JPH0457050A - 描画パターンの形成方法 - Google Patents
描画パターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH0457050A JPH0457050A JP2169570A JP16957090A JPH0457050A JP H0457050 A JPH0457050 A JP H0457050A JP 2169570 A JP2169570 A JP 2169570A JP 16957090 A JP16957090 A JP 16957090A JP H0457050 A JPH0457050 A JP H0457050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- ion beam
- parts
- nitrocellulose
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はニトロセルロースを主成分とするレジスト膜に
、Ｆ、１．Ｂ（フォーカスト・イオンビーム）を照射す
る描画パターンの形成方法に関する。
、Ｆ、１．Ｂ（フォーカスト・イオンビーム）を照射す
る描画パターンの形成方法に関する。
半導体製造プロセスにおいては、ニトロセルロースレジ
ストにイオビームを照射し、所望のレジストパターンを
形成する技術が注目されている。
ストにイオビームを照射し、所望のレジストパターンを
形成する技術が注目されている。
すなわち、ニトロセルロースレジストはイオンビーム照
射によって露光と現像が同時に行なわれるので、製造プ
ロセスの簡単化と短縮が可能になる。
射によって露光と現像が同時に行なわれるので、製造プ
ロセスの簡単化と短縮が可能になる。
しかし、ニトロセルロースはイオンビームに対して高感
度であるため、描画パターンの形状が端部で不規則にな
りやすい欠点がある。
度であるため、描画パターンの形状が端部で不規則にな
りやすい欠点がある。
そこで、これを改善するための従来技術として、例えば
第３７回応用物理学会講演予稿集３１ａ−ＺＧ−１＋お
よび３１ａ−ＺＧ−９に示されるものがある。前者の技
術は、ニトロセルロースレジストの上にＰ ＭＭＡ（ポ
リメチルメタクリエート）を堆積して二層レジスト膜と
するもので、後者の技術はニトロセルロースレジスト膜
を熱処理してイオンビームに対する感度を低下させ、そ
の後にイオンビーム照射を行なうものである。
第３７回応用物理学会講演予稿集３１ａ−ＺＧ−１＋お
よび３１ａ−ＺＧ−９に示されるものがある。前者の技
術は、ニトロセルロースレジストの上にＰ ＭＭＡ（ポ
リメチルメタクリエート）を堆積して二層レジスト膜と
するもので、後者の技術はニトロセルロースレジスト膜
を熱処理してイオンビームに対する感度を低下させ、そ
の後にイオンビーム照射を行なうものである。
しかし、前者の技術ではレジスト膜を二層としなければ
ならないので、その分たけ工程が増加する。また、後者
の技術では感度低下したレジスト膜を露光、現像するの
で、イオンビームを高強度にするか、または長い時間照
射することが必要になる。このため、ビーム照射時にレ
ジスト膜の下側（基板等）に損傷を与えやすい。
ならないので、その分たけ工程が増加する。また、後者
の技術では感度低下したレジスト膜を露光、現像するの
で、イオンビームを高強度にするか、または長い時間照
射することが必要になる。このため、ビーム照射時にレ
ジスト膜の下側（基板等）に損傷を与えやすい。
本発明は、かかる従来技術の欠点を解消した描画パター
ンの形成方法を提供することを課題としている。
ンの形成方法を提供することを課題としている。
本発明に係る描画パターンの形成方法は、ニトロセルロ
ースを主成分とするレジスト膜にイオンビームを照射し
て描画パターンを形成する方法において、レジスト膜の
うちのマスクとして残存させるべき部分を選択的に加熱
する第１の工程と、選択的に加熱した部分以外のレジス
ト膜にイオンビームを照射し、当該照射部位のレジスト
膜を選択的に除去する第２の工程とを備えることを特徴
とする。
ースを主成分とするレジスト膜にイオンビームを照射し
て描画パターンを形成する方法において、レジスト膜の
うちのマスクとして残存させるべき部分を選択的に加熱
する第１の工程と、選択的に加熱した部分以外のレジス
ト膜にイオンビームを照射し、当該照射部位のレジスト
膜を選択的に除去する第２の工程とを備えることを特徴
とする。
本発明の構成によれば、マスクとして残存させるべき部
分のみが感度低下させられているので、イオンビーム照
射した部分のみを選択的に除去し得る。
分のみが感度低下させられているので、イオンビーム照
射した部分のみを選択的に除去し得る。
以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は実施例に係る描画パターンの形成方法を示す工
程別の斜視断面図である。まず、基板１上にニトロセル
ロースを主成分とするレジスト材料を塗布し、レジスト
膜２を形成する（同図（ａ）図示）。なお、製造プロセ
スの各段階に応じて、基板］中にはすでに不純物領域が
形成されていたり、あるいは基板１の上面に絶縁膜が形
成されていたりする場合がある。
程別の斜視断面図である。まず、基板１上にニトロセル
ロースを主成分とするレジスト材料を塗布し、レジスト
膜２を形成する（同図（ａ）図示）。なお、製造プロセ
