JPH10320771A - 磁気記録媒体の製造装置および製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造装置および製造方法Info
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- JPH10320771A JPH10320771A JP13137997A JP13137997A JPH10320771A JP H10320771 A JPH10320771 A JP H10320771A JP 13137997 A JP13137997 A JP 13137997A JP 13137997 A JP13137997 A JP 13137997A JP H10320771 A JPH10320771 A JP H10320771A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁性薄膜蒸着時の熱による、非磁性支持体か
らの放出ガスを低くおさえることにより、磁性薄膜の配
向性を高め、すぐれた電磁変換特性の磁気記録媒体を実
現する製造装置および製造方法を提供する。 【解決手段】 非磁性支持体上に真空中で磁性薄膜を形
成する前に、上記非磁性支持体に対してマイクロ波加熱
器により加熱処理を施す。非磁性支持体にあらかじめ加
熱処理を施すことで、磁性薄膜形成時の放出ガスを抑え
ることができる。
らの放出ガスを低くおさえることにより、磁性薄膜の配
向性を高め、すぐれた電磁変換特性の磁気記録媒体を実
現する製造装置および製造方法を提供する。 【解決手段】 非磁性支持体上に真空中で磁性薄膜を形
成する前に、上記非磁性支持体に対してマイクロ波加熱
器により加熱処理を施す。非磁性支持体にあらかじめ加
熱処理を施すことで、磁性薄膜形成時の放出ガスを抑え
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁性層となる磁性
薄膜を真空中で非磁性支持体上に形成する、磁気記録媒
体の製造装置および製造方法に関する。
薄膜を真空中で非磁性支持体上に形成する、磁気記録媒
体の製造装置および製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポ
リエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の
有機バインダー中に分散させた磁性塗料を塗布、乾燥す
ることにより作製される、塗布型の磁気記録媒体が広く
使用されている。
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポ
リエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の
有機バインダー中に分散させた磁性塗料を塗布、乾燥す
ることにより作製される、塗布型の磁気記録媒体が広く
使用されている。
【０００３】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりとともにＣｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、真空蒸着法やスパッタリング
法、イオンプレーティング法等の真空薄膜形成手段やメ
ッキによってポリエステルフィルムやポリアミド、ポリ
イミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着した、い
わゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され注目を
集めている。
高まりとともにＣｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、真空蒸着法やスパッタリング
法、イオンプレーティング法等の真空薄膜形成手段やメ
ッキによってポリエステルフィルムやポリアミド、ポリ
イミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着した、い
わゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され注目を
集めている。
【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保
磁力や角形比等にすぐれ、短波長での電磁変換特性にも
優れている。また、磁性層の厚さを極めて薄くできるた
め、記録減磁や再生時の厚さ損失が著しく小さい。さら
に、磁性層中に非磁性材であるバインダーを混入する必
要がないため、磁性材料の充填密度を高めることができ
ることなど、数々の利点を有している。
磁力や角形比等にすぐれ、短波長での電磁変換特性にも
優れている。また、磁性層の厚さを極めて薄くできるた
