JPH0458623B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0458623B2
JPH0458623B2 JP59077828A JP7782884A JPH0458623B2 JP H0458623 B2 JPH0458623 B2 JP H0458623B2 JP 59077828 A JP59077828 A JP 59077828A JP 7782884 A JP7782884 A JP 7782884A JP H0458623 B2 JPH0458623 B2 JP H0458623B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
negative
signal
mask
dimensions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59077828A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS60220934A (en
Inventor
Shogo Matsui
Kenichi Kobayashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP59077828A priority Critical patent/JPS60220934A/en
Publication of JPS60220934A publication Critical patent/JPS60220934A/en
Publication of JPH0458623B2 publication Critical patent/JPH0458623B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (a) 発明の技術分野 本発明はマスクの検査方法に係り、特にフオト
マスク又はウエハーチツプのパターン面の欠陥の
検出方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Technical Field of the Invention The present invention relates to a method for inspecting a mask, and more particularly to a method for detecting defects on a patterned surface of a photomask or a wafer chip.

(b) 技術の背景 近年、半導体装置や半導体集積回路の高性能化
と高集積化により、パターン図形の緻密化が進
み、これに使用されるマスクや、ウエハーチツプ
も一段と精度の向上が必要とされる。
(b) Background of the technology In recent years, as semiconductor devices and semiconductor integrated circuits have become more sophisticated and highly integrated, patterns have become more precise, and the masks and wafer chips used in these devices also need to be more precise. be done.

特に半導体装置の場合には、製造における多く
の工程で光によりパターニングをするフオトリソ
グラフイーの技術が採用されていて、これに使用
されるフオトマスクの種類も極めて多い。
Particularly in the case of semiconductor devices, photolithography technology, in which patterning is performed using light, is used in many manufacturing steps, and there are many types of photomasks used for this.

このフオトマスクのパターン図形面に、何等か
の原因で傷とか、黒のポジテブパターン図形のな
かに白の欠陥があると、パターニングされた半導
体ウエハー面上にそのままフオトマスクの欠陥の
部分が顕れるため、フオトマスクの検査には特に
入念にする必要がある。
If the pattern surface of this photomask is scratched for some reason, or if there is a white defect in a black positive pattern, the defective portion of the photomask will appear directly on the patterned semiconductor wafer surface. Particular care must be taken in the inspection of

然しながら、半導体集積回路の高性能化と高集
積度の増大によりフオトマスクのパターニングさ
れた図形も精緻であるため、従来の顕微鏡のみに
よる検査については時間を要するのと、パターン
図形面の欠陥をも見落とすという欠点があり、検
査方法の改善が要望されている。
However, due to the higher performance and higher integration of semiconductor integrated circuits, the patterns patterned on photomasks are becoming more precise, so inspection using only a conventional microscope is time-consuming and can overlook defects on the surface of the pattern. There is a need for improvement of the inspection method.

(c) 従来技術と問題点 従来行つているフオトマスクの検査方法は、レ
テイクルといわれるマスクを検査するものであつ
て、このレテイクルの大きさは実際に使用される
フオトマスクより、一辺の長さが約10倍程度の大
きさの原板であつて、このレテイクルに欠陥がな
く完全なものあれば縮刷されて実用のフオトマス
クが製作される。
(c) Prior art and problems The conventional photomask inspection method inspects a mask called a reticle. If the original plate is about 10 times the size and the reticle is perfect and free of defects, it will be reduced in size and used to produce a practical photomask.

このレテイクルのパターン面の欠陥の検査方法
には主に2種類があり、第1はレテイクル表面に
パターニングされたパターンが繰り返えされてパ
ターニングされていることを利用して複数個のパ
ターニングされた同一のレテイクルを重合わせて
比較し、パターニング図形の検査をする方法であ
る。
There are mainly two types of inspection methods for defects on the patterned surface of this reticle.The first method is to inspect multiple patterns using the fact that the pattern on the reticle surface is repeated. This is a method of inspecting patterning figures by superimposing identical reticle and comparing them.

