JPH10254122A - 露光用フォトマスク - Google Patents
露光用フォトマスクInfo
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- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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- Toxicology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトリソグラフィーにおいて、周期パター
ンと孤立パターンの光学的な近接効果を減少させるフォ
トマスクを提供する。また、基板段差部でレジスト膜厚
が変化するときに生じる定在波効果を減少させるフォト
マスクを提供する。 【構成】 透明基板（１）上に遮光膜でパターンが形成
される露光用フォトマスクにおいて、遮光膜は半透明膜
（５）と完全遮光膜（４）の２種類からなり、投影露光
で半導体基板の表面に転写されるパターンの粗密性に応
じて透過率が異なることを特徴としている。
ンと孤立パターンの光学的な近接効果を減少させるフォ
トマスクを提供する。また、基板段差部でレジスト膜厚
が変化するときに生じる定在波効果を減少させるフォト
マスクを提供する。 【構成】 透明基板（１）上に遮光膜でパターンが形成
される露光用フォトマスクにおいて、遮光膜は半透明膜
（５）と完全遮光膜（４）の２種類からなり、投影露光
で半導体基板の表面に転写されるパターンの粗密性に応
じて透過率が異なることを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造用
の投影露光装置で使用する露光用フォトマスクに関す
る。
の投影露光装置で使用する露光用フォトマスクに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＤＲＡＭに代表される半導体集積回路の
集積度は上昇の一途を辿り、それに応じてパターンの線
幅は非常に小さいものとなってきている。これに伴い半
導体基板上に回路パターンを形成するフォトリソグラフ
ィー工程では高い解像度が要求されてきている。また、
ＬＳＩが積層構造であるために段差が生じ、基板が平坦
でなくなることから、焦点深度を確保することも高解像
度と共に重要となる。
集積度は上昇の一途を辿り、それに応じてパターンの線
幅は非常に小さいものとなってきている。これに伴い半
導体基板上に回路パターンを形成するフォトリソグラフ
ィー工程では高い解像度が要求されてきている。また、
ＬＳＩが積層構造であるために段差が生じ、基板が平坦
でなくなることから、焦点深度を確保することも高解像
度と共に重要となる。
【０００３】高解像度、焦点深度の確保と共に重要なリ
ソグラフィーの課題としては、マスク上のパターンの設
計寸法通りに基板上に転写することが挙げられる。
ソグラフィーの課題としては、マスク上のパターンの設
計寸法通りに基板上に転写することが挙げられる。
【０００４】例えば、粗密性の異なるパターンが同一マ
スク上に存在する場合、一方のパターンが設計通りの寸
法になるように露光量を設定すると、他方の設計寸法か
ら大きく外れてしまう。これは、近接効果と呼ばれ、パ
ターンの微細化に伴い顕著になってきている。近接効果
の原因としては、光強度分布が粗パターンと密パターン
で異なることが挙げられる。シミュレーションから求め
た、線幅０．２５μｍのラインアンドスペースと孤立ラ
インの光強度分布を図４に示す。なお、このシミューレ
ーションでは、縮小投影露光において光学条件はＮＡ＝
０．５，σ＝０．７，λ＝２４８ｎｍとして行われた。
図４において、実線がラインアンドスペース、一点鎖線
が孤立ラインの光強度分布である。ラインアンドスペー
スがライン幅：スペース幅＝１：１となるような光強度
は破線で示されるＩｔである。このとき孤立ラインの線
幅は約０．２８μｍとなり設計寸法よりも０．０３μｍ
程度太くなることが読み取れる。近接効果を解決する手
段としてパターンにバイアスをかける方法（マスクバイ
アス法）が慣習的に行われている。
スク上に存在する場合、一方のパターンが設計通りの寸
法になるように露光量を設定すると、他方の設計寸法か
ら大きく外れてしまう。これは、近接効果と呼ばれ、パ
ターンの微細化に伴い顕著になってきている。近接効果
の原因としては、光強度分布が粗パターンと密パターン
で異なることが挙げられる。シミュレーションから求め
た、線幅０．２５μｍのラインアンドスペースと孤立ラ
インの光強度分布を図４に示す。なお、このシミューレ
ーションでは、縮小投影露光において光学条件はＮＡ＝
０．５，σ＝０．７，λ＝２４８ｎｍとして行われた。
