JPH0459148B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0459148B2 JPH0459148B2 JP58231919A JP23191983A JPH0459148B2 JP H0459148 B2 JPH0459148 B2 JP H0459148B2 JP 58231919 A JP58231919 A JP 58231919A JP 23191983 A JP23191983 A JP 23191983A JP H0459148 B2 JPH0459148 B2 JP H0459148B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- dot
- dot pin
- artificial diamond
- wear resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/22—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of impact or pressure on a printing material or impression-transfer material
- B41J2/23—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of impact or pressure on a printing material or impression-transfer material using print wires
- B41J2/235—Print head assemblies
- B41J2/25—Print wires
Landscapes
- Impact Printers (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、すぐれた耐摩耗性を示し、したが
つて長期に亘る使用を可能ならしめる印字用ドツ
トピンに関するものである。 〔従来の技術〕 従来、例えば、結合相が10〜30重量％を占め、
残りが硬質相からなり、かつ前記結合相がCo、
あるいは主成分のCoと、Ni、Fe、Ti、およびAl
のうちの１種または２種以上で構成され、一方前
記硬質層がWC、あるいは主成分のWCと、TiC、
TaC、Cr3C2、およびVCのうちの１種または２
種以上で構成された炭化タングステン（WC）基
超硬合金で製造された印字用ドツトピンが知られ
ている。 〔発明が解決しよとする課題〕 一方、近年のプリンターの高性能化による印字
の高速化に伴ない、ドツトピンにも一段と耐摩耗
性のすぐれたものが要求される傾向にあるが、上
記の従来WC基超硬合金製ドツトピンでは、これ
らの要求に満足に対応することができないのが現
状である。 〔課題を解決するための手段〕 そこで、本発明者等は、上述のような観点か
ら、より一段と耐摩耗性のすぐれた印字用ドツト
ピンを開発すべく研究を行なつた結果、WC基超
硬合金製ドツトピンの少なくとも印字面部に、例
えば特開昭58−91100号公報に記載される熱電子
放射法や特開昭59−110494号公報に記載されるマ
イクロ波法、さらに特開昭58−135117号公報に記
載される高周波プラズマ法などの通常の気相合成
法を用いて、硬質にして耐食性のすぐれた人工ダ
イヤモンド層を形成すると耐摩耗性がより一段と
向上するようになり、しかしこの場合、前記人工
ダイヤモンド層は、上記ドツトピンを構成する
WC基超硬合金の金属結合相との密着性が悪いた
めに、これを例えば高速印字に使用すると、人工
ダイヤモンド層に剥離が発生するが、前記ドツト
ピンの少なくとも印字面部に、通常の化学蒸着法
（CVD法）や物理蒸着法（PVD法）により形成
した炭化チタン（TiC）や窒化チタン（TiN）の
薄層を、望ましくは0.01〜5μｍの層厚で介在させ
て、上記人工ダイヤモンド層を形成すると、前記
TiC薄層やTiN薄層はドツトピンを構成するWC
基超硬合金および前記人工ダイヤモンド層のいず
れとも強固に密着する性質をもつことから、苛酷
な条件下での使用でも人工ダイヤモンド層に剥離
の発生は皆無となり、著しく長期に亘つてすぐれ
た耐摩耗性を発揮するという研究結果を得たので
ある。 この発明は、上記の研究結果にもとづいてなさ
れたものであつて、 WC基超硬合金製ドツトピン本体の少なくとも
印字面部に、 CVD法またはPVD法により形成したTiCまた
はTiNの中間薄層を介して、 気相合成法による人工ダイヤモンド層を0.1〜
20μｍの層厚で形成してなる耐摩耗性のすぐれた
印字ドツトピンに特徴を有するものである。 なお、この発明のドツトピンにおいて、人工ダ
イヤモンド層の層厚を0.1〜20μｍと限定したの
は、その層厚が0.1μｍ未満では所望のすぐれた耐
摩耗性を長期に亘つて確保することができず、一
方その層厚が20μｍを越えると、クラツクや欠け
が発生し易くなるという理由によるものであり、
望ましくは0.5〜10μｍの層厚とするのがよい。 〔実施例〕 つぎに、この発明のドツトピンを実施例により
具体的に説明する。 ドツトピン本体Ａとして、それぞれ第１表に示
