JPH0458902B2 - - Google Patents
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- JPH0458902B2 JPH0458902B2 JP7163486A JP7163486A JPH0458902B2 JP H0458902 B2 JPH0458902 B2 JP H0458902B2 JP 7163486 A JP7163486 A JP 7163486A JP 7163486 A JP7163486 A JP 7163486A JP H0458902 B2 JPH0458902 B2 JP H0458902B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、たとえば被検査材としての鋼板、シ
リコンウエハ、セラミツク等の表面の欠陥(庇、
凹凸、錆等)を検出するための装置に関し、更に
詳述すれば、レーザなどの光ビームを被検査材表
面に照射し、その反射光の状態に基づいて欠陥の
検査を行う装置に関する。
リコンウエハ、セラミツク等の表面の欠陥(庇、
凹凸、錆等)を検出するための装置に関し、更に
詳述すれば、レーザなどの光ビームを被検査材表
面に照射し、その反射光の状態に基づいて欠陥の
検査を行う装置に関する。
鋼板等の被検査材表面のに欠陥を正確にしかも
短時間で検査する装置が種々開発され、実用化さ
れている。
短時間で検査する装置が種々開発され、実用化さ
れている。
たとえば、特開昭52−10793号には、被検査材
表面からの正反射光のみを受光する受光器と乱反
射光のみを受光する受光器とを備え、両者の受光
結果を比較することにより、被検査材表面の欠陥
を検出する装置が提案されている。
表面からの正反射光のみを受光する受光器と乱反
射光のみを受光する受光器とを備え、両者の受光
結果を比較することにより、被検査材表面の欠陥
を検出する装置が提案されている。
また、特公昭59−33855号には、被検査材表面
からの反射散乱光を複数の光検出器にて検出する
ことにより反射散乱光の分布状態を検出し、この
結果から被検査材表面の欠陥を検出する方法が提
案されている。
からの反射散乱光を複数の光検出器にて検出する
ことにより反射散乱光の分布状態を検出し、この
結果から被検査材表面の欠陥を検出する方法が提
案されている。
更に、特開昭51−31281号には、被検査材表面
からの反射光を複数の光検出器にて受光し、それ
ぞれの光検出器の出力をそれぞれ別個の可変ゲイ
ン回路を介して検出するようにしておき、各可変
ゲイン回路のゲインを正常な材料表面からの反射
光が遮断されるように設定しておく、換言すれば
複数の可変ゲイン回路にて電気的フイルタを構成
し、これにより欠陥に起因する反射光のみを検出
するという装置が提案されている。
からの反射光を複数の光検出器にて受光し、それ
ぞれの光検出器の出力をそれぞれ別個の可変ゲイ
ン回路を介して検出するようにしておき、各可変
ゲイン回路のゲインを正常な材料表面からの反射
光が遮断されるように設定しておく、換言すれば
複数の可変ゲイン回路にて電気的フイルタを構成
し、これにより欠陥に起因する反射光のみを検出
するという装置が提案されている。
更にまた、特開昭58−77642号には、特定欠陥
の反射光が正常部分の反射光量と一致するように
反射光を受光する受光器を備えることにより、特
定欠陥以外の欠陥に起因する反射光を検出する方
法が提案されている。
の反射光が正常部分の反射光量と一致するように
反射光を受光する受光器を備えることにより、特
定欠陥以外の欠陥に起因する反射光を検出する方
法が提案されている。
このように、被検査材表面の欠陥を検出する目
的で上述の如く種々の発明が提案されていはいる
が、たとえば第1の特開昭52−10793号の発明で
は、正反射光を受光する受光器と乱反射光を受光
する受光器とがそれぞれ固定されているため、被
検査材の材質の変化あるいは欠陥では無い状態変
化、たとえば加工・仕上げ方法の相違による表面
粗さの変化等に対処するにはそれぞれの受光器を
取り替えるか、あるいは設置位置を変更する等の
必要が有る。従つて、ある特定の正常な状態を基
準として欠陥検出を行う場合には有効ではある
が、欠陥検出の基準が変更される場合には迅速な
対応が不可能である。
的で上述の如く種々の発明が提案されていはいる
が、たとえば第1の特開昭52−10793号の発明で
は、正反射光を受光する受光器と乱反射光を受光
する受光器とがそれぞれ固定されているため、被
検査材の材質の変化あるいは欠陥では無い状態変
化、たとえば加工・仕上げ方法の相違による表面
粗さの変化等に対処するにはそれぞれの受光器を
取り替えるか、あるいは設置位置を変更する等の
必要が有る。従つて、ある特定の正常な状態を基
準として欠陥検出を行う場合には有効ではある
が、欠陥検出の基準が変更される場合には迅速な
対応が不可能である。
第2の特公昭59−33855号の発明では、やはり
被検査材の材質の変化あるいは加工・仕上げ方法
の相違等に起因する正常な反射光の変化を欠陥に
起因する反射光として検出する可能性があり、こ
のような事態に対処するには、被検査材の材質、
加工・仕上げ方法等に応じた反射散乱光の分布状
態を予め把握しておき、その都度複数の受光器の
位置等を調整する必要がある。
被検査材の材質の変化あるいは加工・仕上げ方法
の相違等に起因する正常な反射光の変化を欠陥に
起因する反射光として検出する可能性があり、こ
のような事態に対処するには、被検査材の材質、
加工・仕上げ方法等に応じた反射散乱光の分布状
態を予め把握しておき、その都度複数の受光器の
位置等を調整する必要がある。
第3の特公昭51−31281号の発明では、各ゲイ
ン回路のゲインを適宜変更設定することにより、
材質の変化等にも対応可能ではあるが、やはり事
前に被検査材の材質に応じて各ゲイン回路に設定
すべきゲインを予め調べておいてその都度調整を
し直す必要があり、従つて予め正常な状態が調べ
られている以外の他の正常な状態を基準として欠
陥検出する場合にはその都度検査処理を中断して
再調整を行う必要がある。
ン回路のゲインを適宜変更設定することにより、
材質の変化等にも対応可能ではあるが、やはり事
前に被検査材の材質に応じて各ゲイン回路に設定
すべきゲインを予め調べておいてその都度調整を
し直す必要があり、従つて予め正常な状態が調べ
られている以外の他の正常な状態を基準として欠
陥検出する場合にはその都度検査処理を中断して
再調整を行う必要がある。
第4の特開昭58−77642号の発明では、ここで