図４において、実線がラインアンドスペース、一点鎖線
が孤立ラインの光強度分布である。ラインアンドスペー
スがライン幅：スペース幅＝１：１となるような光強度
は破線で示されるＩｔである。このとき孤立ラインの線
幅は約０．２８μｍとなり設計寸法よりも０．０３μｍ
程度太くなることが読み取れる。近接効果を解決する手
段としてパターンにバイアスをかける方法（マスクバイ
アス法）が慣習的に行われている。
【０００５】また、レジスト膜厚の変動によるパターン
寸法変動（定在波効果）も大きな問題となっている。図
７はレジスト膜厚と０．２５μｍラインアンドスペース
パターンの寸法の関係を示した図である。シリコン基板
上に光透過率が約５０％／μｍのポジ型レジスト膜を形
成し、ＫｒＦエキシマレーザステッパ（λ＝２４８ｎ
ｍ）を用いて、光学条件をＮＡ＝０．５，σ＝０．７と
して露光を行った結果である。基板上には一般に凹凸が
存在するため、スピン塗布されたレジスト膜厚を基板上
全面で一定にすることは困難であるため、レジスト膜厚
は寸法変動が最も小さくなるように図７の例に示される
曲線の極値に設定され、通常はその極大値に設定される
ことが多い。前記のようにレジスト膜厚を設定すること
によって、微小な領域での下地基板の凹凸に対しては、
レジスト膜厚の変動が小さいため、パターン寸法変動を
抑制することが可能である。しかし、例えばＤＲＡＭの
セルアレイ部と周辺回路部のように大領域間に非常に大
きな段差が存在する場合には、段差近傍でレジスト膜厚
が大きく変動するためパターンに著しい寸法変動が生じ
る。上述の定在波効果を解決する手段についても、段差
近傍のパターンにバイアスをかける方法が用いられてい
る。
寸法変動（定在波効果）も大きな問題となっている。図
７はレジスト膜厚と０．２５μｍラインアンドスペース
パターンの寸法の関係を示した図である。シリコン基板
上に光透過率が約５０％／μｍのポジ型レジスト膜を形
成し、ＫｒＦエキシマレーザステッパ（λ＝２４８ｎ
ｍ）を用いて、光学条件をＮＡ＝０．５，σ＝０．７と
して露光を行った結果である。基板上には一般に凹凸が
存在するため、スピン塗布されたレジスト膜厚を基板上
全面で一定にすることは困難であるため、レジスト膜厚
は寸法変動が最も小さくなるように図７の例に示される
曲線の極値に設定され、通常はその極大値に設定される
ことが多い。前記のようにレジスト膜厚を設定すること
によって、微小な領域での下地基板の凹凸に対しては、
レジスト膜厚の変動が小さいため、パターン寸法変動を
抑制することが可能である。しかし、例えばＤＲＡＭの
セルアレイ部と周辺回路部のように大領域間に非常に大
きな段差が存在する場合には、段差近傍でレジスト膜厚
が大きく変動するためパターンに著しい寸法変動が生じ
る。上述の定在波効果を解決する手段についても、段差
近傍のパターンにバイアスをかける方法が用いられてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のマスクバイアス
法における問題点は、マスク作製精度の観点から、現状
においても適正なマスクバイアス量を付加したパターン
を精度よく作製することが困難であり、今後パターン寸
法がさらに微細化された場合にはほとんど不可能になる
ことである。
法における問題点は、マスク作製精度の観点から、現状
においても適正なマスクバイアス量を付加したパターン
を精度よく作製することが困難であり、今後パターン寸
法がさらに微細化された場合にはほとんど不可能になる
ことである。
【０００７】本発明の目的は、周期パターンや孤立パタ
ーンでの光学的な近接効果を減少させ、それらの寸法差
を減少させること、および基板段差に起因する定在波効
果を減少させることにある。その場合、マスクバイアス
法を用いたマスクの作成が微細化により困難となった場
合でも適切な補正を可能とするマスクを提供することに
ある。
ーンでの光学的な近接効果を減少させ、それらの寸法差
を減少させること、および基板段差に起因する定在波効
果を減少させることにある。その場合、マスクバイアス
法を用いたマスクの作成が微細化により困難となった場
合でも適切な補正を可能とするマスクを提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このために本発明では、
透明基板上に遮光膜でパターンが形成される露光用フォ
トマスクにおいて、パターンの粗密性あるいは半導体基
板上に形成されたフォトレジスト膜の膜厚に応じて遮光
膜の透過率が異なっている。
透明基板上に遮光膜でパターンが形成される露光用フォ
トマスクにおいて、パターンの粗密性あるいは半導体基
板上に形成されたフォトレジスト膜の膜厚に応じて遮光
膜の透過率が異なっている。
