JPH0459630B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は一般に放射感光性ポジテイブ型フオト
レジスト組成物及び特にノボラツク樹脂をナフト
キノンジアジド増感剤と一緒に含有する組成物に
関する。 従来の技術 米国特許第3666473号、第4115128号及び第
4173470号明細書に記載されている様なポジテイ
ブ型フオトレジスト処方物の製造は当業者に公知
である。これらの処方物には、アルカリに可溶性
のフエノール−ホルムアルデヒドノボラツク樹脂
が感光性材料、一般に置換されたナフトキノンジ
アジド化合物と共に包含される。樹脂及び光増感
剤は有機溶剤又は溶剤混合物に溶かされ、所望の
特別な適用に好適な支持体に薄いフイルム又は被
覆として塗布される。 これらのフオトレジスト処方物のノボラツク樹
脂は、アルカリ水溶液に可溶性であるが、ナフト
キノン光増感剤は、樹脂に関して溶解度阻止剤と
して作用する。しかしながら塗布した支持体の選
択した部分を化学線放射にさらすと、光増感剤は
放射誘発された構造変形を起こし、被覆の露光部
分は未感光部分に比べてより多く可溶性が付与さ
れる。この溶解度における相違は、支持体がアル
カリ現像溶液に浸漬される場合に、フオトレジス
トの露光部分を溶解されるが、一方未露光部分は
大部分影響を受けないので、支持体上にポジテイ
ブ型レリーフパターンを生じさせる。 大抵の場合に露光し現像された支持体は、支持
体腐食液溶液又はガスプラズマによる処理を受け
ることになる。フオトレジスト被覆は支持体の塗
布された部分を腐食液から保護し、従つて腐食液
は、ポジテイブ型フオトレジストの場合には化学
線照射にさらした部分に相応する支持体の未塗布
部分だけを塗布することができる。従つてエツチ
ングされたパターンを支持体上に生じることがで
き、これは現像に先立つて塗布された支持体上に
選択的に露光パターンを生じるために使用された
マスク、ステンシル、テンプレート等のパターン
に相応する。 前記方法によつて製造された支持体上のフオト
レジストのレリーフパターンは、例えば小型化集
積回路部品の製造に使用される様な露光マスク又
はパターンを含む種々の使用分野に有用である。 市場で重要なフオトレジスト組成物の特性には
レジストのフオトスピード、現像コントラスト、
レジスト解像度及びレジスト接着性が包含され
る。 増加したフオトスピードは特に、例えば繰返し
工程による複合的なパターンの生成で多数回の露
光が必要とされる用途で又は例えば光が一連のレ
ンズ及び単色フイルターを通過する投射露光法に
おける様な減じた強度の光を用いる様な用途で、
フオトレジストに重要である。従つて増加したフ
オトスピードは、支持体上にマスク又は一連のサ
ーキツトパターンを生じるために多数の複合露光
を行なうべきである工程で使用されるレジスト組
成物に特に重要である。これらの最適条件には特
定の現像法における一定の現像温度及び時間及び
最高未露光レジストフイルム厚さ損失が最初の厚
さの約10％を越えない様に保ちながら露光レジス
ト部分の完全な現像を生じる様に選択した現像剤
系が包含される。 現像コントラストは、現像の露光部分のフイル
ム損失％と未露光部分のフイルム損失％との比較
に関する。一般に露光されたレジスト塗布支持体
の現像は、露光部分の被覆が実質的に完全に溶解
されるまで続けるので、現像コントラストは露光
した被覆部分が完全に除去される際の未露光部分
のフイルムの被覆損失の％を測定することによつ
て簡単に測定することができる。 レジスト解像度は、レジスト系が最小等間隔の
対の線及び露光の間に使用されるマスクの中間間
隙を、現像した露光部分において高度の画像の縁
鋭敏性で再現する能力に関連する。 多くの工業用途で、特に小型化電子部品の製造
において、フオトレジストは非常に細い線及び間
隔幅（１ミクロン又はそれ以下の様な）の高度な
解像度を生じることが要求される。 １ミクロン又はそれ以下の様な非常に小さい寸
法を再現するレジストの能力は、珪素チツプ及び
同様内部品上に大規模なICを製造する場合に非
常に重要である。この種のチツプ上の回路密度は
写真石版術を使用するとすればレジストの解像度
能力が増大することによつて増大させることがで
きるだけである。レジスト被覆の露光部分が不溶
性になり、未露光部分が現像剤によつて溶解され
るネガテイブ型フオトレジストが半導体工業でこ
の目的のために広く使用されてきたが、ポジテイ
ブ型フオトレジストは本来より高い解像度を有
し、ネガテイブ型レジストの代換物として使用さ
