JPH0456475B2 - - Google Patents
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- JPH0456475B2 JPH0456475B2 JP57075132A JP7513282A JPH0456475B2 JP H0456475 B2 JPH0456475 B2 JP H0456475B2 JP 57075132 A JP57075132 A JP 57075132A JP 7513282 A JP7513282 A JP 7513282A JP H0456475 B2 JPH0456475 B2 JP H0456475B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- electrode
- hollow body
- gas
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
- H10F77/147—Shapes of bodies
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明中空体の内壁に形成された非晶質
太陽電池に関し、特にその安定化をはかるもので
ある。
太陽電池に関し、特にその安定化をはかるもので
ある。
非晶質太陽電池は新規のエネルギー変換材料と
して注目されている。しかるにそのエネルギー変
換効率は時間の経過とともに減少する。従来、太
陽電池はその基板を非晶質半導体を形成するため
の高価な設備中に設置され形成されていた。例え
ばグロー放電設備のグロー放電槽、スパツタリン
グ設備のスパツタリング槽、CVD設備のCVD槽
などであり、それらの中に基板を設置し、それぞ
れの手段を用いて非晶質半導体を形成せしめる方
法である。その結果、太陽電池は外部に露出した
状態となり、これを保護すること、特に水分に対
しての安定化は困難であつた。
して注目されている。しかるにそのエネルギー変
換効率は時間の経過とともに減少する。従来、太
陽電池はその基板を非晶質半導体を形成するため
の高価な設備中に設置され形成されていた。例え
ばグロー放電設備のグロー放電槽、スパツタリン
グ設備のスパツタリング槽、CVD設備のCVD槽
などであり、それらの中に基板を設置し、それぞ
れの手段を用いて非晶質半導体を形成せしめる方
法である。その結果、太陽電池は外部に露出した
状態となり、これを保護すること、特に水分に対
しての安定化は困難であつた。
この様な観点から従来各種の安定化法が検討さ
れており、例えばエポキシ系樹脂を用いて非晶質
太陽電池をケース中に埋めこむなどの方法が提案
されている。
れており、例えばエポキシ系樹脂を用いて非晶質
太陽電池をケース中に埋めこむなどの方法が提案
されている。
本発明の目的の一つは、この点に鑑みて成され
たものであり、これらの埋込み用の樹脂やケース
を使用せずに安定化した非晶質太陽電池を提供す
ることにある。
たものであり、これらの埋込み用の樹脂やケース
を使用せずに安定化した非晶質太陽電池を提供す
ることにある。
さらに本発明の別の目的は非晶質シリコン層を
形成するための工程において非晶質シリコン層形
成手段を簡略化する技術を提供することにある。
形成するための工程において非晶質シリコン層形
成手段を簡略化する技術を提供することにある。
本発明によれば前記のような高価な設備を必要
とせず、太陽電池の基板そのものが反応器とな
り、例えば第３図に示すようにグロー放電槽およ
び熱分解槽となし得るので、該槽に半導体の原料
ガスを導入しグロー放電および熱弁解することに
より安定した非晶質シリコン太陽電池を容易に製
造することもできる。
とせず、太陽電池の基板そのものが反応器とな
り、例えば第３図に示すようにグロー放電槽およ
び熱分解槽となし得るので、該槽に半導体の原料
ガスを導入しグロー放電および熱弁解することに
より安定した非晶質シリコン太陽電池を容易に製
造することもできる。
すなわち本発明は透明中空体の内壁に電極及び
光発電領域が、透光性の第１の電極、光発電領
域、第２の電極の順に形成されており、中空体の
内部は実質的は乾燥状態であり且つ光発電領域は