め、記録減磁や再生時の厚さ損失が著しく小さい。さら
に、磁性層中に非磁性材であるバインダーを混入する必
要がないため、磁性材料の充填密度を高めることができ
ることなど、数々の利点を有している。
【０００５】さらに、この種の磁気記録媒体の電磁変換
特性を向上させ、より大きな出力を得るために、磁気記
録媒体の磁性層を形成する際、磁性層を斜めに蒸着す
る、いわゆる斜方蒸着法が提案され実用化されている。
特性を向上させ、より大きな出力を得るために、磁気記
録媒体の磁性層を形成する際、磁性層を斜めに蒸着す
る、いわゆる斜方蒸着法が提案され実用化されている。
【０００６】この斜方蒸着テープは、Ｃｏ、Ｎｉなどの
強磁性金属やそれらを主とした合金を真空中で電子銃な
どで加熱溶解し、その蒸気を使用して薄膜を形成する。
しかしこのときの蒸気温度は１０００℃以上となるた
め、この蒸気雰囲気中にさらされる非磁性支持体は瞬時
に熱負けをしてしまう。
強磁性金属やそれらを主とした合金を真空中で電子銃な
どで加熱溶解し、その蒸気を使用して薄膜を形成する。
しかしこのときの蒸気温度は１０００℃以上となるた
め、この蒸気雰囲気中にさらされる非磁性支持体は瞬時
に熱負けをしてしまう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】これを防ぐために、一
般的にはマイナス数１０℃に冷却されたいわゆる冷却キ
ャンを使用して非磁性支持体を接触させ、冷却しながら
蒸着を行う方法が採用されている。しかし、このような
方法をとったとしても、非磁性支持体として用いられる
ポリエチレンテレフタレートやアラミドなどは吸湿率も
高いため、蒸着時に水分や吸着ガスなどが放出されてし
まう。この放出ガスは磁性薄膜の結晶成長を阻害し、磁
性粒子の配向性を低下させる原因となっていた。
般的にはマイナス数１０℃に冷却されたいわゆる冷却キ
ャンを使用して非磁性支持体を接触させ、冷却しながら
蒸着を行う方法が採用されている。しかし、このような
方法をとったとしても、非磁性支持体として用いられる
ポリエチレンテレフタレートやアラミドなどは吸湿率も
高いため、蒸着時に水分や吸着ガスなどが放出されてし
まう。この放出ガスは磁性薄膜の結晶成長を阻害し、磁
性粒子の配向性を低下させる原因となっていた。
【０００８】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
提案されたものであり、磁性薄膜蒸着時の熱による、非
磁性支持体からの放出ガスを低くおさえることにより、
磁性薄膜の配向性を高め、すぐれた電磁変換特性の磁気
記録媒体を実現する製造装置および製造方法を提供する
ことを目的とする。
提案されたものであり、磁性薄膜蒸着時の熱による、非
磁性支持体からの放出ガスを低くおさえることにより、
磁性薄膜の配向性を高め、すぐれた電磁変換特性の磁気
記録媒体を実現する製造装置および製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気記録媒
体の製造装置は、非磁性支持体上に真空中で磁性薄膜を
形成する薄膜形成手段と、上記磁性薄膜の形成前に、上
記非磁性支持体に対して加熱処理を施すマイクロ波加熱
器とを備えることを特徴とする。
体の製造装置は、非磁性支持体上に真空中で磁性薄膜を
形成する薄膜形成手段と、上記磁性薄膜の形成前に、上
記非磁性支持体に対して加熱処理を施すマイクロ波加熱
器とを備えることを特徴とする。
【００１０】また、本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法は、非磁性支持体上に真空中で磁性薄膜を形成させる
磁気記録媒体の製造方法において、上記磁性薄膜の形成
前に、上記非磁性支持体上に対してマイクロ波による加
熱処理を施すことを特徴とする。
法は、非磁性支持体上に真空中で磁性薄膜を形成させる
磁気記録媒体の製造方法において、上記磁性薄膜の形成
前に、上記非磁性支持体上に対してマイクロ波による加
熱処理を施すことを特徴とする。
【００１１】非磁性支持体にあらかじめ加熱処理を施す
ことで、磁性薄膜形成時の放出ガスを抑えることができ
る。
ことで、磁性薄膜形成時の放出ガスを抑えることができ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１３】図１に本発明にかかる磁気記録媒体の製造
装置を示す。
装置を示す。
【００１４】この製造装置は、排気口２および酸素ガス
導入口１３が設けられた真空室１内に、非磁性支持体３
を走行させる送りロール４と、巻取りロール５と、ガイ
ドロール６、７とが配設され、非磁性支持体３上に磁性
薄膜を形成させる冷却キャン８と、ルツボ９と、電子銃
１１と、シャッタ１２とが配設されている。
導入口１３が設けられた真空室１内に、非磁性支持体３
を走行させる送りロール４と、巻取りロール５と、ガイ
