtained by photoelectric conversion is multiplied by the MCP 7 and projected onto an electro-optic crystal plate.

そして鏡面92上に正電荷中に反転像を形成
する。すなわち、書込は前述した準備の工程で
電気光学結晶板9の鏡面92はあらかじめ一様
に正に帯電されているところから開始する。電
気光学結晶板9の鏡面92は書込当初電極91
によつて与えられた電位(=4KV)に上記正
電荷e(+)による電位上昇(E2=4KVに近
い)を加えてほぼ4KV+E2=8KVである。こ
こでは第4図左側に示すようにδはδ<1であ
るから、光学像に対応する鏡面92への1次電
子の入射量に応じて負の電荷がたまる傾向にあ
る。すなわち、一様な正の電荷e(+)に像に
対応する分布の負の電荷が重なるので正電荷中
に反転像が形成されるのである。
Then, an inverted image is formed in the positive charge on the mirror surface 92. That is, writing starts from the point where the mirror surface 92 of the electro-optic crystal plate 9 is uniformly positively charged in advance in the preparation process described above. The mirror surface 92 of the electro-optic crystal plate 9 is the electrode 91 at the beginning of writing.
The potential increase (E 2 =approximately 4 KV) due to the above-mentioned positive charge e(+) is added to the potential given by (=4KV), and the result is approximately 4KV+E 2 =8KV. Here, as shown on the left side of FIG. 4, since δ is δ<1, negative charges tend to accumulate depending on the amount of primary electrons incident on the mirror surface 92 corresponding to the optical image. That is, since the uniform positive charge e(+) is superimposed on the negative charge of the distribution corresponding to the image, an inverted image is formed in the positive charge.

読取は前述した第1の動作モードと変らな
い。
Reading is no different from the first mode of operation described above.

消去Erはこのモードの準備Prと同じである。
電気光学結晶板9の鏡面92は、0.1KV〜E2
(=4KV)の間にある(像の形成されていない
部分はE2)。
Erase Er is the same as preparation Pr in this mode.
The mirror surface 92 of the electro-optic crystal plate 9 has a voltage of 0.1 KV to E 2
(=4KV) (the part where no image is formed is E 2 ).

電気光学結晶板9の鏡面92のδはδ>1で
あるから結晶板の鏡面92は正に帯電される傾
向にある。その結果、鏡面92の電位がE2
なるまでは正電荷が増加してE2に達するとδ
=1となり、一様に帯電させられて反転像が消
去されたことになる。
Since δ of the mirror surface 92 of the electro-optic crystal plate 9 is δ>1, the mirror surface 92 of the crystal plate tends to be positively charged. As a result, the positive charge increases until the potential of the mirror surface 92 reaches E2 , and when it reaches E2 , δ
= 1, which means that the inverted image is erased by being uniformly charged.

消去終了により、次の書込が可能となる。 Upon completion of erasing, next writing becomes possible.

() 次に第3の動作モードについて説明する
(第5図参照)。
() Next, the third operation mode will be explained (see FIG. 5).

この動作モードでは、書込時、スイツチ15
は接点15cに接続され電気光学結晶板9の透
明電極91は8.0KVに保たれる。消去のさいは
スイツチ15は接点15bに接続され透明電極
91は4.0KVに保たれる。
In this operating mode, when writing, switch 15
is connected to the contact point 15c, and the transparent electrode 91 of the electro-optic crystal plate 9 is maintained at 8.0 KV. During erasing, switch 15 is connected to contact 15b and transparent electrode 91 is maintained at 4.0 KV.

書込Wr時に光電面5に被写体1の像を投影
すると、光電変換により像に対応する電子像が
形成される。この像はMCP7で増倍される。
増培された電子像は電気光学結晶板9に入射さ
せられる。その結果、電気光学結晶板9の鏡面
92上に負電荷像e(−)が形成される。
When an image of the subject 1 is projected onto the photocathode 5 during writing Wr, an electronic image corresponding to the image is formed by photoelectric conversion. This image is multiplied by MCP7.
The amplified electron image is made incident on an electro-optic crystal plate 9. As a result, a negative charge image e(-) is formed on the mirror surface 92 of the electro-optic crystal plate 9.