熱分解により形成された非晶質シリコン層を含む
非晶質シリコン太陽電池である。
光発電領域が、透光性の第１の電極、光発電領
域、第２の電極の順に形成されており、中空体の
内部は実質的は乾燥状態であり且つ光発電領域は
熱分解により形成された非晶質シリコン層を含む
非晶質シリコン太陽電池である。
本発明の非晶質シリコン太陽電池において実質
的な乾燥状態とは水分含量5ppm以下の気体が封
入されている状態であり、特に好ましくは水分含
量3ppm以下の水素又は不活性ガスが封入されて
いるものである。
的な乾燥状態とは水分含量5ppm以下の気体が封
入されている状態であり、特に好ましくは水分含
量3ppm以下の水素又は不活性ガスが封入されて
いるものである。
第１図は本発明の好ましい非晶質シリコン太陽
電池の外観図の１例であり、第２図は第１図のＡ
−Ａ線の断面図の１例を模式図で示したものであ
る。第２図において１は透明中空体、２は透明中
空体１の内壁に形成されている第１の電極、３は
光発電領域、４は第２の電極であり、５は中空体
の内部空間を示している。第１図において６及び
７は外部リード線であり、それぞれ第１の電極２
及び第２の電極４と接続されている。
電池の外観図の１例であり、第２図は第１図のＡ
−Ａ線の断面図の１例を模式図で示したものであ
る。第２図において１は透明中空体、２は透明中
空体１の内壁に形成されている第１の電極、３は
光発電領域、４は第２の電極であり、５は中空体
の内部空間を示している。第１図において６及び
７は外部リード線であり、それぞれ第１の電極２
及び第２の電極４と接続されている。
透明中空体は第２図の如き断面が円形のものに
限らず、正方形、長方形、楕円形等であつてもよ
く、特に限定されないが、製作、取扱いの点にお
いては断面が円形であることが好ましい。要する
に、該空中体の内部空間において実質的な乾燥状
態を保持できるものであれば如何なる形状でもよ
く、また該中空体は一体物であれ、部分品から構
成されるものでもよい。第１図は透明中空体とし
ての中空円筒１と封止材８及び９との部分品から
構成されている。中空円筒と封止材とは溶着ある
いは接着により一体化される。ガス導入あるい
は、真空排気部分はたとえば１３，１４のように
溶封される。封止材８及び９の材質は特に制限は
ないが、製作面及び保守面から透明中空体１と同
じかあるいは類似の材質であることが好ましい。
限らず、正方形、長方形、楕円形等であつてもよ
く、特に限定されないが、製作、取扱いの点にお
いては断面が円形であることが好ましい。要する
に、該空中体の内部空間において実質的な乾燥状
態を保持できるものであれば如何なる形状でもよ
く、また該中空体は一体物であれ、部分品から構
成されるものでもよい。第１図は透明中空体とし
ての中空円筒１と封止材８及び９との部分品から
構成されている。中空円筒と封止材とは溶着ある
いは接着により一体化される。ガス導入あるい
は、真空排気部分はたとえば１３，１４のように
溶封される。封止材８及び９の材質は特に制限は
ないが、製作面及び保守面から透明中空体１と同
じかあるいは類似の材質であることが好ましい。
第１の電極２は透光性を有する導電体である。
たとえばITO（Indium−Tin−Oxide）、In2O3、
SnO2などの薄膜で形成されている。第２の電極
４は第１の電極に用いる電極材料で形成できるこ
とは勿論であるが、不透明の金属電極をも有効に
使用できる。透光性を有する導電体を第２の電極
として用いた場合には、光照射側と反対側の光発
電領域にまで、光照射側の光発電領域を通過した
光が到達できるので太陽光の有効利用の面におい
て好ましいものである。
たとえばITO（Indium−Tin−Oxide）、In2O3、
SnO2などの薄膜で形成されている。第２の電極
４は第１の電極に用いる電極材料で形成できるこ
とは勿論であるが、不透明の金属電極をも有効に
使用できる。透光性を有する導電体を第２の電極
として用いた場合には、光照射側と反対側の光発
電領域にまで、光照射側の光発電領域を通過した
光が到達できるので太陽光の有効利用の面におい
て好ましいものである。
非晶質シリコン層からなる光発電領域はSiH4、
Si2H6、Si3H8等のガス状のシリコン化合物に、