ドロール６、７とが配設され、非磁性支持体３上に磁性
薄膜を形成させる冷却キャン８と、ルツボ９と、電子銃
１１と、シャッタ１２とが配設されている。
【００１５】また、真空室１内には加熱室１４が設けら
れ、その内部にはマイクロ波加熱器１４ａが配設されて
いる。
れ、その内部にはマイクロ波加熱器１４ａが配設されて
いる。
【００１６】真空室１は、上部、下部、および側部にそ
れぞれ排気口２が設けられ、独立した図示しない排気装
置により所定の真空度に排気されている。
れぞれ排気口２が設けられ、独立した図示しない排気装
置により所定の真空度に排気されている。
【００１７】送りロール４は、図１中時計回り方向に定
速回転し、巻取りロール５は図１中時計回り方向に定速
回転することにより、送りロール４から巻取りロール５
にテープ状の非磁性支持体３が順次走行する。なお、送
りロール４、巻取りロール５は、それぞれ非磁性支持体
３の幅と略同じ長さからなる円筒状をなす。
速回転し、巻取りロール５は図１中時計回り方向に定速
回転することにより、送りロール４から巻取りロール５
にテープ状の非磁性支持体３が順次走行する。なお、送
りロール４、巻取りロール５は、それぞれ非磁性支持体
３の幅と略同じ長さからなる円筒状をなす。
【００１８】冷却キャン８は、送りロール４から巻取り
ロール５側に非磁性支持体３が走行する中途部に、非磁
性支持体３を図１中右下方に引き出すように設けられ
る。冷却キャン８は、図１中の時計回り方向に定速回転
し、非磁性支持体３は冷却キャン８の周面に沿って走行
する。この冷却キャン８は、送りロール４、巻取りロー
ル５の径よりも大径とされ、非磁性支持体３の幅と略同
じ長さからなる円筒状をなす。また、内部には図示しな
い冷却装置が設けられ、非磁性支持体３の温度上昇によ
る変形等を抑制している。
ロール５側に非磁性支持体３が走行する中途部に、非磁
性支持体３を図１中右下方に引き出すように設けられ
る。冷却キャン８は、図１中の時計回り方向に定速回転
し、非磁性支持体３は冷却キャン８の周面に沿って走行
する。この冷却キャン８は、送りロール４、巻取りロー
ル５の径よりも大径とされ、非磁性支持体３の幅と略同
じ長さからなる円筒状をなす。また、内部には図示しな
い冷却装置が設けられ、非磁性支持体３の温度上昇によ
る変形等を抑制している。
【００１９】ガイドロール６、７は、それぞれ送りロー
ル４と冷却キャン８との間および冷却キャン８と巻取り
ロール５との間に配設されている。送りロール４から順
次送り出され、冷却キャン８の周面を通過し、巻取りロ
ール５に巻取られていく非磁性支持体３に所定の張力を
かけ、非磁性支持体３を円滑に走行させる。
ル４と冷却キャン８との間および冷却キャン８と巻取り
ロール５との間に配設されている。送りロール４から順
次送り出され、冷却キャン８の周面を通過し、巻取りロ
ール５に巻取られていく非磁性支持体３に所定の張力を
かけ、非磁性支持体３を円滑に走行させる。
【００２０】ルツボ９は、冷却キャン８の下方に設けら
れ、このルツボ９内に金属磁性材料１０が充填されてい
る。このルツボ９は、冷却キャン８の長手方向の幅と略
同一の幅を有している。
れ、このルツボ９内に金属磁性材料１０が充填されてい
る。このルツボ９は、冷却キャン８の長手方向の幅と略
同一の幅を有している。
【００２１】電子銃１１は、真空室１の側壁部に配設さ
れ、電子銃１１より放出される電子線１１ａが、ルツボ
９内の金属磁性材料１０に照射されるような位置に取り
付けられる。そして、この電子線１１ａによって加熱さ
れ蒸発した金属磁性材料１０が、冷却キャン８の周面を
定速走行する非磁性支持体３上に蒸着し、磁性薄膜を形
成する。
れ、電子銃１１より放出される電子線１１ａが、ルツボ
９内の金属磁性材料１０に照射されるような位置に取り
付けられる。そして、この電子線１１ａによって加熱さ
れ蒸発した金属磁性材料１０が、冷却キャン８の周面を
定速走行する非磁性支持体３上に蒸着し、磁性薄膜を形
成する。
【００２２】シャッタ１２は、冷却キャン８とルツボ９
との間であって冷却キャン８の近傍に配設され、冷却キ
ャン８の周面を定速走行する非磁性支持体３の所定領域
を覆っている。金属磁性材料１０は、このシャッタ１２
により、非磁性支持体３に対して所定の角度範囲で入射
し、斜めに蒸着される。
との間であって冷却キャン８の近傍に配設され、冷却キ
ャン８の周面を定速走行する非磁性支持体３の所定領域
を覆っている。金属磁性材料１０は、このシャッタ１２
により、非磁性支持体３に対して所定の角度範囲で入射
し、斜めに蒸着される。
【００２３】酸素ガス導入口１３は、真空室１の側壁部
を貫通して設けられる。蒸着の際、この酸素ガス導入口
１３を通じて非磁性支持体３の表面に酸素ガスが供給さ
れる。これにより、磁性層の磁気特性、耐久性および耐
侯性が向上する。
を貫通して設けられる。蒸着の際、この酸素ガス導入口