される組成を有し、かつ第１図に示される形状、
並びに印字面A1の直径：0.2mm×支持部A2の直
径：0.5mm×前記直径0.2mm部分の長さ：30mmの寸
法をもつた３種のWC基超硬合金製ドツトピン
（以下、従来ドツトピン１，２という）を用意し、
このドツトピン本体の先端部、すなわち印字面部
に、第２図に示される通り、まず、CVD法を用
い、通常の条件で、同じく第１表に示される層厚
のTiC薄層またはTiN薄層からなる中間薄層を形
成し、ついでこの上に、気相合成法の１種である
熱電子放射法を用い、通常の条件で同じく第１表
に示される層厚の人工ダイヤモンド層Ｂを形成す
ることにより本発明ドツトピン１〜４をそれぞれ
製造した。
つて長期に亘る使用を可能ならしめる印字用ドツ
トピンに関するものである。 〔従来の技術〕 従来、例えば、結合相が10〜30重量％を占め、
残りが硬質相からなり、かつ前記結合相がCo、
あるいは主成分のCoと、Ni、Fe、Ti、およびAl
のうちの１種または２種以上で構成され、一方前
記硬質層がWC、あるいは主成分のWCと、TiC、
TaC、Cr3C2、およびVCのうちの１種または２
種以上で構成された炭化タングステン（WC）基
超硬合金で製造された印字用ドツトピンが知られ
ている。 〔発明が解決しよとする課題〕 一方、近年のプリンターの高性能化による印字
の高速化に伴ない、ドツトピンにも一段と耐摩耗
性のすぐれたものが要求される傾向にあるが、上
記の従来WC基超硬合金製ドツトピンでは、これ
らの要求に満足に対応することができないのが現
状である。 〔課題を解決するための手段〕 そこで、本発明者等は、上述のような観点か
ら、より一段と耐摩耗性のすぐれた印字用ドツト
ピンを開発すべく研究を行なつた結果、WC基超
硬合金製ドツトピンの少なくとも印字面部に、例
えば特開昭58−91100号公報に記載される熱電子
放射法や特開昭59−110494号公報に記載されるマ
イクロ波法、さらに特開昭58−135117号公報に記
載される高周波プラズマ法などの通常の気相合成
法を用いて、硬質にして耐食性のすぐれた人工ダ
イヤモンド層を形成すると耐摩耗性がより一段と
向上するようになり、しかしこの場合、前記人工
ダイヤモンド層は、上記ドツトピンを構成する
WC基超硬合金の金属結合相との密着性が悪いた
めに、これを例えば高速印字に使用すると、人工
ダイヤモンド層に剥離が発生するが、前記ドツト
ピンの少なくとも印字面部に、通常の化学蒸着法
（CVD法）や物理蒸着法（PVD法）により形成
した炭化チタン（TiC）や窒化チタン（TiN）の
薄層を、望ましくは0.01〜5μｍの層厚で介在させ
て、上記人工ダイヤモンド層を形成すると、前記
TiC薄層やTiN薄層はドツトピンを構成するWC
基超硬合金および前記人工ダイヤモンド層のいず
れとも強固に密着する性質をもつことから、苛酷
な条件下での使用でも人工ダイヤモンド層に剥離
の発生は皆無となり、著しく長期に亘つてすぐれ
た耐摩耗性を発揮するという研究結果を得たので
ある。 この発明は、上記の研究結果にもとづいてなさ
れたものであつて、 WC基超硬合金製ドツトピン本体の少なくとも
印字面部に、 CVD法またはPVD法により形成したTiCまた
はTiNの中間薄層を介して、 気相合成法による人工ダイヤモンド層を0.1〜
20μｍの層厚で形成してなる耐摩耗性のすぐれた
印字ドツトピンに特徴を有するものである。 なお、この発明のドツトピンにおいて、人工ダ
イヤモンド層の層厚を0.1〜20μｍと限定したの
は、その層厚が0.1μｍ未満では所望のすぐれた耐
摩耗性を長期に亘つて確保することができず、一
方その層厚が20μｍを越えると、クラツクや欠け
が発生し易くなるという理由によるものであり、
望ましくは0.5〜10μｍの層厚とするのがよい。 〔実施例〕 つぎに、この発明のドツトピンを実施例により
具体的に説明する。 ドツトピン本体Ａとして、それぞれ第１表に示
される組成を有し、かつ第１図に示される形状、
並びに印字面A1の直径：0.2mm×支持部A2の直
径：0.5mm×前記直径0.2mm部分の長さ：30mmの寸
法をもつた３種のWC基超硬合金製ドツトピン
（以下、従来ドツトピン１，２という）を用意し、
このドツトピン本体の先端部、すなわち印字面部
に、第２図に示される通り、まず、CVD法を用
い、通常の条件で、同じく第１表に示される層厚
のTiC薄層またはTiN薄層からなる中間薄層を形
成し、ついでこの上に、気相合成法の１種である
熱電子放射法を用い、通常の条件で同じく第１表
に示される層厚の人工ダイヤモンド層Ｂを形成す
ることにより本発明ドツトピン１〜４をそれぞれ
製造した。
第１表に示される結果から、本発明ドツトピン
１〜４は、いずれも中間薄層を介して印字面部に
強固に密着した人工ダイヤモンド層によつて、こ
れの形成がない従来ドツトピン１，２に比して一
段とすぐれた耐摩耗性と耐食性を示すことが明ら
かである。 上述のように、この発明のドツトピンは、すぐ
れた耐摩耗性を有するので、使用寿命の一段の延
命化が可能となるなど工業上有用な効果をもたら
すものである。
１〜４は、いずれも中間薄層を介して印字面部に
強固に密着した人工ダイヤモンド層によつて、こ
れの形成がない従来ドツトピン１，２に比して一
段とすぐれた耐摩耗性と耐食性を示すことが明ら