スの各段階に応じて、基板］中にはすでに不純物領域が
形成されていたり、あるいは基板１の上面に絶縁膜が形
成されていたりする場合がある。
次に、レジスト膜２のマスクとして残存させる部分のみ
を、選択的に加熱する。これにより、イオンビームを照
射すべき部分が、相対的に高感度となる。しかる後、非
加熱部分にイオンビームを照射していくと、露光および
現像が同時に実行され（その場現像）、描画パターンが
形成されていく （同図（ｂ）図示）。これにより、レ
ジスト膜２に所望のパターンで開口部３が形成される（
同図（Ｃ）図示）。ここで、照射するオンとしては、例
えばガリウムイオン（Ｇａ ）、ベリリウム（Ｂｅ
）、アルゴン（Ａｒ ）、金（Ａｕ ）。
を、選択的に加熱する。これにより、イオンビームを照
射すべき部分が、相対的に高感度となる。しかる後、非
加熱部分にイオンビームを照射していくと、露光および
現像が同時に実行され（その場現像）、描画パターンが
形成されていく （同図（ｂ）図示）。これにより、レ
ジスト膜２に所望のパターンで開口部３が形成される（
同図（Ｃ）図示）。ここで、照射するオンとしては、例
えばガリウムイオン（Ｇａ ）、ベリリウム（Ｂｅ
）、アルゴン（Ａｒ ）、金（Ａｕ ）。
＋
水素（Ｈ）イオンを用いることができる。
本発明はマスク部分の選択加熱と、非加熱部分へのイオ
ンビーム照射とを組み合せた点に特徴があるので、加熱
に際しては非加熱部分との温度勾配が急峻になるように
する必要がある。
ンビーム照射とを組み合せた点に特徴があるので、加熱
に際しては非加熱部分との温度勾配が急峻になるように
する必要がある。
この手法としては、第１にマスクパターン（例えばレチ
クル）を用いたフラッシュランプ加熱がある。すなわち
、イオンビーム照射すべき部分に対応した部分に遮光膜
（例えばクロム膜）を形成したレチクルを用意し、強力
なフラッシュランプで短時間加熱する。次いで、このよ
うな局所加熱処理をした半導体ウェーハをイオンビーム
照射装置にセットし、位置合せしてからイオンビーム照
射による露光、現像を行なう。
クル）を用いたフラッシュランプ加熱がある。すなわち
、イオンビーム照射すべき部分に対応した部分に遮光膜
（例えばクロム膜）を形成したレチクルを用意し、強力
なフラッシュランプで短時間加熱する。次いで、このよ
うな局所加熱処理をした半導体ウェーハをイオンビーム
照射装置にセットし、位置合せしてからイオンビーム照
射による露光、現像を行なう。
第２の手法としては、レーザービームを用いた加熱法が
ある。すなわち、マスクとして残存させる部分のみにレ
ーザービームをスキャンあるいは投影露光し、レジスト
の感度を低下させる。その後、イオンビーム照射により
高感度部分のみを現像、露光する。この場合には、レー
ザービームによって温度勾配が極めて急峻な局所加熱が
実現されるので、サブミクロンオーダーの微細な描画パ
ターンが簡単に形成される。なお、レーザービームでレ
ジストを加熱したときには、温度勾配は一般にガウス分
布となる。
ある。すなわち、マスクとして残存させる部分のみにレ
ーザービームをスキャンあるいは投影露光し、レジスト
の感度を低下させる。その後、イオンビーム照射により
高感度部分のみを現像、露光する。この場合には、レー
ザービームによって温度勾配が極めて急峻な局所加熱が
実現されるので、サブミクロンオーダーの微細な描画パ
ターンが簡単に形成される。なお、レーザービームでレ
ジストを加熱したときには、温度勾配は一般にガウス分
布となる。
局所加熱の具体的手法としては、上記のもの以外に種々
のものが考えられる。例えば、イオンの種類を露光、現
像のものとは別のものに変えて、イオンビームによる局
所加熱処理を実現できれば、同一のイオンビーム照射装
置で局所加熱工程と露光、現像工程が連続的になし得る
。この場合には、半導体ウェーハの位置合せを不要にす
ることもてきるので、描画工程は更に簡略化できる効果
がある。
のものが考えられる。例えば、イオンの種類を露光、現
像のものとは別のものに変えて、イオンビームによる局
所加熱処理を実現できれば、同一のイオンビーム照射装
置で局所加熱工程と露光、現像工程が連続的になし得る
。この場合には、半導体ウェーハの位置合せを不要にす
ることもてきるので、描画工程は更に簡略化できる効果
がある。
以上、詳細に説明した通り本発明によれば、マスクとし
て残存させるべき部分のみが熱処理によって感度低下さ
せられているので、イオンビームを照射した部分のみを
選択的かつ容易に除去することができる。このため、ニ
トロセルロースレジストの下地である基板等に対して、
イオンビームによるダメージを与えることなく、形状の
乱れの少ない描画パターンを形成できる。また、除去す
ベキ部分のニトロセルロースは、イオンビーム照射に対
して高感度に保たれているので、強力なイオンビーム照
射装置を用いることなく、短時間で描画パターンを形成
できる。
て残存させるべき部分のみが熱処理によって感度低下さ
せられているので、イオンビームを照射した部分のみを
選択的かつ容易に除去することができる。このため、ニ
トロセルロースレジストの下地である基板等に対して、
イオンビームによるダメージを与えることなく、形状の
乱れの少ない描画パターンを形成できる。また、除去す
ベキ部分のニトロセルロースは、イオンビーム照射に対
して高感度に保たれているので、強力なイオンビーム照
射装置を用いることなく、短時間で描画パターンを形成