【０００９】パターンに粗密性のある露光用フォトマス
クにおいては、遮光膜と半透明膜とからなるラインアン
ドスペースパターンを有する領域と、半透明膜からなる
孤立ラインパターンが形成されており、孤立ラインパタ
ーンを有する半透明膜の透過率が２％である。
クにおいては、遮光膜と半透明膜とからなるラインアン
ドスペースパターンを有する領域と、半透明膜からなる
孤立ラインパターンが形成されており、孤立ラインパタ
ーンを有する半透明膜の透過率が２％である。
【００１０】半導体基板上に形成されたフォトレジスト
膜の膜厚に、基板上の段差により差があるときは、フォ
トマスクのマスク領域が、遮光膜からなる領域と半透明
膜からなる領域を含み、又、この場合、マスク領域は、
半透明膜と遮光膜とからなる領域と、遮光膜からなる領
域とから形成してもよい。
膜の膜厚に、基板上の段差により差があるときは、フォ
トマスクのマスク領域が、遮光膜からなる領域と半透明
膜からなる領域を含み、又、この場合、マスク領域は、
半透明膜と遮光膜とからなる領域と、遮光膜からなる領
域とから形成してもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の露光用フォトマスクにお
いては、基板の上に、ラインアンドスペースパターンと
してクロムの完全遮光膜とＭＯＳｉ系の半透明膜の２層
構造のパターンが形成されており、孤立ラインパターン
としてはＭＯＳｉ系の半透明膜のみが形成されており、
その光透過率はシミュレーションによる透過率に調整さ
れている。
いては、基板の上に、ラインアンドスペースパターンと
してクロムの完全遮光膜とＭＯＳｉ系の半透明膜の２層
構造のパターンが形成されており、孤立ラインパターン
としてはＭＯＳｉ系の半透明膜のみが形成されており、
その光透過率はシミュレーションによる透過率に調整さ
れている。
【００１２】また、基板に段差が存在していて段差近傍
でレジストの膜厚が薄くなるものにおいては、基板の段
差近傍の領域にはクロムの遮光膜とＭＯＳｉ系の半透明
膜からなる２層構造のパターンが形成されて完全に遮光
され、一方段差近傍を除く領域にはＭＯＳｉ系の半透明
膜のみが形成されている。
でレジストの膜厚が薄くなるものにおいては、基板の段
差近傍の領域にはクロムの遮光膜とＭＯＳｉ系の半透明
膜からなる２層構造のパターンが形成されて完全に遮光
され、一方段差近傍を除く領域にはＭＯＳｉ系の半透明
膜のみが形成されている。
【００１３】さらに、上述の段差のある場合のフォトマ
スクとしては、段差近傍領域に相当するマスク領域には
クロムの遮光膜とＭＯＳｉ系の半透明膜の２層構造のパ
ターンが形成され、段差近傍を除く領域ではクロムの遮
光膜のみでパターンが形成されているフォトマスクを用
いてもよい。
スクとしては、段差近傍領域に相当するマスク領域には
クロムの遮光膜とＭＯＳｉ系の半透明膜の２層構造のパ
ターンが形成され、段差近傍を除く領域ではクロムの遮
光膜のみでパターンが形成されているフォトマスクを用
いてもよい。
【００１４】このように、パターンの粗密性に応じて透
過率が最適になるようにマスクが作られているのでパタ
ーンの粗密性の違いに起因する光学的な近接効果が減少
し、それらの寸法差を減少させることができる。また、
基板段差部とそれ以外の部分で透過率が最適になるよう
にマスクが作られているので、レジスト膜厚変動によっ
て生じる定在波効果が減少し、寸法均一性の高いパター
ニングが可能となる。
過率が最適になるようにマスクが作られているのでパタ
ーンの粗密性の違いに起因する光学的な近接効果が減少
し、それらの寸法差を減少させることができる。また、
基板段差部とそれ以外の部分で透過率が最適になるよう
にマスクが作られているので、レジスト膜厚変動によっ
て生じる定在波効果が減少し、寸法均一性の高いパター
ニングが可能となる。
【００１５】
【実施例】次に、図面を参照して本発明の詳細な説明を
行う。
行う。
【００１６】図１は本発明の第１の実施例を示す。ライ
ンアンドスペースパターン２と孤立ラインパターン３が
形成されたフォトマスクの断面図である。本第１の実施
例においては、同一露光量で露光したときに孤立ライン
パターンの方が太くなる場合について説明する。この場
合、ラインアンドスペースパターン２はクロムの完全遮
光膜４とＭＯＳｉ系の半透明膜５の２層構造となってお
り、完全に遮光されている。これに対し孤立ラインパタ
ーン３はＭＯＳｉ系の半透明膜５のみから形成されてお
り、その透過率は後述するシミュレーションにより求め
られた透過率に調整されている。
ンアンドスペースパターン２と孤立ラインパターン３が
形成されたフォトマスクの断面図である。本第１の実施
例においては、同一露光量で露光したときに孤立ライン