この負電荷像形成の原理は次のとおりであ
る。電気光学結晶の鏡面92は当初前述したよ
うに8.0KVである。ここでは第5図左側に示す
ように2次電子放出比δはδ<1である。その
ため鏡面92への1次電子の入射量に応じて鏡
面は負に帯電される。
The principle of forming this negative charge image is as follows. The mirror surface 92 of the electro-optic crystal is initially 8.0 KV as described above. Here, as shown on the left side of FIG. 5, the secondary electron emission ratio δ is δ<1. Therefore, the mirror surface 92 is negatively charged depending on the amount of primary electrons incident on the mirror surface 92.

読取は先に第1のモードで説明したところと
変らない。
Reading is the same as described above for the first mode.

消去Erは光電面全体に一様な強さの光を照
射することにより行なわれる。
Erasing Er is performed by irradiating the entire photocathode with light of uniform intensity.

光電変換により得られた一様な電子流は
MCP7で増倍される。
The uniform electron flow obtained by photoelectric conversion is
Multiplied by MCP7.

増倍された電子は、電気光学結晶板9の鏡面
92に入射させられe0となる。その結果、鏡面
92の電荷は消去される。消去前に電気光学結
晶板9の鏡面92は、4KVに負の帯電e(−)
による電位下降分が重畳された状態にある。負
電荷e(−)の存在する部分の表面電位はE2
りも低いので、鏡面92の2次電子放出比δは
δ>1である。このためE2になるまでは正電
荷が加わる。E2に達すると、δ=1となり帯
電は均一に消去されe0となる。
The multiplied electrons are made incident on the mirror surface 92 of the electro-optic crystal plate 9 and become e 0 . As a result, the charge on the mirror surface 92 is erased. Before erasing, the mirror surface 92 of the electro-optic crystal plate 9 is negatively charged e(-) to 4KV.
It is in a state where the potential drop caused by Since the surface potential of the portion where the negative charge e(-) exists is lower than E2 , the secondary electron emission ratio δ of the mirror surface 92 is δ>1. Therefore, positive charge is added until it reaches E 2 . When E 2 is reached, δ=1 and the charge is uniformly erased and becomes e 0 .

() 次に第4の動作モードについて説明する
(第5図参照)。
() Next, the fourth operation mode will be explained (see FIG. 5).

このモードにおいて、スイツチ15は準備の
さい15cに接続され結晶板の電極91は
8KVに保たれている。書込のさいはスイツチ
15は15bに接続され結晶の電極91は
4KVに保たれる。消去のさいはスイツチ15
は15cに接続され結晶板の電極91は8KV
に保たれている。
In this mode, switch 15 is connected to 15c during preparation and electrode 91 of the crystal plate is
It is maintained at 8KV. During writing, the switch 15 is connected to 15b and the crystal electrode 91 is
Maintained at 4KV. When erasing, switch 15
is connected to 15c and the electrode 91 of the crystal plate is 8KV
is maintained.

準備prは光電面5全面に一様な強さの光を照
射することにより開始される。
Preparation pr is started by irradiating the entire surface of the photocathode 5 with light of uniform intensity.

光電変換により得られた一様な電子はNCP
7により増倍され、結晶板9に入射させられ
る。電気光学結晶板9の鏡面92は当初8.0KV
であるから、2次電子放出比δはδ<1したが
つて鏡面には負電荷e(−)が一様に付着する。
Uniform electrons obtained by photoelectric conversion are NCP
The signal is multiplied by 7 and made incident on the crystal plate 9. The mirror surface 92 of the electro-optic crystal plate 9 was initially 8.0KV.
Therefore, the secondary electron emission ratio δ is δ<1, so negative charges e(-) are uniformly attached to the mirror surface.

書込Wrは結晶板の電極91の電圧を4.0KV
にしてから行なわれ、鏡面92の2次電子放出
比δはδ>1であるから負電荷e(−)の中に
反転像が形成される。
For writing Wr, set the voltage of electrode 91 of the crystal plate to 4.0KV.
Since the secondary electron emission ratio δ of the mirror surface 92 is δ>1, an inverted image is formed in the negative charge e(-).

読取は第1のモードで説明したところと変ら
ない。
Reading is the same as described in the first mode.

消去Erは電極91の電圧を8.0KVにして鏡
面92をδ<1の領域にもたらして前面に一様
に負電荷e(−)を付着させる。
Erasing Er sets the voltage of the electrode 91 to 8.0 KV, brings the mirror surface 92 into the region of δ<1, and uniformly attaches negative charges e(-) to the front surface.