PH3、B2H6、AsH3、CH4、C2H6、NH3等のガ
スを適宜添加したあるいは添加しない原料ガスの
雰囲気中でグロー放電あるいは熱分解することに
より形成される。本発明の特徴の一つはこの堆積
方法にある。すなわち従来の堆積方法ではグロー
放電や熱分解を生ぜしめるための高価な装置を必
要としていたが、本発明では必ずしもこの必要は
ない。例えば、グロー放電による場合は中空体を
加熱し、その内部を真空手段及び原料ガス導入手
段に接続し、真空に引きながら原料ガスを導入
し、高周波電界を印加するものである。熱分解に
よる場合には、中空体を約300℃以上に加熱する
ことによりシリコン化合物は常圧においても分解
することを利用するものである。この結果、非晶
質シリコンが中空体の内壁へ堆積し、光発電領域
を容易に形成することができる。
Si2H6、Si3H8等のガス状のシリコン化合物に、
PH3、B2H6、AsH3、CH4、C2H6、NH3等のガ
スを適宜添加したあるいは添加しない原料ガスの
雰囲気中でグロー放電あるいは熱分解することに
より形成される。本発明の特徴の一つはこの堆積
方法にある。すなわち従来の堆積方法ではグロー
放電や熱分解を生ぜしめるための高価な装置を必
要としていたが、本発明では必ずしもこの必要は
ない。例えば、グロー放電による場合は中空体を
加熱し、その内部を真空手段及び原料ガス導入手
段に接続し、真空に引きながら原料ガスを導入
し、高周波電界を印加するものである。熱分解に
よる場合には、中空体を約300℃以上に加熱する
ことによりシリコン化合物は常圧においても分解
することを利用するものである。この結果、非晶
質シリコンが中空体の内壁へ堆積し、光発電領域
を容易に形成することができる。
非晶質シリコン層は第１の電極側からたとえば
ｐ型、ｉ型、ｎ型の順に堆積することにより形成
される。ｉ型層の厚みはｐ型層、ｎ型層の厚みの
10〜100倍を必要とする。このため非晶質シリコ
ン層を形成するに要する時間はｉ型層の形成時間
で決まつてしまう。ｉ型層は好ましくはSi2H6や
Si3H8等の高次のシリコン化合物の熱分解で形成
される。高次のシリコン化合物においては熱分解
が300〜500℃、大気圧の条件下で進行するため、
減圧下の分解条件よりも非晶質シリコン層の堆積
速度が大になる。その上上記温度範囲は非晶質シ
リコン中において、非晶質シリコンの未結合手
（ダングリングボンド）を補償する水素が存在で
きるものである。すなわち、非晶質シリコン層形
成後必ずしもH2プラズマアニーリングをする必
要はなく、工程が簡略化できる便利さを有する。
ｐ型、ｉ型、ｎ型の順に堆積することにより形成
される。ｉ型層の厚みはｐ型層、ｎ型層の厚みの
10〜100倍を必要とする。このため非晶質シリコ
ン層を形成するに要する時間はｉ型層の形成時間
で決まつてしまう。ｉ型層は好ましくはSi2H6や
Si3H8等の高次のシリコン化合物の熱分解で形成
される。高次のシリコン化合物においては熱分解
が300〜500℃、大気圧の条件下で進行するため、
減圧下の分解条件よりも非晶質シリコン層の堆積
速度が大になる。その上上記温度範囲は非晶質シ
リコン中において、非晶質シリコンの未結合手
（ダングリングボンド）を補償する水素が存在で
きるものである。すなわち、非晶質シリコン層形
成後必ずしもH2プラズマアニーリングをする必
要はなく、工程が簡略化できる便利さを有する。
ｐ型非晶質シリコン層の膜厚は50〜1000Åであ
る。ｐ型非晶質シリコン層はｐ型の不純物ガス、
たとえば、B2H6をガス状のシリコン化合物に対
して10-4〜10-1の割合で混合してグロー放電によ
り形成される。
る。ｐ型非晶質シリコン層はｐ型の不純物ガス、
たとえば、B2H6をガス状のシリコン化合物に対
して10-4〜10-1の割合で混合してグロー放電によ
り形成される。
前記の如くｉ型非晶質シリコン層は熱分解
（Chemical Vapor Deposition）により形成され
る。従つて50Å／秒以上の堆積速度を容易に達成
でき、また膜厚5000Å〜1μｍのｉ型非晶質シリ
コン層を数分以内に形成可能できる。ｉ型非晶質
シリコン層を形成するためのガス状のシリコン化
合物は、好ましくは前記の如くSi3H6やSi3H8等
