JPH0457213A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0457213A JPH0457213A JP16506990A JP16506990A JPH0457213A JP H0457213 A JPH0457213 A JP H0457213A JP 16506990 A JP16506990 A JP 16506990A JP 16506990 A JP16506990 A JP 16506990A JP H0457213 A JPH0457213 A JP H0457213A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- protective layer
- carbon protective
- carbon
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 89
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 77
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 12
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 15
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 abstract 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 7
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、磁気記録媒体に関するものであり、さらに詳
しくは磁気テープなどに好適に使用される薄膜型の垂直
磁気記録媒体に関するものである。
しくは磁気テープなどに好適に使用される薄膜型の垂直
磁気記録媒体に関するものである。
[従来の技術]
真空蒸着法1.スパッタ法などの物理的蒸着法によって
作製される薄膜型磁気記録媒体はその磁気記録層の厚さ
が薄いために高密度記録に適しており、一部は蒸着磁気
テープとして既に実用化されている。中でも垂直磁気記
録媒体は次世代の高密度磁気記録媒体として期待されて
いる。しかし、これらの薄膜型磁気記録媒体は塗布型の
磁気記録媒体に比べ磁気記録層の厚さが薄く、また磁気
記録層の内部に潤滑剤を含有させることが困難であるた
めに十分な耐摩耗性が得られていない。耐摩耗性を向上
させるために磁気記録層上に種々の保護層や潤滑層が積
層されることが試みられている。
作製される薄膜型磁気記録媒体はその磁気記録層の厚さ
が薄いために高密度記録に適しており、一部は蒸着磁気
テープとして既に実用化されている。中でも垂直磁気記
録媒体は次世代の高密度磁気記録媒体として期待されて
いる。しかし、これらの薄膜型磁気記録媒体は塗布型の
磁気記録媒体に比べ磁気記録層の厚さが薄く、また磁気
記録層の内部に潤滑剤を含有させることが困難であるた
めに十分な耐摩耗性が得られていない。耐摩耗性を向上
させるために磁気記録層上に種々の保護層や潤滑層が積
層されることが試みられている。
保護層のなかでもカーボン保護層は硬く、耐摩耗性の向
上効果が大きいために、従来から多数使用されている。
上効果が大きいために、従来から多数使用されている。
[発明が解決しようとする課題]
磁気記録媒体の用途がリジッド基体である磁気ディスク
や媒体構成が基体の両面で同一であるフロッピーディス
ク等の場合には変形やカールなどは特に問題とはならな
いが、磁気記録媒体を磁気テープに適用する場合、従来
のように単に、可撓性高分子基体の片面に磁気記録層と
カーボン保護層をこの順に積層せしめて構成した場合、
しばしば、これら積層された薄膜の内部応力によって磁
気テープ全体にカーボン保護層を内側にしたカルが発生
するという問題かあった。このカール発生のために磁気
テープの走行性が悪くなったり、あるいはへラドタッチ
が悪くなり、結果として記録ができなかったり、あるい
は著しく再生出力か低下してしまうなど実用に供し難い
状態となり、大きな問題点となっていた。
や媒体構成が基体の両面で同一であるフロッピーディス
ク等の場合には変形やカールなどは特に問題とはならな
いが、磁気記録媒体を磁気テープに適用する場合、従来
のように単に、可撓性高分子基体の片面に磁気記録層と
カーボン保護層をこの順に積層せしめて構成した場合、
しばしば、これら積層された薄膜の内部応力によって磁
気テープ全体にカーボン保護層を内側にしたカルが発生
するという問題かあった。このカール発生のために磁気
テープの走行性が悪くなったり、あるいはへラドタッチ
が悪くなり、結果として記録ができなかったり、あるい
は著しく再生出力か低下してしまうなど実用に供し難い
状態となり、大きな問題点となっていた。
本発明は、かかる従来技術の諸欠点に鑑み創案されたも
のであり、その目的とするところは従来の磁気記録媒体
を適用した蒸着テープに見られるカールの発生がなく、
かつ耐摩耗性にも優れた蒸着磁気テープ用の磁気記録媒
体を提供することにある。