この場合は、レテイクルの表面上を拡大鏡で走
査し、その映像をイメージセンサーで電気信号に
変換して映像装置に入力してグラフイク化するも
ので、検査はこのグラフイク面のパターニングを
目視で行われる。
In this case, the surface of the reticle is scanned with a magnifying glass, the image is converted into an electrical signal by an image sensor, and the signal is input to an imaging device to create a graphic.The inspection is performed by visually observing the patterning of this graphic surface. be exposed.

第2はコンピューターに入力されたデータパタ
ーンと比較する方法である。
The second method is to compare data patterns input into a computer.

この方法では、検査するレテイクルをビデオカ
メラで走査して、そのビデオ信号をデジタル信号
に変換した後に磁気テープMTに入力し、このデ
ータと設計時のMTを比較する方法である。
In this method, the reticle to be inspected is scanned with a video camera, the video signal is converted to a digital signal, and then input to a magnetic tape MT, and this data is compared with the designed MT.

然しながら、この両者のいずれにも欠点があつ
て、第1のパターニングの繰り返えし性を利用し
た比較方法では、重合わせた複数のレテイクルの
パターン面に共通の欠陥が存在する時には、その
欠陥を摘出することが不可能であり、第2のデー
タパターンと比較する方法では、データパターン
を製作する煩雑さと、実パターン面に全く同様に
データを製作することが困難であるという欠点が
ある。
However, both of these methods have drawbacks; in the first comparison method that utilizes the repeatability of patterning, when a common defect exists on the pattern surfaces of multiple overlapping retakes, the defect is The method of comparing with the second data pattern has the drawbacks of the complexity of creating the data pattern and the difficulty of creating data exactly the same on the actual pattern surface.

(d) 発明の目的 本発明は、上記従来の欠点に鑑み、半導体装置
等に使用されるフオトマスクのパターン面の欠陥
を検出するために、レテイクルにパターニングさ
れたポジテイブパターン図形面にそのポジテイブ
パターン図形を構成する最小パターン図形の寸法
より小さい寸法のネガテイブ部分が在るときに
は、そのネガテイブ部分を欠陥として検出する新
たな検査方法により、フオトマスクの精度向上
と、レテイクルのパターン面の検査が容易に実施
できる方法を提供することを目的とする。
(d) Purpose of the Invention In view of the above-mentioned conventional drawbacks, the present invention provides a method for detecting defects on the pattern surface of a photomask used for semiconductor devices, etc. A new inspection method that detects negative parts as defects when there is a negative part with dimensions smaller than the minimum pattern figure that makes up the mask improves the accuracy of photomasks and makes it easier to inspect the pattern surface of the reticle. The purpose is to provide a method.

(e) 発明の構成 この目的は、本発明によれば、最小パターン設
計の単位である最小設計矩形から構成されたポジ
テイブパターンをマスク検査装置により検査し、
該ポジテイブパターン内に存在するネガテイブ欠
陥を検出するパターン検査法において、該最小設
計矩形の寸法を予め該マスク検査装置に登録して
おき、該ポジテイブパターン内に存在するネガテ
イブ部分の寸法を登録された該最小設計矩形の寸
法と比較して、該最小設計矩形の寸法より小なる
寸法ネガテイブ部分をネガテイブ欠陥として検出
することを特徴とするマスクの検査方法を提供す
ることによつて達成できる。
(e) Structure of the Invention According to the present invention, it is an object of the present invention to inspect a positive pattern composed of a minimum design rectangle, which is a unit of minimum pattern design, using a mask inspection device;
In a pattern inspection method for detecting negative defects existing within the positive pattern, the dimensions of the minimum design rectangle are registered in advance in the mask inspection device, and the dimensions of the negative portion existing within the positive pattern are registered. This can be achieved by providing a mask inspection method characterized in that a negative portion having a size smaller than the size of the minimum design rectangle is detected as a negative defect when compared with the size of the minimum design rectangle.