の高次のシリコン化合物である。SiH4は300〜
500℃では分離せず、600℃以上の高温が必要にな
る。この温度では水素が非晶質シリコン層から脱
離するので、非晶質シリコン層形成後H2プラズ
マ雰囲気中で該非晶質シリコン層をアニーリング
しなければならない。さらに600℃以上の高温に
おいては、使用できる透明中空体も材質的に限ら
れる。
（Chemical Vapor Deposition）により形成され
る。従つて50Å／秒以上の堆積速度を容易に達成
でき、また膜厚5000Å〜1μｍのｉ型非晶質シリ
コン層を数分以内に形成可能できる。ｉ型非晶質
シリコン層を形成するためのガス状のシリコン化
合物は、好ましくは前記の如くSi3H6やSi3H8等
の高次のシリコン化合物である。SiH4は300〜
500℃では分離せず、600℃以上の高温が必要にな
る。この温度では水素が非晶質シリコン層から脱
離するので、非晶質シリコン層形成後H2プラズ
マ雰囲気中で該非晶質シリコン層をアニーリング
しなければならない。さらに600℃以上の高温に
おいては、使用できる透明中空体も材質的に限ら
れる。
ｎ型層は50〜1000Åの膜厚を有し、ｎ型の不純
物ガス、たとえばPH3、AsH3等をガス状のシリ
コン化合物に対して10-4〜10-1の割合でグロー放
電により形成される。これらの非晶質シリコン層
の堆積は、He、Ar、H2等のガスをガス状のシリ
コン化合物の０〜1000倍添加した雰囲気で実施す
ることもできる。
物ガス、たとえばPH3、AsH3等をガス状のシリ
コン化合物に対して10-4〜10-1の割合でグロー放
電により形成される。これらの非晶質シリコン層
の堆積は、He、Ar、H2等のガスをガス状のシリ
コン化合物の０〜1000倍添加した雰囲気で実施す
ることもできる。
第２の電極は上記非晶質シリコンの上に堆積さ
れる。堆積はグロー放電や真空蒸着の手段を有効
に用いることができる。たとえば前記の非晶質シ
リコンを堆積した後でガス状の錫化合物と酸素含
有ガスを導入し、グロー放電により酸化錫を堆積
したり、アルミニウムを真空中で加熱して蒸着す
る方法が有用である。外部リード線としては、ア
ルミニウム、銅、銀等の線材、板材を有効に使用
できることは勿論であるが、導電性塗料たとえば
銀ペースト等を用いることも便利である。外部リ
ード線を第１及び第２の電極にそれぞれ接続した
後で、H2ガス導入、密封工程に移る。たとえば
第４図においてガス導入部１１及び真空排気部１
２をガス導入手段１５及び真空排気手段１６にそ
れぞれ接続して、真空排気及びH2の導入を行な
う。好ましくは排気−導入を三回以上行ない、つ
いで中空体内部を大気圧以下の真空、好ましくは
100Torrの真空の状態においてガス導入部及びガ
ス排気部を密封する。
れる。堆積はグロー放電や真空蒸着の手段を有効
に用いることができる。たとえば前記の非晶質シ
リコンを堆積した後でガス状の錫化合物と酸素含
有ガスを導入し、グロー放電により酸化錫を堆積
したり、アルミニウムを真空中で加熱して蒸着す
る方法が有用である。外部リード線としては、ア
ルミニウム、銅、銀等の線材、板材を有効に使用
できることは勿論であるが、導電性塗料たとえば
銀ペースト等を用いることも便利である。外部リ
ード線を第１及び第２の電極にそれぞれ接続した
後で、H2ガス導入、密封工程に移る。たとえば
第４図においてガス導入部１１及び真空排気部１
２をガス導入手段１５及び真空排気手段１６にそ
れぞれ接続して、真空排気及びH2の導入を行な
う。好ましくは排気−導入を三回以上行ない、つ
いで中空体内部を大気圧以下の真空、好ましくは
100Torrの真空の状態においてガス導入部及びガ
ス排気部を密封する。
光発電領域が太面積になる場合には第１の電極
と内壁との間あるいは第２の電極の上に集電用の
薄膜電極を設けることができる。
と内壁との間あるいは第２の電極の上に集電用の
薄膜電極を設けることができる。
本発明の別の特徴としては、本発明の太陽電池
には表裏の区別がなく、ほぼ全表面にわたり光発
電領域が存在することである。そのため直接入射
光はもとより、透過光、散乱光、反射光をも有効
に利用することができる。当然のことながら集光
用の太陽電池としても有用である。
には表裏の区別がなく、ほぼ全表面にわたり光発