のであり、その目的とするところは従来の磁気記録媒体
を適用した蒸着テープに見られるカールの発生がなく、
かつ耐摩耗性にも優れた蒸着磁気テープ用の磁気記録媒
体を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
かかる本発明の目的は、可撓性高分子基体上に、厚さが
0.5μm以下のコバルトを主成分とする部分酸化物垂
直磁気記録層とカーボン保護層とをこの順に備え、さら
に前記可撓性高分子基体の裏面側にもカーボン保護層を
備えた磁気記録媒体であって、該基体裏面側のカーボン
保護層の厚さが、磁気記録層表面上のカーボン保護層厚
さの0. 5〜2.0倍の範囲であることを特徴とする
磁気記録媒体により達成される。
0.5μm以下のコバルトを主成分とする部分酸化物垂
直磁気記録層とカーボン保護層とをこの順に備え、さら
に前記可撓性高分子基体の裏面側にもカーボン保護層を
備えた磁気記録媒体であって、該基体裏面側のカーボン
保護層の厚さが、磁気記録層表面上のカーボン保護層厚
さの0. 5〜2.0倍の範囲であることを特徴とする
磁気記録媒体により達成される。
本発明に使用される可撓性高分子基体としては、有機重
合体材料が適しており、中でもポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンジカル
ボキシレートなどのポリエステル、ポリフェニレンスル
フィド、芳香族ポリアミドなどが適している。特に前記
有機重合体材料の二軸延伸されたフィルムが平面性、寸
法安定性に優れ最も適している。
合体材料が適しており、中でもポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンジカル
ボキシレートなどのポリエステル、ポリフェニレンスル
フィド、芳香族ポリアミドなどが適している。特に前記
有機重合体材料の二軸延伸されたフィルムが平面性、寸
法安定性に優れ最も適している。
基体の厚さも特に限定されるものではないが、加工性2
機械的強度の点で厚みは2μm〜100μmの範囲が好
ましく、中でも3μm〜40μmの範囲が好ましい。
機械的強度の点で厚みは2μm〜100μmの範囲が好
ましく、中でも3μm〜40μmの範囲が好ましい。
本発明において使用される磁気記録層としては、コバル
トを主成分とする部分酸化物から成り、基体面に対して
おおむね垂直に配向した柱状構造を有する垂直磁気記録
媒体が好ましいが、これに限定されず公知の磁気記録層
がいずれも使用できる。
トを主成分とする部分酸化物から成り、基体面に対して
おおむね垂直に配向した柱状構造を有する垂直磁気記録
媒体が好ましいが、これに限定されず公知の磁気記録層
がいずれも使用できる。
柱状構造は再生出力が大きくなる点で、磁性層断面の透
過電子顕微鏡写真において明瞭な柱状構造が観察できる
ものであって、かつ柱状構造間に空隙が存在するもので
あることが望ましい。また再生出力が大きくできる点で
、磁気記録層の一生成分である金属コバルトは結晶性で
あることが好ましい。
過電子顕微鏡写真において明瞭な柱状構造が観察できる
ものであって、かつ柱状構造間に空隙が存在するもので
あることが望ましい。また再生出力が大きくできる点で
、磁気記録層の一生成分である金属コバルトは結晶性で
あることが好ましい。
磁気記録層の厚さは0.5μm以下であることが、磁性
層の内部応力を緩和しカールを小さくするために必要で
ある。また良好な磁気特性を維持し、出力を大きくする
上で0.1μm以上の厚さが好ましい。磁気記録層は垂
直方向に磁気異方性を有するものであり、垂直異方性磁
界(Hk)の値が2にエルステッド以上のものである。
層の内部応力を緩和しカールを小さくするために必要で
ある。また良好な磁気特性を維持し、出力を大きくする
上で0.1μm以上の厚さが好ましい。磁気記録層は垂
直方向に磁気異方性を有するものであり、垂直異方性磁
界(Hk)の値が2にエルステッド以上のものである。
垂直磁気記録層は上記した主成分のほか鉄および/また
はニッケルとこれらの酸化物を含んでいても良い。
はニッケルとこれらの酸化物を含んでいても良い。
本発明において、磁気記録層の上に積層するカボン保護
層および可撓性高分子基体の裏面に積層するカーホン保
護層は、特に限定されるものではないが、真空蒸着、ス
パッタリング、プラズマCVD等の真空薄膜形成法によ
って形成されるものであり、工業的な製法上、製膜速度
が速い真空蒸着法によって形成されるものか好ましく、
さらにカーボンが高融点材料であるために電子ビーム蒸
着法によって形成されることが最も望ましい。
層および可撓性高分子基体の裏面に積層するカーホン保
護層は、特に限定されるものではないが、真空蒸着、ス
パッタリング、プラズマCVD等の真空薄膜形成法によ
って形成されるものであり、工業的な製法上、製膜速度
が速い真空蒸着法によって形成されるものか好ましく、
さらにカーボンが高融点材料であるために電子ビーム蒸
着法によって形成されることが最も望ましい。
またカーボン保護層の種類も種々のものがあり特に限定
されるものではないが、グラファイトカポ2.フ 混合物が使用できるが、適度な硬度と潤滑性が得られる
