JPH0457384A - 半導体レーザ - Google Patents

半導体レーザ

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JPH0457384A
JPH0457384A JP2170464A JP17046490A JPH0457384A JP H0457384 A JPH0457384 A JP H0457384A JP 2170464 A JP2170464 A JP 2170464A JP 17046490 A JP17046490 A JP 17046490A JP H0457384 A JPH0457384 A JP H0457384A
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JP
Japan
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region
quantum well
well structure
bragg reflector
semiconductor laser
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JP2170464A
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Toshitaka Aoyanagi
利隆 青柳
Satoshi Arimoto
有本　智
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ この発明は、Ｄ　Ｂ　Ｒ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂ
ｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ　）型波長可変半導体レ
ーザに関し、特に波長可変領域で発熱および有害な発光
の生じない半導体レーザに関するものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来のＤＢＲ型波長波長可変半導体レーザ例を
示す断面図であり、図において、■はｎ側電極、２はｎ
型１ｎＰクランド層、３はｎ型ＩｎＧａＡｓ　Ｐ光ガイ
ド層、４はｎ型１ｎＰバリア層、５はＩ　ｎ　Ｇ　ａ　
Ａ、　ｓ　Ｐ活性層、６はＰ型ＩｎＰクラッド層、７は
Ｐ型１ｎＧａＡｓＰコンタククト層、８はゲイン領域、
９はフェーズマンチング領域、１０は波長可変領域、１
１はゲイン領域Ｐ側電極、１２はフェーズマツチング領
域Ｐ側電極、１３は波長可変領域Ｐ＠電掻、１４はレー
ザ光、１５は端面、１６はブラッグ反射器である。
次に動作について説明する。基本的には、光ガイド層に
グレーティング（ブラッグ反射器１６）を持つＤＢＲレ
ーザである。ゲイン領域ＰＩＪ電極１１とｎ（ｌ！Ｉｔ
極１間に、順方向の電圧を印加することによりＩ　ｎＧ
ａＡｓ　Ｐ活性１１５に正孔および電子が注入され、発
生を生ずる。この光は、活性層５よりも屈折率が低く、
クランド層２．６およびバリア層４よりも屈折率が高い
ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層にまで広がり、ゲイン領
域８例の端面１５とブラング反射器１６間を往復する。
そして、上記順方向電圧がある一定値（しきい値電圧）
以上になると、この光は、ゲイン領域８において、内部
損失および放射損失の和に等しいだけのゲインを得るよ
うになりレーザ発振にいたり、レーザ光１４を得る。ま
た、ブラッグ反射器は、特定の波長の光のみを高効率に
反射するように形成されているので、特定の波長で発振
する。ここで、波長可変領域Ｐ側電極１３とｎ側電極１
間に順方向電圧を印加すると、ブラッグ反射器１６に正
孔および電子が注入され、プラズマ効果により、同反射
器の屈折率が減少し、ブラッグ反射器１６が高効率に反
射する波長が、短波長化する。即ち、波長可変領域１０
に引加する順方向電圧を変化させることで、レーザ光の
波長を変化させることができる。なお、フェーズマツチ
ング領域Ｐ側電極１２とｎ側電極１間に適当な順方向電
圧を印加することで、ゲイン領域８．フェーズマツチン
グ領域９．波長可変領域１０間のフェーズをマツチング
することができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のＤＢＲ型波長波長可変半導体レーザ上のように構
成されているので、波長を変化させる場合に、波長可変
領域にも電流が流れ、同領域に発熱および有害な発光（
光ガイド層の発光）が生じるなどの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、波長可変領域で発熱および有害な発光が生
じない波長可変半導体レーザを得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る波長可変半導体レーザは、量子井戸構造
を含むブラッグ反射器を備え、該量子井戸構造に逆バイ
アスを印加するようにしたものである。
〔作用〕
この発明においては、ブラッグ反射器を量子井戸構造を
含むものとし、該量子井戸構造に逆方向電圧を印加して
、ブラッグ反射器の屈折率を変化させて波長を変化させ
るようにしたから、波長可変領域に電流が流れることは
なく、該領域における発熱１発光を防止できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例によるＤＢＲ型波長波長可変
半導体レーザす断面図であり、図において、第２図と同
一符号は同−又は相当部分である。
また、１７はｎ型ＭＱＷ光ガイド層、１８は絶縁領域で
ある。
次に動作について説明する。基本的な動作は、従来例で
述べたものとほぼ同一であるので、従来例と異なる点の
みを説明する。
本実施例においては、波長可変領域１ｏは、ゲイン領域
８およびフェーズマツチング領域９との間に例えばプロ
トン注入により形成した絶縁領域１８を設けており、電
気的に独立であり、この波長可変領域１０のみに逆方向
電圧を印加することができる。同領域に逆方向電圧を印
加した場合、ｎ型ＭＱＷ光カイト層１７に形成されたブ
ラッグ反射器１６に主として逆バイアス電圧が印加され
、量子井戸構造の性質として、同反射器の屈折率が大き
く変化し、結果として大きく発振波長を変化できる。こ
の場合、波長可変領域ｌＯには、はとんど電流が流れな
いので発熱もせず、有害な発光（ＭＱＷ光ガイド層の発
光）も生しない。
なお、上記実施例ではＭＱＷ光ガイド層１７にグレーテ
ィングを設けてブラ・ノブ反射器を構成したものについ
て述べたが、単層の光ガイド層にグレーティングを設け
、このグレーティング上にＭＱＷ構造のバリア層をグレ
ーティングに沿って形成してブラッグ反射器を構成して
もよく、またクランド層２上に周期的な凸部を設け、こ
の凸部に沿ったＭ　Ｑ　Ｗ光ガイド層を形成してブラッ
グ反射器を構成してもよい。
また、上記実施例ではＩｎＧａＡｓＰ系半導体レーザに
おける場合について説明したが、他の■−■族化合物半
導体レーザ、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体レーザでも同様
の効果が得られる。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明によれば、ブラッグ反射器を量子
井戸構造としたので発熱、有害発光の少ない波長可変半
導体レーザが得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による波長可変半導体レー
ザを示す断面図、第２図は従来の波長可変半導体レーザ
を示す断面図である。 １はｎ側電極、２はｎ型１ｎＰクラッド層、３はｎ型１
　ｎＧａＡｓ　Ｐ光ガイド層、４はｎ型ＩｎＰバリア層
、５はＩ　ｎＧａＡｓ　Ｐ活性層、６はＰ型ＩｎＰクラ
ッド層、７はＰ型１　ｎＧａＡｓ　Ｐコンタクト層、８
はゲイン領域、９はフェーズマツチング領域、１０は波
長可変領域、１１はゲイン領域Ｐ＠電極、１２はフエー
ズマンチング領域Ｐ側電極、１３は波長可変領域Ｐ側電
極、１４はレーザ光、１５は端面、１６はブラッグ反射
器、１７はｎ型ＭＱＷ光ガイド層、１８は絶縁領域。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ブラッグ反射器を含む波長可変領域を有する半導
    体レーザにおいて、 上記ブラック反射器は量子井戸構造を含み、かつ該量子
    井戸構造に逆バイアスを印加することにより上記ブラッ
    グ反射器が高効率に反射する波長が変化するように構成
    したことを特徴とする半導体レーザ。
JP2170464A 1990-06-27 1990-06-27 半導体レーザ Pending JPH0457384A (ja)

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