パターンの方が太くなる場合について説明する。この場
合、ラインアンドスペースパターン２はクロムの完全遮
光膜４とＭＯＳｉ系の半透明膜５の２層構造となってお
り、完全に遮光されている。これに対し孤立ラインパタ
ーン３はＭＯＳｉ系の半透明膜５のみから形成されてお
り、その透過率は後述するシミュレーションにより求め
られた透過率に調整されている。
【００１７】図２は、線幅０．２５μｍの孤立ラインパ
ターンの光の透過率を変化させたときのシミュレーショ
ンでの光強度分布を示している。ここで、図２（ａ）、
図２（ｂ）、図２（ｃ）および図２（ｄ）はそれぞれ光
の透過率が０％，２％，５％および１０％の場合に対応
する。それぞれのグラフで縦軸の光強度はスペース領域
の強度で規格化されている。なお、このシミュレーショ
ンでは、縮小投影露光において光学条件はＮＡ＝０．
５，σ＝０．７，λ＝２４８ｎｍとして行われた。ここ
で、σは光源のコヒーレンシーを示す値であり、照明光
源側の光学レンズのＮＡを投影レンズのＮＡで除した値
で表される。
ターンの光の透過率を変化させたときのシミュレーショ
ンでの光強度分布を示している。ここで、図２（ａ）、
図２（ｂ）、図２（ｃ）および図２（ｄ）はそれぞれ光
の透過率が０％，２％，５％および１０％の場合に対応
する。それぞれのグラフで縦軸の光強度はスペース領域
の強度で規格化されている。なお、このシミュレーショ
ンでは、縮小投影露光において光学条件はＮＡ＝０．
５，σ＝０．７，λ＝２４８ｎｍとして行われた。ここ
で、σは光源のコヒーレンシーを示す値であり、照明光
源側の光学レンズのＮＡを投影レンズのＮＡで除した値
で表される。
【００１８】図２において、図２（ａ）が通常の孤立ラ
インパターンの場合に相当する。図２から、孤立パター
ンの光透過率を上げると光強度が上がり、孤立ライン線
幅が細くなることがわかる。
インパターンの場合に相当する。図２から、孤立パター
ンの光透過率を上げると光強度が上がり、孤立ライン線
幅が細くなることがわかる。
【００１９】図４に、線幅０．２５μｍのラインアンド
スペースパターンおよび孤立ラインパターンの光強度分
布を示す。ここで、０．２５μｍのラインアンドスペー
スのパターンの線幅が設計通りの寸法となる光強度をＩ
ｔとすると、図よりＩｔ＝０．３３７となる。このＩｔ
を基準の光強度とし、Ｉｔにおける孤立ラインの線幅を
シミュレーションから求め、横軸に孤立ラインの透過
率、縦軸に孤立ラインの線幅としたグラフを図３に示
す。図３から、孤立ラインの透過率を約２％にすること
で、孤立ラインの線幅が設計寸法通りの０．２５μｍと
なることがわかる。
スペースパターンおよび孤立ラインパターンの光強度分
布を示す。ここで、０．２５μｍのラインアンドスペー
スのパターンの線幅が設計通りの寸法となる光強度をＩ
ｔとすると、図よりＩｔ＝０．３３７となる。このＩｔ
を基準の光強度とし、Ｉｔにおける孤立ラインの線幅を
シミュレーションから求め、横軸に孤立ラインの透過
率、縦軸に孤立ラインの線幅としたグラフを図３に示
す。図３から、孤立ラインの透過率を約２％にすること
で、孤立ラインの線幅が設計寸法通りの０．２５μｍと
なることがわかる。
【００２０】なお、本実施例では線幅０．２５μｍのラ
インアンドスペースパターンと孤立ラインパターンにつ
いてシミュレーションを行い孤立ラインパターンの透過
率を２％と設定したが、半透明膜の透過率はこれに限る
ものではなく、パターンの寸法や粗密性に応じて任意に
変更可能である。また、本実施例では、先述したように
同一露光量で露光したときに孤立ラインの方が太くなる
条件において、孤立ラインを半透明膜にする方法につい
て述べたが、照明条件やパターン寸法が異なる場合は、
ラインアンドスペースパターンの方が太くなる場合もあ
る。この場合は、本実施例とは逆にラインアンドスペー
スパターンを半透明膜にすればよい。
インアンドスペースパターンと孤立ラインパターンにつ
いてシミュレーションを行い孤立ラインパターンの透過
率を２％と設定したが、半透明膜の透過率はこれに限る
ものではなく、パターンの寸法や粗密性に応じて任意に
変更可能である。また、本実施例では、先述したように
同一露光量で露光したときに孤立ラインの方が太くなる
条件において、孤立ラインを半透明膜にする方法につい
て述べたが、照明条件やパターン寸法が異なる場合は、
ラインアンドスペースパターンの方が太くなる場合もあ
る。この場合は、本実施例とは逆にラインアンドスペー
スパターンを半透明膜にすればよい。
【００２１】次に、第２の実施例について述べる。本発
明を定在波効果の低減に用いた場合、特に本実施例では
従来のフォトマスクを用いたときに段差近傍領域のパタ
ーン寸法が段差近傍を除く領域に比べ細くなる場合につ
いて示す。図５は、本発明の第２の実施例のフォトマス