いう「特定の欠陥」とは実質的には欠陥でないあ
る状態、換言すれば正常な状態と見なし得る範囲
内における特定の状態変化を意味しているのであ
るが、それ以外の実質的には欠陥でない「特定の
欠陥」は欠陥として検出されることになり、また
実質的に欠陥ではない「特定の欠陥」を別の実質
的に欠陥でない「特定の欠陥」に変更する場合に
は、そのための受光器の取付け角度位置等を予め
調べておいてその都度再設定する必要がある。
いう「特定の欠陥」とは実質的には欠陥でないあ
る状態、換言すれば正常な状態と見なし得る範囲
内における特定の状態変化を意味しているのであ
るが、それ以外の実質的には欠陥でない「特定の
欠陥」は欠陥として検出されることになり、また
実質的に欠陥ではない「特定の欠陥」を別の実質
的に欠陥でない「特定の欠陥」に変更する場合に
は、そのための受光器の取付け角度位置等を予め
調べておいてその都度再設定する必要がある。
このように従来既に提案されている被検査材表
面の欠陥検出のための装置・方法では、ある特定
の材質に特定の加工・仕上げを施した場合、換言
すれば基準となる正常な状態が固定されているよ
うな場合については有効であると考えられる。し
かし、材質の変化、加工・仕上げ方法の変化等に
伴う正常と見なし得る範囲内での状態変化に追従
して対応することは不可能であるか、または対応
可能ではあつても予め被検査材の種々の材質、そ
のそれぞれに対する加工・仕上げ方法等について
正常と見なし得る範囲内の状態それぞれの各種の
条件を調べておく必要が有り、これらをその都度
設定し直していたのでは作業能率が低下するとい
う問題が有る。また多数の光検出器、信号処理回
路等を使用する装置・方法においてはそれらの正
確な調整及びメンテナンスのための負担が大きく
なり、経済性、作業性の面からも問題が多いとい
わざるを得ない。
面の欠陥検出のための装置・方法では、ある特定
の材質に特定の加工・仕上げを施した場合、換言
すれば基準となる正常な状態が固定されているよ
うな場合については有効であると考えられる。し
かし、材質の変化、加工・仕上げ方法の変化等に
伴う正常と見なし得る範囲内での状態変化に追従
して対応することは不可能であるか、または対応
可能ではあつても予め被検査材の種々の材質、そ
のそれぞれに対する加工・仕上げ方法等について
正常と見なし得る範囲内の状態それぞれの各種の
条件を調べておく必要が有り、これらをその都度
設定し直していたのでは作業能率が低下するとい
う問題が有る。また多数の光検出器、信号処理回
路等を使用する装置・方法においてはそれらの正
確な調整及びメンテナンスのための負担が大きく
なり、経済性、作業性の面からも問題が多いとい
わざるを得ない。
本発明は以上のような事情に鑑みてなされたも
のであり、特定の材質に特定の加工・仕上げを加
えた被検査材のみならず、被検査材の材質が変化
した場合にも、あるいは加工・仕上げ方法が変化
した場合にも、更にはたとえば圧延材の場合に圧
延ロールの摩耗状態による圧延材表面の経時的な
状態変化が生じたような場合、あるいは被検査材
表面に付着している油膜の厚さの経時的変化等に
も検査作業を中断すること無く対応可能であり、
また被検査材表面からの反射光を二次元的に検出
することにより正確に欠陥検出を行い得る被検査
材表面の欠陥検出装置の提供を目的とする。
のであり、特定の材質に特定の加工・仕上げを加
えた被検査材のみならず、被検査材の材質が変化
した場合にも、あるいは加工・仕上げ方法が変化
した場合にも、更にはたとえば圧延材の場合に圧
延ロールの摩耗状態による圧延材表面の経時的な
状態変化が生じたような場合、あるいは被検査材
表面に付着している油膜の厚さの経時的変化等に
も検査作業を中断すること無く対応可能であり、
また被検査材表面からの反射光を二次元的に検出
することにより正確に欠陥検出を行い得る被検査
材表面の欠陥検出装置の提供を目的とする。
本発明では、被検査材表面からの反射光を蓄積
型の二次元受光器により二次元像として受光して
その時間平均値を求めておき、所定時間経過する
都度、その所定時間内に大きな欠陥が発生せず、
また二次元受光器により得られた時間平均値とそ
の時点で可変光学フイルタに設定されているフイ
ルタパターンとを比較し、その差が所定範囲内で
あれば大きな欠陥が発生していなかつたものとし
て二次元受光器により得られた二次元像を可変光
学フイルタにそのフイルタパターンとして設定
し、検査材表面からの反射光をこの可変光学フイ
ルタに投射して欠陥に起因する反射光のみを通過
させることにより被検査材表面の欠陥を検出する
構成を採つている。
型の二次元受光器により二次元像として受光して
その時間平均値を求めておき、所定時間経過する
都度、その所定時間内に大きな欠陥が発生せず、
また二次元受光器により得られた時間平均値とそ
の時点で可変光学フイルタに設定されているフイ
ルタパターンとを比較し、その差が所定範囲内で
あれば大きな欠陥が発生していなかつたものとし
て二次元受光器により得られた二次元像を可変光
学フイルタにそのフイルタパターンとして設定
し、検査材表面からの反射光をこの可変光学フイ
ルタに投射して欠陥に起因する反射光のみを通過
させることにより被検査材表面の欠陥を検出する
構成を採つている。
本発明は、照射された光ビームの被検査材表面
からの反射光の状態と、正常な材料表面からの反
射光の状態とを比較することにより、被検査材表
面の欠陥を検査する装置において、前記光ビーム
の被検査材表面からの反射光を二分割する光分割
器と、該光分割器にて分割された一方の反射光を
二次元像として受光して蓄積する蓄積型二次元受
光器と、前記光分割器にて分割された他方の反射
光が投射される可変光学フイルタと、該可変光学
フイルタを透過した光を検出する光検出器と、該
光検出器の検出結果に基づいて被検査材表面の欠
陥を判定する欠陥判定器と、該欠陥判定器が所定
期間に亘つて欠陥を検出せず、また前記可変光学
フイルタにその時点で設定されているフイルタパ
ターンと前記蓄積型二次元受光器に蓄積されてい
る反射光のパターンとを比較してその差が所定範
囲内の場合には、前記蓄積型二次元受光器に蓄積
されている反射光のパターンを正常なフイルタパ
ターンとし、これを前記光学フイルタのフイルタ
パターンとして書換える書換え判定回路とを備え
たことを特徴とする。
からの反射光の状態と、正常な材料表面からの反
射光の状態とを比較することにより、被検査材表
面の欠陥を検査する装置において、前記光ビーム
の被検査材表面からの反射光を二分割する光分割
器と、該光分割器にて分割された一方の反射光を
