JPH0456883A - 電荷像情報転写装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電荷像形成体に光変調体を近接又は接触させ
ることによって、電荷像形成体に形成された電荷像に対
応する情報を光変調体に転写記録する電荷像情報転写装
置に関するものである。

［従来の技術］ 電荷像形成体に形成された電荷像情報を光変調体に記録
する電荷像情報転写装置としては、例えば特願平１−１
６４５９０号として特許出願されたものなど種々のもの
がある。第６図には、かかる電荷像情報転写装置の従来
例が示されている。

電荷像形成体１０は、例えば電極１２と電荷保持層１４
とが積層された構成となっており、記録ヘッド１６によ
って電荷像が形成されるようになっている。記録ヘッド
１６は、電極１８と光導電層２０とが積層された構成と
なっており、光導電層２０が電荷保持層１４に対向する
ように配置される。そして、電極１２．１８間には駆動
用の電圧２２が印加される。

かかる状態で被写体２４の光学像を光学系２６を介して
光導電層２０に投射すると、光導電層２０では、そのイ
ンピーダンス分布が投射光学像に応じて変化するように
なる。そして、電荷保持層１４と光導電層２０とのギャ
ップ間で気中放電が生じて、電荷保持層１４に被写体２
４に対応する電荷像が形成されるようになる。

以上のようにして電荷像形成体１０に形成された電荷像
は、同図ｉＢ）に示すようにして光変調体２８の光変調
層３０に転写される。すなわち、電極１２．３２間がシ
ョートされた状態で、電荷像形成体１０と光変調体２８
との相対的な接近１例えば矢印ＦＡで示す光変調体２８
の移動が行なわれる。

そして、光変調層３０に作用する電荷像の電界が、光変
調層３０における光透過率の変化のしきい値を越えた時
点で、光変調層３０に電荷像が転写されることになる。

すなわち、光変調層３０の光透過率の分布が電荷像に対
応して変化する。なお、転写が行なわれた光変調層３０
に光を照射すれば、その光透過重分布に対応した強度分
布となり、これによって転写像の読出しが可能である。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、電荷像の電気力線は電荷から発散するように
伸びるため、電荷像による電界も電荷像形成体ＩＯと光
変調体２８との間隔ないし距離が大きくなるに対応して
拡散した状態となる。すなわち、電荷像形成体ＩＯと光
変調体２８との間隔が大きいときは、結果的に像がぼけ
て解像度が劣化した状態となる６従って、電荷像に忠実
な高解像度の転写を行なうためには、電荷像形成体１０
と光変調体２８との間隔がある程度以下の状態で、電荷
像による電界が光変調体２８のしきい値を越えるように
する必要がある。

しかしながら、上述した従来の技術では、かかる点に対
する配慮が欠けていたため、高解像度の良好な電荷像の
転写を行なうことができないという不都合があった。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、忠実で高
解像度の電荷像情報の転写を行なうことができる電荷像
情報転写装置を提供することを、その目的とするもので
ある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、あらかじめ電荷像が形成された電荷像形成体
に光変調体を近接又は接触させて、前記電荷像を光変調
体に転写する電荷像情報転写装置において、前記電荷像
形成体と光変調体とが所望の間隔以下となった状態で光
変調体のしきい値を越えて電荷像の電界を光変調体に作
用させる手段を備えたことを特徴とするものである。

［作用］ 本発明によれば、光変調体には、所望の間隔以下の状態
でそのしきい値を越えた電界が作用するようになり、電
荷像の電界が分散した状態では電荷像情報の転写が行な
われない、電荷像情報の転写は、その電界の分散のない
位置で行なわれるため、転写情報は高解像度となる。

［実施例］ 以下、本発明にかかる電荷像情報転写装置の実施例につ
いて、添付図面を参照しながら説明する。なお、上述し
た従来例と同様又は相当する構成部分については、同一
の符号を用いることとする。

〈第１実施例〉 最初に、第１図を参照しながら、本発明の第１実施例に
ついて説明する。この実施例の基本構成は、第６図に示
した従来例と同様である６しかし、本実施例では、電荷
像形成体ＩＯに対する電荷像の形成が、その電位を抑制
した状態で行なわれる。すなわち、第６図ｆＡ）に示す
駆動用電圧２２として、前記従来例よりも低い値が設定
される。このようにして形成された電荷像による電界は
、従来よりも低いものとなる。

電荷像情報の転写は、上述した従来例と同様に、電荷像
形成体１０と光変調体２８とを第１図ＦＡ）に示すよう
に接近させて行なわれる。この場合において、本実施例
では、電荷像の電界が低いために、同図ｆＢ）に示すよ
うな非常に接近した位置で電荷像の電界が光変調層３０
のしきい値に達するようになる。このため、光変調層３
０には、拡散前の電界が作用するようになり、解像度の
高い電荷像情報の転写が行なわれることとなる。