点で、グラファイトカーボンとアモルファスカーボンと
の混合層であることが好ましい。
されるものではないが、グラファイトカポ2.フ 混合物が使用できるが、適度な硬度と潤滑性が得られる
点で、グラファイトカーボンとアモルファスカーボンと
の混合層であることが好ましい。
該垂直磁気記録層の表面に積層されるカーホン保護層の
厚さは、磁気ヘッドとのスペーシングを小さく保ち、再
生出力の低下をできるだけ低減するために薄い方が望ま
しい、一方あまり薄くすると耐摩耗性向上の効果が小さ
くなるため70A〜250Aの範囲が望ましい。
厚さは、磁気ヘッドとのスペーシングを小さく保ち、再
生出力の低下をできるだけ低減するために薄い方が望ま
しい、一方あまり薄くすると耐摩耗性向上の効果が小さ
くなるため70A〜250Aの範囲が望ましい。
さらに耐摩耗性を向上させる点で、磁気記録層表面上に
形成されるカーボンはグラファイト成分ンとアモルファ
スカーボンの混合層であり、かつ磁気記録層側に近づく
ほどグラファイト成分が多く、カーボン保護層表層側に
近づくほどアモルファス成分が多くなるような組成の傾
斜があることが好ましい。該組成の傾斜のあるカーボン
保護層は、カーボンの真空蒸着に際して可撓性高分子基
体の走行方向後方から基体に対して斜めにヘリウム、窒
素などの軽元素ガスのイオン照射を行なうことによって
得ることができる。
形成されるカーボンはグラファイト成分ンとアモルファ
スカーボンの混合層であり、かつ磁気記録層側に近づく
ほどグラファイト成分が多く、カーボン保護層表層側に
近づくほどアモルファス成分が多くなるような組成の傾
斜があることが好ましい。該組成の傾斜のあるカーボン
保護層は、カーボンの真空蒸着に際して可撓性高分子基
体の走行方向後方から基体に対して斜めにヘリウム、窒
素などの軽元素ガスのイオン照射を行なうことによって
得ることができる。
さらにプラスチック基体裏面側のカーボン保護層と可撓
性高分子基体間あるいは磁気記録層と可撓性高分子基体
間に磁気テープの走行性を改善する目的あるいは基体と
カーボン保護層、基体と磁気記録層との接着力を向上さ
せるために中間層を設けたりあるいは基体面に対してプ
ラズマ処理。
性高分子基体間あるいは磁気記録層と可撓性高分子基体
間に磁気テープの走行性を改善する目的あるいは基体と
カーボン保護層、基体と磁気記録層との接着力を向上さ
せるために中間層を設けたりあるいは基体面に対してプ
ラズマ処理。
イオン照射処理などの表面処理を施しても良い。
磁気テープの走行性、耐摩耗性を改善する目的で積層さ
れた、これらカーボン保護層上に液体状あるいは固体状
の潤滑剤を塗布することは好ましい。
れた、これらカーボン保護層上に液体状あるいは固体状
の潤滑剤を塗布することは好ましい。
本発明においては、磁気記録層の表面と可撓性高分子基
体裏面の両者にカーボン保護層を積層するとともに、該
基体裏面側のカーボン保護層厚さを、磁気記録層表面上
のカーボン保護層の0. 5〜2.0倍の範囲に設定す
ることが重要であり、これにより蒸着磁気テープ全体の
カールを確実に低減させることができる。0.5倍未満
であるとカール低減の効果が小さく、2.0倍を超える
と逆方向すなわち基体裏面側を内側としたカールが生じ
る場合が出てくる。さらに望ましくは0. 5〜1.5
倍の範囲である。
体裏面の両者にカーボン保護層を積層するとともに、該
基体裏面側のカーボン保護層厚さを、磁気記録層表面上
のカーボン保護層の0. 5〜2.0倍の範囲に設定す
ることが重要であり、これにより蒸着磁気テープ全体の
カールを確実に低減させることができる。0.5倍未満
であるとカール低減の効果が小さく、2.0倍を超える
と逆方向すなわち基体裏面側を内側としたカールが生じ
る場合が出てくる。さらに望ましくは0. 5〜1.5
倍の範囲である。
また磁気記録層の表面に積層するカーボン保護層と可撓
性高分子基体裏面に積層するカーボン保護層との両者は
、膜厚を除いては同様の製法で得られた同質のカーボン
であることが好ましく、これにより大きなカール低減効
果を発揮させることができる。
性高分子基体裏面に積層するカーボン保護層との両者は
、膜厚を除いては同様の製法で得られた同質のカーボン
であることが好ましく、これにより大きなカール低減効
果を発揮させることができる。
本発明のコバルトを主成分とする部分酸化物垂直磁気記
録層の製法としては、例えば特開昭58−36653号
公報記載の真空槽中に酸素ガスを供給しながら基材面に
実質垂直に入射するようにコバルトを蒸発させる方法や
あるいは、本発明者らの特開昭61−94237号公報
記載の真空槽中に酸素と、窒素あるいはアルゴンなどの
化学的活性の小さいガスを供給し、基体近傍の圧力を高
(してコバルトを蒸発させる方法などが使用できるが、
得られる磁気記録層のクラックやカールが小さい点で後
者の酸素と、窒素あるいはアルゴンなどの化学的活性の
小さいガスを供給してコバルトなどを蒸発させる方法が
好ましい。
録層の製法としては、例えば特開昭58−36653号
公報記載の真空槽中に酸素ガスを供給しながら基材面に
実質垂直に入射するようにコバルトを蒸発させる方法や
あるいは、本発明者らの特開昭61−94237号公報