二次元像として受光して蓄積する蓄積型二次元受
光器と、前記光分割器にて分割された他方の反射
光が投射される可変光学フイルタと、該可変光学
フイルタを透過した光を検出する光検出器と、該
光検出器の検出結果に基づいて被検査材表面の欠
陥を判定する欠陥判定器と、該欠陥判定器が所定
期間に亘つて欠陥を検出せず、また前記可変光学
フイルタにその時点で設定されているフイルタパ
ターンと前記蓄積型二次元受光器に蓄積されてい
る反射光のパターンとを比較してその差が所定範
囲内の場合には、前記蓄積型二次元受光器に蓄積
されている反射光のパターンを正常なフイルタパ
ターンとし、これを前記光学フイルタのフイルタ
パターンとして書換える書換え判定回路とを備え
たことを特徴とする。
本発明では、過去の所定期間における正常な状
態と見なし得る範囲内で変化する被検査材表面か
らの反射光の二次元像のパターンの時間平均値を
基準として欠陥に起因する反射光を検出している
ので、圧延ロールの磨耗に伴う圧延材表面の状態
変化あるいは被検査材表面の油膜の状態変化等に
より被検査材表面の状態が徐々に変化しても、条
件の設定変更あるいは部材の再調整等を行う必要
無しに欠陥検出の基準となるべき正常な反射光の
パターンが自動的に追従して変化するので、処理
速度、検査能率が向上し、経済性、作業性、検査
精度等も向上する。また、被検査材の材質の変
化、加工・仕上げ方法の変化等が有つた場合にも
正常な被検査材表面からの反射光の二次元像のパ
ターンを基準とすれば条件の再設定等を行うこと
無く迅速に対応することが可能である。
態と見なし得る範囲内で変化する被検査材表面か
らの反射光の二次元像のパターンの時間平均値を
基準として欠陥に起因する反射光を検出している
ので、圧延ロールの磨耗に伴う圧延材表面の状態
変化あるいは被検査材表面の油膜の状態変化等に
より被検査材表面の状態が徐々に変化しても、条
件の設定変更あるいは部材の再調整等を行う必要
無しに欠陥検出の基準となるべき正常な反射光の
パターンが自動的に追従して変化するので、処理
速度、検査能率が向上し、経済性、作業性、検査
精度等も向上する。また、被検査材の材質の変
化、加工・仕上げ方法の変化等が有つた場合にも
正常な被検査材表面からの反射光の二次元像のパ
ターンを基準とすれば条件の再設定等を行うこと
無く迅速に対応することが可能である。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
第1図は本発明に係る表面欠陥検査装置の構成
を示す光学系の模式図と共に示す信号処理系のブ
ロツク図である。
を示す光学系の模式図と共に示す信号処理系のブ
ロツク図である。
図中1は光ビームとしてのレーザビームBの発
振器であり、これにより発振されたレーザビーム
Bは走査光学系2に与えられている。
振器であり、これにより発振されたレーザビーム
Bは走査光学系2に与えられている。
走査光学系2は、本実施例では多角面鏡20及
び反射鏡21等にて構成されており、被検査材3
の白抜矢符にて示す移動方向(副走査方向)とは
直交する方向(主走査方向)にレーザビームBの
照射方向を移動させる。従つて、レーザビームB
は走査光学系2により主走査方向に走査され、被
検査材3が副走査方向に移動することにより副走
査方向に走査されることになる。なお、走査光学
系2は上述の構成の他に振動鏡等を使用する構成
としてもよい。
び反射鏡21等にて構成されており、被検査材3
の白抜矢符にて示す移動方向(副走査方向)とは
直交する方向(主走査方向)にレーザビームBの
照射方向を移動させる。従つて、レーザビームB
は走査光学系2により主走査方向に走査され、被
検査材3が副走査方向に移動することにより副走
査方向に走査されることになる。なお、走査光学
系2は上述の構成の他に振動鏡等を使用する構成
としてもよい。
被検査材3は、たとえば圧延鋼板等であり、そ
の表面で反射されたレーザビームBの反射光Rは
受光光学系4に入射される。
の表面で反射されたレーザビームBの反射光Rは
受光光学系4に入射される。
受光光学系4は、被検査材3表面からのレーザ
ビームBの反射光Rを集光する集光レンズ40及
びこの集光レンズ40により集光された反射光R
を受光し、更にハーフミラー等を使用して受光し
た反射光Rを二方向へ分割してその一方は蓄積型
二次元受光器5の受光面上へ、他方は可変光学フ
イルタ8のフイルタ面上へそれぞれ結像される光
分割器41等から構成されている。
ビームBの反射光Rを集光する集光レンズ40及
びこの集光レンズ40により集光された反射光R
を受光し、更にハーフミラー等を使用して受光し
た反射光Rを二方向へ分割してその一方は蓄積型
二次元受光器5の受光面上へ、他方は可変光学フ
イルタ8のフイルタ面上へそれぞれ結像される光
分割器41等から構成されている。
蓄積型二次元受光器5は、具体的にはたとえば
ITVカメラと画像メモリとの組合せからなり、
第3図aに示す如き蓄積期間信号SSの一周期と
して予め設定されている所定時間に亘つてITV
カメラが受光した二次元像(具体的にはその光学
信号)を画像メモリに蓄積し、所定時間が経過し
た時点でその時間平均値としての二次元像のパタ
ーンを出力する構成を採つている。このような構
成の蓄積型二次元受光器5は、第2図a等に示す
如く、レーザビームBの反射光Rの二次元像を受
光してこれを所定期間蓄積した後、その時間平均
値を読出し/書込み回路6に出力する。
ITVカメラと画像メモリとの組合せからなり、
第3図aに示す如き蓄積期間信号SSの一周期と
して予め設定されている所定時間に亘つてITV
カメラが受光した二次元像(具体的にはその光学
信号)を画像メモリに蓄積し、所定時間が経過し
た時点でその時間平均値としての二次元像のパタ
ーンを出力する構成を採つている。このような構
成の蓄積型二次元受光器5は、第2図a等に示す
如く、レーザビームBの反射光Rの二次元像を受
光してこれを所定期間蓄積した後、その時間平均
値を読出し/書込み回路6に出力する。
読出し/書込み回路6は蓄積型二次元受光器5
から与えられる反射光Rのパターンの時間平均値
出力、即ち蓄積型二次元受光器5に受光された被
検査材3表面からの反射光Rの二次元像の電気信
号値の所定時間に亙る時間平均値を基にこれを整
形してたとえば第2図eに示す如き二次元のフイ
ルタパターンを作成する。この新たに作成された
フイルタパターンは、書換え判定回路7から書換
え信号RRSが与えられた場合に、読出し/書込
み回路6自身が記憶している可変光学フイルタ8
に現在設定されているフイルタパターン(前回、
読出し/書込み回路6により作成され可変光学フ