く第２実施例〉 次に、第２図を参照しながら、本発明の第２実施例につ
いて説明する。この第２実施例では、同図ｆＡｌに示す
ように、転写用電源４０がスイッチ４２を介して電極１
２．３２間に接続された構成となっている。この転写用
電源４０は、後述する同図（Ｂ）の時点でバイアス電圧
が電極１２゜３２間に印加されたときに、光変調層３０
にしきい値程度となる電界が生ずるような出力設定とな
っている。

電荷像形成体１０の電荷保持層１４には、上述した第１
実施例よりも更に低い電圧、すなわち電荷像の電界のみ
では、電荷像形成体１０と光変調体２８とが接触した状
態であっても光変調層３０のしきい値を越えない電界と
なるように電荷像の形成か行なわれる。最初、電荷像形
成体１０と光変調体２８とが接近しつつあるときは、同
図（Ａ）に示すようにスイッチ４２はｒＯＦ　ＦＪの状
態にある。

そして、電荷像形成体１０と光変調体２８とが転写を行
なうべき所望の間隔ないし接触状態となった時点で、ス
イッチ４２がｒｏＦＦＪからｒＯＮＪに切換えられる。

すると、光変調層３０には、電荷像による電界と、転写
用電源４０のバイアス電圧による電界とが重量されて印
加されるようになる。上述したように、バイアス電圧に
よる電界は、光変調層３０のしきい値に相当しているの
で、光変調層３０には、電荷像による電界が良好に作用
してその転写が行なわれることとなる。

この第２実施例によれば、上述した第１実施例の効果の
他に、当初の電荷形成を非常に低い駆動用電圧の印加で
行なっても電荷像情報の転写を良好に行なうことができ
るという効果がある。

なお、以上のような第２実施例の変形として、次のよう
なものもある。まず、所望転写間隔でしきい値以上の電
界が光変調層３０に作用するように、電荷像形成体１０
に電荷像を形成する０次に、電荷像による電界を打ち消
すような逆バイアスを印加しつつ、電荷像形成体１０と
光変調体２８との接近を行なう、そして、両者が所望の
間隔となったときに、かかる逆バイアスによる電界を除
去するようにすれば、電荷像による電界が光変調層３０
に作用することになり、同様に高解像度の転写を行なう
ことができる。

〈第３実施例〉 次に、第３図を参照しながら、本発明の第３実施例につ
いて説明する。この第３実施例では、同図（Ａｌ　に示
すように、転写用電源５０．５２が互いに逆極性となる
ように並列に接続されている。

これらの転写用電源５０．５２は、スイッチ５４を介し
て電極１２．３２間に接続されている。転写用電源５０
は、電荷像による電界がしきい値を越えて光変調層３０
に作用しないようにするためのものであり、転写用電源
５２は、電荷像による電界がしきい値を越えて光変調層
３０に作用するようにするためのものである。

最初、電荷像形成体１０と光変調体２８とが接近しつつ
あるときは、同図ｆＡｌ　に示すようにスイッチ５４は
転写用電源５０側に切換えられる。

これによって、転写用電源５０による電圧が電極１２．
３２間に印加され、光変調層３０は逆にバイアスされる
。このため、電荷像による電界は逆バイアス電圧に打ち
消されるようになり、電荷像情報の転写は行なわれない
。

そして、電荷像形成体１０と光変調体２８とが転写を行
なうべき所望の間隔ないし接触状態となった時点で、ス
イッチ５４は転写用電源５２側に切換えられる。すると
、光変調層３０には、電荷像による電界と、転写用電源
５２による順バイアス電圧による電界とが重畳されて印
加されるようになる。このため、光変調層３０には、電
荷像による電界がしきい値を越えて良好に作用し、その
情報の転写が行なわれることとなる。

この第３実施例によれば、前記第１実施例の効果の他に
、電荷像形成体１０における電荷像形成時の電圧がどの
ような値であっても、転写用電源５０．５２によるバイ
アス電圧の値を適宜設定することで良好な電荷像情報の
転写を行なうことができるという効果がある。

〈第４実施例〉 次に、第４図を参照しながら、本発明の第４実施例につ
いて説明する。この第４実施例では、電荷像形成体６０
が全体としてドラム状に形成されており、その外側に電
荷保持層６２．内側に電極６４が各々形成されている。

また、電極３２６４間には、交流ｉｆ源６６が接続され
ている。光変調体２８は、矢印ＦＢ方向に送られるよう
になっており、電荷像形成体６０は、矢印ＦＣ方向に回
転するようになっている。そして、これらの送り又は回
転に同期して、パルス状のバイアス電圧が交流電源６６
から出力されるようになっている。