記載の真空槽中に酸素と、窒素あるいはアルゴンなどの
化学的活性の小さいガスを供給し、基体近傍の圧力を高
(してコバルトを蒸発させる方法などが使用できるが、
得られる磁気記録層のクラックやカールが小さい点で後
者の酸素と、窒素あるいはアルゴンなどの化学的活性の
小さいガスを供給してコバルトなどを蒸発させる方法が
好ましい。
本発明の磁気記録媒体の製法の一例を第1図を用いて説
明する。第1図は電子ビーム蒸着装置の一例を示すもの
であり、磁気記録層、カーボン保護層の形成に使用する
ものである。第1図において5は真空槽であり、隔壁8
によって上槽6と下槽7に分けられている。各種には排
気口9,10が設けられ、図示していない排気系によっ
て所定の真空度まで排気可能である。上層内部には巻出
し軸11.ニップロール12.ドラム13.ニップロー
ル141巻取軸15から成る基体搬送系が配設されてい
る。8′ 8′は各隔壁8の先端からドラム13の下
槽側周面の所定幅に沿って所定長だけ延在形成された遮
蔽板形成用延在部で、その先端には蒸発蒸気流の入射角
を規制するための遮蔽板22が形成されている。垂直磁
気記録層とするために遮蔽板は、蒸発蒸気流の入射角(
蒸発蒸気と基体面法線とのなす角)が45度以下となる
ように配設するのが良い。17は該延在部8′の各中間
部から分岐して延在形成されたガス供給室形成用の囲い
で、ドラム13と該ドラムに対向して配設された電子ビ
ーム蒸着器21の中間に位置する、該囲い17と遮蔽板
22で囲まれるガス供給室26が形成される。ガス供給
室26にはガス供給管18が設けられており、バルブ1
9を調節することで所定の流量のガスを供給できる。
明する。第1図は電子ビーム蒸着装置の一例を示すもの
であり、磁気記録層、カーボン保護層の形成に使用する
ものである。第1図において5は真空槽であり、隔壁8
によって上槽6と下槽7に分けられている。各種には排
気口9,10が設けられ、図示していない排気系によっ
て所定の真空度まで排気可能である。上層内部には巻出
し軸11.ニップロール12.ドラム13.ニップロー
ル141巻取軸15から成る基体搬送系が配設されてい
る。8′ 8′は各隔壁8の先端からドラム13の下
槽側周面の所定幅に沿って所定長だけ延在形成された遮
蔽板形成用延在部で、その先端には蒸発蒸気流の入射角
を規制するための遮蔽板22が形成されている。垂直磁
気記録層とするために遮蔽板は、蒸発蒸気流の入射角(
蒸発蒸気と基体面法線とのなす角)が45度以下となる
ように配設するのが良い。17は該延在部8′の各中間
部から分岐して延在形成されたガス供給室形成用の囲い
で、ドラム13と該ドラムに対向して配設された電子ビ
ーム蒸着器21の中間に位置する、該囲い17と遮蔽板
22で囲まれるガス供給室26が形成される。ガス供給
室26にはガス供給管18が設けられており、バルブ1
9を調節することで所定の流量のガスを供給できる。
20は電子ビーム蒸着器21の凹部であり、磁気記録層
形成時はコバルトを主成分とする金属が充填され、カー
ボン形成時は例えばグラファイトカーボンが充填される
。25はカーボン形成時に必要に応じて使用されるイオ
ンソース、24はイオンソースに供給されるガスの供給
管である。
形成時はコバルトを主成分とする金属が充填され、カー
ボン形成時は例えばグラファイトカーボンが充填される
。25はカーボン形成時に必要に応じて使用されるイオ
ンソース、24はイオンソースに供給されるガスの供給
管である。
磁気記録層を形成するには、第1図の電子ビーム蒸着装
置の真空槽を排気した後可撓性高分子基体を走行系によ
って所定の速度で走行させつつ、所定のガスを供給しつ
つ、コバルトを主成分とする金属を蒸発せしめる。次い
で一度真空をブレークした後、グラファイトカーボンを
蒸発せしめて、磁気記録層上にカーボン保護膜を積層す
る。この際必要に応じて25のイオンソースを使用する
。
置の真空槽を排気した後可撓性高分子基体を走行系によ
って所定の速度で走行させつつ、所定のガスを供給しつ
つ、コバルトを主成分とする金属を蒸発せしめる。次い
で一度真空をブレークした後、グラファイトカーボンを
蒸発せしめて、磁気記録層上にカーボン保護膜を積層す
る。この際必要に応じて25のイオンソースを使用する
。
次いで、再び真空をブレークした後、基体裏面側に磁気
記録層上に積層したカーボン保護膜と同様の製法にてカ
ーボン保護膜を付着せしめるのである。
記録層上に積層したカーボン保護膜と同様の製法にてカ
ーボン保護膜を付着せしめるのである。
なお、一つの真空槽に一つの電子ビーム蒸着器を備えた
真空蒸着装置を用い磁気記録層、カーボン保護層を真空
をブレークしながら順に積層した例を述べたが、例えば
三つの電子ビーム蒸着器を備えた真空蒸着装置にて真空
をブレークすることなく、磁気記録層、磁気記録層上の
カーボン保護層、基体裏面のカーボン保護層を順次積層
することも、もちろん可能である。
真空蒸着装置を用い磁気記録層、カーボン保護層を真空
をブレークしながら順に積層した例を述べたが、例えば
三つの電子ビーム蒸着器を備えた真空蒸着装置にて真空
をブレークすることなく、磁気記録層、磁気記録層上の
