JPH0458623B2 - - Google Patents
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- JPH0458623B2 JPH0458623B2 JP59077828A JP7782884A JPH0458623B2 JP H0458623 B2 JPH0458623 B2 JP H0458623B2 JP 59077828 A JP59077828 A JP 59077828A JP 7782884 A JP7782884 A JP 7782884A JP H0458623 B2 JPH0458623 B2 JP H0458623B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- negative
- signal
- mask
- dimensions
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明はマスクの検査方法に係り、特にフオト
マスク又はウエハーチツプのパターン面の欠陥の
検出方法に関する。
マスク又はウエハーチツプのパターン面の欠陥の
検出方法に関する。
(b) 技術の背景
近年、半導体装置や半導体集積回路の高性能化
と高集積化により、パターン図形の緻密化が進
み、これに使用されるマスクや、ウエハーチツプ
も一段と精度の向上が必要とされる。
と高集積化により、パターン図形の緻密化が進
み、これに使用されるマスクや、ウエハーチツプ
も一段と精度の向上が必要とされる。
特に半導体装置の場合には、製造における多く
の工程で光によりパターニングをするフオトリソ
グラフイーの技術が採用されていて、これに使用
されるフオトマスクの種類も極めて多い。
の工程で光によりパターニングをするフオトリソ
グラフイーの技術が採用されていて、これに使用
されるフオトマスクの種類も極めて多い。
このフオトマスクのパターン図形面に、何等か
の原因で傷とか、黒のポジテブパターン図形のな
かに白の欠陥があると、パターニングされた半導
体ウエハー面上にそのままフオトマスクの欠陥の
部分が顕れるため、フオトマスクの検査には特に
入念にする必要がある。
の原因で傷とか、黒のポジテブパターン図形のな
かに白の欠陥があると、パターニングされた半導
体ウエハー面上にそのままフオトマスクの欠陥の
部分が顕れるため、フオトマスクの検査には特に
入念にする必要がある。
然しながら、半導体集積回路の高性能化と高集
積度の増大によりフオトマスクのパターニングさ
れた図形も精緻であるため、従来の顕微鏡のみに
よる検査については時間を要するのと、パターン
図形面の欠陥をも見落とすという欠点があり、検
査方法の改善が要望されている。
積度の増大によりフオトマスクのパターニングさ
れた図形も精緻であるため、従来の顕微鏡のみに
よる検査については時間を要するのと、パターン
図形面の欠陥をも見落とすという欠点があり、検
査方法の改善が要望されている。
(c) 従来技術と問題点
従来行つているフオトマスクの検査方法は、レ
テイクルといわれるマスクを検査するものであつ
て、このレテイクルの大きさは実際に使用される
フオトマスクより、一辺の長さが約10倍程度の大
きさの原板であつて、このレテイクルに欠陥がな
く完全なものあれば縮刷されて実用のフオトマス
クが製作される。
テイクルといわれるマスクを検査するものであつ
て、このレテイクルの大きさは実際に使用される
フオトマスクより、一辺の長さが約10倍程度の大
きさの原板であつて、このレテイクルに欠陥がな
く完全なものあれば縮刷されて実用のフオトマス
クが製作される。
このレテイクルのパターン面の欠陥の検査方法
には主に２種類があり、第１はレテイクル表面に
パターニングされたパターンが繰り返えされてパ
ターニングされていることを利用して複数個のパ
ターニングされた同一のレテイクルを重合わせて
比較し、パターニング図形の検査をする方法であ
る。
には主に２種類があり、第１はレテイクル表面に
パターニングされたパターンが繰り返えされてパ
ターニングされていることを利用して複数個のパ
ターニングされた同一のレテイクルを重合わせて
比較し、パターニング図形の検査をする方法であ
る。
この場合は、レテイクルの表面上を拡大鏡で走
査し、その映像をイメージセンサーで電気信号に
変換して映像装置に入力してグラフイク化するも
ので、検査はこのグラフイク面のパターニングを
目視で行われる。
査し、その映像をイメージセンサーで電気信号に
