JPS605097U - 薄膜電子素子の背面電極構造 - Google Patents

薄膜電子素子の背面電極構造

Info

Publication number
JPS605097U
JPS605097U JP9665483U JP9665483U JPS605097U JP S605097 U JPS605097 U JP S605097U JP 9665483 U JP9665483 U JP 9665483U JP 9665483 U JP9665483 U JP 9665483U JP S605097 U JPS605097 U JP S605097U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
back electrode
electrode structure
electronic device
thin film
film electronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9665483U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0125520Y2 (ja
Inventor
智 谷本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Motor Co Ltd
Original Assignee
Nissan Motor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Motor Co Ltd filed Critical Nissan Motor Co Ltd
Priority to JP9665483U priority Critical patent/JPS605097U/ja
Publication of JPS605097U publication Critical patent/JPS605097U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0125520Y2 publication Critical patent/JPH0125520Y2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の背面電極構造を示す薄膜ＥＬ素子の断面
図で、イはエツチング処理前、口はエツチング処理後、
第２図は本考案による背面電極構造の一実施例の断面図
で、イはエツチング処理前、叱よエツチング処理後、第
３図は第２区口の矢印一方向から見た背面電極の平面図
、第４図は本考案による背面電極構造を有するアモルフ
ァスシリコン光起電力型光センサの断面図、第５図イ１
口は°　透明電極と背面電極との距離Ｘと透明電極の黒
化、白濁化の発生率との関係を示す図、第６図および第
７図は本考案による背面電極構造の他の実施例で、第６
図はエツチング処理前、第７図はエツチング処理後の状
態を示し、両図においてイは断面図、口は平面図、第８
図は本考案による背面電極構造のさらに他の実施例の平
面図で、イはエツチング処理前、口はエツチング処理後
である。 １．２１．３１・・・基板ガラス、１２．２２・・・透
明電極、２ａ、２２ａ・・・引出し部分、３・・・ＥＬ
層、４・・・Ａ１蒸着膜、４’、１６．１６’・・・背
面電極、５・・・フォトレジストパターン、１１・・・
透明基板ガラス、１３，１４．１５・・・Ｐ型アモルフ
ァスシリコン、２３．３３・・・半導体膜（誘電体膜）
、２４′、３４・・・背面Ａ１電極、２５．３５・・・
レジストパターン。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 透明電極と誘電体膜または半導体膜と、背面電極とを透
    明基板上に順次積層して形成した薄膜電子素子の背面電
    極構造において、前記誘電体膜または半導体膜に覆われ
    ない前記透明電極部分を背面側で被覆したことを特徴と
    する背面電極構造。
JP9665483U 1983-06-24 1983-06-24 薄膜電子素子の背面電極構造 Granted JPS605097U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9665483U JPS605097U (ja) 1983-06-24 1983-06-24 薄膜電子素子の背面電極構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9665483U JPS605097U (ja) 1983-06-24 1983-06-24 薄膜電子素子の背面電極構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS605097U true JPS605097U (ja) 1985-01-14
JPH0125520Y2 JPH0125520Y2 (ja) 1989-07-31

Family

ID=30230252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9665483U Granted JPS605097U (ja) 1983-06-24 1983-06-24 薄膜電子素子の背面電極構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS605097U (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5272196A (en) * 1975-12-12 1977-06-16 Sharp Corp Thin film el element
JPS5348603U (ja) * 1976-09-29 1978-04-25

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5272196A (en) * 1975-12-12 1977-06-16 Sharp Corp Thin film el element
JPS5348603U (ja) * 1976-09-29 1978-04-25

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0125520Y2 (ja) 1989-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS605097U (ja) 薄膜電子素子の背面電極構造
JPH0456351U (ja)
JPS60151151U (ja) 感光装置
JPH0381647U (ja)
JPS6420754U (ja)
JPS6012297U (ja) 薄膜発光素子
JPS5853159U (ja) 非晶質半導体装置
JPS59109164U (ja) 半導体装置
JPS63136360U (ja)
JPS6269673A (ja) 固体撮像装置
JPS5868046U (ja) 光起電力素子
JPH02118954U (ja)
JPS63153557U (ja)
JPS64348U (ja)
JPS5929057U (ja) 太陽電池を形成したガラス装飾体
JPS63152251U (ja)
JPS6018558U (ja) 薄膜トランジスタ素子
JPS5931252U (ja) 非晶質光半導体装置
JPS59117149U (ja) ビ−ムリ−ド型半導体装置
JPS57160156A (en) Semiconductor device
JPH01139458U (ja)
JPS5892763U (ja) 厚膜多層基板
JPS59104145U (ja) フオトマスク
JPS63170975U (ja)
JPS5853160U (ja) 非晶質半導体装置