できる。
の形成方法を説明する工程別の斜視断面図である。
１・・・基板、２・・・ニトロセルロースレジスト膜、
３・・・開口部。
３・・・開口部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ニトロセルロースを主成分とするレジスト膜にイオン
ビームを照射して描画パターンを形成する方法において
、 前記レジスト膜のうちのマスクとして残存させるべき部
分を選択的に加熱する第１の工程と、前記選択的に加熱
した部分以外の前記レジスト膜に前記イオンビームを照
射し、当該照射部位のレジスト膜を選択的に除去する第
２の工程とを備えることを特徴とする描画パターンの形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2169570A JPH0457050A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | 描画パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2169570A JPH0457050A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | 描画パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0457050A true JPH0457050A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15888925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2169570A Pending JPH0457050A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | 描画パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0457050A (ja) |
-
1990
- 1990-06-27 JP JP2169570A patent/JPH0457050A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5648198A (en) | Resist hardening process having improved thermal stability | |
| JPH0212806A (ja) | レジスト・パターンの形成方法 | |
| US5158861A (en) | Method of forming minute patterns using chemically amplifying type resist | |
| JPH0457050A (ja) | 描画パターンの形成方法 | |
| JPS5819127B2 (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| US5171608A (en) | Method of pattern transfer in photolithography using laser induced metallization | |
| JPH0544169B2 (ja) | ||
| KR0167312B1 (ko) | 노광장치 | |
| JPH038320A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS61177720A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| KR0174869B1 (ko) | 전자빔 노광에너지 조정과 리프트-오프방법에 의한 금속배선의 형성방법 | |
| KR20000043248A (ko) | 반도체 소자의 마스크 제조방법 | |
| JPH0774081A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS6054775B2 (ja) | ドライ現像方法 | |
| JP2808746B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05241350A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH10115907A (ja) | 位相反転マスクの製造方法 | |
| JPS6351637A (ja) | マスク形成方法 | |
| KR20020081927A (ko) | 반도체 웨이퍼의 에지 노광 방법 | |
| JPH02222524A (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JPS634613A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| KR960019481A (ko) | 반도체 패턴 형성 방법 | |
| JPH0281048A (ja) | パターン形成方法及びその材料 | |
| JPS61102739A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0715870B2 (ja) | パターン形成方法 |