変換して映像装置に入力してグラフイク化するも
ので、検査はこのグラフイク面のパターニングを
目視で行われる。
第２はコンピューターに入力されたデータパタ
ーンと比較する方法である。
ーンと比較する方法である。
この方法では、検査するレテイクルをビデオカ
メラで走査して、そのビデオ信号をデジタル信号
に変換した後に磁気テープMTに入力し、このデ
ータと設計時のMTを比較する方法である。
メラで走査して、そのビデオ信号をデジタル信号
に変換した後に磁気テープMTに入力し、このデ
ータと設計時のMTを比較する方法である。
然しながら、この両者のいずれにも欠点があつ
て、第１のパターニングの繰り返えし性を利用し
た比較方法では、重合わせた複数のレテイクルの
パターン面に共通の欠陥が存在する時には、その
欠陥を摘出することが不可能であり、第２のデー
タパターンと比較する方法では、データパターン
を製作する煩雑さと、実パターン面に全く同様に
データを製作することが困難であるという欠点が
ある。
て、第１のパターニングの繰り返えし性を利用し
た比較方法では、重合わせた複数のレテイクルの
パターン面に共通の欠陥が存在する時には、その
欠陥を摘出することが不可能であり、第２のデー
タパターンと比較する方法では、データパターン
を製作する煩雑さと、実パターン面に全く同様に
データを製作することが困難であるという欠点が
ある。
(d) 発明の目的
本発明は、上記従来の欠点に鑑み、半導体装置
等に使用されるフオトマスクのパターン面の欠陥
を検出するために、レテイクルにパターニングさ
れたポジテイブパターン図形面にそのポジテイブ
パターン図形を構成する最小パターン図形の寸法
より小さい寸法のネガテイブ部分が在るときに
は、そのネガテイブ部分を欠陥として検出する新
たな検査方法により、フオトマスクの精度向上
と、レテイクルのパターン面の検査が容易に実施
できる方法を提供することを目的とする。
等に使用されるフオトマスクのパターン面の欠陥
を検出するために、レテイクルにパターニングさ
れたポジテイブパターン図形面にそのポジテイブ
パターン図形を構成する最小パターン図形の寸法
より小さい寸法のネガテイブ部分が在るときに
は、そのネガテイブ部分を欠陥として検出する新
たな検査方法により、フオトマスクの精度向上
と、レテイクルのパターン面の検査が容易に実施
できる方法を提供することを目的とする。
(e) 発明の構成
この目的は、本発明によれば、最小パターン設
計の単位である最小設計矩形から構成されたポジ
テイブパターンをマスク検査装置により検査し、
該ポジテイブパターン内に存在するネガテイブ欠
陥を検出するパターン検査法において、該最小設
計矩形の寸法を予め該マスク検査装置に登録して
おき、該ポジテイブパターン内に存在するネガテ
イブ部分の寸法を登録された該最小設計矩形の寸
法と比較して、該最小設計矩形の寸法より小なる
寸法ネガテイブ部分をネガテイブ欠陥として検出
することを特徴とするマスクの検査方法を提供す
ることによつて達成できる。
計の単位である最小設計矩形から構成されたポジ
テイブパターンをマスク検査装置により検査し、
該ポジテイブパターン内に存在するネガテイブ欠
陥を検出するパターン検査法において、該最小設
計矩形の寸法を予め該マスク検査装置に登録して
おき、該ポジテイブパターン内に存在するネガテ
イブ部分の寸法を登録された該最小設計矩形の寸
法と比較して、該最小設計矩形の寸法より小なる
寸法ネガテイブ部分をネガテイブ欠陥として検出
することを特徴とするマスクの検査方法を提供す
ることによつて達成できる。
(f) 発明の実施例
本発明は、レチクルマスクのポジテイブパター
ン図形のなかに含まれる欠陥部を検査して欠陥部
分を検出する方法であり、マスクの黒のポジテイ
ブパターン図形のなかに、欠陥部をネガテイブの
白として存在するから、この欠陥部を判定出来る
所定の四角形を検査器に入力しておくことによつ
て、検査するマスクのポジテイブパターン図形に
あるネガテイブの白の欠陥部が上記の所定の四角
形に比較して大なる時には欠陥部がないと判断さ
れ、反対に所定の四角形に比較して小なる時には
欠陥部と判断される。
ン図形のなかに含まれる欠陥部を検査して欠陥部
分を検出する方法であり、マスクの黒のポジテイ
ブパターン図形のなかに、欠陥部をネガテイブの
白として存在するから、この欠陥部を判定出来る
所定の四角形を検査器に入力しておくことによつ
て、検査するマスクのポジテイブパターン図形に
あるネガテイブの白の欠陥部が上記の所定の四角
