JPH0456799B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0456799B2 JPH0456799B2 JP11614885A JP11614885A JPH0456799B2 JP H0456799 B2 JPH0456799 B2 JP H0456799B2 JP 11614885 A JP11614885 A JP 11614885A JP 11614885 A JP11614885 A JP 11614885A JP H0456799 B2 JPH0456799 B2 JP H0456799B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- carbon plate
- vapor phase
- phase growth
- growth apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はエピタキシヤル或いはCVD等の気相
成長装置用のサセプタに関する。
成長装置用のサセプタに関する。
このような気相成長装置のうち例えば縦型形式
における従来のサセプタの一例を第３図により述
べる。サセプタ１１は通常10mmないし30mm厚さの
円形をしたカーボン製であつて、中央の孔１２は
不図示の回転軸及び反応ガス供給管が挿入される
孔であり上面の複数の凹み１３は不図示のウエハ
を載置し、さらに高周波コイル１４により加熱さ
れウエハを主としてサセプタからの熱伝導によつ
て昇温させるようになつている。この際複数のウ
エハは面内で均一な温度に昇温させることが重要
であり、ウエハ面内での温度分布はサセプタ１１
面内での温度分布に強く依存するためサセプタ１
１面内での均一な温度分布は不可欠である。
における従来のサセプタの一例を第３図により述
べる。サセプタ１１は通常10mmないし30mm厚さの
円形をしたカーボン製であつて、中央の孔１２は
不図示の回転軸及び反応ガス供給管が挿入される
孔であり上面の複数の凹み１３は不図示のウエハ
を載置し、さらに高周波コイル１４により加熱さ
れウエハを主としてサセプタからの熱伝導によつ
て昇温させるようになつている。この際複数のウ
エハは面内で均一な温度に昇温させることが重要
であり、ウエハ面内での温度分布はサセプタ１１
面内での温度分布に強く依存するためサセプタ１
１面内での均一な温度分布は不可欠である。
第３図に示したようにサセプタ１１の下面に高
周波コイル１４を設けた場合では、高周波コイル
１４とサセプタ１１下面との距離を調整すること
によりサセプタ１１半径方向の温度分布を最適に
し、サセプタ１１を回転することによりサセプタ
１１の円周方向の温度分布の均一化をはかつてい
る。この場合サセプタ１１は誘導電流により加熱
されており良好な温度分布を得るためには、サセ
プタ面方向の熱伝導を良くすることが重要であり
またサセプタ１１の熱容量を増加すること従つて
その厚さを一定値以上にすることが必要である。
サセプタ１１を厚くすることは、熱電源即ち高周
波コイル１４の容量が大きくなりエネルギコスト
を増大させると共に、サセプタ１１の昇降温に要
する時間は増加しこの結果シーケンス時間も増加
し生産性を低下させるという欠点があつた。
周波コイル１４を設けた場合では、高周波コイル
１４とサセプタ１１下面との距離を調整すること
によりサセプタ１１半径方向の温度分布を最適に
し、サセプタ１１を回転することによりサセプタ
１１の円周方向の温度分布の均一化をはかつてい
る。この場合サセプタ１１は誘導電流により加熱
されており良好な温度分布を得るためには、サセ
プタ面方向の熱伝導を良くすることが重要であり
またサセプタ１１の熱容量を増加すること従つて
その厚さを一定値以上にすることが必要である。
サセプタ１１を厚くすることは、熱電源即ち高周
波コイル１４の容量が大きくなりエネルギコスト
を増大させると共に、サセプタ１１の昇降温に要
する時間は増加しこの結果シーケンス時間も増加
し生産性を低下させるという欠点があつた。
本発明はこのような観点からなされたものでそ
の目的は、サセプタの厚さを増加させることなく
その面内での温度分布を均一にすることにより、
製品の品質を高くすると共に省エネルギを可能に
しさらに昇降温の時間を短縮して生産性を高くし
た気相成長装置用サセプタを提供することにあ
る。
の目的は、サセプタの厚さを増加させることなく
その面内での温度分布を均一にすることにより、
製品の品質を高くすると共に省エネルギを可能に
しさらに昇降温の時間を短縮して生産性を高くし
た気相成長装置用サセプタを提供することにあ
る。
本発明の気相成長装置用サセプタは、上下２枚
のカーボン板からなり２枚の間に赤外線を通す熱
不良導帯域を介在させたことを特徴としている。
のカーボン板からなり２枚の間に赤外線を通す熱
不良導帯域を介在させたことを特徴としている。
以下本発明の一実施例を示した第１図について
説明する。サセプタ２１は、従来例のサセプタ１
１に対し直径はほぼ同じであるが厚さを1/2ない
し1/3にした下側カーボン板２２と、下側カーボ
ン板２２に対しほぼ同一形状の上側カーボン板２
３との２枚に分割されている。上側カーボン板２