(f) 発明の実施例 本発明は、レチクルマスクのポジテイブパター
ン図形のなかに含まれる欠陥部を検査して欠陥部
分を検出する方法であり、マスクの黒のポジテイ
ブパターン図形のなかに、欠陥部をネガテイブの
白として存在するから、この欠陥部を判定出来る
所定の四角形を検査器に入力しておくことによつ
て、検査するマスクのポジテイブパターン図形に
あるネガテイブの白の欠陥部が上記の所定の四角
形に比較して大なる時には欠陥部がないと判断さ
れ、反対に所定の四角形に比較して小なる時には
欠陥部と判断される。
(f) Embodiments of the Invention The present invention is a method for detecting a defective portion by inspecting a defective portion included in a positive pattern figure of a reticle mask. exists as a negative white, so by inputting a predetermined rectangle that can determine this defect into the inspection device, the negative white defect in the positive pattern figure of the mask to be inspected can be determined as described above. When it is larger than a predetermined rectangle, it is determined that there is no defective part, and conversely, when it is smaller than a predetermined rectangle, it is determined that there is a defective part.

これは一般にマスクのパターンが最小パターン
図形例えば最小矩形を組み合わせたもの、つまり
繰り返しにすぎないため、その最小矩形を上記所
定の四角形とすれば、その四角形内に白の部分が
存在することは正常なパターンでは起こり得ない
という考えにもとずくものである。
This is because the mask pattern is generally a combination of minimum pattern figures, such as minimum rectangles, that is, repetition, so if the minimum rectangle is the prescribed rectangle above, it is normal for there to be a white part within that rectangle. This is based on the idea that it cannot occur in a certain pattern.

第1図は本発明によるマスク検査装置のブロツ
ク図であるが、1は被検査体のレチクルマスクで
あり、2は被検査体を照明する証明系、3ほ光学
系であつてマスクのパターン図形を読み取るよう
に設定され、4は受光系でイメージセンサー等で
光信号に変換される。
FIG. 1 is a block diagram of a mask inspection apparatus according to the present invention, in which 1 is a reticle mask for an object to be inspected, 2 is an identification system for illuminating the object to be inspected, and 3 is an optical system that displays the pattern of the mask. 4 is a light receiving system that is converted into an optical signal by an image sensor or the like.

この光信号は受光信号器5で受光され、6のA
−D変換器で波形成形がなされて、7のビツトメ
モリーに転換され、8の画像処理装置に入力され
るが、この画像処理には予め所定の四角形の画像
信号装置9からの信号が入力されているために、
これら両者が比較されて比較結果が検出装置10
に表示される。
This optical signal is received by the light receiving signal device 5, and the A of 6
- The waveform is shaped by the D converter, converted to the bit memory 7, and input to the image processing device 8. For this image processing, a signal from a predetermined rectangular image signal device 9 is input in advance. In order to
These two are compared and the comparison result is sent to the detection device 10.
will be displayed.