形に比較して大なる時には欠陥部がないと判断さ
れ、反対に所定の四角形に比較して小なる時には
欠陥部と判断される。
これは一般にマスクのパターンが最小パターン
図形例えば最小矩形を組み合わせたもの、つまり
繰り返しにすぎないため、その最小矩形を上記所
定の四角形とすれば、その四角形内に白の部分が
存在することは正常なパターンでは起こり得ない
という考えにもとずくものである。
図形例えば最小矩形を組み合わせたもの、つまり
繰り返しにすぎないため、その最小矩形を上記所
定の四角形とすれば、その四角形内に白の部分が
存在することは正常なパターンでは起こり得ない
という考えにもとずくものである。
第１図は本発明によるマスク検査装置のブロツ
ク図であるが、１は被検査体のレチクルマスクで
あり、２は被検査体を照明する証明系、３ほ光学
系であつてマスクのパターン図形を読み取るよう
に設定され、４は受光系でイメージセンサー等で
光信号に変換される。
ク図であるが、１は被検査体のレチクルマスクで
あり、２は被検査体を照明する証明系、３ほ光学
系であつてマスクのパターン図形を読み取るよう
に設定され、４は受光系でイメージセンサー等で
光信号に変換される。
この光信号は受光信号器５で受光され、６のＡ
−Ｄ変換器で波形成形がなされて、７のビツトメ
モリーに転換され、８の画像処理装置に入力され
るが、この画像処理には予め所定の四角形の画像
信号装置９からの信号が入力されているために、
これら両者が比較されて比較結果が検出装置１０
に表示される。
−Ｄ変換器で波形成形がなされて、７のビツトメ
モリーに転換され、８の画像処理装置に入力され
るが、この画像処理には予め所定の四角形の画像
信号装置９からの信号が入力されているために、
これら両者が比較されて比較結果が検出装置１０
に表示される。
第２図は画像処理装置における検出方法のブロ
ツク図であり、走査信号１１、基準信号１２、
AND回路１３、カウンタ１４を含むブロツクは
Ａ−Ｄ変換器６の機能を示すブロツク、第１のメ
モリー回路１５、第２のメモリー回路１７を含む
ブロツクはビツトメモリー７の機能を示すブロツ
ク、比較回路１８を含むブロツクは画像処理装置
８の機能を示すブロツク、所定の四角形のパター
ンレジスター１６を含むブロツクは画像信号装置
９の機能を示すブロツク、異常値の検出装置１
９、Ｘ−Ｙステージの位置情報２０、XYの重な
り座標の情報２１、AND回路２２、マージン設
定信号２３を含むブロツクは検出装置１０の機能
を示すブロツクである。１１はレチクルマスク上
を複数の走査線で走査する走査信号であり、ネガ
テイブ部分が高レベル、ポジテイブ部分がゼロレ
ベルとなつている。１２は一定のパルス波の基準
信号であつて、１３のAND回路で１１の走査信
号がパルス化される。
ツク図であり、走査信号１１、基準信号１２、
AND回路１３、カウンタ１４を含むブロツクは
Ａ−Ｄ変換器６の機能を示すブロツク、第１のメ
モリー回路１５、第２のメモリー回路１７を含む
ブロツクはビツトメモリー７の機能を示すブロツ
ク、比較回路１８を含むブロツクは画像処理装置
８の機能を示すブロツク、所定の四角形のパター
ンレジスター１６を含むブロツクは画像信号装置
９の機能を示すブロツク、異常値の検出装置１
９、Ｘ−Ｙステージの位置情報２０、XYの重な
り座標の情報２１、AND回路２２、マージン設
定信号２３を含むブロツクは検出装置１０の機能
を示すブロツクである。１１はレチクルマスク上
を複数の走査線で走査する走査信号であり、ネガ
テイブ部分が高レベル、ポジテイブ部分がゼロレ
ベルとなつている。１２は一定のパルス波の基準
信号であつて、１３のAND回路で１１の走査信
号がパルス化される。
１４はカウンターであつて、走査したパルス数
を走査線毎にカウントして第１のメモリー回路１
５にメモリーするが、このメモリーには同時に走
査信号からのトリガーによつて、走査開始時と走
査終了時のパルスが入力される。
を走査線毎にカウントして第１のメモリー回路１
５にメモリーするが、このメモリーには同時に走
査信号からのトリガーによつて、走査開始時と走
査終了時のパルスが入力される。
１６は最初に設定される所定の四角形のパター
ン図形レジスターであり、信号は所定の寸法（例
えば最小矩形の寸法）に相当してパルス化されて
いる。
ン図形レジスターであり、信号は所定の寸法（例
えば最小矩形の寸法）に相当してパルス化されて
いる。
１７は第２のメモリー回路であつて、ここで
は、カウンター１４から初期値のみが書き込まれ
る。
は、カウンター１４から初期値のみが書き込まれ