１３を通じて非磁性支持体３の表面に酸素ガスが供給さ
れる。これにより、磁性層の磁気特性、耐久性および耐
侯性が向上する。
【００２４】磁性薄膜の蒸着時、金属磁性材料１０の蒸
気は１０００℃以上になるため、非磁性支持体３は熱負
けし、ガスが放出される。これにより磁性薄膜形成が阻
害され、磁性粒子の配向性が低下してしまう。
気は１０００℃以上になるため、非磁性支持体３は熱負
けし、ガスが放出される。これにより磁性薄膜形成が阻
害され、磁性粒子の配向性が低下してしまう。
【００２５】そこで本発明では、磁性薄膜を形成する真
空室１内に加熱室１４を配し、磁性薄膜形成前に非磁性
支持体３に対してマイクロ波による加熱処理を施す。
空室１内に加熱室１４を配し、磁性薄膜形成前に非磁性
支持体３に対してマイクロ波による加熱処理を施す。
【００２６】加熱室１４が、送りロール４とガイドロー
ル６との間に配される。非磁性支持体３は、この加熱室
１４中を通過する際、内部に設けられたマイクロ波加熱
器１４ａによって加熱処理が施される。なお、この加熱
室１４を独立に排気することが好ましい。
ル６との間に配される。非磁性支持体３は、この加熱室
１４中を通過する際、内部に設けられたマイクロ波加熱
器１４ａによって加熱処理が施される。なお、この加熱
室１４を独立に排気することが好ましい。
【００２７】このとき、マイクロ波加熱器１４ａの出力
が重要となる。非磁性支持体３のロール幅および走行速
度が大きくなるほど、本発明の効果を得るためには大き
な出力が必要となる。この非磁性支持体３の幅および走
行速度を考慮して、本発明に係るマイクロ波加熱器１４
ａの出力は１００Ｗ／ｍ2秒以上、１ｋＷ／ｍ2秒以下で
あるのが好ましい。出力が１００Ｗ／ｍ2秒より小さい
と、非磁性支持体の脱ガス効果が不十分である。また、
出力が１ｋＷ／ｍ2秒より大きいと、非磁性支持体３表
面が損傷を受けて、その表面性が悪くなり、所望の電磁
変換特性が得られなくなる。
が重要となる。非磁性支持体３のロール幅および走行速
度が大きくなるほど、本発明の効果を得るためには大き
な出力が必要となる。この非磁性支持体３の幅および走
行速度を考慮して、本発明に係るマイクロ波加熱器１４
ａの出力は１００Ｗ／ｍ2秒以上、１ｋＷ／ｍ2秒以下で
あるのが好ましい。出力が１００Ｗ／ｍ2秒より小さい
と、非磁性支持体の脱ガス効果が不十分である。また、
出力が１ｋＷ／ｍ2秒より大きいと、非磁性支持体３表
面が損傷を受けて、その表面性が悪くなり、所望の電磁
変換特性が得られなくなる。
【００２８】この真空蒸着は、真空室１内が排気され、
所定の圧力に保たれた状態で行われる。フィルム状の非
磁性支持体３は、送りロール４から順次送り出され、冷
却キャン８の周面を通過し、巻取りロール５に巻取られ
るように走行する。このとき、非磁性支持体３にはガイ
ドロール６、７によって所定の張力がかけられており、
安定な走行状態が保たれている。
所定の圧力に保たれた状態で行われる。フィルム状の非
磁性支持体３は、送りロール４から順次送り出され、冷
却キャン８の周面を通過し、巻取りロール５に巻取られ
るように走行する。このとき、非磁性支持体３にはガイ
ドロール６、７によって所定の張力がかけられており、
安定な走行状態が保たれている。
【００２９】送りロール４から送出された非磁性支持体
は、冷却キャン８に達する前に、加熱室１４中を通過す
る。この加熱室１４中に配されたマイクロ波加熱器１４
ａによって、非磁性支持体３に加熱処理が施される。マ
イクロ波加熱器１４ａの出力は１００Ｗ／ｍ2秒以上、
１ｋＷ／ｍ2秒以下とするのが好ましい。この出力範囲
で加熱処理を行うことにより、非磁性支持体３の表面性
を損なうことなく、十分な脱ガス効果が得られる。
は、冷却キャン８に達する前に、加熱室１４中を通過す
る。この加熱室１４中に配されたマイクロ波加熱器１４
ａによって、非磁性支持体３に加熱処理が施される。マ
イクロ波加熱器１４ａの出力は１００Ｗ／ｍ2秒以上、
１ｋＷ／ｍ2秒以下とするのが好ましい。この出力範囲
で加熱処理を行うことにより、非磁性支持体３の表面性
を損なうことなく、十分な脱ガス効果が得られる。
【００３０】一方、磁性層を形成する金属磁性材料１０
は、冷却キャン８近傍のルツボ９内に充填されている。
電子銃１１からルツボ９内の金属磁性材料１０に向かっ
て電子線１１ａが発射される。金属磁性材料１０は電子
線１１ａによって加熱され、蒸発する。
は、冷却キャン８近傍のルツボ９内に充填されている。
電子銃１１からルツボ９内の金属磁性材料１０に向かっ
て電子線１１ａが発射される。金属磁性材料１０は電子
線１１ａによって加熱され、蒸発する。
【００３１】金属磁性材料１０の蒸気は、冷却キャン８
の周面を通過している非磁性支持体３の表面に蒸着し、
磁性薄膜を形成する。このとき金属磁性材料１０の蒸気
は、シャッタ１２によって非磁性支持体３の表面に所定
の角度範囲で入射し、斜めに蒸着される。