イルタ8に設定されたフイルタパターンであり、
読出し/書込み回路6自身もまだ記憶している)
と比較され、その差が所定範囲以内であれば可変
光学フイルタ8に与えられてそのフイルタパター
ンとしてそれまで設定されていたフイルタパター
ンに代わつて書換え再設定される。しかし、所定
期間経過した後に新たなフイルタパターンが作成
されても、書換え判定回路7から書換え信号
RRSが与えられなかつた場合、及び新たに作成
されたフイルタパターンとその時点で可変光学フ
イルタ8に設定されているフイルタパターンとの
差が所定範囲以上の場合にはその作成されたフイ
ルタパターンの可変光学フイルタ8への書換え再
設定は行われない。
から与えられる反射光Rのパターンの時間平均値
出力、即ち蓄積型二次元受光器5に受光された被
検査材3表面からの反射光Rの二次元像の電気信
号値の所定時間に亙る時間平均値を基にこれを整
形してたとえば第2図eに示す如き二次元のフイ
ルタパターンを作成する。この新たに作成された
フイルタパターンは、書換え判定回路7から書換
え信号RRSが与えられた場合に、読出し/書込
み回路6自身が記憶している可変光学フイルタ8
に現在設定されているフイルタパターン(前回、
読出し/書込み回路6により作成され可変光学フ
イルタ8に設定されたフイルタパターンであり、
読出し/書込み回路6自身もまだ記憶している)
と比較され、その差が所定範囲以内であれば可変
光学フイルタ8に与えられてそのフイルタパター
ンとしてそれまで設定されていたフイルタパター
ンに代わつて書換え再設定される。しかし、所定
期間経過した後に新たなフイルタパターンが作成
されても、書換え判定回路7から書換え信号
RRSが与えられなかつた場合、及び新たに作成
されたフイルタパターンとその時点で可変光学フ
イルタ8に設定されているフイルタパターンとの
差が所定範囲以上の場合にはその作成されたフイ
ルタパターンの可変光学フイルタ8への書換え再
設定は行われない。
可変光学フイルタ8には、前述の如く、光分割
器41にて分割された光ビームBの反射光Rの他
方がそのフイルタ面上に結像されている。この可
変光学フイルタ8は、たとえば液晶または電気光
電(Pockels)効果を有するBSO(Bi12SiO20結
晶)等を多数配し、それぞれを透明電極を介して
電気的、光学的に制御することによりフイルタ面
上に所望形状の非透光性または半透光性パター
ン、即ちフイルタパターンを任意に可変して設定
することを可能に構成されている。この可変光学
フイルタ8に設定されるべきフイルタパターン
は、前述の如く、読出し/書込み回路6に書換え
判定回路7から書換え信号RRSが与えられた場
合に、蓄積型二次元受光器5から出力された反射
光Rの時間平均値を読出し/書込み回路6が整形
して新たなフイルタパターンを作成し、これをそ
の時点で可変光学フイルタ8に設定されているフ
イルタパターンと比較し、その差が所定範囲以内
である場合に可変光学フイルタ8に与えられる。
器41にて分割された光ビームBの反射光Rの他
方がそのフイルタ面上に結像されている。この可
変光学フイルタ8は、たとえば液晶または電気光
電(Pockels)効果を有するBSO(Bi12SiO20結
晶)等を多数配し、それぞれを透明電極を介して
電気的、光学的に制御することによりフイルタ面
上に所望形状の非透光性または半透光性パター
ン、即ちフイルタパターンを任意に可変して設定
することを可能に構成されている。この可変光学
フイルタ8に設定されるべきフイルタパターン
は、前述の如く、読出し/書込み回路6に書換え
判定回路7から書換え信号RRSが与えられた場
合に、蓄積型二次元受光器5から出力された反射
光Rの時間平均値を読出し/書込み回路6が整形
して新たなフイルタパターンを作成し、これをそ
の時点で可変光学フイルタ8に設定されているフ
イルタパターンと比較し、その差が所定範囲以内
である場合に可変光学フイルタ8に与えられる。
集光光学系9は可変光学フイルタ8を通過した
後の反射光Rを集光して光検出器10の検出面に
結像させる。
後の反射光Rを集光して光検出器10の検出面に
結像させる。
光検出器10は、その検出面に結像された光学
像の光学強度を検出して電気信号に変換する。従
つて、この光検出器10により電気信号に変換さ
れる光学強度は、被検査材3表面からの反射光R
の光学強度から可変光学フイルタ8に設定されて
いるフイルタパターンに対応する部分の光学強度
を差引いた光学強度となる。
像の光学強度を検出して電気信号に変換する。従
つて、この光検出器10により電気信号に変換さ
れる光学強度は、被検査材3表面からの反射光R
の光学強度から可変光学フイルタ8に設定されて
いるフイルタパターンに対応する部分の光学強度
を差引いた光学強度となる。
欠陥判定器11は、上述の光検出器10から与
えられる電気信号、換言すれば可変光学フイルタ
8を通過した光の強度、が所定値以上であるか否
かにより反射光Rに対応する被検査材3表面の部
分の欠陥の有無を判定し、欠陥が存在すると判定
された場合には第3図bに示す如き欠陥検出信号
ESを図示しない所定の表示器、記憶装置等に出
力すると共に、書換え判定回路7にも出力する。
えられる電気信号、換言すれば可変光学フイルタ
8を通過した光の強度、が所定値以上であるか否
かにより反射光Rに対応する被検査材3表面の部
分の欠陥の有無を判定し、欠陥が存在すると判定
された場合には第3図bに示す如き欠陥検出信号
ESを図示しない所定の表示器、記憶装置等に出
力すると共に、書換え判定回路7にも出力する。
書換え判定回路7は、読出し/書込み回路6に
より新たに作成されたフイルタパターンの可変光
学フイルタ8への書込み再設定の可否を決定す
る。具体的には、書換え判定回路7は、第3図a
に示す蓄積期間信号SSの一周期の間に欠陥発生
が高頻度であつて欠陥判定器11から出力された
欠陥検出信号ESが所定回数以上であつた場合に
は、その期間に蓄積型二次元受光器5に蓄積され
た反射光Rの受光パターンは正常な反射光Rの受
光パターンではないとして読出し/書込み回路6
に可変光学フイルタ8へのフイルタパターンの再
設定は行わせず、具体的には書換え信号RRSを
出力せず、蓄積期間の一周期の間に欠陥発生が低
頻度であつて欠陥判定器11から出力された欠陥
検出信号ESが所定回数以下であつた場合には、
その期間に蓄積型二次元受光器5に蓄積された反
射光Rの受光パターンを自身が記憶しているその
時点での可変光学フイルタ8への設定フイルタパ
ターンと比較し、その差が所定範囲以内であれば
その期間に蓄積型二次元受光器5に蓄積された反