る。
１８は比較回路であつて、第１のメモリー回路
１５からの情報と第２のメモリー回路１７からの
情報の比較および第１のメモリー回路１５からの
情報と所定の四角形のパターン図形レジスタ１６
からの情報の比較が行われて異常値の検出装置１
９に出力されるが、同時にＸ−Ｙステージの位置
情報２０とXYの重なり座標の情報２１がAND
回路２２を介して入力される。
１５からの情報と第２のメモリー回路１７からの
情報の比較および第１のメモリー回路１５からの
情報と所定の四角形のパターン図形レジスタ１６
からの情報の比較が行われて異常値の検出装置１
９に出力されるが、同時にＸ−Ｙステージの位置
情報２０とXYの重なり座標の情報２１がAND
回路２２を介して入力される。
又この際に異常値と判断するために或る程度の
マージンをもつて判断することが必要なため、２
３のマージン設定信号が入力され、マージンが加
味された検査結果が出力として検出される。
マージンをもつて判断することが必要なため、２
３のマージン設定信号が入力され、マージンが加
味された検査結果が出力として検出される。
第３図Ａ乃至Ｅは上記実施例の波形であるが、
第２図のブロツク図にその部分を対応する記号で
示している。
第２図のブロツク図にその部分を対応する記号で
示している。
第４図１はレチクルマスク２５のポジテイブパ
ターン図形中にネガテイブ欠陥部分２６があるも
のとし、欠陥部分が所定の四角形２７より小であ
るとした場合の具体的な走査例を示している。
ターン図形中にネガテイブ欠陥部分２６があるも
のとし、欠陥部分が所定の四角形２７より小であ
るとした場合の具体的な走査例を示している。
走査は図のようにレチクルマスクを複数の区域
に分割して、それぞれの区域を走査するが、例え
ば走査区域をａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅと分割して走査
をすると、走査信号（第３図のＡに対応）は第４
図２のようになる。走査信号の信号は第４図１の
走査区域に対応する信号で表示されている。
に分割して、それぞれの区域を走査するが、例え
ば走査区域をａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅと分割して走査
をすると、走査信号（第３図のＡに対応）は第４
図２のようになる。走査信号の信号は第４図１の
走査区域に対応する信号で表示されている。
各ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅの走査信号はレチクルマ
スクの長さ方向で欠陥部がないため連続である
が、ｃの走査信号はネガテイブ欠陥部分がないた
めポジテイブパターン部分はゼロレベルが連続す
るが、ｃの走査信号はネガテイブ欠陥部分がある
ため、欠陥区域の長さの分だけが高レベルとな
る。
スクの長さ方向で欠陥部がないため連続である
が、ｃの走査信号はネガテイブ欠陥部分がないた
めポジテイブパターン部分はゼロレベルが連続す
るが、ｃの走査信号はネガテイブ欠陥部分がある
ため、欠陥区域の長さの分だけが高レベルとな
る。
基準信号（第３図のＢに対応）は第５図にしめ
してあり、第４図２にしめす波形とのANDをと
ることによつてネガテイブ欠陥部分の信号はパル
ス化できることになる。
してあり、第４図２にしめす波形とのANDをと
ることによつてネガテイブ欠陥部分の信号はパル
ス化できることになる。
(g) 発明の効果
以上詳細に説明したように、本発明のレチクル
マスクの検査装置を採用することにより、ポジテ
イブパターン図形中にあるネガテイブ欠陥を容易
且つ確実に検出する方法に供し得るという効果大
なるものがある。効果大なるものがある。なお本
願発明はポジテイブパターン内のネガテイブ欠陥
に関するものであるが、ネガテイブパターン内の
ポジテイブ欠陥についてもポジテイブ、ネガテイ
ブの反転により同様に適用しうることは明らかで
ある。
マスクの検査装置を採用することにより、ポジテ
イブパターン図形中にあるネガテイブ欠陥を容易
且つ確実に検出する方法に供し得るという効果大
なるものがある。効果大なるものがある。なお本
願発明はポジテイブパターン内のネガテイブ欠陥
に関するものであるが、ネガテイブパターン内の
ポジテイブ欠陥についてもポジテイブ、ネガテイ
ブの反転により同様に適用しうることは明らかで
ある。
第１図は本発明の検査装置のブロツク図。第２
図は画像処理の検出方法のブロツク図。第３図は
上記実施例の波形図。第４図は波形信号図。第５