３は外周のリング状の支持体２４と内周のリング
状の支持体２５とにより下側カーボン板２２に載
置されており、両カーボン板２２および２３の間
には間隔の比較的狭い密閉された空間２６が形成
されている。上記の支持体２４および２５は熱不
良導体でもよいし両カーボン板２４および２５の
いづれかと一体にしてもよいし、また外周或いは
内周のいづれか一側にのみ設けるようにしてもよ
いし、さらにリング状ではなくリングを分割した
部分的な形状でもよい。なお１２は不図示の回転
軸が挿入される孔であり、１３は不図示のウエハ
を載置する凹部であり、そして１４は高周波コイ
ルである。このようなサセプタ２１において下側
カーボン板２２が高周波コイル１４により誘導加
熱されると下側カーボン板２２の全表面から略均
一な分布で赤外線の輻射光が散乱状に放出され上
側カーボン板２３はこれを吸収してさらに均一に
加熱される。このように上側カーボン板の昇温過
程は、先づ高周波コイル１４により下側カーボン
板２２が直接加熱されるという第１段階と、次い
で下側カーボン板２２からの輻射光及び両カーボ
ン板２２および２３の間の空間２６に存在する熱
不良導体の気体による間接的な熱伝導等による上
側カーボン板２３の加熱という第２段階とに分け
ることができ、間接加熱であるため上側カーボン
板２３の面内での均熱性は大巾に向上する。
説明する。サセプタ２１は、従来例のサセプタ１
１に対し直径はほぼ同じであるが厚さを1/2ない
し1/3にした下側カーボン板２２と、下側カーボ
ン板２２に対しほぼ同一形状の上側カーボン板２
３との２枚に分割されている。上側カーボン板２
３は外周のリング状の支持体２４と内周のリング
状の支持体２５とにより下側カーボン板２２に載
置されており、両カーボン板２２および２３の間
には間隔の比較的狭い密閉された空間２６が形成
されている。上記の支持体２４および２５は熱不
良導体でもよいし両カーボン板２４および２５の
いづれかと一体にしてもよいし、また外周或いは
内周のいづれか一側にのみ設けるようにしてもよ
いし、さらにリング状ではなくリングを分割した
部分的な形状でもよい。なお１２は不図示の回転
軸が挿入される孔であり、１３は不図示のウエハ
を載置する凹部であり、そして１４は高周波コイ
ルである。このようなサセプタ２１において下側
カーボン板２２が高周波コイル１４により誘導加
熱されると下側カーボン板２２の全表面から略均
一な分布で赤外線の輻射光が散乱状に放出され上
側カーボン板２３はこれを吸収してさらに均一に
加熱される。このように上側カーボン板の昇温過
程は、先づ高周波コイル１４により下側カーボン
板２２が直接加熱されるという第１段階と、次い
で下側カーボン板２２からの輻射光及び両カーボ
ン板２２および２３の間の空間２６に存在する熱
不良導体の気体による間接的な熱伝導等による上
側カーボン板２３の加熱という第２段階とに分け
ることができ、間接加熱であるため上側カーボン
板２３の面内での均熱性は大巾に向上する。
第２図は本発明の第２実施例を示したサセプタ
３１は、従来例のサセプタ１１に対し直径を若干
大きくし厚さを1/2ないし1/3にした下側のカーボ
ン板３２と、下側カーボン板３２に対し直径を若
干小さくし厚さを同じにした上側カーボン板３３
との２枚に分割されている。両カーボン板３２お
よび３３は両者の間の直接的な熱伝達を小さくす
るため熱不良導体である石英によるピン状の支持
体３４をそれぞれに挿入することにより、上カー
ボン板３３を下カーボン板３２に載置しかつ両カ
ーボン板３２および３３の間には間隔の比較的狭
い空間３５が形成されている。なおこの空間３５
と前記第１実施例の空間２６に赤外線は通すが熱
不良導体である石英板（図示せず）を挿入するな
らば、上側カーボン板２３，３３への下側カーボ
ン板２２，３２からの輻射光は減少することな
く、かつ下側カーボン板２２，３２は石英板を通
じたゆつくりした熱伝導により上側カーボン板２
３，３３を補助加熱するという効果も加わり、上
側カーボン板２３，３３の均熱性向上と共に、間
接的に該上側カーボン板２３，３３の熱容量を増
加したことにもなり、熱的安定性は増大する。
３１は、従来例のサセプタ１１に対し直径を若干
大きくし厚さを1/2ないし1/3にした下側のカーボ
ン板３２と、下側カーボン板３２に対し直径を若
干小さくし厚さを同じにした上側カーボン板３３
との２枚に分割されている。両カーボン板３２お
よび３３は両者の間の直接的な熱伝達を小さくす
るため熱不良導体である石英によるピン状の支持
体３４をそれぞれに挿入することにより、上カー
ボン板３３を下カーボン板３２に載置しかつ両カ
ーボン板３２および３３の間には間隔の比較的狭
い空間３５が形成されている。なおこの空間３５
と前記第１実施例の空間２６に赤外線は通すが熱
不良導体である石英板（図示せず）を挿入するな
らば、上側カーボン板２３，３３への下側カーボ
ン板２２，３２からの輻射光は減少することな
く、かつ下側カーボン板２２，３２は石英板を通
じたゆつくりした熱伝導により上側カーボン板２
３，３３を補助加熱するという効果も加わり、上
側カーボン板２３，３３の均熱性向上と共に、間
接的に該上側カーボン板２３，３３の熱容量を増