第2図は画像処理装置における検出方法のブロ
ツク図であり、走査信号11、基準信号12、
AND回路13、カウンタ14を含むブロツクは
A−D変換器6の機能を示すブロツク、第1のメ
モリー回路15、第2のメモリー回路17を含む
ブロツクはビツトメモリー7の機能を示すブロツ
ク、比較回路18を含むブロツクは画像処理装置
8の機能を示すブロツク、所定の四角形のパター
ンレジスター16を含むブロツクは画像信号装置
9の機能を示すブロツク、異常値の検出装置1
9、X−Yステージの位置情報20、XYの重な
り座標の情報21、AND回路22、マージン設
定信号23を含むブロツクは検出装置10の機能
を示すブロツクである。11はレチクルマスク上
を複数の走査線で走査する走査信号であり、ネガ
テイブ部分が高レベル、ポジテイブ部分がゼロレ
ベルとなつている。12は一定のパルス波の基準
信号であつて、13のAND回路で11の走査信
号がパルス化される。
FIG. 2 is a block diagram of a detection method in an image processing device, in which a scanning signal 11, a reference signal 12,
The block including the AND circuit 13 and the counter 14 is a block showing the function of the A-D converter 6, and the block including the first memory circuit 15 and the second memory circuit 17 is a block showing the function of the bit memory 7, and a comparison circuit. 18 is a block showing the function of the image processing device 8, a block including a predetermined rectangular pattern register 16 is a block showing the function of the image signal device 9, and an abnormal value detection device 1.
9, a block including X-Y stage position information 20, XY overlapping coordinate information 21, an AND circuit 22, and a margin setting signal 23 is a block indicating the function of the detection device 10. Reference numeral 11 denotes a scanning signal that scans the reticle mask with a plurality of scanning lines, and the negative portion is at a high level and the positive portion is at a zero level. 12 is a constant pulse wave reference signal, and 11 scanning signals are converted into pulses by 13 AND circuits.

14はカウンターであつて、走査したパルス数
を走査線毎にカウントして第1のメモリー回路1
5にメモリーするが、このメモリーには同時に走
査信号からのトリガーによつて、走査開始時と走
査終了時のパルスが入力される。
14 is a counter which counts the number of scanned pulses for each scanning line and outputs the number of scanned pulses to the first memory circuit 1.
At the same time, pulses at the start of scanning and at the end of scanning are input to this memory by a trigger from the scanning signal.

16は最初に設定される所定の四角形のパター
ン図形レジスターであり、信号は所定の寸法(例
えば最小矩形の寸法)に相当してパルス化されて
いる。
Reference numeral 16 denotes a predetermined rectangular pattern figure register that is initially set, and a signal is pulsed corresponding to a predetermined dimension (for example, the minimum rectangular dimension).

17は第2のメモリー回路であつて、ここで
は、カウンター14から初期値のみが書き込まれ
る。
17 is a second memory circuit, in which only the initial value from the counter 14 is written.

18は比較回路であつて、第1のメモリー回路
15からの情報と第2のメモリー回路17からの
情報の比較および第1のメモリー回路15からの
情報と所定の四角形のパターン図形レジスタ16
からの情報の比較が行われて異常値の検出装置1
9に出力されるが、同時にX−Yステージの位置
情報20とXYの重なり座標の情報21がAND
回路22を介して入力される。
18 is a comparison circuit that compares information from the first memory circuit 15 and information from the second memory circuit 17, and compares information from the first memory circuit 15 and a predetermined rectangular pattern figure register 16.
The abnormal value detection device 1 compares the information from
9, but at the same time, the X-Y stage position information 20 and the XY overlap coordinate information 21 are ANDed.
It is input via circuit 22.

又この際に異常値と判断するために或る程度の
マージンをもつて判断することが必要なため、2
3のマージン設定信号が入力され、マージンが加
味された検査結果が出力として検出される。
Also, in this case, it is necessary to have a certain margin in order to judge it as an abnormal value, so 2.
The margin setting signal No. 3 is input, and the test result with the margin added is detected as an output.

第3図A乃至Eは上記実施例の波形であるが、
第2図のブロツク図にその部分を対応する記号で
示している。
FIGS. 3A to 3E are waveforms of the above example,
In the block diagram of FIG. 2, these parts are indicated by corresponding symbols.

第4図1はレチクルマスク25のポジテイブパ
ターン図形中にネガテイブ欠陥部分26があるも
のとし、欠陥部分が所定の四角形27より小であ
るとした場合の具体的な走査例を示している。
FIG. 4 shows a specific example of scanning when it is assumed that there is a negative defect portion 26 in the positive pattern figure of the reticle mask 25, and the defect portion is smaller than a predetermined square 27.