射光Rの受光パターンは正常な反射光Rの受光パ
ターンであるとして読出し/書込み回路6に書換
え信号RRSを与えて可変光学フイルタ8へのフ
イルタパターンの再設定を行わせる。
より新たに作成されたフイルタパターンの可変光
学フイルタ8への書込み再設定の可否を決定す
る。具体的には、書換え判定回路7は、第3図a
に示す蓄積期間信号SSの一周期の間に欠陥発生
が高頻度であつて欠陥判定器11から出力された
欠陥検出信号ESが所定回数以上であつた場合に
は、その期間に蓄積型二次元受光器5に蓄積され
た反射光Rの受光パターンは正常な反射光Rの受
光パターンではないとして読出し/書込み回路6
に可変光学フイルタ8へのフイルタパターンの再
設定は行わせず、具体的には書換え信号RRSを
出力せず、蓄積期間の一周期の間に欠陥発生が低
頻度であつて欠陥判定器11から出力された欠陥
検出信号ESが所定回数以下であつた場合には、
その期間に蓄積型二次元受光器5に蓄積された反
射光Rの受光パターンを自身が記憶しているその
時点での可変光学フイルタ8への設定フイルタパ
ターンと比較し、その差が所定範囲以内であれば
その期間に蓄積型二次元受光器5に蓄積された反
射光Rの受光パターンは正常な反射光Rの受光パ
ターンであるとして読出し/書込み回路6に書換
え信号RRSを与えて可変光学フイルタ8へのフ
イルタパターンの再設定を行わせる。
従つて、可変光学フイルタ8のフイルタパター
ンは、蓄積型二次元受光器5に所定期間として設
定されている蓄積期間の一周期に亙つて欠陥が検
出されたなかつた場合にのみその期間における反
射光Rの平均的パターンに更新設定される。即
ち、たとえば被検査材3表面の油膜厚さが徐々に
変動し、それに起因するレーザビームBの反射光
Rの状態が徐々に変化するような場合には、可変
光学フイルタ8に設定されるフイルタパターンも
被検査材3表面の油膜厚さの変動に伴つて徐々に
変化するため、欠陥と判定されることは無い。ま
た、被検査材3の材質等が変更されて正常な反射
光Rのパターンが大きく変化するような場合に
は、たとえば目視等にて正常と見なされる被検査
材3の反射光Rの二次元受光器5による受光パタ
ーンを正常なパターンとして可変光学フイルタ8
に設定すれば、このフイルタパターンはそれ以後
は蓄積型二次元受光器5に蓄積期間の一周期とし
て設定されている所定期間が経過する都度、その
間に欠陥の頻発あるいは大きな欠陥の発生が無け
れば正常な反射光Rのパターンに自動的に再設定
されるので、検査作業をその都度中断してフイル
タパターンの再設定等の各種条件の再設定、部材
の位置変更等を行う必要は無い。
ンは、蓄積型二次元受光器5に所定期間として設
定されている蓄積期間の一周期に亙つて欠陥が検
出されたなかつた場合にのみその期間における反
射光Rの平均的パターンに更新設定される。即
ち、たとえば被検査材3表面の油膜厚さが徐々に
変動し、それに起因するレーザビームBの反射光
Rの状態が徐々に変化するような場合には、可変
光学フイルタ8に設定されるフイルタパターンも
被検査材3表面の油膜厚さの変動に伴つて徐々に
変化するため、欠陥と判定されることは無い。ま
た、被検査材3の材質等が変更されて正常な反射
光Rのパターンが大きく変化するような場合に
は、たとえば目視等にて正常と見なされる被検査
材3の反射光Rの二次元受光器5による受光パタ
ーンを正常なパターンとして可変光学フイルタ8
に設定すれば、このフイルタパターンはそれ以後
は蓄積型二次元受光器5に蓄積期間の一周期とし
て設定されている所定期間が経過する都度、その
間に欠陥の頻発あるいは大きな欠陥の発生が無け
れば正常な反射光Rのパターンに自動的に再設定
されるので、検査作業をその都度中断してフイル
タパターンの再設定等の各種条件の再設定、部材
の位置変更等を行う必要は無い。
次に、上述の如く構成された本発明装置の動作
について、第2図に示すレーザビームBの反射光
Rのパターン及びフイルタパターン等の模式図並
びに第3図のタイミングチヤートに従つて、以下
に説明する。
について、第2図に示すレーザビームBの反射光
Rのパターン及びフイルタパターン等の模式図並
びに第3図のタイミングチヤートに従つて、以下
に説明する。
レーザ発振器1にて発振され照射されたレーザ
ビームBは、回転多角面鏡20の鏡面に反射さ
れ、更に反射鏡21に反射されて被検査材3表面
に投射される。この際、回転多角面鏡20の回転
に伴つてレーザビームBは被検査材3の進行方向
とは直交する主走査方向に投射方向が移動し、ま
た被検査材3の移動に伴つて副走査方向に移動す
る。
ビームBは、回転多角面鏡20の鏡面に反射さ
れ、更に反射鏡21に反射されて被検査材3表面
に投射される。この際、回転多角面鏡20の回転
に伴つてレーザビームBは被検査材3の進行方向
とは直交する主走査方向に投射方向が移動し、ま
た被検査材3の移動に伴つて副走査方向に移動す
る。
さて、レーザビームBの被検査材3表面からの
反射光Rは集光レンズ40にて集光され、光分割
器41に入射し、二分割される。
反射光Rは集光レンズ40にて集光され、光分割
器41に入射し、二分割される。
二分割された反射光Rの一方は、蓄積型二次元
受光器5の受光面上に二次元像として結像され、
そのパターンが電気信号に変換されて蓄積され
る。ところで、被検査材3の表面に欠陥が無く正
常であり油膜も無いような場合には、投射された
レーザビームBは正反射するため蓄積型二次元受
光器5が受光した反射光Rの受光パターンは第2
図aに示す如きパターンを示す。この受光パター
ンは電気信号に変換されて蓄積型二次元受光器5
により蓄積される。
受光器5の受光面上に二次元像として結像され、
そのパターンが電気信号に変換されて蓄積され
る。ところで、被検査材3の表面に欠陥が無く正
常であり油膜も無いような場合には、投射された
レーザビームBは正反射するため蓄積型二次元受
光器5が受光した反射光Rの受光パターンは第2
図aに示す如きパターンを示す。この受光パター
ンは電気信号に変換されて蓄積型二次元受光器5
により蓄積される。
蓄積型二次元受光器5は所定間隔にて発生する
第3図aに示す如き蓄積期間信号SSの立上がり
に同期してそれまでの蓄積期間に蓄積した受光パ
ターンの電気信号の蓄積結果を時間平均し、読出
し/書込み回路6に出力する。
第3図aに示す如き蓄積期間信号SSの立上がり
に同期してそれまでの蓄積期間に蓄積した受光パ
ターンの電気信号の蓄積結果を時間平均し、読出
し/書込み回路6に出力する。
読出し/書込み回路6は、上述の如く蓄積型二
次元受光器5からその受光パターンの時間平均値