の周面を通過している非磁性支持体３の表面に蒸着し、
磁性薄膜を形成する。このとき金属磁性材料１０の蒸気
は、シャッタ１２によって非磁性支持体３の表面に所定
の角度範囲で入射し、斜めに蒸着される。
【００３２】蒸着時、非磁性支持体３の表面には酸素ガ
スが供給されている。これにより磁性層の磁気特性およ
び耐久性が向上する。
スが供給されている。これにより磁性層の磁気特性およ
び耐久性が向上する。
【００３３】非磁性支持体上に磁性層として蒸着される
金属磁性材料としては、通常の蒸着テープに使用される
ものであればいかなるものであってもよい。例えば、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−
Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃ
ｏ−Ａｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ
−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金があげられる。これら
の単層膜であってもよいし多層膜であってもよい。ま
た、たとえば磁性層表面近傍が耐蝕性改善のために酸化
物となっていてもよい。
金属磁性材料としては、通常の蒸着テープに使用される
ものであればいかなるものであってもよい。例えば、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−
Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃ
ｏ−Ａｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ
−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金があげられる。これら
の単層膜であってもよいし多層膜であってもよい。ま
た、たとえば磁性層表面近傍が耐蝕性改善のために酸化
物となっていてもよい。
【００３４】金属磁性薄膜形成の手段としては、真空下
で強磁性材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に沈着させ
る真空蒸着法の他、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行
うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰
囲気中でグロー放電をおこし、生じたアルゴンイオンで
ターゲット表面の原子をたたき出すスパッタリング法
等、いわゆるＰＶＤ法が適用可能である。
で強磁性材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に沈着させ
る真空蒸着法の他、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行
うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰
囲気中でグロー放電をおこし、生じたアルゴンイオンで
ターゲット表面の原子をたたき出すスパッタリング法
等、いわゆるＰＶＤ法が適用可能である。
【００３５】またさらに、非磁性支持体上に形成された
金属磁性薄膜上には、保護膜層が形成されていてもよ
い。この材料としては、通常、金属磁性薄膜の保護膜と
して一般に使用されるものであればいかなるものであっ
てもよい。例えば、カーボン、ＣｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ
Ｎ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｏ4、Ｓｉ
Ｎx、ＳｉＣ、ＳｉＮx−ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、
ＴｉＣ等があげられる。これらの単層膜であってもよい
し多層膜や金属との複合膜であってもよい。
金属磁性薄膜上には、保護膜層が形成されていてもよ
い。この材料としては、通常、金属磁性薄膜の保護膜と
して一般に使用されるものであればいかなるものであっ
てもよい。例えば、カーボン、ＣｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ
Ｎ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｏ4、Ｓｉ
Ｎx、ＳｉＣ、ＳｉＮx−ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、
ＴｉＣ等があげられる。これらの単層膜であってもよい
し多層膜や金属との複合膜であってもよい。
【００３６】本発明に係る磁気テープの構成はこれに限