れる。 発明が解決しようとする問題点 従来のポジテイブ型フオトレジストを小型化
IC部品の製造に使用する際の問題は、ポジテイ
ブ型レジストが一般にネガテイブ型レジストより
も遅いフオトスピードを有することである。 ポジテイブ型フオトレジスト組成物のフオトス
ピードを改善するために公知文献で種々の試みが
なされてきた。例えば米国特許第3666473号明細
書では２種類のフエノールホルムアルデヒドノボ
ラツク樹脂の混合物を代表的な光増感剤と一緒に
使用したが、これらのノボラツク樹脂は特別なPH
のアルカリ溶液中での溶解度及び曇点によつて限
定されている。米国特許第4115128号明細書では、
有機酸環式無水物から成る第３の成分をフオトス
ピードを増加させるためにフエノール樹脂及びナ
フトキノンジアジド光増感剤に添加した。 問題点を解決するための手段 本発明により、レジストのフオトスピード、腐
食率、プラズマ腐食率及びコントラストを維持す
るか又は改善しながら改良された臭気を示すポジ
テイブ型フオトレジストの製法が得られる。意想
外にもこの種の改良されたレジストは、ノボラツ
ク又はポリビニルフエノール樹脂及びキノンジア
ジド光増感剤をプロピレングリコールアルキルエ
ーテルアセテートとプロピレングリコールアルキ
ルエーテルとの混合物から成る溶剤成分と混合す
る場合に調製されることが判明した。この成分
は、樹脂及び光増感剤用の溶剤としても働きレジ
ストの支持体への塗布を助成する。この成分はフ
オトレジスト生成に有用なその他の溶剤に対して
低い毒性を示す。 プロピレングリコールアルキルエーテルアセテ
ートから成るポジテイブ型フオトレジストは、
1984年６月11日付けの米国特許出願第619468号、
現在米国特許第450069号明細書に記載されてい
る。 １，２−プロパンジオールのC₁〜C₄モノアル
キルグリコールエーテルから成るポジテイブ型感
光性組成物は西ドイツ特許公開公報第3421160号
明細書に記載されている。 プロピレングリコールアルキルエーテル及びプ
ロピレングリコールアルキルエーテルアセテート
のうちの１つだけを含有する感光性組成物は欠点
を有する。プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート（PGMEA）は接触する人の約半
分に対して不快臭を与える。これらの人々は大抵
は女性である。プロピレングリコールモノメチル
エーテル（PGME）もこれにさらされる人の約
半分に対して不快感を与える。これらは大抵は男
性である。しかしながらPGMEAを不快と思う人
はPGMEに対しては僅かであるか又は臭を感じ
ない。反対のこともあてはまり、PGMEに不快
感を持つ人はPGMEAは心地良いか又は不快感を
受けない。これらの溶剤すなわちPGME／
PGMEA（１：１）の混合物は両群の人人に対し
て不快感を与えないが少なくとも不快感が少な
い。これらの観察に基づいてPGME／PGMEA
混合物を用いるレジストは臭気の少ない種類のフ
オトレジストを生じる。 本発明により、放射感光性ポジテイブ型フオト
レジスト組成物及びフオトレジストの製法が得ら
れるが、この製法はノボラツク及びポリビニルフ
エノールから成る群から選択した少なくとも１種
類の樹脂、ｏ−キノンジアジド光感光剤少なくと
も１種類及び溶剤組成物から成る組成物を生成
し、この溶剤組成物はプロピレングリコールアル
キルエーテルとプロピレングリコールアルキルエ
ーテルアセテートとの混合物から成り；前記組成
物を支持体上に塗布し、前記組成物を実質的には
非粘着性ではあるが残留溶剤を乾燥塗布量に対し
て約１〜約30％の量で含有する用に乾燥し；組成
物を像を作るエネルギーに像に応じて露光し、か
つ露光部分をアルカリ現像液で除去することより
なる。 本発明はフオトレジストとして使用するのに好
適な感光性ポジテイブ型組成物も提供するが、こ
の組成物はノボラツク及びポリビニルフエノール
から成る群から選択した少なくとも１種類の樹
脂、ｏ−キノンジアジド光増感剤少なくとも１種
類及び均一な溶液を生成するためにプロピレング
リコールアルコールアルキルエーテル及びプロピ
レングリコールアルキルエーテルアセテートから
成る十分な量の溶剤組成物から成る。 有利な実施例では本発明はノボラツク樹脂、キ
ノンジアジド光増感剤及び十分な量のプロピレン
グリコールアルキルエーテルとプロピレングリコ
ールアルキルエーテルアセテートとの混合物から
成るポジテイブ型感光性組成物を使用する。最も
有利にはアセテートはプロピレングリコールメチ