の出力を与えられると、これを整形して可変光学
フイルタ8に設定されるべきフイルタパターンを
作成する。具体的には、第2図aに示した正常な
受光パターンに対しては第2図eに示す如きフイ
ルタパターンを作成する。即ち、受光器9の受光
パターンの受光量が所定量以上である部分の光線
を遮断(あるいは減光)し、受光器9の受光パタ
ーンの受光量が所定量以下である部分の光線をそ
のまま通過させることにより蓄積期間内における
受光パターンの変動の許容をも考慮して遮断部分
を一定幅拡大したようなフイルタパターンを読出
し/書込み回路6は作成する。
次元受光器5からその受光パターンの時間平均値
の出力を与えられると、これを整形して可変光学
フイルタ8に設定されるべきフイルタパターンを
作成する。具体的には、第2図aに示した正常な
受光パターンに対しては第2図eに示す如きフイ
ルタパターンを作成する。即ち、受光器9の受光
パターンの受光量が所定量以上である部分の光線
を遮断(あるいは減光)し、受光器9の受光パタ
ーンの受光量が所定量以下である部分の光線をそ
のまま通過させることにより蓄積期間内における
受光パターンの変動の許容をも考慮して遮断部分
を一定幅拡大したようなフイルタパターンを読出
し/書込み回路6は作成する。
一方、可変光学フイルタ8には上述の如く読出
し/書込み回路6からたとえば第2図eに示す如
き新たなフイルタパターンが与えられる都度、こ
の新たなフイルタパターンが設定される。従つ
て、集光光学系9には蓄積型二次元受光器5に結
像されている受光パターンと同様のパターンが可
変光学フイルタ8を通過した後の反射光Rのパタ
ーンが入射し、これが光検出器10の検出面に結
像される。
し/書込み回路6からたとえば第2図eに示す如
き新たなフイルタパターンが与えられる都度、こ
の新たなフイルタパターンが設定される。従つ
て、集光光学系9には蓄積型二次元受光器5に結
像されている受光パターンと同様のパターンが可
変光学フイルタ8を通過した後の反射光Rのパタ
ーンが入射し、これが光検出器10の検出面に結
像される。
光検出器10は集光光学系9から入射し、その
検出面に結像した光学像の受光量を電気信号に変
換し、欠陥判定器11に出力する。
検出面に結像した光学像の受光量を電気信号に変
換し、欠陥判定器11に出力する。
欠陥判定器11は光検出器10から与えられた
電気信号のレベルを所定のレベルと比較し、所定
レベル以上である場合には欠陥が存在すると判断
して第3図bに示すような欠陥検出信号ESを図
示しない表示装置あるいは記憶装置に出力すると
共に、書換え判定回路7にも出力する。
電気信号のレベルを所定のレベルと比較し、所定
レベル以上である場合には欠陥が存在すると判断
して第3図bに示すような欠陥検出信号ESを図
示しない表示装置あるいは記憶装置に出力すると
共に、書換え判定回路7にも出力する。
この欠陥検出信号ESが出力される場合につい
て以下に具体的に説明する。まず、被検査材3表
面の欠陥が無い部分からの反射光Rが可変光学フ
イルタ8に入射した場合には、可変光学フイルタ
8には第2図eに示す如く正常な反射光Rに対応
するフイルタパターンが設定されているので、可
変光学フイルタ8を通過する光量は非常に小さい
か、あるいは零である。このため、欠陥判定器1
1は欠陥検出信号ESを出力することは無い。
て以下に具体的に説明する。まず、被検査材3表
面の欠陥が無い部分からの反射光Rが可変光学フ
イルタ8に入射した場合には、可変光学フイルタ
8には第2図eに示す如く正常な反射光Rに対応
するフイルタパターンが設定されているので、可
変光学フイルタ8を通過する光量は非常に小さい
か、あるいは零である。このため、欠陥判定器1
1は欠陥検出信号ESを出力することは無い。
しかし、被検査材3表面の欠陥、たとえば庇、
が存在する部分からの反射光Rパターンは、第2
図bの如く、正常な反射光Rのパターンに庇の部
分により乱反射された成分が付加されたパターン
を示す。従つて、この庇の部分からの反射光Rの
パターンが第2図aの如き正常な反射光Rに対応
するフイルタパターンが設定されている可変光学
フイルタ8に投射されると、第2図fに示す如
く、庇に起因する乱反射部分のみの比較的光量が
大であるパターンが光検出器10の受光面に投射
され、その強度が検出される。そしてこのような
場合には、欠陥判定器11は光検出器10から与
えられる信号レベルがそれに設定されている所定
の比較レベルよりも大であるとして、第3図bに
示す如く、ハイレベルの欠陥検出信号ESを出力
する。
が存在する部分からの反射光Rパターンは、第2
図bの如く、正常な反射光Rのパターンに庇の部
分により乱反射された成分が付加されたパターン
を示す。従つて、この庇の部分からの反射光Rの
パターンが第2図aの如き正常な反射光Rに対応
するフイルタパターンが設定されている可変光学
フイルタ8に投射されると、第2図fに示す如
く、庇に起因する乱反射部分のみの比較的光量が
大であるパターンが光検出器10の受光面に投射
され、その強度が検出される。そしてこのような
場合には、欠陥判定器11は光検出器10から与
えられる信号レベルがそれに設定されている所定
の比較レベルよりも大であるとして、第3図bに
示す如く、ハイレベルの欠陥検出信号ESを出力
する。
一方、書換え判定回路7は、各蓄積期間の一周
期に欠陥判定器11から与えられる欠陥検出信号
ESの数を計数しており、これが各蓄積期間の終
了時点において所定数以上に達していない場合に
は、読出し/書込み回路6に対して書換え信号
RRSを出力する。
期に欠陥判定器11から与えられる欠陥検出信号
ESの数を計数しており、これが各蓄積期間の終
了時点において所定数以上に達していない場合に
は、読出し/書込み回路6に対して書換え信号
RRSを出力する。
この書換え信号RRSが与えられなかつた場合
には、読出し/書込み回路6は作成された新たな
フイルタパターンを可変光学フイルタ8に出力す
ることはせず、従つて可変光学フイルタ8にはそ
れまでのフイルタパターンがそのまま継続して設
定される。また、書換え信号RRSが書換え判定
回路7から読出し/書込み回路6に与えられた場
合には、読出し/書込み回路6は自身が記憶して
いる可変光学フイルタ8に現在設定されているフ
イルタパターンと今回新たに作成したフイルタパ
ターンとを比較し、両者の差が所定範囲以上であ
る場合には今回作成した新たなフイルタパターン
を可変光学フイルタ8に書換え再設定することは
行わず、両者の差が所定範囲以内である場合にの
み、今回新たに作成したフイルタパターンの可変
光学フイルタ8への書換え再設定を行う。