定されるものではなく、必要に応じてバックコート層を
形成したり、非磁性支持体上に下塗り層を形成したり、
潤滑剤、防錆剤などの層を形成してもよい。この場合、
バックコート層に含まれる非磁性顔料、樹脂結合剤ある
いは潤滑剤、防錆剤層に含まれる材料としては従来公知
のものがいずれも使用できる。
定されるものではなく、必要に応じてバックコート層を
形成したり、非磁性支持体上に下塗り層を形成したり、
潤滑剤、防錆剤などの層を形成してもよい。この場合、
バックコート層に含まれる非磁性顔料、樹脂結合剤ある
いは潤滑剤、防錆剤層に含まれる材料としては従来公知
のものがいずれも使用できる。
【００３７】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について、実
験結果をもとに説明する。
験結果をもとに説明する。
【００３８】上述した構成を有する製造装置を用いて、
サンプルテープを作製した。
サンプルテープを作製した。
【００３９】〈実施例１〉非磁性支持体として厚さ１０
μｍ、幅１５０ｍｍのポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを用いた。上記非磁性支持体上に、アクリル酸エス
テルを主成分とする水溶性ラテックスを密度１０7個／
ｍｍ2で塗布し、下塗り層とした。
μｍ、幅１５０ｍｍのポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを用いた。上記非磁性支持体上に、アクリル酸エス
テルを主成分とする水溶性ラテックスを密度１０7個／
ｍｍ2で塗布し、下塗り層とした。
【００４０】つぎに、金属磁性材料として組成Ｃｏ９０
重量％−Ｎｉ１０重量％の合金を、厚さ２００ｎｍで蒸
着させて磁性層とした。このとき、非磁性支持体の送り
速度は２５ｍ／分とし、金属磁性材料の入射角は４５゜
〜９０゜とした。また、酸素を２５０ｃｃ／分で導入し
た。蒸着時の圧力を、蒸着室で７×１０-2Ｐａ、巻取り
室で９×１０-1Ｐａとした。
重量％−Ｎｉ１０重量％の合金を、厚さ２００ｎｍで蒸
着させて磁性層とした。このとき、非磁性支持体の送り
速度は２５ｍ／分とし、金属磁性材料の入射角は４５゜
〜９０゜とした。また、酸素を２５０ｃｃ／分で導入し
た。蒸着時の圧力を、蒸着室で７×１０-2Ｐａ、巻取り
室で９×１０-1Ｐａとした。
【００４１】金属磁性薄膜形成前に、非磁性支持体にマ
イクロ波により加熱処理を施し、その出力を５０Ｗ／ｍ
2秒とした。
イクロ波により加熱処理を施し、その出力を５０Ｗ／ｍ
2秒とした。
【００４２】さらに、磁性層上にパーフルオロポリエー
テルを塗布し、トップコート層を形成した。非磁性支持
体裏面には、カーボンとウレタンバインダーとの混合物
よりなるバックコート塗料を、送り速度１５０ｍ／分で
塗布し、厚さ０．６μｍのバックコート層とした。
テルを塗布し、トップコート層を形成した。非磁性支持
体裏面には、カーボンとウレタンバインダーとの混合物
よりなるバックコート塗料を、送り速度１５０ｍ／分で
塗布し、厚さ０．６μｍのバックコート層とした。
【００４３】８ｍｍ幅に裁断し、サンプルテープを完成
した。
した。
【００４４】〈実施例２〉非磁性支持体の加熱処理時に
おける、マイクロ波の出力を１００Ｗ／ｍ2秒とした以
外は実施例１と同様にしてサンプルテープを作製した。
おける、マイクロ波の出力を１００Ｗ／ｍ2秒とした以
外は実施例１と同様にしてサンプルテープを作製した。
【００４５】〈実施例３〉非磁性支持体の加熱処理時に
おける、マイクロ波の出力を３００Ｗ／ｍ2秒とした以
外は実施例１と同様にしてサンプルテープを作製した。
おける、マイクロ波の出力を３００Ｗ／ｍ2秒とした以
外は実施例１と同様にしてサンプルテープを作製した。
【００４６】〈実施例４〉非磁性支持体の加熱処理時に
おける、マイクロ波の出力を１０００Ｗ／ｍ2秒とした
以外は実施例１と同様にしてサンプルテープを作製し
た。
おける、マイクロ波の出力を１０００Ｗ／ｍ2秒とした
以外は実施例１と同様にしてサンプルテープを作製し
た。
【００４７】〈実施例５〉非磁性支持体の加熱処理時に
おける、マイクロ波の出力を１５００Ｗ／ｍ2秒とした
以外は実施例１と同様にしてサンプルテープを作製し
た。
おける、マイクロ波の出力を１５００Ｗ／ｍ2秒とした
以外は実施例１と同様にしてサンプルテープを作製し
た。
【００４８】〈実施例６〉非磁性支持体の加熱処理時に
おける、マイクロ波の出力を２０００Ｗ／ｍ2秒とした
以外は実施例１と同様にしてサンプルテープを作製し
た。
おける、マイクロ波の出力を２０００Ｗ／ｍ2秒とした
以外は実施例１と同様にしてサンプルテープを作製し
た。
【００４９】〈比較例〉非磁性支持体として厚さ１０μ
ｍ、幅１５０ｍｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ムを用いた。上記非磁性支持体上に、アクリル酸エステ
