JPH0466345B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0466345B2 JPH0466345B2 JP11586485A JP11586485A JPH0466345B2 JP H0466345 B2 JPH0466345 B2 JP H0466345B2 JP 11586485 A JP11586485 A JP 11586485A JP 11586485 A JP11586485 A JP 11586485A JP H0466345 B2 JPH0466345 B2 JP H0466345B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal silicide
- resist
- manufacturing
- plasma
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造に用いる金属シ
リサイドフオトマスクの製造方法に関するもので
ある。
リサイドフオトマスクの製造方法に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
従来、半導体装置の製造に用いる金属シリサイ
ドフオトマスクの製造方法として、第２図に示す
ものがあつた。図において、１は石英等の透明ガ
ラス基板である。２はスパツタ法等で約1000Å程
度形成したTi，Mo，Ｗ等の金属をシリサイド化
した金属シリサイド膜である。３は上記基板上に
塗布された電子ビーム（EB）用又は光用レジス
トである。
ドフオトマスクの製造方法として、第２図に示す
ものがあつた。図において、１は石英等の透明ガ
ラス基板である。２はスパツタ法等で約1000Å程
度形成したTi，Mo，Ｗ等の金属をシリサイド化
した金属シリサイド膜である。３は上記基板上に
塗布された電子ビーム（EB）用又は光用レジス
トである。
次に従来の製造方法について説明する。第２図
ａに示すように、まず石英等の透明ガラス基板１
上にスパツタ法等で約1000Å程度形成したTi，
Mo，Ｗ等の金属をシリサイド化して金属シリサ
イドフオトマスク２を形成する。次に第２図ｂに
示すように、上記基板上に電子ビーム（EB）又
は光用レジスト３を塗布し、所望のパターンを形
成する。次に第２図ｃに示すように、例えば、モ
リブデンシリサイド（MoSi2）の場合、CF4＋O2
（２％〜20％）の混合ガスプラズマ４で0.2Torr，
300Wの条件で約500〜1000Å／分のエツチング速
度でエツチングする。次に、第２図ｄに示すよう
に、エツチングが完了した後、O2プラズマでレ
ジスト除去を行ない、このようにして半導体製造
に用いられるフオトマスクを製造する。
ａに示すように、まず石英等の透明ガラス基板１
上にスパツタ法等で約1000Å程度形成したTi，
Mo，Ｗ等の金属をシリサイド化して金属シリサ
イドフオトマスク２を形成する。次に第２図ｂに
示すように、上記基板上に電子ビーム（EB）又
は光用レジスト３を塗布し、所望のパターンを形
成する。次に第２図ｃに示すように、例えば、モ
リブデンシリサイド（MoSi2）の場合、CF4＋O2
（２％〜20％）の混合ガスプラズマ４で0.2Torr，
300Wの条件で約500〜1000Å／分のエツチング速
度でエツチングする。次に、第２図ｄに示すよう
に、エツチングが完了した後、O2プラズマでレ
ジスト除去を行ない、このようにして半導体製造
に用いられるフオトマスクを製造する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかるに、この従来の方法では、微細化に伴う
ドライエツチングに対して、耐ドライエツチング
性の高いレジストしか使用できなく、レジスト膜
厚も十分厚いものでなければならず、超微細化パ
ターンには限界があり、また、シリサイド表面が
酸化した場合には、エツチング速度が遅く、エツ
チングがしきれないなどの問題点があつた。
ドライエツチングに対して、耐ドライエツチング
性の高いレジストしか使用できなく、レジスト膜
厚も十分厚いものでなければならず、超微細化パ
ターンには限界があり、また、シリサイド表面が
酸化した場合には、エツチング速度が遅く、エツ
チングがしきれないなどの問題点があつた。
本発明は、上記の様な従来の欠点を除去するた
めになされたもので、より超微細なパターンを解
像でき、かつ工程の簡略化を図ることのできる金
属シリサイドフオトマスクの製造方法を得ること
を目的とする。
めになされたもので、より超微細なパターンを解
像でき、かつ工程の簡略化を図ることのできる金
属シリサイドフオトマスクの製造方法を得ること
を目的とする。
この発明に係る金属シリサイドフオトマスクの
製造方法は透明ガラス基板上に金属シリサイド膜
を形成する工程、前記金属シリサイド膜上にレジ
ストを塗布する工程、光または電子ビームにより
マスクパターンを描画した後現像処理する工程、
スカム除去をO2を含むプラズマを用いて行なう
工程、ドライエツチング法により前記金属シリサ
イド膜とレジストを一度にエツチングする工程を
含むものである。
製造方法は透明ガラス基板上に金属シリサイド膜
を形成する工程、前記金属シリサイド膜上にレジ
ストを塗布する工程、光または電子ビームにより
マスクパターンを描画した後現像処理する工程、
スカム除去をO2を含むプラズマを用いて行なう
工程、ドライエツチング法により前記金属シリサ
イド膜とレジストを一度にエツチングする工程を
含むものである。
この発明においては、スカム除去の際に、金属
シリサイド膜の露出している表面に、O2を含む
プラズマによつて酸化膜が形成されるから、金属
シリサイドのエツチングにおいては、この酸化膜
をマスクとしてレジストと金属シリサイド膜とを
同時にエツチングでき、これにより工程を簡略化
できるとともに、レジスト膜厚は薄くて済み、精
度の良い微細パターンのものが得られる。
シリサイド膜の露出している表面に、O2を含む
プラズマによつて酸化膜が形成されるから、金属