クの断面図を基板の断面図と共に示したものである。半
導体基板８上にレジスト９がスピン塗布により形成され
ており、段差近傍を除く領域７ではレジスト膜厚は０．
７３μｍでほぼ一定であるが、段差近傍領域６ではレジ
スト膜厚はおよそ０．６９μｍとなっている。段差近傍
領域６に相当するマスク領域１０ではＣｒの遮光膜４と
ＭＯＳｉ系の半透明膜５の２層構造でパターンが形成さ
れており、完全に遮光されている。一方、段差近傍を除
く領域７に相当するマスク領域１１では、ＭＯＳｉ系の
半透明膜５のみでパターンが形成されている。
明を定在波効果の低減に用いた場合、特に本実施例では
従来のフォトマスクを用いたときに段差近傍領域のパタ
ーン寸法が段差近傍を除く領域に比べ細くなる場合につ
いて示す。図５は、本発明の第２の実施例のフォトマス
クの断面図を基板の断面図と共に示したものである。半
導体基板８上にレジスト９がスピン塗布により形成され
ており、段差近傍を除く領域７ではレジスト膜厚は０．
７３μｍでほぼ一定であるが、段差近傍領域６ではレジ
スト膜厚はおよそ０．６９μｍとなっている。段差近傍
領域６に相当するマスク領域１０ではＣｒの遮光膜４と
ＭＯＳｉ系の半透明膜５の２層構造でパターンが形成さ
れており、完全に遮光されている。一方、段差近傍を除
く領域７に相当するマスク領域１１では、ＭＯＳｉ系の
半透明膜５のみでパターンが形成されている。
【００２２】図７は、レジスト膜厚０．２５μｍライン
アンドスペースパターンの寸法の関係を示した図であ
る。シリコン基板上に光透過率約５０％／μｍのポジ型
レジスト膜を形成し、ＫｒＦエキシマレーザステッパ
（λ＝２４８ｎｍ）を用いて、光学条件をＮＡ＝０．
５、σ＝０．７として露光を行っている。レジスト膜厚
が０．７３μｍの場合にパターン寸法が設計値通り０．
２５μｍとなる露光量においては、レジスト膜厚が０．
６９μｍとなる領域ではパターン寸法が約０．１７μｍ
と細くなることがわかる。
アンドスペースパターンの寸法の関係を示した図であ
る。シリコン基板上に光透過率約５０％／μｍのポジ型
レジスト膜を形成し、ＫｒＦエキシマレーザステッパ
（λ＝２４８ｎｍ）を用いて、光学条件をＮＡ＝０．
５、σ＝０．７として露光を行っている。レジスト膜厚
が０．７３μｍの場合にパターン寸法が設計値通り０．
２５μｍとなる露光量においては、レジスト膜厚が０．
６９μｍとなる領域ではパターン寸法が約０．１７μｍ
と細くなることがわかる。
【００２３】この場合、段差近傍を除く領域７に相当す
るマスク領域１１のパターンを半透明膜で形成しその光
透過率を大きくすればよい。具体的には、半透明膜５の
光透過率を実施例１と同様のシミュレーションにより求
められた最適値約１８％とすることにより、同一の露光
量で段差近傍領域６と段差近傍を除く領域７のパターン
を共に設計値通りに形成することができる。
るマスク領域１１のパターンを半透明膜で形成しその光
透過率を大きくすればよい。具体的には、半透明膜５の
光透過率を実施例１と同様のシミュレーションにより求
められた最適値約１８％とすることにより、同一の露光
量で段差近傍領域６と段差近傍を除く領域７のパターン
を共に設計値通りに形成することができる。
【００２４】また、第３の実施例では、第２の実施例で
示したフォトマスクの代わりに図６に示す構成のフォト
マスクを用いたものである。段差近傍領域６に相当する
マスク領域１０はＣｒの遮光膜４とＭＯＳｉ系の半透明
膜５の２層構造でパターンが形成されている。一方、段
差近傍を除く領域７に相当するマスク領域１１では、Ｃ
ｒの遮光膜４のみでパターンが形成されている。
示したフォトマスクの代わりに図６に示す構成のフォト
マスクを用いたものである。段差近傍領域６に相当する
マスク領域１０はＣｒの遮光膜４とＭＯＳｉ系の半透明
膜５の２層構造でパターンが形成されている。一方、段
差近傍を除く領域７に相当するマスク領域１１では、Ｃ
ｒの遮光膜４のみでパターンが形成されている。
【００２５】この場合、段差近傍領域６に相当するマス
ク領域１０のみに半透明膜を形成し、透過光強度を減少
させることによって、段差近傍領域の実効露光量が低下
するためパターン寸法の細りを低減することが可能とな
る。シミュレーションにより求められた半透明膜の最適
透過率は約５５％である。
ク領域１０のみに半透明膜を形成し、透過光強度を減少
させることによって、段差近傍領域の実効露光量が低下
するためパターン寸法の細りを低減することが可能とな
る。シミュレーションにより求められた半透明膜の最適
透過率は約５５％である。
【００２６】また、前記マスク領域１０およびマスク領
域１１の両方に膜厚・透過率が最低一つ異なった半透明
膜を形成し、前記マスク領域１０の透過光強度を前記マ