ルを主成分とする水溶性ラテックスを密度１０7個／ｍ
ｍ2で塗布し、下塗り層とした。
ｍ、幅１５０ｍｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ムを用いた。上記非磁性支持体上に、アクリル酸エステ
ルを主成分とする水溶性ラテックスを密度１０7個／ｍ
ｍ2で塗布し、下塗り層とした。
【００５０】つぎに、金属磁性材料として組成Ｃｏ９０
重量％−Ｎｉ１０重量％の合金を、厚さ２００ｎｍで蒸
着させて磁性層とした。このとき、非磁性支持体の送り
速度は２５ｍ／分とし、金属磁性材料の入射角は４５゜
〜９０゜とした。また、酸素を２５０ｃｃ／分で導入し
た。蒸着時の圧力を、蒸着室で７×１０-2Ｐａ、巻取り
室で９×１０-1Ｐａとした。
重量％−Ｎｉ１０重量％の合金を、厚さ２００ｎｍで蒸
着させて磁性層とした。このとき、非磁性支持体の送り
速度は２５ｍ／分とし、金属磁性材料の入射角は４５゜
〜９０゜とした。また、酸素を２５０ｃｃ／分で導入し
た。蒸着時の圧力を、蒸着室で７×１０-2Ｐａ、巻取り
室で９×１０-1Ｐａとした。
【００５１】さらに、磁性層上にパーフルオロポリエー
テルを塗布し、トップコート層を形成した。非磁性支持
体裏面には、カーボンとウレタンバインダーとの混合物
よりなるバックコート塗料を、送り速度１５０ｍ／分で
塗布し、厚さ０．６μｍのバックコート層とした。
テルを塗布し、トップコート層を形成した。非磁性支持
体裏面には、カーボンとウレタンバインダーとの混合物
よりなるバックコート塗料を、送り速度１５０ｍ／分で
塗布し、厚さ０．６μｍのバックコート層とした。
【００５２】８ｍｍ幅に裁断し、サンプルテープを完成
した。
した。
【００５３】特性評価 以上のようにして作製されたサンプルテープについて、
電磁変換特性および磁気特性について評価を行った。
電磁変換特性および磁気特性について評価を行った。
【００５４】電磁変換特性はソニー製ＥＶ−Ｓ９００改
造機を用い、再生出力およびＣ／Ｎ比を測定した。マイ
クロ波による加熱処理を行わない比較例の再生出力およ
びＣ／Ｎ比を基準値とし、基準値との差により評価を行
った。また、磁気特性の測定は試料振動式磁気特性測定
器を用い、保磁力および角形比を測定した。
造機を用い、再生出力およびＣ／Ｎ比を測定した。マイ
クロ波による加熱処理を行わない比較例の再生出力およ
びＣ／Ｎ比を基準値とし、基準値との差により評価を行
った。また、磁気特性の測定は試料振動式磁気特性測定
器を用い、保磁力および角形比を測定した。
【００５５】また、サンプルテープ表面の形状について
も評価を行った。表面に損傷がみられず良好な場合を
○、表面に損傷はみられるが使用に耐えられるものを
△、表面の損傷がはげしく使用不可能のものを×とし
た。
も評価を行った。表面に損傷がみられず良好な場合を
○、表面に損傷はみられるが使用に耐えられるものを
△、表面の損傷がはげしく使用不可能のものを×とし
た。
【００５６】実施例１〜実施例６および比較例のサンプ
ルテープについて行った特性評価結果を表１に示す。
ルテープについて行った特性評価結果を表１に示す。
【００５７】
【表１】
【００５８】まず、電磁変換特性については、マイクロ
波出力が１００Ｗ／ｍ2秒以上、１０００Ｗ／ｍ2秒以下
の範囲ですぐれた再生出力およびＣ／Ｎ比が得られた。
マイクロ波出力が１００Ｗ／ｍ2秒未満であると、加熱
処理の効果が十分でなく、電磁変換特性の大きな向上は
みられなかった。また、マイクロ波出力が１０００Ｗ／
ｍ2秒より大きいと、非磁性支持体表面が損傷を受け、
表面性が悪くなってしまう。特に、２０００Ｗ／ｍ2秒
の高出力では損傷がはげしく、表面に異常な突起やシワ
等が発生してしまったため比較例よりも電磁変換特性が
劣ってしまった。
波出力が１００Ｗ／ｍ2秒以上、１０００Ｗ／ｍ2秒以下
の範囲ですぐれた再生出力およびＣ／Ｎ比が得られた。
マイクロ波出力が１００Ｗ／ｍ2秒未満であると、加熱
処理の効果が十分でなく、電磁変換特性の大きな向上は
みられなかった。また、マイクロ波出力が１０００Ｗ／
ｍ2秒より大きいと、非磁性支持体表面が損傷を受け、
表面性が悪くなってしまう。特に、２０００Ｗ／ｍ2秒
の高出力では損傷がはげしく、表面に異常な突起やシワ
等が発生してしまったため比較例よりも電磁変換特性が
劣ってしまった。
【００５９】つぎに、磁気特性について、加熱処理を行
った実施例１〜実施例６では、加熱処理を行わない比較
例に比べて、いずれも高い保磁力および角形比が得られ
た。したがって、磁性薄膜蒸着前に、非磁性支持体をマ
イクロ波で加熱処理することにより、電磁変換特性、磁
気特性がともに向上することがわかった。そしてマイク
ロ波の出力が１００Ｗ／ｍ2秒以上、１ｋＷ／ｍ2秒以下
のとき、より好ましい効果が得られた。
った実施例１〜実施例６では、加熱処理を行わない比較