シリサイドのエツチングにおいては、この酸化膜
をマスクとしてレジストと金属シリサイド膜とを
同時にエツチングでき、これにより工程を簡略化
できるとともに、レジスト膜厚は薄くて済み、精
度の良い微細パターンのものが得られる。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。
る。
第１図において、１は石英等の透明基板であ
る。２はスパツタ法等で約1000Å程度形成した
Ti，Mo，Ｗ等の金属をシリサイド化した金属シ
リサイド膜である。３は上記基板上に塗布した電
子ビーム（EB）用又は光用レジスト、６はO2プ
ラズマ又はウエツト空気プラズマで、５はこれに
より酸化された酸化膜である。４は金属シリサイ
ド２及びレジスト３をエツチングするエツチング
プラズマである。
る。２はスパツタ法等で約1000Å程度形成した
Ti，Mo，Ｗ等の金属をシリサイド化した金属シ
リサイド膜である。３は上記基板上に塗布した電
子ビーム（EB）用又は光用レジスト、６はO2プ
ラズマ又はウエツト空気プラズマで、５はこれに
より酸化された酸化膜である。４は金属シリサイ
ド２及びレジスト３をエツチングするエツチング
プラズマである。
次に本実施例の方法について説明する。第１図
ａに示すように、石英等の透明ガラス基板１上に
スパツタ法等で約1000Å程度形成したTi，Mo，
Ｗ等の金属をシリサイド化して金属シリサイドフ
オトマスクを形成する。次に第１図ｂに示すよう
に、上記基板上に電子ビーム（EB）用又は光用
レジスト３を塗布し、所望のパターンを形成し、
スカム除去の際に、バレル型プラズマ装置では
O2又はウエツト空気のプラズマにより５〜７分
間、平行平板型プラズマ装置ではO2プラズマに
より１〜２分間該スカム除去を行なうことによ
り、金属シリサイドの露出表面を酸化し、耐エツ
チング性にすぐれた酸化膜５を形成する。次に第
１図ｃに示すように、酸化膜５をマスクにして、
レジスト及び金属シリサイドの反転エツチングを
行ない、MoSi2の場合、CF4＋O2（２〜20％）の
混合ガスプラズマで、0.2Torr，300Wの条件で
は、約500〜1000Å／分のエツチング速度が得ら
れる。
ａに示すように、石英等の透明ガラス基板１上に
スパツタ法等で約1000Å程度形成したTi，Mo，
Ｗ等の金属をシリサイド化して金属シリサイドフ
オトマスクを形成する。次に第１図ｂに示すよう
に、上記基板上に電子ビーム（EB）用又は光用
レジスト３を塗布し、所望のパターンを形成し、
スカム除去の際に、バレル型プラズマ装置では
O2又はウエツト空気のプラズマにより５〜７分
間、平行平板型プラズマ装置ではO2プラズマに
より１〜２分間該スカム除去を行なうことによ
り、金属シリサイドの露出表面を酸化し、耐エツ
チング性にすぐれた酸化膜５を形成する。次に第
１図ｃに示すように、酸化膜５をマスクにして、
レジスト及び金属シリサイドの反転エツチングを
行ない、MoSi2の場合、CF4＋O2（２〜20％）の
混合ガスプラズマで、0.2Torr，300Wの条件で
は、約500〜1000Å／分のエツチング速度が得ら
れる。
このような本実施例方法では、MoSi2のエツチ
ングにおいては、レジストをエツチングする時間
のみかかるだけで、全体的に見れば、レジスト除
去する工程が省略されるので、スループツト時間
は大きく改善されることになる。又本実施例で
は、レジストも耐ドライエツチ性がなくとも良
く、膜厚も薄くて済むので、精度の良い、解像も
より良い微細パターンのものが得られる。
ングにおいては、レジストをエツチングする時間
のみかかるだけで、全体的に見れば、レジスト除
去する工程が省略されるので、スループツト時間
は大きく改善されることになる。又本実施例で
は、レジストも耐ドライエツチ性がなくとも良
く、膜厚も薄くて済むので、精度の良い、解像も
より良い微細パターンのものが得られる。
以上のように、この発明に係る金属シリサイド
フオトマスクの製造方法によれば、スカム除去の
際に、金属シリサイドの露出表面に酸化膜を形成
し、エツチング時にレジストと金属シリサイド膜
をエツチングする様にしたので、レジスト除去の
工程が省略でき、かつレジストも耐ドライエツチ
性がなくとも良く、膜厚も薄くて済むので、精度
の良い解像もよりよい微細パターンのものが得ら
れる効果がある。
フオトマスクの製造方法によれば、スカム除去の
際に、金属シリサイドの露出表面に酸化膜を形成
し、エツチング時にレジストと金属シリサイド膜
をエツチングする様にしたので、レジスト除去の
工程が省略でき、かつレジストも耐ドライエツチ
性がなくとも良く、膜厚も薄くて済むので、精度
の良い解像もよりよい微細パターンのものが得ら
れる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるモリブデン
シリサイドフオトマスクの製造方法を示す断面側
面図、第２図は従来のモリブデンシリサイドフオ
トマスクの製造方法を示す断面側面図である。 １は石英基板、２はMoSi2膜、３はレジスト、
４はCF4＋O2プラズマ、５はMoSi2の酸化膜、６
はO2プラズマである。なお図中同一符号は同一
又は相当部分を示す。
シリサイドフオトマスクの製造方法を示す断面側
面図、第２図は従来のモリブデンシリサイドフオ
トマスクの製造方法を示す断面側面図である。 １は石英基板、２はMoSi2膜、３はレジスト、
４はCF4＋O2プラズマ、５はMoSi2の酸化膜、６
はO2プラズマである。なお図中同一符号は同一
又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明ガラス基板上に金属シリサイド膜を形成
する工程、前記金属シリサイド膜上にレジストを
塗布する工程、光または電子ビームによりマスク
パターンを描画した後現像処理する工程、スカム
除去をO2を含むプラズマを用いて行なう工程、
ドライエツチング法により前記金属シリサイド膜
とレジストを一度にエツチングする工程を含むこ
とを特徴とする金属シリサイドフオトマスクの製
造方法。 ２ 上記スカム除去はバレル型プラズマ装置で