電領域が存在することである。そのため直接入射
光はもとより、透過光、散乱光、反射光をも有効
に利用することができる。当然のことながら集光
用の太陽電池としても有用である。
前記の如く、本発明は透明中空体の内部に電
極、光発電領域が封入されて外界と遮断されてい
るばかりかH2あるいは不活性ガス雰囲気に保持
されているので、外部からの水や腐蝕性ガス、酸
化性ガスの侵入を防ぎ性能が極めて安定化するう
えに、その製法や光電変換効率においてもすぐれ
たものである。
極、光発電領域が封入されて外界と遮断されてい
るばかりかH2あるいは不活性ガス雰囲気に保持
されているので、外部からの水や腐蝕性ガス、酸
化性ガスの侵入を防ぎ性能が極めて安定化するう
えに、その製法や光電変換効率においてもすぐれ
たものである。
以下実施例をあげさらに具体的に説明する。
実施例
第３図において、内壁にITO及びSnO2をコー
トした透明中空体１を真空排気手段１８、移動自
在の原料ガス導入手段１７を有する水冷手段（図
示はしていない）を有するフランジ１９及び２０
（フランジ１９は非晶質シリコンを堆積させない
ためのマスクの役割をするつば２１を有する）に
Ｏリングを介して配設する。さらに加熱手段２
２、グロー放電のための電界の印加手段２３が付
加される。水素ガスを流しながら加熱手段２２に
よりガラス円筒を300℃に加熱した。B2H6／
SiH4＝１／100（容量比）の混合ガスを導入し、
グロー放電によりｐ型非晶質シリコン層を100Å
の厚みに形成された。ついでガラス円筒を400℃
に加熱した。更にSi2H6／He＝１／４（容量比）
の混合ガスを供給し、グロー放電なしで5000Åの
ｉ型層を形成させた。つぎにガラス円筒を300℃
に冷却し、PH3／SiH4＝１／1000（容量比）を加
えグロー放電によりｎ型層を150Åの厚みに形成
させた。さらにSnCl2とO2ガスを導入しグロー放
電によりSnO2層を堆積して第２の電極とした。
第４図における如く第１の電極が裸の状態で存在
する部分２４に銀ペーストで外部リード線６を接
続する。第２の電極の上にグリツト状の集電電極
を設けこの集電電極に銀ペーストで外部リード線
７を接続する。外部リード線を封止材８及び９の
外部へとり出し、エポキシ樹脂により封止材とガ
ラス円筒とを接着一体化する。ついで封止材のガ
ス導入部１１、真空排気部１２をガス導入手段１
５及び真空排気手段１６に接続する。10-2以下の
真空に引いた後水素ガスを導入する。これを三回
繰返した後、1Torrに減じた状態でガス導入部お
よび真空排気部を酸水素炎で溶封した。このよう
にして得られた太陽電池は内部に水素ガスが封入
されて、かつ外界と隔離されており、その性能は
安定化されることが認められた。
トした透明中空体１を真空排気手段１８、移動自
在の原料ガス導入手段１７を有する水冷手段（図
示はしていない）を有するフランジ１９及び２０
（フランジ１９は非晶質シリコンを堆積させない
ためのマスクの役割をするつば２１を有する）に
Ｏリングを介して配設する。さらに加熱手段２
２、グロー放電のための電界の印加手段２３が付
加される。水素ガスを流しながら加熱手段２２に
よりガラス円筒を300℃に加熱した。B2H6／
SiH4＝１／100（容量比）の混合ガスを導入し、
グロー放電によりｐ型非晶質シリコン層を100Å
の厚みに形成された。ついでガラス円筒を400℃
に加熱した。更にSi2H6／He＝１／４（容量比）
の混合ガスを供給し、グロー放電なしで5000Åの
ｉ型層を形成させた。つぎにガラス円筒を300℃
に冷却し、PH3／SiH4＝１／1000（容量比）を加
えグロー放電によりｎ型層を150Åの厚みに形成
させた。さらにSnCl2とO2ガスを導入しグロー放
電によりSnO2層を堆積して第２の電極とした。
第４図における如く第１の電極が裸の状態で存在
する部分２４に銀ペーストで外部リード線６を接
続する。第２の電極の上にグリツト状の集電電極
を設けこの集電電極に銀ペーストで外部リード線
７を接続する。外部リード線を封止材８及び９の
外部へとり出し、エポキシ樹脂により封止材とガ
ラス円筒とを接着一体化する。ついで封止材のガ
ス導入部１１、真空排気部１２をガス導入手段１