例に比べて、いずれも高い保磁力および角形比が得られ
た。したがって、磁性薄膜蒸着前に、非磁性支持体をマ
イクロ波で加熱処理することにより、電磁変換特性、磁
気特性がともに向上することがわかった。そしてマイク
ロ波の出力が１００Ｗ／ｍ2秒以上、１ｋＷ／ｍ2秒以下
のとき、より好ましい効果が得られた。
【００６０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、非磁性
支持体上に磁性薄膜を形成する前に、あらかじめ非磁性
支持体をマイクロ波加熱することで、磁性薄膜蒸着の熱
による非磁性支持体からの放出ガスを抑えることができ
る。これにより磁性薄膜の配向性を高め、電磁変換特
性、磁気特性にすぐれた磁気記録媒体を実現することが
できる。
支持体上に磁性薄膜を形成する前に、あらかじめ非磁性
支持体をマイクロ波加熱することで、磁性薄膜蒸着の熱
による非磁性支持体からの放出ガスを抑えることができ
る。これにより磁性薄膜の配向性を高め、電磁変換特
性、磁気特性にすぐれた磁気記録媒体を実現することが
できる。
【図１】本発明を適用した磁気記録媒体の製造装置の一
構成例を示す模式図である。
構成例を示す模式図である。
１ 真空室、 ３ 非磁性支持体、 ８ 冷却キャン、
９ ルツボ、 １０金属磁性材料、 １１ 電子銃、
１２ シャッタ、 １４ 加熱室、 １４ａ マイク
ロ波加熱器
９ ルツボ、 １０金属磁性材料、 １１ 電子銃、
１２ シャッタ、 １４ 加熱室、 １４ａ マイク
ロ波加熱器
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性支持体上に真空中で磁性薄膜を形
成する薄膜形成手段と、 上記磁性薄膜の形成前に、上記非磁性支持体に対して加
熱処理を施すマイクロ波加熱器とを備えることを特徴と
する磁気記録媒体の製造装置。 - 【請求項２】 上記マイクロ波加熱器の出力は、１００
Ｗ／ｍ2秒以上、１ｋＷ／ｍ2秒以下であることを特徴と
する請求項１記載の磁気記録媒体の製造装置。 - 【請求項３】 非磁性支持体上に真空中で磁性薄膜を形
成させる磁気記録媒体の製造方法において、 上記磁性薄膜の形成前に、上記非磁性支持体に対してマ
イクロ波による加熱処理を施すことを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 上記加熱処理を行う際のマイクロ波の出
力を、１００Ｗ／ｍ2秒以上、１ｋＷ／ｍ2秒以下とする
ことを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13137997A JPH10320771A (ja) | 1997-05-21 | 1997-05-21 | 磁気記録媒体の製造装置および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13137997A JPH10320771A (ja) | 1997-05-21 | 1997-05-21 | 磁気記録媒体の製造装置および製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10320771A true JPH10320771A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15056580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13137997A Withdrawn JPH10320771A (ja) | 1997-05-21 | 1997-05-21 | 磁気記録媒体の製造装置および製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10320771A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002277366A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Toppan Printing Co Ltd | フィルム試験機及び試験機測定データに基づいた真空成膜方法 |
-
1997
- 1997-05-21 JP JP13137997A patent/JPH10320771A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002277366A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Toppan Printing Co Ltd | フィルム試験機及び試験機測定データに基づいた真空成膜方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040803 |