には、読出し/書込み回路6は作成された新たな
フイルタパターンを可変光学フイルタ8に出力す
ることはせず、従つて可変光学フイルタ8にはそ
れまでのフイルタパターンがそのまま継続して設
定される。また、書換え信号RRSが書換え判定
回路7から読出し/書込み回路6に与えられた場
合には、読出し/書込み回路6は自身が記憶して
いる可変光学フイルタ8に現在設定されているフ
イルタパターンと今回新たに作成したフイルタパ
ターンとを比較し、両者の差が所定範囲以上であ
る場合には今回作成した新たなフイルタパターン
を可変光学フイルタ8に書換え再設定することは
行わず、両者の差が所定範囲以内である場合にの
み、今回新たに作成したフイルタパターンの可変
光学フイルタ8への書換え再設定を行う。
このような処理により、欠陥に起因する反射光
Rのパターンをも含めて作成された新たなフイル
タパターンが可変光学フイルタ8に設定されるこ
とはないので、可変光学フイルタ8には正常な反
射光Rのパターンが常に設定されていることにな
る。
Rのパターンをも含めて作成された新たなフイル
タパターンが可変光学フイルタ8に設定されるこ
とはないので、可変光学フイルタ8には正常な反
射光Rのパターンが常に設定されていることにな
る。
ところで、被検査材3の表面状態が徐々に変化
した場合、たとえば被検査材3が圧延鋼板である
場合には、圧延ロールの磨耗に伴つて被検査材3
である圧延鋼板の表面状態が徐々に変化するとい
う事態が生じる。あるいは、被検査材3表面自体
は正常であるが、表面を覆う油膜厚さが変動する
というような事態等が生じることも有り得る。た
とえば第2図cは被検査材3表面の油膜厚さが比
較的厚い場合の反射光Rのパターンを示している
が、このような場合には、本来は円形であるべき
反射光Rのパターンの輪郭がややぼやけた状態と
なる。従つて、この反射光Rのパターンが第2図
eのフイルタパターンが設定されている可変光学
フイルタ8に投射された場合には、輪郭外周部の
ぼやけている部分からある程度の光量が通過し、
これが光検出器10に検出されるが、この程度の
光量では欠陥判定器11は欠陥検出信号ESを出
力することはない。
した場合、たとえば被検査材3が圧延鋼板である
場合には、圧延ロールの磨耗に伴つて被検査材3
である圧延鋼板の表面状態が徐々に変化するとい
う事態が生じる。あるいは、被検査材3表面自体
は正常であるが、表面を覆う油膜厚さが変動する
というような事態等が生じることも有り得る。た
とえば第2図cは被検査材3表面の油膜厚さが比
較的厚い場合の反射光Rのパターンを示している
が、このような場合には、本来は円形であるべき
反射光Rのパターンの輪郭がややぼやけた状態と
なる。従つて、この反射光Rのパターンが第2図
eのフイルタパターンが設定されている可変光学
フイルタ8に投射された場合には、輪郭外周部の
ぼやけている部分からある程度の光量が通過し、
これが光検出器10に検出されるが、この程度の
光量では欠陥判定器11は欠陥検出信号ESを出
力することはない。
一方上述のような場合、蓄積型二次元受光器5
には第2図cに示す如き輪郭のややぼやけた反射
光Rのパターンが受光され、これが電気信号に変
換されて加算平均器6に与えられる。このため次
に加算平均器6がフイルタパターン作成器7に出
力する平均値出力は第2図aに示す反射光Rのパ
ターンよりはやや大きな輪郭を有するパターンに
なる。しかしこの程度の反射光Rの光量の変化で
は欠陥判定器11から欠陥検出信号ESが出力さ
れることは無いので、書換え判定回路7から書換
え信号RRSが出力される。従つてこのような場
合には、読出し/書込み回路6は、その時点で可
変光学フイルタ8に設定されているフイルタパタ
ーンと今回新たに作成されたフイルタパターンと
を比較し、その差が所定範囲以上であればフイル
タパターンの書換え再設定は行わず、その差が所
定範囲以下である場合にのみ可変光学フイルタ8
のフイルタパターンを今回新たに作成したフイル
タパターンに書換え再設定する。従つて、可変光
学フイルタ8のフイルタパターンが書換え再設定
された場合には、第2図aに示す正常なフイルタ
パターンよりやや大きな輪郭を有する新たなフイ
ルタパターンが可変光学フイルタ8に設定され
る。このため可変光学フイルタ8に設定されてい
るフイルタパターンは、正常な表面状態ではある
が油膜厚さの変動により徐々に変化する反射光R
のパターンに追従するように変化するので、被検
査材3表面欠陥が存在すると判定されることは無
い。
には第2図cに示す如き輪郭のややぼやけた反射
光Rのパターンが受光され、これが電気信号に変
換されて加算平均器6に与えられる。このため次
に加算平均器6がフイルタパターン作成器7に出
力する平均値出力は第2図aに示す反射光Rのパ
ターンよりはやや大きな輪郭を有するパターンに
なる。しかしこの程度の反射光Rの光量の変化で
は欠陥判定器11から欠陥検出信号ESが出力さ
れることは無いので、書換え判定回路7から書換
え信号RRSが出力される。従つてこのような場
合には、読出し/書込み回路6は、その時点で可
変光学フイルタ8に設定されているフイルタパタ
ーンと今回新たに作成されたフイルタパターンと
を比較し、その差が所定範囲以上であればフイル
タパターンの書換え再設定は行わず、その差が所
定範囲以下である場合にのみ可変光学フイルタ8
のフイルタパターンを今回新たに作成したフイル
タパターンに書換え再設定する。従つて、可変光
学フイルタ8のフイルタパターンが書換え再設定
された場合には、第2図aに示す正常なフイルタ
パターンよりやや大きな輪郭を有する新たなフイ
ルタパターンが可変光学フイルタ8に設定され
る。このため可変光学フイルタ8に設定されてい
るフイルタパターンは、正常な表面状態ではある
が油膜厚さの変動により徐々に変化する反射光R
のパターンに追従するように変化するので、被検
査材3表面欠陥が存在すると判定されることは無
い。
第2図dは表面に方向性を有する被検査材3表
面からの反射光Rのパターンを示している。この
ような被検査材3では、被検査材3表面の方向性
に従つて反射光Rのパターンは楕円形状を呈す
る。このような被検査材3の材質等が変更されて
正常な、即ち欠陥を有していない、被検査材3表
面からの反射光Rのパターンが大きく変化するよ
うな場合には、被検査材3の材質が変更された最
初の時点で、正常な被検査材3表面からの反射光
Rのパターンを蓄積型二次元受光器5に読取ら
せ、これを新たなフイルタパターンとして可変光
学フイルタ8に設定すればよい。これにより、可
変光学フイルタ8のフイルタパターンを再設定す