O2又はウエツト空気のプラズマにより５〜７分
間行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の金属シリサイドフオトマスクの製造方法。 ３ 上記スカム除去は平行平板型プラズマ装置で
O2プラズマにより１〜２分間行なうことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の金属シリサイ
ドフオトマスクの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60115864A JPS61273546A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 金属シリサイドフオトマスクの製造方法 |
| US06/846,518 US4661426A (en) | 1985-05-29 | 1986-03-31 | Process for manufacturing metal silicide photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60115864A JPS61273546A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 金属シリサイドフオトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61273546A JPS61273546A (ja) | 1986-12-03 |
| JPH0466345B2 true JPH0466345B2 (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=14673036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60115864A Granted JPS61273546A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 金属シリサイドフオトマスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4661426A (ja) |
| JP (1) | JPS61273546A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6195356A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクブランク |
| JPS61273545A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク |
| JPS6252550A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
| US5020083A (en) * | 1989-04-21 | 1991-05-28 | Lepton Inc. | X-ray masks, their fabrication and use |
| JP3064769B2 (ja) * | 1992-11-21 | 2000-07-12 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法 |
| US5674647A (en) * | 1992-11-21 | 1997-10-07 | Ulvac Coating Corporation | Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask |
| JP3453435B2 (ja) * | 1993-10-08 | 2003-10-06 | 大日本印刷株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
| JP3397933B2 (ja) * | 1995-03-24 | 2003-04-21 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク、及びそれらの製造方法。 |
| KR100634387B1 (ko) * | 2004-07-22 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 위상 쉬프트 마스크의 수리 방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3070833D1 (en) * | 1980-09-19 | 1985-08-08 | Ibm Deutschland | Structure with a silicon body that presents an aperture and method of making this structure |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP60115864A patent/JPS61273546A/ja active Granted
-
1986
- 1986-03-31 US US06/846,518 patent/US4661426A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4661426A (en) | 1987-04-28 |
| JPS61273546A (ja) | 1986-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
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| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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