走査は図のようにレチクルマスクを複数の区域
に分割して、それぞれの区域を走査するが、例え
ば走査区域をa、b、c、d、eと分割して走査
をすると、走査信号(第3図のAに対応)は第4
図2のようになる。走査信号の信号は第4図1の
走査区域に対応する信号で表示されている。
In scanning, the reticle mask is divided into multiple areas as shown in the figure, and each area is scanned. For example, if the scanning area is divided into a, b, c, d, and e and scanned, the scanning signal (the (corresponding to A in Figure 3) is the fourth
It will look like Figure 2. The signals of the scanning signal are represented by the signals corresponding to the scanning area of FIG. 41.

各a、b、c、d、eの走査信号はレチクルマ
スクの長さ方向で欠陥部がないため連続である
が、cの走査信号はネガテイブ欠陥部分がないた
めポジテイブパターン部分はゼロレベルが連続す
るが、cの走査信号はネガテイブ欠陥部分がある
ため、欠陥区域の長さの分だけが高レベルとな
る。
Each of the scanning signals a, b, c, d, and e is continuous because there is no defect in the length direction of the reticle mask, but the scanning signal c is continuous at zero level in the positive pattern part because there is no negative defect. However, since there is a negative defect in the scanning signal c, the level becomes high only by the length of the defect area.

基準信号(第3図のBに対応)は第5図にしめ
してあり、第4図2にしめす波形とのANDをと
ることによつてネガテイブ欠陥部分の信号はパル
ス化できることになる。
The reference signal (corresponding to B in FIG. 3) is shown in FIG. 5, and by ANDing it with the waveform shown in FIG. 4, the signal of the negative defect portion can be made into a pulse.

(g) 発明の効果 以上詳細に説明したように、本発明のレチクル
マスクの検査装置を採用することにより、ポジテ
イブパターン図形中にあるネガテイブ欠陥を容易
且つ確実に検出する方法に供し得るという効果大
なるものがある。効果大なるものがある。なお本
願発明はポジテイブパターン内のネガテイブ欠陥
に関するものであるが、ネガテイブパターン内の
ポジテイブ欠陥についてもポジテイブ、ネガテイ
ブの反転により同様に適用しうることは明らかで
ある。
(g) Effects of the Invention As explained in detail above, by employing the reticle mask inspection apparatus of the present invention, a method for easily and reliably detecting negative defects in positive pattern figures can be provided. There is something. There are some things that are very effective. Although the present invention relates to negative defects within a positive pattern, it is clear that the present invention can be similarly applied to positive defects within a negative pattern by reversing the positive and negative patterns.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の検査装置のブロツク図。第2
図は画像処理の検出方法のブロツク図。第3図は
上記実施例の波形図。第4図は波形信号図。第5
図は基準信号図を示す。 図において1はレチクルマスク、2は照明、3
は光学系、4は受光系、5は受光信号、6はA−
D変換器、7はビツトメモリー、8は画像処理装
置、9は画像信号装置、10は検出装置、11は
走査信号、12は基準信号、13はAND回路、
14はカウンター、15は第1のメモリー回路、
16は所定の四角形のパターン図形レジスター、
17は第2のメモリー回路、18は比較回路、1
9は異常値の検出装置、20はX−Yステージの
位置情報、21はXYの重なり座標の情報、22
はAND回路、23はマージン設定信号、25は
レチクルマスク、26はネガテイブ欠陥部分、2
7は所定寸法の四角形である。
FIG. 1 is a block diagram of an inspection apparatus according to the present invention. Second
The figure is a block diagram of the image processing detection method. FIG. 3 is a waveform diagram of the above embodiment. Figure 4 is a waveform signal diagram. Fifth
The figure shows a reference signal diagram. In the figure, 1 is the reticle mask, 2 is the illumination, and 3 is the reticle mask.
is an optical system, 4 is a light receiving system, 5 is a light receiving signal, 6 is A-
D converter, 7 is a bit memory, 8 is an image processing device, 9 is an image signal device, 10 is a detection device, 11 is a scanning signal, 12 is a reference signal, 13 is an AND circuit,
14 is a counter, 15 is a first memory circuit,
16 is a predetermined rectangular pattern figure register;
17 is a second memory circuit, 18 is a comparison circuit, 1
9 is an abnormal value detection device, 20 is X-Y stage position information, 21 is XY overlapping coordinate information, 22
is an AND circuit, 23 is a margin setting signal, 25 is a reticle mask, 26 is a negative defect area, 2
7 is a rectangle with predetermined dimensions.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 最小のパターン設計の単位である最小設計矩
形から構成されたポジテイブパターンをマスク検
査装置により検査し、該ポジテイブパターン内に
存在するネガテイブ欠陥を検出するパターン検査
法において、該最小設計矩形の寸法を予め該マス
ク検査装置に登録しておき、該ポジテイブパター
ン内に存在するネガテイブ部分の寸法を登録され
た該最小設計矩形の寸法と比較して、該最小設計
矩形の寸法より小なる寸法のネガテイブ部分をネ
ガテイブ欠陥として検出することを特徴とするマ
スクの検査方法。
1 In a pattern inspection method in which a positive pattern consisting of a minimum design rectangle, which is the unit of minimum pattern design, is inspected by a mask inspection device and negative defects existing in the positive pattern are detected, the dimensions of the minimum design rectangle are It is registered in the mask inspection device in advance, and the dimensions of the negative portion existing in the positive pattern are compared with the registered dimensions of the minimum design rectangle, and the negative portions having dimensions smaller than the dimensions of the minimum design rectangle are detected. A mask inspection method characterized by detecting as a negative defect.
JP59077828A 1984-04-17 1984-04-17 Inspection for mask Granted JPS60220934A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59077828A JPS60220934A (en) 1984-04-17 1984-04-17 Inspection for mask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59077828A JPS60220934A (en) 1984-04-17 1984-04-17 Inspection for mask