以上詳しく説明したように、本発明による装
置では2次電子捕集電極を設け、かつ電気光学
結晶板の電極電源を多様に切換可能にしたの
で、消去または準備が容易となつた。
As described above in detail, the device according to the present invention is provided with a secondary electron collecting electrode and the electrode power source of the electro-optic crystal plate can be switched in various ways, making erasing or preparation easier.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のMSLMの構成を示す略図、第
2図は本発明によるMSLMの実施例を示す図、
第3図は電気光学結晶の2次電子放出特性を示す
グラフ、第4図は前記実施例装置の第1および第
2の動作モードを説明するためのグラフ、第5図
は前記実施例装置の第3および第4の動作モード
を説明するためのグラフである。 1……被写体、2……対物レンズ、3……光学
像、4……光学像変換管、5……光電面、6……
集束電極、7……マイクロチヤンネルプレート
(=MCP)、71……MCPの電子入射側の電極、
72……MCPの電子出射側の電極、8……2次
電子捕集電極、9……電気光学結晶板、91……
電気光学結晶板の電極、92……電気光学結晶板
の鏡面、10……半透明鏡、11……単色フイル
タ、12……コリメータレンズ、13……点光
源、14……写真フイルム、15……切換スイツ
チ、21……入射窓、22……光電面、23……
MCP入力電極、24……MCP、25……MCP
出力電極、26……ギヤツプ、27……誘電体鏡
面、28……電気光学結晶板、29……透明電
極、30……出射窓、31……半透明鏡、A〜G
……電源。
FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a conventional MSLM, and FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of the MSLM according to the present invention.
FIG. 3 is a graph showing the secondary electron emission characteristics of the electro-optic crystal, FIG. 4 is a graph for explaining the first and second operation modes of the device of the embodiment, and FIG. 5 is a graph of the device of the embodiment. It is a graph for explaining the third and fourth operation modes. 1... Subject, 2... Objective lens, 3... Optical image, 4... Optical image conversion tube, 5... Photocathode, 6...
Focusing electrode, 7... Microchannel plate (=MCP), 71... Electrode on the electron incident side of MCP,
72... Electrode on the electron emission side of MCP, 8... Secondary electron collection electrode, 9... Electro-optic crystal plate, 91...
Electrode of electro-optic crystal plate, 92... Mirror surface of electro-optic crystal plate, 10... Semi-transparent mirror, 11... Monochromatic filter, 12... Collimator lens, 13... Point light source, 14... Photographic film, 15... ...Selector switch, 21...Incidence window, 22...Photocathode, 23...
MCP input electrode, 24...MCP, 25...MCP
Output electrode, 26... Gap, 27... Dielectric mirror surface, 28... Electro-optic crystal plate, 29... Transparent electrode, 30... Exit window, 31... Semi-transparent mirror, A to G
……power supply.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 電子像発生手段と電気光学結晶板を含み、前
記電気光学結晶板の鏡面に前記電子像発生源から
の電子により、電荷像を形成し、前記電荷像と他
面に設けられている透明電極間の電界により結晶
板内の屈折率の2次元分布を変化させる放射線像
変換管を用いた空間変調装置において、前記結晶
板と電子像発生手段との間に鏡面への電荷像形成
を妨げないように配置され、前記鏡面で発生した
2次元電子を捕集するための2次電子捕集電極
と、前記捕集電極に捕集電圧を供給する捕集電極
電源と、前記透明電極に鏡面の2次電子放出比を
1よりも大きくするための第1の電圧、前記放出
比を実質的に1とするための第2の電圧を切換接
続可能な結晶板電極電源とを設けたことを特徴と
する空間変調装置。 2 前記結晶板電極電源により、第1の電圧を接
続して正電荷像を形成して書込を行ない、第2の
電圧を接続して一様な電子流で結晶板鏡面を照射
して消去を行なうように構成した特許請求の範囲
第1項記載の空間変調装置。 3 前記結晶板電極電源により、第1の電圧を接
続して一様な電子流で結晶板鏡面を照射すること
により正電荷を一様に形成して準備を行ない、第
2の電圧を接続して正電荷中に反転像を形成する
書込みを行ない、第1の電圧を接続して前記準備
に相当する消去を行なうように構成した特許請求
の範囲第1項記載の空間変調装置。 4 電子像発生手段と電気光学結晶板を含み、前
記電気光学結晶板の鏡面に前記電子像発生源から
の電子により、電荷像を形成し、前記電荷像と他
面に設けられている透明電極間の電界により結晶
板内の屈折率の2次元分布を変化させる放射線像
変換管を用いた空間変調装置において、前記結晶
板と電子像発生手段との間に鏡面への電荷像形成
を妨げないように配置され、前記鏡面で発生した
2次電子を捕集するための2次電子捕集電極と、
前記捕集電極に捕集電圧を供給する捕集電極電源
と、前記透明電極に鏡面の2次電子放出比を実質
的に1とするための第2の電圧、前記放出比を1
よりも小とするための第3の電圧を切換接続可能
な結晶板電極電源とを設けたことを特徴とする空
間変調装置。 5 前記結晶板電極電源により、第3の電圧を接
続して負電荷像を形成して書込みを行ない、第2
の電圧を接続して前記負電荷像を消去するように
構成した特許請求の範囲第4項記載の空間変調装
置。 6 前記結晶板電極電源により第3の電圧を接続
して一様な電子流で結晶板上に一様な負電荷を形
成して準備を行ない、第2の電圧を接続して前記
一様な負電荷中に反転像を形成し、第3の電圧を
接続して消去を行なうように構成した特許請求の
範囲第4項記載の空間変調装置。