カーボン保護層、基体裏面のカーボン保護層を順次積層
することも、もちろん可能である。
[作用]
仮に可撓性高分子基体の片面に磁気記録層のみを積層し
た時にまったくカールの発生がなく平坦であるとしても
、カーボン膜の内部応力がかなり強いために前記平坦な
磁気記録層表面上に例えば数10OA厚さのカーボン保
護膜を積層すると、かなりきついカールを生じる。基体
裏面に磁気記録層表面上に形成したのと同質のカーボン
であり、かつ磁気記録層表面上のカーボン保護層厚さの
0゜5〜2.0倍の範囲の厚さのカーボン保護膜を設け
ることで磁気テープ全体の応力のバランスが取れ、カー
ルが低減できるものと考えられる。
た時にまったくカールの発生がなく平坦であるとしても
、カーボン膜の内部応力がかなり強いために前記平坦な
磁気記録層表面上に例えば数10OA厚さのカーボン保
護膜を積層すると、かなりきついカールを生じる。基体
裏面に磁気記録層表面上に形成したのと同質のカーボン
であり、かつ磁気記録層表面上のカーボン保護層厚さの
0゜5〜2.0倍の範囲の厚さのカーボン保護膜を設け
ることで磁気テープ全体の応力のバランスが取れ、カー
ルが低減できるものと考えられる。
[特性の評価方法、評価基準]
■ カールの評価方法
評価試料として縦、横30mm角に切り出したものを用
意する。第2図に示すように平面上にこの試料をカール
内側面を上にして配した状態で、ハイドゲージによって
この試料の高さを測定し、hとする。かかる測定の際、
例えば高さが場所によって異なるような場合は、高さの
最高値と最低値の相加平均値をもって高さhとする。次
いで、第2図に示すように試料のカール方向の幅(W)
をノギスで測定する。このようにして高さと幅を測定し
、高さ(h)十幅(w)の値をカール指数とする。試料
のn数として3回測定して、平均値を測定試料のカール
指数とした。かかるカール指数が0.5以下の試料を合
格とした。
意する。第2図に示すように平面上にこの試料をカール
内側面を上にして配した状態で、ハイドゲージによって
この試料の高さを測定し、hとする。かかる測定の際、
例えば高さが場所によって異なるような場合は、高さの
最高値と最低値の相加平均値をもって高さhとする。次
いで、第2図に示すように試料のカール方向の幅(W)
をノギスで測定する。このようにして高さと幅を測定し
、高さ(h)十幅(w)の値をカール指数とする。試料
のn数として3回測定して、平均値を測定試料のカール
指数とした。かかるカール指数が0.5以下の試料を合
格とした。
■ 耐摩耗性の評価方法
評価用の磁気記録媒体を8mm幅にスリットし、市販の
8mmテープ用カセットに収納したものを評価試料とす
る。市販の8mmVTRデツキにてスチル状態として記
録し、連続的に再生し出力を観察した。10分間再生出
力の変動がないものを合格とした。
8mmテープ用カセットに収納したものを評価試料とす
る。市販の8mmVTRデツキにてスチル状態として記
録し、連続的に再生し出力を観察した。10分間再生出
力の変動がないものを合格とした。
■ エンベロープの観察方法
テレビ信号発生器(シバツク■製、TG−7)によって
50%ホワイトのビデオ信号を市販の8m m V T
Rデツキ(ソニー■製、EV−8900)に入力し、
■の耐摩耗性の評価方法に用いたのと同形状の試料に記
録し、再生出力波形であるエンベロープを観察した。
50%ホワイトのビデオ信号を市販の8m m V T
Rデツキ(ソニー■製、EV−8900)に入力し、
■の耐摩耗性の評価方法に用いたのと同形状の試料に記
録し、再生出力波形であるエンベロープを観察した。
■ カーボン保護層の構造解析
試料の超薄切片を作成し、下記の超高分解能分析電子顕
微鏡によるエネルギー損失分光分析(EELS)を行な
い解析した。カーボン保護層の構造は、アモルファスカ
ーボン、グラファイトカーボン各々の標準試料のスペク
トルとの対比で同定できる。
微鏡によるエネルギー損失分光分析(EELS)を行な
い解析した。カーボン保護層の構造は、アモルファスカ
ーボン、グラファイトカーボン各々の標準試料のスペク
トルとの対比で同定できる。
超高分解能分析電子顕微鏡:VG社製 HB501、エ
ネルギー損失分光器:■G社製 ELS80、測定条件
:加速電圧100KV、試料吸収電流: 10−9A、
計数時間=50〜150秒[実施例コ 以下実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
ネルギー損失分光器:■G社製 ELS80、測定条件
:加速電圧100KV、試料吸収電流: 10−9A、
計数時間=50〜150秒[実施例コ 以下実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1. 2. 3
第1図の装置を用いて、可撓性高分子基体として二軸延
伸した厚さ10μmのポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを装置内部の走行系にセットして、ガス供給室を5
X10−5トール以下になるまで排気した後、カス供給
室に混合比が15:85の酸素と窒素の混合ガスを3.
5X10−3トルになるまで供給した状態にて、電子ビ