スク領域１１のそれの約５５％にすることによっても同
様の効果が得られる。
域１１の両方に膜厚・透過率が最低一つ異なった半透明
膜を形成し、前記マスク領域１０の透過光強度を前記マ
スク領域１１のそれの約５５％にすることによっても同
様の効果が得られる。
【００２７】本発明のフォトマスクでは遮光膜をクロ
ム、半透明膜をＭＯＳｉ系の薄膜で構成したが、遮光膜
あるいは半透明膜はこのような材料の組み合わせい限ら
ないことを言及しておく。
ム、半透明膜をＭＯＳｉ系の薄膜で構成したが、遮光膜
あるいは半透明膜はこのような材料の組み合わせい限ら
ないことを言及しておく。
【００２８】本実施例では、露光フォトマスクがステッ
パーで使用される場合について説明したが、１対１の投
影露光装置は走査型露光装置の場合でも本発明の効果は
同様に形成されることに触れておく。
パーで使用される場合について説明したが、１対１の投
影露光装置は走査型露光装置の場合でも本発明の効果は
同様に形成されることに触れておく。
【００２９】
【発明の効果】このように本発明の第１の実施例のフォ
トマスクでは、孤立ラインパターンが適当な透過率を有
した半透明膜で形成されている。このために、孤立ライ
ンパターンの光強度分布が変化し、ラインアンドスペー
スパターンが設計寸法になるように露光量を設定した場
合でも、孤立ラインパターンを設計寸法通りに形成する
ことが可能である。
トマスクでは、孤立ラインパターンが適当な透過率を有
した半透明膜で形成されている。このために、孤立ライ
ンパターンの光強度分布が変化し、ラインアンドスペー
スパターンが設計寸法になるように露光量を設定した場
合でも、孤立ラインパターンを設計寸法通りに形成する
ことが可能である。
【００３０】本発明の第２の実施例のフォトマスクで
は、段差近傍を除く領域のパターンが適当な透過率を有
した半透明膜で形成されることにより光強度分布が変化
し、段差近傍を除く領域のパターンが設計寸法になるよ
うに露光量を設定した場合でも、段差近傍領域のパター
ンを設計寸法通りに形成することが可能である。
は、段差近傍を除く領域のパターンが適当な透過率を有
した半透明膜で形成されることにより光強度分布が変化
し、段差近傍を除く領域のパターンが設計寸法になるよ
うに露光量を設定した場合でも、段差近傍領域のパター
ンを設計寸法通りに形成することが可能である。
【００３１】また、本発明ではマスクバイアスをかける
必要がないので、マスクバイアス法を用いたマスクの作
成が微細化により困難となった場合でも、適切な補正を
可能とするマスクを提供できるという効果がある。
必要がないので、マスクバイアス法を用いたマスクの作
成が微細化により困難となった場合でも、適切な補正を
可能とするマスクを提供できるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するためのフォト
マスクの断面図である。
マスクの断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例を説明するための孤立ラ
インパターンの光強度分布図である。
インパターンの光強度分布図である。
【図３】本発明の第１の実施例を説明するための孤立ラ
インパターンの透過率−線幅の関係図である。
インパターンの透過率−線幅の関係図である。
【図４】近接効果を説明するためのラインアンドスペー
スパターンと孤立ラインパターンの光強度分布図であ
る。
スパターンと孤立ラインパターンの光強度分布図であ
る。
【図５】本発明の第２の実施例を説明するためのフォト
マスクの断面図である。
マスクの断面図である。
【図６】本発明の第３の実施例を説明するためのフォト
マスクの断面図である。
マスクの断面図である。
【図７】レジスト膜厚と０．２５μｍラインアンドスペ
ースパターン寸法の関係を示す図である。
ースパターン寸法の関係を示す図である。
１ ガラス基板 ２ ラインアンドスペースパターン ３ 孤立ラインパターン ４ 完全遮光膜（Ｃｒ） ５ 半透明膜（ＭＯＳｉ系） ６ 段差近傍領域 ７ 段差近傍を除く領域 ８ 半導体基板 ９ レジスト １０ 段差近傍領域に相当するマスク領域 １１ 段差近傍を除く領域に相当するマスク領域
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板上にパターンを転写するため
の露光用フォトマスクにおいて、前記パターンの粗密性
に応じて前記露光用フォトマスクの遮光膜の透過率が異
なることを特徴とする露光用フォトマスク。 - 【請求項２】 露光用フォトマスクがラインアンドスペ
ースパターンを有する遮光膜と半透明膜とからなる領域
と、孤立ラインパターンを有する半透明膜の領域を含む
請求項１記載の露光用フォトマスク。 - 【請求項３】 孤立ラインパターンを有する半透明膜の