る等の操作を含む面倒な各種条件の再設定、調整
あるいは各部材の位置変更等を行うことなく、直
ちに検査作業を行うことが可能である。
面からの反射光Rのパターンを示している。この
ような被検査材3では、被検査材3表面の方向性
に従つて反射光Rのパターンは楕円形状を呈す
る。このような被検査材3の材質等が変更されて
正常な、即ち欠陥を有していない、被検査材3表
面からの反射光Rのパターンが大きく変化するよ
うな場合には、被検査材3の材質が変更された最
初の時点で、正常な被検査材3表面からの反射光
Rのパターンを蓄積型二次元受光器5に読取ら
せ、これを新たなフイルタパターンとして可変光
学フイルタ8に設定すればよい。これにより、可
変光学フイルタ8のフイルタパターンを再設定す
る等の操作を含む面倒な各種条件の再設定、調整
あるいは各部材の位置変更等を行うことなく、直
ちに検査作業を行うことが可能である。
以上のように本発明では、正常と見なし得る範
囲内での被検査材表面の変化に追従して欠陥の有
無を判断する基準となるべきレーザビームの反射
光のパターンが変化するので、被検査材表面の油
膜の変動あるいは圧延鋼板の場合の圧延ロールの
磨耗に伴う被検査材表面の状態変化等に応じて装
置の各種条件の再設定あるいは調整を行う必要は
無く、また被検査材の材質あるいは加工・仕上げ
方法が変更されたような場合にも、正常な被検査
材表面からの反射光のパターンを可変光学フイル
タのフイルタパターンとして設定するのみの簡単
かつ迅速に実行可能な処理にて対応可能である。
従つて、本発明によれば圧延鋼板等の被検査材表
面の欠陥検出を比較的簡単な装置構成にて効率的
且つ経済的に行い得る。
囲内での被検査材表面の変化に追従して欠陥の有
無を判断する基準となるべきレーザビームの反射
光のパターンが変化するので、被検査材表面の油
膜の変動あるいは圧延鋼板の場合の圧延ロールの
磨耗に伴う被検査材表面の状態変化等に応じて装
置の各種条件の再設定あるいは調整を行う必要は
無く、また被検査材の材質あるいは加工・仕上げ
方法が変更されたような場合にも、正常な被検査
材表面からの反射光のパターンを可変光学フイル
タのフイルタパターンとして設定するのみの簡単
かつ迅速に実行可能な処理にて対応可能である。
従つて、本発明によれば圧延鋼板等の被検査材表
面の欠陥検出を比較的簡単な装置構成にて効率的
且つ経済的に行い得る。
第1図は本発明装置の光学系の模式図と共に示
す信号処理系のブロツク図、第2図はレーザビー
ムの反射光及びフイルタパターンの模式図、第3
図は信号処理系のタイミングチヤートである。 B……レーザビーム、R……反射光、1……レ
ーザビーム発振装置、2……走査光学系、3……
被検査材、4……受光光学系、5……蓄積型二次
元受光器、6……読出し/書 込み回路、7……
書換え判定回路、8……可変光学フイルタ、9…
…集光光学系、10……光検出器、11……欠陥
判定器。
す信号処理系のブロツク図、第2図はレーザビー
ムの反射光及びフイルタパターンの模式図、第3
図は信号処理系のタイミングチヤートである。 B……レーザビーム、R……反射光、1……レ
ーザビーム発振装置、2……走査光学系、3……
被検査材、4……受光光学系、5……蓄積型二次
元受光器、6……読出し/書 込み回路、7……
書換え判定回路、8……可変光学フイルタ、9…
…集光光学系、10……光検出器、11……欠陥
判定器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 照射された光ビームの被検査材表面からの反
射光の状態と、正常な材料表面からの反射光の状
態とを比較することにより、被検査材表面の欠陥
を検査する装置において、 前記光ビームの被検査材表面からの反射光を二
分割する光分割器と、 該光分割器にて分割された一方の反射光を二次
元像として受光して蓄積する蓄積型二次元受光器
と、 前記光分割器にて分割された他方の反射光が投
射される可変光学フイルタと、 該可変光学フイルタを透過した光を検出する光
検出器と、 該光検出器の検出結果に基づいて被検査材表面
の欠陥を判定する欠陥判定器と、 該欠陥判定器が所定期間に亘つて欠陥を検出せ
ず、また前記可変光学フイルタにその時点で設定
されているフイルタパターンと前記蓄積型二次元
受光器に蓄積されている反射光のパターンとを比
較してその差が所定範囲内の場合には、前記蓄積
型二次元受光器に蓄積されている反射光のパター
ンを正常なフイルタパターンとし、これを前記光
学フイルタのフイルタパターンとして書換える書
換え判定回路と を備えたことを特徴とする表面欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7163486A JPS62228149A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 表面欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7163486A JPS62228149A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 表面欠陥検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62228149A JPS62228149A (ja) | 1987-10-07 |
| JPH0458902B2 true JPH0458902B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=13466274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7163486A Granted JPS62228149A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 表面欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62228149A (ja) |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP7163486A patent/JPS62228149A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62228149A (ja) | 1987-10-07 |
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