ーム蒸着によってコバルト/ニッケル/鉄(重量比90
1515)合金を蒸発させ、基体を走行させて、厚さ3
500Aの磁気記録層を形成した。また磁気記録層形成
時は、蒸発蒸気流の内基板への入射角が20度以下とな
るように遮蔽板の位置を調整した。かかる方法に際して
、基体の片面側に磁気記録層を形成したものを再び走行
系の巻出し軸に装着して、電子ビーム蒸着器の凹部に純
度99.9%のゲラフィトカーボンを充填して、ガス供
給室内を1×10−5トール以下になるまで排気した後
、電子ビーム蒸着によって電力と走行速度を調整して所
望の膜厚のカーホン保護膜を先に形成した磁気記録層上
に形成する。
伸した厚さ10μmのポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを装置内部の走行系にセットして、ガス供給室を5
X10−5トール以下になるまで排気した後、カス供給
室に混合比が15:85の酸素と窒素の混合ガスを3.
5X10−3トルになるまで供給した状態にて、電子ビ
ーム蒸着によってコバルト/ニッケル/鉄(重量比90
1515)合金を蒸発させ、基体を走行させて、厚さ3
500Aの磁気記録層を形成した。また磁気記録層形成
時は、蒸発蒸気流の内基板への入射角が20度以下とな
るように遮蔽板の位置を調整した。かかる方法に際して
、基体の片面側に磁気記録層を形成したものを再び走行
系の巻出し軸に装着して、電子ビーム蒸着器の凹部に純
度99.9%のゲラフィトカーボンを充填して、ガス供
給室内を1×10−5トール以下になるまで排気した後
、電子ビーム蒸着によって電力と走行速度を調整して所
望の膜厚のカーホン保護膜を先に形成した磁気記録層上
に形成する。
同様の製法によって、ただし膜厚は所望の厚さに変えて
基体の反対面側(磁気記録層の無い側)にも、カーボン
保護層を積層し、本発明の磁気記録媒体を得た。
基体の反対面側(磁気記録層の無い側)にも、カーボン
保護層を積層し、本発明の磁気記録媒体を得た。
磁気記録層上のカーボン保護層厚さと基体裏面側のカー
ボン保護層厚さの組み合わせか70A/100Aの組み
合わせのものを実施例1とし、100A/150Aの組
み合わせのものを実施例2とし、20OA/300Aの
組み合わせのものを実施例3とする。
ボン保護層厚さの組み合わせか70A/100Aの組み
合わせのものを実施例1とし、100A/150Aの組
み合わせのものを実施例2とし、20OA/300Aの
組み合わせのものを実施例3とする。
実施例4.5
磁気記録層表面上に形成するカーボン保護層の形成時に
のみ第3図のイオンソース25を用いた。
のみ第3図のイオンソース25を用いた。
該イオンソースに窒素ガスを0.05 1/min供給
し、イオン加速電圧IKeV、イオン電流200mAの
条件でイオン照射を施しつつカーボン保護層を形成した
以外は実施例1,2.3と同様にして本発明の磁気記録
媒体を得た。
し、イオン加速電圧IKeV、イオン電流200mAの
条件でイオン照射を施しつつカーボン保護層を形成した
以外は実施例1,2.3と同様にして本発明の磁気記録
媒体を得た。
磁気記録層上のカーボン保護層厚さと基体裏面側のカー
ボン保護層厚さの組み合わせが100A/100Aの組
み合わせのものを実施例4とし、100A/80Aの組
み合わせのものを実施例5とする。
ボン保護層厚さの組み合わせが100A/100Aの組
み合わせのものを実施例4とし、100A/80Aの組
み合わせのものを実施例5とする。
比較例1,2
基体裏面側にカーボン保護層を積層しなかったこと以外
は実施例2と同様にして得られた磁気記録媒体を比較例
1とする。(比較例1は磁気記録層表面側にのみ100
A厚さのカーボン保護層を有する。)また磁気記録層表
面にカーボン保護層を積層しなかったこと以外は実施例
2と同様にして得られた磁気記録媒体を比較例2とする
。(比較例2は基体裏面側にのみ150A厚さのカーボ
ン保護層を有する。) 実施例1〜5で得られた磁気記録層についてそれぞれカ
ールおよび耐摩耗性を測定したところ、いずれもカール
が小さく、耐摩耗性の優れた合格レベルのものであった
。
は実施例2と同様にして得られた磁気記録媒体を比較例
1とする。(比較例1は磁気記録層表面側にのみ100
A厚さのカーボン保護層を有する。)また磁気記録層表
面にカーボン保護層を積層しなかったこと以外は実施例
2と同様にして得られた磁気記録媒体を比較例2とする
。(比較例2は基体裏面側にのみ150A厚さのカーボ
ン保護層を有する。) 実施例1〜5で得られた磁気記録層についてそれぞれカ
ールおよび耐摩耗性を測定したところ、いずれもカール
が小さく、耐摩耗性の優れた合格レベルのものであった
。
また比較例1,2の磁気記録層について、それぞれカー
ルを測定したところいずれもカールの発生が見られ不合
格であった。なお比較例2では基体裏面のカーボン保護
膜を内側とする逆向きのカルが発生した。また耐摩耗性
を評価したところ、比較例1.2とも再生出力の変動が
大きく、耐摩耗性の劣るものであった。
ルを測定したところいずれもカールの発生が見られ不合
格であった。なお比較例2では基体裏面のカーボン保護