透過率が２％である請求項２記載の露光用フォトマス
ク。 - 【請求項４】 半導体基板上にパターンを転写するため
の露光用フォトマスクにおいて、前記半導体基板上に形
成されたフォトレジスト膜の膜厚に応じて露光用フォト
マスクの遮光膜の透過率が相異なる２つ以上のマスク領
域を含むことを特徴とする露光用フォトマスク。 - 【請求項５】 マスク領域が、遮光膜からなる領域と半
透明膜からなる領域を含む請求項４記載の露光用フォト
マスク。 - 【請求項６】 マスク領域が、半透明膜と遮光膜とから
なる領域と、遮光膜からなる領域を含む請求項４記載の
露光用フォトマスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5494097A JP3177948B2 (ja) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | 露光用フォトマスク |
| KR1019980007963A KR100270834B1 (ko) | 1997-03-10 | 1998-03-10 | 가변광투과율을가진광차폐층을포함한마스크 |
| CN98101003A CN1193127A (zh) | 1997-03-10 | 1998-03-10 | 包括有可变透光率的遮光层的掩模 |
| US09/037,362 US6048648A (en) | 1997-03-10 | 1998-03-10 | Mask including optical shield layer having variable light transmittance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5494097A JP3177948B2 (ja) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | 露光用フォトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10254122A true JPH10254122A (ja) | 1998-09-25 |
| JP3177948B2 JP3177948B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=12984649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5494097A Expired - Fee Related JP3177948B2 (ja) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | 露光用フォトマスク |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6048648A (ja) |
| JP (1) | JP3177948B2 (ja) |
| KR (1) | KR100270834B1 (ja) |
| CN (1) | CN1193127A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005164879A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | フォトマスクとその製造方法、および、それを用いた露光方法 |
| JP2011075656A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Hoya Corp | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び液晶表示装置の作製方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7241539B2 (en) * | 2002-10-07 | 2007-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomasks including shadowing elements therein and related methods and systems |
| JP2006201538A (ja) | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Seiko Epson Corp | マスク、マスクの製造方法、パターン形成方法、配線パターン形成方法 |
| KR100689836B1 (ko) * | 2005-12-23 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 보조 포토 마스크를 갖는 노광장비 및 이를 이용하는노광방법 |
