JPH0459164U - - Google Patents
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- JPH0459164U JPH0459164U JP10141690U JP10141690U JPH0459164U JP H0459164 U JPH0459164 U JP H0459164U JP 10141690 U JP10141690 U JP 10141690U JP 10141690 U JP10141690 U JP 10141690U JP H0459164 U JPH0459164 U JP H0459164U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- impurity concentration
- pin photodiode
- silicon pin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
Description
第1図は本考案の一実施例の製造工程図、第2
図は第1図の装置を用いた測定回路例図、第3図
は本考案の他の実施例を示す構成図、第4図は従
来のシリコンPINフオトダイオードの一例を示
す構成図である。 21,41……n+(p+)基板、22,42
……n−(p−)層、23,44,46……p+
(n+)層、24……反射防止膜、25,45,
47……電極、26……ガイド、27……支持基
板、28……フオトダイオードチツプ収納部、2
9……受光窓、30……リード取り出し用電極、
31……導電性接着剤、43……SiO2膜。
図は第1図の装置を用いた測定回路例図、第3図
は本考案の他の実施例を示す構成図、第4図は従
来のシリコンPINフオトダイオードの一例を示
す構成図である。 21,41……n+(p+)基板、22,42
……n−(p−)層、23,44,46……p+
(n+)層、24……反射防止膜、25,45,
47……電極、26……ガイド、27……支持基
板、28……フオトダイオードチツプ収納部、2
9……受光窓、30……リード取り出し用電極、
31……導電性接着剤、43……SiO2膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 不純物濃度の高いn+(p+)基板と、 該基板上に形成された不純物濃度の低いn−(
p−)層と、 該n−(p−)層上に形成された不純物濃度の
高いp+(n+)層と、 これらn+(p+)基板とp+(n+)層にそ
れぞれ形成された電極とを具備し、 前記n−(p−)層に光を直接入射するように
構成されたことを特徴とするシリコンPINフオ
トダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10141690U JPH0459164U (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10141690U JPH0459164U (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0459164U true JPH0459164U (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=31844843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10141690U Pending JPH0459164U (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0459164U (ja) |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP10141690U patent/JPH0459164U/ja active Pending
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