膜を内側とする逆向きのカルが発生した。また耐摩耗性
を評価したところ、比較例1.2とも再生出力の変動が
大きく、耐摩耗性の劣るものであった。
カーボン保護層は分析の結果いずれもグラファイトカー
ボンとアモルファスカーボンの混合層であった。実施例
4.5の磁気記録層表面上に形成したカーボン保護層は
グラファイトカーボンとアモルファスカーボンの混合層
であり、かつ磁気記録層側に近づくほどグラファイト成
分が多く、カーボン保護層表層に近づくほどアモルファ
ス成分が多くなっている傾斜組成を有するものであった
。
ボンとアモルファスカーボンの混合層であった。実施例
4.5の磁気記録層表面上に形成したカーボン保護層は
グラファイトカーボンとアモルファスカーボンの混合層
であり、かつ磁気記録層側に近づくほどグラファイト成
分が多く、カーボン保護層表層に近づくほどアモルファ
ス成分が多くなっている傾斜組成を有するものであった
。
なお実施例1〜5および比較例1,2の磁気記録媒体の
異方性磁界(Hk)はいずれも2にエルステッドを超え
る垂直磁気記録媒体であった。
異方性磁界(Hk)はいずれも2にエルステッドを超え
る垂直磁気記録媒体であった。
実施例1〜5のエンベロープはいずれも変動力無く安定
していたが、比較例1はエンベロープ出力が小さくかつ
不安定であり、比較例2は記録ができなかった。
していたが、比較例1はエンベロープ出力が小さくかつ
不安定であり、比較例2は記録ができなかった。
本発明で規定する条件を満足する実施例1〜5はカール
が小さく安定した記録再生が可能であり、また優れた耐
摩耗性を示すものであり、蒸着磁気テープして十分実用
に供し得るものであった。
が小さく安定した記録再生が可能であり、また優れた耐
摩耗性を示すものであり、蒸着磁気テープして十分実用
に供し得るものであった。
録層表面にしたものと同様なカーボン保護膜を設け、か
つ基体裏面側のカーボン保護層の厚さを、磁気記録層表
面側のカーボン保護層の厚さの0゜5〜2.0倍とした
構成であるため、磁気記録媒体全体のカールが低減され
、かつ耐摩耗性にも優れるため、安定した走行性、再生
出力が得ることができ、磁気テープ用に適した実用に供
し得る磁気記録媒体を提供することができた。また本発
明の磁気記録媒体は、電子ビーム蒸着法によって製造が
可能である垂直磁気記録媒体であり、大量生産に適した
高密度磁気テープとして提供することができる。
つ基体裏面側のカーボン保護層の厚さを、磁気記録層表
面側のカーボン保護層の厚さの0゜5〜2.0倍とした
構成であるため、磁気記録媒体全体のカールが低減され
、かつ耐摩耗性にも優れるため、安定した走行性、再生
出力が得ることができ、磁気テープ用に適した実用に供
し得る磁気記録媒体を提供することができた。また本発
明の磁気記録媒体は、電子ビーム蒸着法によって製造が
可能である垂直磁気記録媒体であり、大量生産に適した
高密度磁気テープとして提供することができる。
第1図は本発明の磁気記録媒体の製造装置の一例を示す
概略説明図、第2図は、磁気記録媒体のカール評価方法
を説明するための概略図である。 5:真空槽、8:隔壁、 16:可撓性高分子基体 17:ガス供給室形成用囲い、 18.23+ガス供給管、 21:電子ビーム蒸着器 22:遮蔽板、25:イオンソース
概略説明図、第2図は、磁気記録媒体のカール評価方法
を説明するための概略図である。 5:真空槽、8:隔壁、 16:可撓性高分子基体 17:ガス供給室形成用囲い、 18.23+ガス供給管、 21:電子ビーム蒸着器 22:遮蔽板、25:イオンソース
Claims (1)
- 1 可撓性高分子基体上に、厚さが0.5μm以下のコ
バルトを主成分とする部分酸化物垂直磁気記録層とカー
ボン保護層とをこの順に備え、さらに前記可撓性高分子
基体の裏面側にもカーボン保護層を備えた磁気記録媒体
であって、該基体裏面側のカーボン保護層の厚さが、磁
気記録層表面上のカーボン保護層厚さの0.5〜2.0
倍の範囲であることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16506990A JPH0457213A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16506990A JPH0457213A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0457213A true JPH0457213A (ja) | 1992-02-25 |
Family
ID=15805280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16506990A Pending JPH0457213A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0457213A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994014997A1 (en) * | 1992-12-21 | 1994-07-07 | Ion Coat Ltd | Atomic beam coating of polymers |