図は基準信号図を示す。 図において１はレチクルマスク、２は照明、３
は光学系、４は受光系、５は受光信号、６はＡ−
Ｄ変換器、７はビツトメモリー、８は画像処理装
置、９は画像信号装置、１０は検出装置、１１は
走査信号、１２は基準信号、１３はAND回路、
１４はカウンター、１５は第１のメモリー回路、
１６は所定の四角形のパターン図形レジスター、
１７は第２のメモリー回路、１８は比較回路、１
９は異常値の検出装置、２０はＸ−Ｙステージの
位置情報、２１はXYの重なり座標の情報、２２
はAND回路、２３はマージン設定信号、２５は
レチクルマスク、２６はネガテイブ欠陥部分、２
７は所定寸法の四角形である。
図は画像処理の検出方法のブロツク図。第３図は
上記実施例の波形図。第４図は波形信号図。第５
図は基準信号図を示す。 図において１はレチクルマスク、２は照明、３
は光学系、４は受光系、５は受光信号、６はＡ−
Ｄ変換器、７はビツトメモリー、８は画像処理装
置、９は画像信号装置、１０は検出装置、１１は
走査信号、１２は基準信号、１３はAND回路、
１４はカウンター、１５は第１のメモリー回路、
１６は所定の四角形のパターン図形レジスター、
１７は第２のメモリー回路、１８は比較回路、１
９は異常値の検出装置、２０はＸ−Ｙステージの
位置情報、２１はXYの重なり座標の情報、２２
はAND回路、２３はマージン設定信号、２５は
レチクルマスク、２６はネガテイブ欠陥部分、２
７は所定寸法の四角形である。
Claims (1)
- １ 最小のパターン設計の単位である最小設計矩
形から構成されたポジテイブパターンをマスク検
査装置により検査し、該ポジテイブパターン内に
存在するネガテイブ欠陥を検出するパターン検査
法において、該最小設計矩形の寸法を予め該マス
ク検査装置に登録しておき、該ポジテイブパター
ン内に存在するネガテイブ部分の寸法を登録され
た該最小設計矩形の寸法と比較して、該最小設計
矩形の寸法より小なる寸法のネガテイブ部分をネ
ガテイブ欠陥として検出することを特徴とするマ
スクの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077828A JPS60220934A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | マスクの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077828A JPS60220934A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | マスクの検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60220934A JPS60220934A (ja) | 1985-11-05 |
| JPH0458623B2 true JPH0458623B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=13644898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59077828A Granted JPS60220934A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | マスクの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60220934A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53117978A (en) * | 1977-03-25 | 1978-10-14 | Hitachi Ltd | Automatic mask appearance inspection apparatus |
| JPS5491181A (en) * | 1977-12-28 | 1979-07-19 | Fujitsu Ltd | Pattern deffect discrimination |
-
1984
- 1984-04-17 JP JP59077828A patent/JPS60220934A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60220934A (ja) | 1985-11-05 |
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