５及び真空排気手段１６に接続する。10-2以下の
真空に引いた後水素ガスを導入する。これを三回
繰返した後、1Torrに減じた状態でガス導入部お
よび真空排気部を酸水素炎で溶封した。このよう
にして得られた太陽電池は内部に水素ガスが封入
されて、かつ外界と隔離されており、その性能は
安定化されることが認められた。
第１図は本発明の好ましい非晶質シリコン太陽
電池の外観図の１例であり、第２図は第１図のＡ
−Ａ線における断面図の１例を模式図で示したも
のである。第３図は透明中空体に真空手段および
ガス導入手段を取り付けた装置の模式図であり、
第４図はガス導入および熔封時の太陽電池の状態
の１例を示す図である。 １……透明中空体、２……第１の電極、３……
光発電領域、４……第２の電極、５……透明中空
体の内部空間。
電池の外観図の１例であり、第２図は第１図のＡ
−Ａ線における断面図の１例を模式図で示したも
のである。第３図は透明中空体に真空手段および
ガス導入手段を取り付けた装置の模式図であり、
第４図はガス導入および熔封時の太陽電池の状態
の１例を示す図である。 １……透明中空体、２……第１の電極、３……
光発電領域、４……第２の電極、５……透明中空
体の内部空間。
Claims (1)
- １ 一体的に形成された円筒形状の透明中空体の
内壁に電極及び光発電領域が、当該内壁に接する
側から、透光性の第１の電極、光発電領域、第２
の電極の順に形成されており、該中空体の内部は
水素ガスまたは不活性ガスが封入されている実質
的な乾燥状態であり且つ光発電領域のうち少なく
ともｉ型層は高次シランの熱分解により形成され
た非晶質シリコン層を含むことを特徴とする非晶
質シリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075132A JPS58192386A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 非晶質シリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075132A JPS58192386A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 非晶質シリコン太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58192386A JPS58192386A (ja) | 1983-11-09 |
| JPH0456475B2 true JPH0456475B2 (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=13567354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57075132A Granted JPS58192386A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 非晶質シリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58192386A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041878B2 (ja) * | 1979-02-14 | 1985-09-19 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池装置 |
| JPS5775131A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-11 | Toshiba Corp | Nonlinear resistor granulator |
-
1982
- 1982-05-07 JP JP57075132A patent/JPS58192386A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58192386A (ja) | 1983-11-09 |
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