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60220934A JPS60220934A (en) 1985-11-05
JPH0458623B2 true JPH0458623B2 (en) 1992-09-18

Family

ID=13644898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59077828A Granted JPS60220934A (en) 1984-04-17 1984-04-17 Inspection for mask

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60220934A (en)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53117978A (en) * 1977-03-25 1978-10-14 Hitachi Ltd Automatic mask appearance inspection apparatus
JPS5491181A (en) * 1977-12-28 1979-07-19 Fujitsu Ltd Pattern deffect discrimination

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60220934A (en) 1985-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4532650A (en) Photomask inspection apparatus and method using corner comparator defect detection algorithm
JPH0160767B2 (en)
JPS60215286A (en) Method and apparatus for optoelectronic inspection of surface pattern of object
US4778745A (en) Defect detection method of semiconductor wafer patterns
KR960013357B1 (en) Image data inspection method and device
EP0129751A2 (en) Method and apparatus for inspecting a photomask reticle for semiconductor device fabrication
US4123170A (en) Apparatus for detecting defects in patterns
US4527070A (en) Method and apparatus for inspecting a pattern
JPH0458623B2 (en)
JPH048780B2 (en)
JPH09211840A (en) Reticle inspection method and inspection apparatus, and pattern inspection method and inspection apparatus
JPS60231325A (en) Inspection of mask
JPS58196445A (en) Method of inspecting mask
JPS63124939A (en) Pattern inspection method and device
JPH0145735B2 (en)
JPH01239922A (en) Pattern defect inspecting device
JPS63114231A (en) Wafer inspection device
JPS6135303A (en) Pattern defect inspecting instrument
JPS5846636A (en) Inspecting device for defect of pattern
JPH02110565A (en) Method and device for photo-mask inspection
JPS6165444A (en) Inspecting method for circuit pattern appearance of chip to be inspected and device therefor
JPH01305477A (en) Method for inspecting appearance defect
JPH0318851A (en) Photomask and inspecting method thereof
JPH01305344A (en) Pattern defect inspection equipment
JPH03152406A (en) Pattern inspection method