加したことにもなり、熱的安定性は増大する。
本発明の気相成長装置用サセプタは以上説明し
たように、サセプタを上下２枚に分けることによ
り、先づ下側のカーボン板が加熱され、次いでウ
エハを載置する上側カーボン板が下側カーボン板
から散乱状に放出される輻射熱により間接的に加
熱される。このため上側カーボン板の均熱性が向
上し、この結果気相成長のスリツプ欠陥は大巾に
減少し、かつ気相成長層の膜厚や抵抗率等の均一
性も向上する。さらにサセプタは従来のものより
実質的に薄いため熱容量は小さく省エネルギにな
り、さらに上側サセプタは薄いため降温時間が短
かくなり、サイクルタイムを短縮できるので生産
性を高められる等の利点を有する。
たように、サセプタを上下２枚に分けることによ
り、先づ下側のカーボン板が加熱され、次いでウ
エハを載置する上側カーボン板が下側カーボン板
から散乱状に放出される輻射熱により間接的に加
熱される。このため上側カーボン板の均熱性が向
上し、この結果気相成長のスリツプ欠陥は大巾に
減少し、かつ気相成長層の膜厚や抵抗率等の均一
性も向上する。さらにサセプタは従来のものより
実質的に薄いため熱容量は小さく省エネルギにな
り、さらに上側サセプタは薄いため降温時間が短
かくなり、サイクルタイムを短縮できるので生産
性を高められる等の利点を有する。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は
本発明の他の実施例の断面図、第３図は従来例の
断面図である。 ２２，３２……下側カーボン板、２３，３３…
…上側カーボン板、２４，２５，３４……支持
体、２６，３５……空間（熱不良導帯域）。
本発明の他の実施例の断面図、第３図は従来例の
断面図である。 ２２，３２……下側カーボン板、２３，３３…
…上側カーボン板、２４，２５，３４……支持
体、２６，３５……空間（熱不良導帯域）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 上下２枚のカーボン板からなり２枚の間に赤
外線を通す熱不良導帯域を介在させた気相成長装
置用サセプタ。 ２ 熱不良導帯域が空間であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の気相成長装置用サセ
プタ。 ３ 熱不良導帯域が石英板であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の気相成長装置用サ
セプタ。 ４ 下側カーボン板と上側カーボン板の外周部お
よび或いは内周部のみの全周或いは一部が支持体
を介して接触していることを特徴とした特許請求
の範囲第２項記載の気相成長装置用サセプタ。 ５ 上側カーボン板は下側カーボン板上に熱不良
導体の支持体を介して載置されていることを特徴
とした特許請求の範囲第２項記載の気相成長装置
用サセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11614885A JPS61275193A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 気相成長装置用サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11614885A JPS61275193A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 気相成長装置用サセプタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61275193A JPS61275193A (ja) | 1986-12-05 |
| JPH0456799B2 true JPH0456799B2 (ja) | 1992-09-09 |
Family
ID=14679938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11614885A Granted JPS61275193A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 気相成長装置用サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61275193A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120814A (ja) * | 1987-11-04 | 1989-05-12 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウエハ用載置台 |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP11614885A patent/JPS61275193A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61275193A (ja) | 1986-12-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |