JPH0458244A - レチクル及びそれを用いた露光方法 - Google Patents
レチクル及びそれを用いた露光方法Info
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- JPH0458244A JPH0458244A JP2171129A JP17112990A JPH0458244A JP H0458244 A JPH0458244 A JP H0458244A JP 2171129 A JP2171129 A JP 2171129A JP 17112990 A JP17112990 A JP 17112990A JP H0458244 A JPH0458244 A JP H0458244A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/22—Processes or apparatus for obtaining an optical image from holograms
- G03H1/2202—Reconstruction geometries or arrangements
- G03H1/2205—Reconstruction geometries or arrangements using downstream optical component
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/0005—Adaptation of holography to specific applications
- G03H2001/0094—Adaptation of holography to specific applications for patterning or machining using the holobject as input light distribution
Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、支持体上の感光剤に所望のパターンを転写す
るのに好適なレチクル及びそれを用いた露光方法に関す
る。
るのに好適なレチクル及びそれを用いた露光方法に関す
る。
従来、所望のパターンを所望の目的物（感光剤が塗布さ
れている支持体等）に転写する際、前記パターンが描か
れているレチクルを介して露光する方法がとられている
。
れている支持体等）に転写する際、前記パターンが描か
れているレチクルを介して露光する方法がとられている
。
特に、半導体装置の製造工程の一部として、ウェハ（支
持体）上に絶縁膜を介してフォトレジスト（感光剤）を
塗布し、このフォトレジストをパターニングする方法と
して、所望のパターンを石英ガラス上のＣｒ薄膜で形成
したガラス・マスク（レチクル）を使用する方法が知ら
れている。
持体）上に絶縁膜を介してフォトレジスト（感光剤）を
塗布し、このフォトレジストをパターニングする方法と
して、所望のパターンを石英ガラス上のＣｒ薄膜で形成
したガラス・マスク（レチクル）を使用する方法が知ら
れている。
前記レチクルは、通常、実寸の５倍ないし１０倍のパタ
ーンが描かれている。当該レチクルに光縮小投影露光装
置等を使用して、水銀ランプの光（ｇ線又はｉ線）を当
てると、当該レチクル上に描かれているパターンが投影
レンズで１１５ないし１／１０に縮小されて、ウェハ上
のフォトレジストに映され、当該フォトレジストをパタ
ーニングする。ウェハの高さ（焦点）合わせはレーザー
光等による自動測定・制御により自動的に行われる。ま
た、マスク合わせもレチクルのパターン内に描かれた特
殊なパターン（トンボ）を認識して自動的に行われるた
め、パターニング精度が高く、スルーブツト（ウェハの
単位時間当たりの処理枚数）も高い。
ーンが描かれている。当該レチクルに光縮小投影露光装
置等を使用して、水銀ランプの光（ｇ線又はｉ線）を当
てると、当該レチクル上に描かれているパターンが投影
レンズで１１５ないし１／１０に縮小されて、ウェハ上
のフォトレジストに映され、当該フォトレジストをパタ
ーニングする。ウェハの高さ（焦点）合わせはレーザー
光等による自動測定・制御により自動的に行われる。ま
た、マスク合わせもレチクルのパターン内に描かれた特
殊なパターン（トンボ）を認識して自動的に行われるた
め、パターニング精度が高く、スルーブツト（ウェハの
単位時間当たりの処理枚数）も高い。
しかしながら、前記従来例は、レチクルに描かれたパタ
ーンを精度良く忠実に、ウェハ上のフォトレジストに転
写する（焼き付ける）反面、当該レチクルにキズ、ピン
ホール等の欠陥が生じると、所望のパターンと異なった
パターンがウェハ上のフォトレジストに転写されるとい
う課題があった。
ーンを精度良く忠実に、ウェハ上のフォトレジストに転
写する（焼き付ける）反面、当該レチクルにキズ、ピン
ホール等の欠陥が生じると、所望のパターンと異なった
パターンがウェハ上のフォトレジストに転写されるとい
う課題があった。
即ち、当該レチクル上にキズ、ピンホール等が生じると
、その部分から光が漏れ、露光すべき部分以外が露光さ
れ、前記フォトレジストがポジ型の場合、素子が途中で
断線する等、素子の性能に障害をきたす虞れがあった。
、その部分から光が漏れ、露光すべき部分以外が露光さ
れ、前記フォトレジストがポジ型の場合、素子が途中で
断線する等、素子の性能に障害をきたす虞れがあった。
また、前記フォトレジストがネガ型の場合、不必要な素
子が形成され、素子の性能に障害をきたす虞れがあった
。このように、当該レチクル上にキズ、ピンホール等が
生じると、所望の特性を有する半導体装置が得られない
という課題があった。さらに、レチクルに発生するキズ
は、半導体装置の高集積化に伴いパターンも微細化され
ているため、目視判断ができない微細なキズ（０，３μ
ｍ程度）でも半導体装置に与える影響が大きいため、レ
チクル上のキズ、ピンホール等の発生には多大な神経を
使わねばならないという課題があった。
子が形成され、素子の性能に障害をきたす虞れがあった
。このように、当該レチクル上にキズ、ピンホール等が
生じると、所望の特性を有する半導体装置が得られない
という課題があった。さらに、レチクルに発生するキズ
は、半導体装置の高集積化に伴いパターンも微細化され
ているため、目視判断ができない微細なキズ（０，３μ
ｍ程度）でも半導体装置に与える影響が大きいため、レ
チクル上のキズ、ピンホール等の発生には多大な神経を
使わねばならないという課題があった。
本発明は、このような課題を解決するために、支持体上
の感光剤にレチクルに描かれた所望のパターンを転写す
る際、レチクルに発生したキズ。
の感光剤にレチクルに描かれた所望のパターンを転写す
る際、レチクルに発生したキズ。
ピンホール等により前記パターンと異なったパターンが
転写されることのないレチクル及びそれを用いた露光方
法を提供するものである。
転写されることのないレチクル及びそれを用いた露光方
法を提供するものである。
この目的を達成するために本発明は、支持体に塗布した
感光剤に所望のパターンを露光により転写するレチクル
において、ホログラフィにより前記パターンが形成され
てなることを特徴とするレチクルを提供するものである
。
感光剤に所望のパターンを露光により転写するレチクル
において、ホログラフィにより前記パターンが形成され
てなることを特徴とするレチクルを提供するものである
。
また、所望パターンが形成されたホログラムからなるレ
チクルを用いて感光剤をパターニングすることを特徴と
する露光方法を提供するものである。
チクルを用いて感光剤をパターニングすることを特徴と
する露光方法を提供するものである。
〔作用］
この発明に係わるレチクル及びそれを用いた露光方法に
よれば、所望パターンが形成されたホログラムからなる
レチクルを用いて感光剤をパターニングすることで、レ
チクルとして用いたホログラム上で回折又は反射された
光が前記感光剤上で重り合い、前記所望のパターンとは
異なる実際のパターンを転写（焼き付け）することがで
きる。
よれば、所望パターンが形成されたホログラムからなる
レチクルを用いて感光剤をパターニングすることで、レ
チクルとして用いたホログラム上で回折又は反射された
光が前記感光剤上で重り合い、前記所望のパターンとは
異なる実際のパターンを転写（焼き付け）することがで
きる。
このため、前記ホログラムにキズ、ピンホール等が発生
してもパターンのエツジ部分が微少にぼける程度である
。そして、従来の露光方法では、目視判断ができないよ
うな微細なキズ、ピンホール等がレチクル上に生じた場
合でも、直接パターンの再現性に影響を与えていたが、
本発明の露光方法によれば、目視判断ができないような
微細なキズ、ピンホール等が生じても、パターンに与え
る影響は全く無い、この結果、従来のように、レチクル
上のキズ、ピンホール等の発生に多大な神経を使う必要
は無く、所望のパターンと異なったパターンが前記感光
剤に転写されることもない。
してもパターンのエツジ部分が微少にぼける程度である
。そして、従来の露光方法では、目視判断ができないよ
うな微細なキズ、ピンホール等がレチクル上に生じた場
合でも、直接パターンの再現性に影響を与えていたが、
本発明の露光方法によれば、目視判断ができないような
微細なキズ、ピンホール等が生じても、パターンに与え
る影響は全く無い、この結果、従来のように、レチクル
上のキズ、ピンホール等の発生に多大な神経を使う必要
は無く、所望のパターンと異なったパターンが前記感光
剤に転写されることもない。
次に本発明の一実施例について、図面に基づいて説明す
る。
る。
本実施例では、公知の計算機ホログラフィを用いてホロ
グラム３を作製した（平井総光：ホログラフィの基礎と
実験、共立出版社発行、昭和５４年７月２０日）。
グラム３を作製した（平井総光：ホログラフィの基礎と
実験、共立出版社発行、昭和５４年７月２０日）。
通常のホログラフィにおいては、ウェハに焼き付けるパ
ターンが措かれているフィルム原稿を通過した物体光と
偏向プリズムとを通過した参照光との合成による干渉縞
によりホログラムを作製する。これに対して、本実施例
で使用する計算機ホログラフィは、この干渉縞の形を計
算機により計算し、計算機により干渉縞の形を描き、こ
の干渉縞をフィルムに転写してホログラムを作製するも
のである。
ターンが措かれているフィルム原稿を通過した物体光と
偏向プリズムとを通過した参照光との合成による干渉縞
によりホログラムを作製する。これに対して、本実施例
で使用する計算機ホログラフィは、この干渉縞の形を計
算機により計算し、計算機により干渉縞の形を描き、こ
の干渉縞をフィルムに転写してホログラムを作製するも
のである。
なお、ホログラム３は、後の工程でウェハ上により精密
に転写する（焼き付ける）ため、パターンの実寸の５倍
の大きさに作製した。
に転写する（焼き付ける）ため、パターンの実寸の５倍
の大きさに作製した。
第１図は、前記計算機ホログラムにより作製したホログ
ラム３を用いたウェハ処理工程の一部を示す断面図であ
る。以下図面に基づいてウェハ処理工程の一部を説明す
る。
ラム３を用いたウェハ処理工程の一部を示す断面図であ
る。以下図面に基づいてウェハ処理工程の一部を説明す
る。
第１図（１）の工程では、ウェハ５上に絶縁膜６を介し
てフォトレジスト７を全面に塗布する。
てフォトレジスト７を全面に塗布する。
次に、第１図（２）の工程では、ホログラム３をレチク
ルとして用い、第１図（１）の工程で得たフォトレジス
ト７をレーザー光としてＵＶ光を使用して露光する。こ
の時、ホログラム３上で回折された光が縮小レンズ８を
通過し、１１５に縮小した（実寸大に戻した）パターン
がウェハ５上で重合わされて焼き付けられる。
ルとして用い、第１図（１）の工程で得たフォトレジス
ト７をレーザー光としてＵＶ光を使用して露光する。こ
の時、ホログラム３上で回折された光が縮小レンズ８を
通過し、１１５に縮小した（実寸大に戻した）パターン
がウェハ５上で重合わされて焼き付けられる。
次いで、第１図（３）の工程では、第１図（２）の工程
でパターニングされたウェハ５を現像液につけて現像し
、光が当たった領域を洗い流す。
でパターニングされたウェハ５を現像液につけて現像し
、光が当たった領域を洗い流す。
次に、第１図（４）の工程では、０□を用いた異方性エ
ツチングにより、不要な絶縁膜６をエツチング除去する
。
ツチングにより、不要な絶縁膜６をエツチング除去する
。
次に、第１図（５）の工程では、フォトレジスト７を溶
剤で取り除き、絶縁膜６にレチクル（ホログラム３）の
パターンが形成されたウェハが作製される。このように
してパターンが形成されたウェハは、レクチルに微細な
キズ、ピンホール等が生じていても実際のパターンと異
なったパターンが形成されることは無い。この結果、信
頼性の高い半導体装置を効率良く製造することができる
。
剤で取り除き、絶縁膜６にレチクル（ホログラム３）の
パターンが形成されたウェハが作製される。このように
してパターンが形成されたウェハは、レクチルに微細な
キズ、ピンホール等が生じていても実際のパターンと異
なったパターンが形成されることは無い。この結果、信
頼性の高い半導体装置を効率良く製造することができる
。
本実施例では、ウェハ処理工程の一部を例にとって説明
したが、ホログラムのパターンを配線パターン等任意に
選択することにより、所望のパターンをウェハ上に形成
することができる。また、ウェハ上のフォトレジストに
パターニングする以外、例えば、写真フィルムへのパタ
ーン転写等、特に緻密なパターンを転写する方法として
あらゆる分野に有効である。
したが、ホログラムのパターンを配線パターン等任意に
選択することにより、所望のパターンをウェハ上に形成
することができる。また、ウェハ上のフォトレジストに
パターニングする以外、例えば、写真フィルムへのパタ
ーン転写等、特に緻密なパターンを転写する方法として
あらゆる分野に有効である。
また、本実施例では、計算機ホログラフィにより、ホロ
グラムを作製したが、これに限らず、フレネル・ホログ
ラム、原稿の回折波の種類によりフーリエ変換ホログラ
ム等を用いても良い。また、記録する感光剤の選択によ
り、平面ホログラム、体積ホログラム（干渉縞間隔に比
べて十分厚い感光剤に記録したホログラム）等、用途に
より使い分けることもできる。
グラムを作製したが、これに限らず、フレネル・ホログ
ラム、原稿の回折波の種類によりフーリエ変換ホログラ
ム等を用いても良い。また、記録する感光剤の選択によ
り、平面ホログラム、体積ホログラム（干渉縞間隔に比
べて十分厚い感光剤に記録したホログラム）等、用途に
より使い分けることもできる。
そして、本実施例では、パターンをより正確にウェハ上
に転写するため、ホログラムを実寸の５倍に作製し、後
に１１５に縮小してウェハ上に焼き付けたが、パターン
の種類により任意に倍率を選択して良い。
に転写するため、ホログラムを実寸の５倍に作製し、後
に１１５に縮小してウェハ上に焼き付けたが、パターン
の種類により任意に倍率を選択して良い。
なお、第１図（２）の工程でレーザー光としてＵＶ光を
使用したが、ウェハ上に塗布するフォトレジストの感光
波長域を満たす波長の光であれば良い。
使用したが、ウェハ上に塗布するフォトレジストの感光
波長域を満たす波長の光であれば良い。
また、レーザー光の連続発振出力、パルス出力及び照射
時間は、前記感光剤の感度により任意に選択して良い。
時間は、前記感光剤の感度により任意に選択して良い。
第１図（４）の工程では、Ｏ２を用いた異方性エツチン
グにより不要な絶縁膜６をエツチング除去したが、ｏ２
以外の反応性ガスを用いても良い。また、反応性ガスを
用いて化学反応でエツチングする方法の他、液体の薬品
等を用いてエツチングを行っても良い。
グにより不要な絶縁膜６をエツチング除去したが、ｏ２
以外の反応性ガスを用いても良い。また、反応性ガスを
用いて化学反応でエツチングする方法の他、液体の薬品
等を用いてエツチングを行っても良い。
以上説明したように本発明に係わるレチクル及びそれを
用いた露光方法によれば、レチクルとしてホログラムを
用い、これを介して露光し、レチクルに形成されたパタ
ーンを目的物（感光剤）にパターニングすることで、目
視判断ができないような微細なキズ、ピンホール等がレ
チクル（ホログラム）に発生しても、感光剤上に転写さ
れるパターンに影響を与えることが無い。このため、従
来のように、レチクル上のキズ、ピンホール等の発生に
多大な神経を使う必要は無く、実際のパターンと異なっ
たパターンが前記感光剤に転写されることもない。この
結果、緻密なパターンの転写でも精度良く行うことがで
きる。
用いた露光方法によれば、レチクルとしてホログラムを
用い、これを介して露光し、レチクルに形成されたパタ
ーンを目的物（感光剤）にパターニングすることで、目
視判断ができないような微細なキズ、ピンホール等がレ
チクル（ホログラム）に発生しても、感光剤上に転写さ
れるパターンに影響を与えることが無い。このため、従
来のように、レチクル上のキズ、ピンホール等の発生に
多大な神経を使う必要は無く、実際のパターンと異なっ
たパターンが前記感光剤に転写されることもない。この
結果、緻密なパターンの転写でも精度良く行うことがで
きる。
第１図は、本実施例に係るウェハ処理工程断面図を示す
。 図中、３はホログラム、５はウェハ、６は絶縁膜、７は
フォトレジスト、８は縮小レンズを示す。 第 レーｆｆ−’た− ■ 腑
。 図中、３はホログラム、５はウェハ、６は絶縁膜、７は
フォトレジスト、８は縮小レンズを示す。 第 レーｆｆ−’た− ■ 腑
Claims (2)
- （１）支持体に塗布した感光剤に所望のパターンを露光
により転写するレチクルにおいて、ホログラフィにより
前記パターンが形成されてなることを特徴とするレチク
ル。 - （２）所望パターンが形成されたホログラムからなるレ
チクルを用いて感光剤をパターニングすることを特徴と
する露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171129A JPH0458244A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | レチクル及びそれを用いた露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171129A JPH0458244A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | レチクル及びそれを用いた露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0458244A true JPH0458244A (ja) | 1992-02-25 |
Family
ID=15917521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2171129A Pending JPH0458244A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | レチクル及びそれを用いた露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0458244A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7499149B2 (en) | 2003-06-24 | 2009-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Holographic mask for lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
1990
- 1990-06-28 JP JP2171129A patent/JPH0458244A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7499149B2 (en) | 2003-06-24 | 2009-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Holographic mask for lithographic apparatus and device manufacturing method |
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