| CN101393387B (zh) * | 2007-09-17 | 2010-11-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 掩膜板及其制造方法 |
| CA2739081C (en) * | 2008-10-09 | 2017-12-12 | Corning Cable Systems Llc | Fibre optic cable subunit assemblies |
| JP2012212125A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-11-01 | Hoya Corp | フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法 |
| EP2705396B1 (en) | 2011-05-03 | 2017-09-27 | Corning Optical Communications LLC | Optical fiber cable bundle |
| CN104765245A (zh) * | 2015-04-10 | 2015-07-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种灰色调掩膜及其制作方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69132523D1 (de) * | 1990-05-09 | 2001-03-08 | Canon Kk | Erzeugung von Mustern und Herstellungsverfahren für Halbleiteranordnungen mit diesem Muster |
| JP3104284B2 (ja) * | 1991-05-20 | 2000-10-30 | 株式会社日立製作所 | パターン形成方法 |
| JPH06123961A (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Hoya Corp | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク並びに位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH07209850A (ja) * | 1994-01-24 | 1995-08-11 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法 |
-
1997
- 1997-03-10 JP JP5494097A patent/JP3177948B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-10 CN CN98101003A patent/CN1193127A/zh active Pending
- 1998-03-10 US US09/037,362 patent/US6048648A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-10 KR KR1019980007963A patent/KR100270834B1/ko not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005164879A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | フォトマスクとその製造方法、および、それを用いた露光方法 |
| JP2011075656A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Hoya Corp | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び液晶表示装置の作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1193127A (zh) | 1998-09-16 |
| US6048648A (en) | 2000-04-11 |
| JP3177948B2 (ja) | 2001-06-18 |
| KR19980080090A (ko) | 1998-11-25 |
| KR100270834B1 (ko) | 2001-03-02 |
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