JPH0459164U - - Google Patents

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JPH0459164U
JPH0459164U JP10141690U JP10141690U JPH0459164U JP H0459164 U JPH0459164 U JP H0459164U JP 10141690 U JP10141690 U JP 10141690U JP 10141690 U JP10141690 U JP 10141690U JP H0459164 U JPH0459164 U JP H0459164U
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substrate
impurity concentration
pin photodiode
silicon pin
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例の製造工程図、第2
図は第1図の装置を用いた測定回路例図、第3図
は本考案の他の実施例を示す構成図、第4図は従
来のシリコンPINフオトダイオードの一例を示
す構成図である。 21,41……n(p)基板、22,42
……n(p)層、23,44,46……p
(n)層、24……反射防止膜、25,45,
47……電極、26……ガイド、27……支持基
板、28……フオトダイオードチツプ収納部、2
9……受光窓、30……リード取り出し用電極、
31……導電性接着剤、43……SiO膜。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 不純物濃度の高いn(p)基板と、 該基板上に形成された不純物濃度の低いn
    )層と、 該n(p)層上に形成された不純物濃度の
    高いp(n)層と、 これらn(p)基板とp(n)層にそ
    れぞれ形成された電極とを具備し、 前記n(p)層に光を直接入射するように
    構成されたことを特徴とするシリコンPINフオ
    トダイオード。
JP10141690U 1990-09-27 1990-09-27 Pending JPH0459164U (ja)

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