かである。 上述のように、この発明のドツトピンは、すぐ
れた耐摩耗性を有するので、使用寿命の一段の延
命化が可能となるなど工業上有用な効果をもたら
すものである。
第１図はドツトピン本体（従来ドツトピン）を
例示する概略正面図、第２図は本発明ドツトピン
を例示する概略正面図である。 Ａ……ドツトピン本体、A1……印字面、A2…
…支持部、Ｂ……人工ダイヤモンド層。
例示する概略正面図、第２図は本発明ドツトピン
を例示する概略正面図である。 Ａ……ドツトピン本体、A1……印字面、A2…
…支持部、Ｂ……人工ダイヤモンド層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 炭化タングステン基超硬合金製ドツトピン本
体の少なくとも印字面部に、 化学蒸着法または物理蒸着法により形成した炭
化チタンまたは窒化チタンからなる中間薄層を介
して、 気相合成法による人工ダイヤモンド層を0.1〜
20μｍの層厚で形成してなる耐摩耗性のすぐれた
印字用ドツトピン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23191983A JPS60124258A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 表面被覆印字用ドツトピン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23191983A JPS60124258A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 表面被覆印字用ドツトピン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124258A JPS60124258A (ja) | 1985-07-03 |
| JPH0459148B2 true JPH0459148B2 (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=16931111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23191983A Granted JPS60124258A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 表面被覆印字用ドツトピン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124258A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6377749A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-07 | Hitachi Tool Eng Ltd | 表面被覆サ−メット製ドットワイヤ− |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5310394A (en) * | 1976-07-15 | 1978-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of diamond thin films |
| DE2926080A1 (de) * | 1979-06-28 | 1981-01-08 | Philips Patentverwaltung | Mittel zur trockenschmierung |
| US4299330A (en) * | 1979-10-03 | 1981-11-10 | The Continental Group, Inc. | Container closure device |
| JPS5695843U (ja) * | 1979-12-26 | 1981-07-29 | ||
| JPS57187270A (en) * | 1981-05-14 | 1982-11-17 | Shuichi Sakai | Dot wire |
| JPS5848428A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素被膜を有する複合体およびその作製方法 |
| JPS58135117A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-11 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | ダイヤモンドの製造法 |
| JPS58156594A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質被膜の製造法 |
-
1983
- 1983-12-08 JP JP23191983A patent/JPS60124258A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60124258A (ja) | 1985-07-03 |
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