JPH0458580A - レーザー装置 - Google Patents

レーザー装置

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Publication number
JPH0458580A
JPH0458580A JP16856990A JP16856990A JPH0458580A JP H0458580 A JPH0458580 A JP H0458580A JP 16856990 A JP16856990 A JP 16856990A JP 16856990 A JP16856990 A JP 16856990A JP H0458580 A JPH0458580 A JP H0458580A
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JP
Japan
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laser
yag
beam splitter
semiconductor laser
semiconductor
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Application number
JP16856990A
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English (en)
Inventor
Youtetsu Ri
李　容哲
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NIPPON KAGAKU ENG KK
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NIPPON KAGAKU ENG KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体レーザーによってＹＡＧ又は非線型結晶
を光励起させるレーザー装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来のＹＡＧレーザー装置は、第１図に示すようにＹＡ
ＧＩの前方に出力ミラー２を配置し、後方にコリメート
レンズ系３を挟んで半導体レーザー４を配置して出力ミ
ラー２と半導体レーザー４の素子４ａ間で共振器を構成
し、半導体レーザ４から出射するレーザービームをコリ
メートレンズ系３を介してＹＡＧｌに入射させてそれを
光励起させるもので、ＹＡＧレーザーの出力は、ＹＡＧ
の利得が飽和するまで励起する半導体レーザの強度に比
例する。
したがって、半導体レーザーの入射強度を強めればＹＡ
Ｇレーザーの出力も強くなる。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上説明したようにＹＡＧレーザーの強さは半導体レー
ザーのパワーを大にすれば大きくなるが、ＹＡＧレーザ
ーの強さを２倍にする場合、そのために使用する半導体
レーザーの値段は十数倍のものとなり採算に合致しない
。
そこで本発明は、２倍の強さのものを安価に提供するこ
とができる構造を得ることを課題とするものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、
２個の半導体レーザーを９０°の角度差で配置し、それ
らのレーザービームをコリメートレンズ系と偏光ビーム
スプリッタを介してＹＡＧ又は非線型結晶に入射させる
ようにしたものである。
〔作用〕
２個の半導体レーザーより出射するレーザー光は偏光ビ
ームスプリフタで合成されてＹＡＧ又は非線型結晶を光
励起させるため、１個の半導体レーザーの場合よりレー
ザー出力強度が倍増される。
〔実施例〕
第２図は本発明の実施例を示すもので、半導体レーザー
４．４″を９０°の角度差で配置し、そのレーザー光を
コリメートレンズ系３．３′をそれぞれ介して偏光ビー
ムスプリッタ５に入射させて合成し、その合成レーザー
光をＹＡＧｌに入射させてＹＡＧを光励起させるように
したものである。
なお、半導体レーザー４は偏光ビームスプリッタ５から
見てＰ偏光となるように、また半導体レーザー４゛はＳ
偏光となるように設置する。
以上の構造によると、ＹＡＧＩに入射する半導体レーザ
ーの強度は、１個の半導体レーザーを用いた場合の２倍
となるので、このレーザー装置の出力は２倍となる。
第３図は異なる実施例を示すもので、コリメートレンズ
系を半導体レーザーと偏光ビームスプリッタとの間にそ
れぞれ設けずに１個のコリメートレンズ系３＃をＹＡＧ
Ｉと偏光ビームスプリンタ５間に設けたものである。
半導体レーザーの出射光の性質により、コリメートレン
ズは第２図に示した配置の方が自然であり性能的に優れ
たものが得られるが、コリメートレンズ系３〃設計によ
り第２図に示した実施例と同様の性能のものが得られる
。
なお、以上例示した構成はＹＡＧｌを非線型結晶に置き
換えたレーザー装置にも適用することができ、同様の効
果がある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、半導体レーザーをＹＡＧ又は非線型結
晶の光励起に用いた従来のレーザー装置の２倍の強度の
ものを１／１０以下の値段で提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来装置の構成を示す図、第２図及び第３図は
それぞれ本発明の実施例の構成を示す図である。 １−　・　−ＹＡＧ ２・・・出力ミラ ３．３”、３”・・・コリメートレンズ系４．４°　・
・・半導体レーザー ５・・・偏光ビームスプリッタ 特許出願人　日本科学エンジニアリング株式会社ニー−
三二；に 同　代理人　服　　　部　　　修　　　　二１　・ ２　・ ３゛、３°゛・ ４、４゛　・ ５　・ ・　ＹＡＧ ・出力ミラー ・コリメートレンズ系 ・半導体レーザー −偏光ビームスプリッタ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ２個の半導体レーザー４、４′を９０゜の角度差で配置
    し、それらのレーザービームをコリメートレンズ系３と
    偏光ビームスプリッタ５を介してＹＡＧ１又は非線型結
    晶に入射するようにし、且つ前記半導体レーザー４は偏
    光ビームスプリッタ５から見てＰ偏光となるように、ま
    た半導体レーザー４′はＳ偏光となるように設置したこ
    とを特徴とするレーザー装置
JP16856990A 1990-06-28 1990-06-28 レーザー装置 Pending JPH0458580A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6462621A (en) * 1987-08-31 1989-03-09 Ibm Laser beam generation method and apparatus
JPH01214079A (ja) * 1988-02-22 1989-08-28 Sony Corp レーザ光源

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6462621A (en) * 1987-08-31 1989-03-09 Ibm Laser beam generation method and apparatus
JPH01214079A (ja) * 1988-02-22 1989-08-28 Sony Corp レーザ光源

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