この第４実施例では、光変調体２８と電荷像形成体６０
との最近接部の間隔が、所望の転写間隔に設定されてい
る。そして、前記交流電源６６の出力電圧によって光変
調層３０に作用する電界は、かかる最近接位置でしきい
値程度となるように設定されている。

従って、光変調体２８の送り、ないし電荷像形成体６０
の回転に伴って、かかる最接近位置でのみ電荷像情報の
転写が行なわれることとなり、上述した実施例と同様に
解像度の高い転写を行なうことができる。

く第５実施例〉 次に、第５図を参照しながら、本発明の第５実施例につ
いて説明する。この第５実施例では、電荷像形成体７０
は、電荷保持層６２と電極６４との間に光導電層７２が
形成された構成となっている。そして、光導電層７２に
は、光変調体２８と電荷像形成体７０との最接近位置に
おいてレーザ装置７４からレーザ光が照射されるように
なっている。レーザ光は、スポット光の走査又は線状光
として照射される６また、電極３２．６４間には、転写
用電源７６が接続されている。

この実施例によれば、転写用電源７６によるバイアス電
圧が印加された状態でレーザ光が照射される。すると、
光変調体２８と電荷像形成体７０との最接近位置でのみ
光導電層７２のインピーダンスが低下し、その部分では
非照射部分よりも大きなバイアス電圧による電界が作用
するようになる。すなわち、光変調層３０では、レーザ
光の照射された最接近部分で、そのしきい値以上の電界
がかかるようになり、前記第４実施例と同様にして高解
像度の電荷像情報転写が可能となる。

〈他の実施例〉 なお、本発明は、何ら上記実施例に限定されるものでは
な（、例えば、以下のものも含まれる。

（１１電荷像形成体の電荷保持層としては、例えば、シ
リコン樹脂の高抵抗材料などのように電荷が表面に保持
されるもの、樹脂層表面近傍に高導電微粒子が埋設され
て内部に電荷が保持されるものが用いられる。あるいは
、第６図（Ａ）において、光導電層２０表面にも電荷が
形成されるので、光導電層を電荷像形成体として用いる
ようにしてもよい。

（２）更に、第７図に示すような電荷像形成手法。

形成材料であってもよい、まず、同図ｆＡ）に示すもの
は、記録ヘッド１６の光導電層２０に電極８０を対向配
置して被写体２４の投射を行なうもので、電荷像は光導
電層２０表面に形成される。

この光導電層２０が電荷像形成体として用いられる。

次に、同図（Ｂ）に示すものは、電荷像形成体８２が光
導電層２０表面に電荷保持層８８４が形成された構成と
なっている。この例では、電荷保持層８４表面に電荷像
が形成される。また、同図＋Ｃ１に示すものは、記録ヘ
ッド１６の光導電層２０上にコロナ帯電器８６で一様帯
電を行なった後、被写体２４の光学像による露光を行な
って電荷像を形成するものである。

（３）次に、光変調体の光変調層としては、例えば、高
分子一液晶複合膜、ＰＬＺＴなどが用いられる。

（４）前記実施例では、形成される電荷像がプラスの電
荷の場合であるが、マイナスの場合でも同様に本発明は
適用される。

その他、同様の作用を奏する範囲内で、種々設計変更可
能である。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明にかかる電荷像情報転写装
置によれば、電荷像形成体と光変調体とが所望の間隔以
下となった状態で光変調体のしきい値を越えて電荷像の
電界が光変調層に作用するようにしたので、忠実で高解
像度の電荷像情報の転写を行なうことができるという効
果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる電荷像情報転写装置の第１実施
例を示す説明図、第２図は本発明の第２実施例を示す説
明図、第３図は本発明の第３実施例を示す説明図、第４
図は本発明の第４実施例を示す説明図、第５図は本発明
の第５実施例を示す説明図、第６図は従来例を示す説明
図、第７図は種々の電荷像形成手法を示す説明図である
。 １０．６０．７０・・・電荷像形成体、１２゜３２．６
４・・・電極、１４．６２−・・電荷保持層。 ２８−・・光変調体、３０・・・光変調層、４０．５０
゜５２．６６．７６−・−転写用電源、４２．５４・−
スイッチ、２０．７２・・・光導電層、７４−・・レー
ザ装置。 特許出願人　　日本ビクター株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　あらかじめ電荷像が形成された電荷像形成体に光変調
   体を近接又は接触させて、前記電荷像を光変調体に転写
   する電荷像情報転写装置において、 前記電荷像形成体と光変調体とが所望の間隔以下となっ
   た状態で光変調体のしきい値を越えて電荷像の電界を光
   変調体に作用させる手段を備えたことを特徴とする電荷
   像情報転写装置。