| WO1996037886A1 (en) * | 1995-05-24 | 1996-11-28 | Sony Corporation | Magnetic recording medium |
-
1990
- 1990-06-22 JP JP16506990A patent/JPH0457213A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994014997A1 (en) * | 1992-12-21 | 1994-07-07 | Ion Coat Ltd | Atomic beam coating of polymers |
| GB2289061A (en) * | 1992-12-21 | 1995-11-08 | Ion Coat Ltd | Atomic beam coating of polymers |
| GB2289061B (en) * | 1992-12-21 | 1996-06-19 | Ion Coat Ltd | Atomic beam coating of polymers |
| WO1996037886A1 (en) * | 1995-05-24 | 1996-11-28 | Sony Corporation | Magnetic recording medium |
| US5858520A (en) * | 1995-05-24 | 1999-01-12 | Sony Corporation | Magnetic recording medium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5589263A (en) | Magnetic recording medium having a ferromagnetic metal thin film, a dry etched layer, a carbonaceous film, and a lubricant film | |
| JPH0457213A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH1049853A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| US7214436B2 (en) | Magnetic recording medium and process for producing same | |
| US5549979A (en) | Magnetic recording medium | |
| JPH08321029A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2883334B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0559570B2 (ja) | ||
| JP2703359B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0393024A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体 | |
| JPH0296923A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPH1064035A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH01303623A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60164930A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH06176342A (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法 | |
| JPH06333225A (ja) | 薄膜磁気記録媒体 | |
| JPS61250836A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH02116026A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0479043B2 (ja) | ||
| JPH10320771A (ja) | 磁気記録媒体の製造装置および製造方法 | |
| JPH0460919A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH07121872A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS58188333A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS62185243A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH044648B2 (ja) |