[Scope of Claims] 1. A device comprising an electron image generating means and an electro-optic crystal plate, which forms a charge image on a mirror surface of the electro-optic crystal plate by electrons from the electron image generation source, and forms a charge image on the other surface of the electro-optic crystal plate. In a spatial modulation device using a radiation image converting tube that changes the two-dimensional distribution of refractive index within a crystal plate by an electric field between transparent electrodes, a mirror surface is formed between the crystal plate and the electron image generating means. a secondary electron collection electrode arranged so as not to impede charge image formation and for collecting two-dimensional electrons generated on the mirror surface; a collection electrode power supply supplying a collection voltage to the collection electrode; a crystal plate electrode power supply capable of switching and connecting a first voltage for making the secondary electron emission ratio of the specular surface larger than 1 and a second voltage for making the emission ratio substantially 1 to the transparent electrode; A spatial modulation device characterized by being provided with. 2 Using the crystal plate electrode power supply, the first voltage is connected to form a positive charge image to perform writing, and the second voltage is connected to irradiate the mirror surface of the crystal plate with a uniform electron flow to erase. A spatial modulation device according to claim 1, which is configured to perform the following. 3 Using the crystal plate electrode power supply, the first voltage is connected and the mirror surface of the crystal plate is irradiated with a uniform electron flow to uniformly form a positive charge to prepare, and the second voltage is connected. 2. The spatial modulation device according to claim 1, wherein writing is performed to form an inverted image in a positive charge, and erasing corresponding to said preparation is performed by connecting a first voltage. 4. includes an electron image generating means and an electro-optic crystal plate, a charge image is formed on a mirror surface of the electro-optic crystal plate by electrons from the electron image generation source, and a transparent electrode provided on the other surface of the charge image; In a spatial modulation device using a radiation image converting tube that changes the two-dimensional distribution of refractive index within a crystal plate by an electric field between the crystal plate and the electron image generating means, the formation of a charge image on a mirror surface is not hindered. a secondary electron collecting electrode for collecting secondary electrons generated on the mirror surface;
a collection electrode power source for supplying a collection voltage to the collection electrode; a second voltage for making the secondary electron emission ratio of the mirror surface substantially 1 on the transparent electrode;
A spatial modulation device characterized in that it is provided with a crystal plate electrode power supply capable of switching and connecting a third voltage to make the voltage smaller than the voltage. 5 Using the crystal plate electrode power source, a third voltage is connected to form a negative charge image to perform writing, and a second
5. The spatial modulation device according to claim 4, wherein the negative charge image is erased by connecting the voltage. 6 Prepare by connecting a third voltage using the crystal plate electrode power source to form a uniform negative charge on the crystal plate with a uniform electron flow, and then connect a second voltage to form a uniform negative charge on the crystal plate. 5. The spatial modulation device according to claim 4, wherein the spatial modulation device is configured to form an inverted image in negative charges and perform erasing by connecting a third voltage.
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