ルエーテルアセテートである。最も有利なエーテ
ルはプロピレングリコールメチルエーテルであ
る。エーテル及びアセテートは両方共有利には
C₁〜C₄アルキル単位を含有する。 本発明のフオトレジストは、従来公知のポジテ
イブ型フオトレジストに比べて卓越したフオトス
ピードを示すと共に高度の解像度、良好な現像コ
ントラスト及び接着特性を示す。これらの特性
は、同時に解像度及びコントラストを犠牲にしな
がら中程度に増加したフオトスピードを達成する
若干の公知レジストとは極めて対照的である。こ
の組成物は又、改良された組成物臭を示す。 前記の様に、本発明により、ノボラツク又はポ
リビニルフエノール樹脂、キノンジアジド光増感
剤及びプロピレングリコールアルキルエーテルと
プロピレングリコールアルキルエーテルアセテー
トとの混合物から成る溶剤組成物を含有する組成
物が得られる。 感光性組成物の製造に使用することのできるノ
ボラツク樹脂の製造は当業者に公知である。それ
らの製造方法の１つはノツプ（Knop A.）及び
シエイブ（Scheib W.）著“ケミストリーアンド
アプリケーシヨン オブ フエノーリツク レ
ジンズ”（Chemistry and Application of
Phenolic Resins、スプリンガー フエアラーク
（Springer Verlag）ニユーヨーク）第４章
（1979年）に記載されている。ポリビニルフエノ
ールは米国特許第3869292号及び第4439516号明細
書に記載されている。同様にｏ−キノンジアジド
の使用は、“ライトセンシテイブ システムズ”
（Light Sensitive Systems）コーサー（Kosar
J.）；ジヨン・ワイレイ（John Wiley）＆サンズ
（Sons）、ニユーヨーク、1965年第7.4章により示
される様に当業者に公知である。本発明の方法の
成分よりなるこれらの光増感剤は、ポジテイブ型
フオトレジスト処方物で当業界で常用される置換
されたナフトキノンジアジド光増感剤の群から選
択される。この種の増感化合物は、例えば米国特
許第2797213号；第3106465号；第3148983号；第
3130047号；第3201329号；第3785825号及び第
3802885号明細書に開示されている。有用な光増
感剤には、フエノール化合物例えばヒドロキシベ
ンゾフエノンと縮合されたナフトキノン−（１，
２）−ジアジド−５−スルホニルクロリド及びナ
フトキノン−（１，２）−ジアジド−４−スルホニ
ルクロリドが包含される。 有利な実施例では、フオトレジスト組成物の固
体、すなわち樹脂とジアジドの割合は有利には樹
脂15％〜99％及びキノンジアジド約１％〜約85％
の範囲である。更に有利な樹脂の範囲は固体レジ
スト分の約50〜約90重量％、最も有利には約65〜
約85重量％である。ジアジドの更に有利な範囲
は、固体レジスト分の約10〜50重量％であり最も
有利には約15〜約35重量％である。レジスト組成
物の製造で、樹脂及びジアジドを、プロピレング
リコールアルキルエーテルとプロピレングリコー
ルアルキルエーテルアセテートとの混合よりなる
溶剤組成物と、この溶剤組成物が全体のレジスト
組成物の約40重量％〜約90重量％の量で存在する
様に、混合する。更に有利な範囲は全体のレジス
ト組成物の約60重量％〜約83重量％であり、最も
有利には約65重量％〜約70重量％である。有利な
実施態様では、PGME対PGMEAの比は、使用
者の希望に応じて広い範囲で変化させることがで
きる。この割合の好適な範囲は、約１：20〜20：
１である。有利な範囲は約10：１〜１：10であ
り、更に有利には約６：４〜４：６である。最も
有利な実施例では、PGME及びPGMEAは約
１：１の割合で存在する。 添加物例えば着色剤、染料、抗ストリエーシヨ
ン剤（anti−striation agents）、可塑剤、接着促
進剤、加速剤、溶剤及び非イオン性表面活性剤の
様な表面活性剤を、溶液を支持体に塗布する前に
樹脂、光増感剤及び溶剤組成物の溶液に添加して
も良い。 本発明のフオトレジスト組成物と一緒に使用す
ることができる染料添加物の例には、メチルバイ
オレツト（Methyl Violet）2B（C.I.No.42535）、
クリスタルバイオレツト（Crystal Violet）（C.
I.42555）、マラカイト グリーン（Malachite
Green）（C.I.No.42000）、ビクトリア ブルー
（Victoria Blue）Ｂ（C.I.No.44045）及びニユート
ラル レツド（Neutral Red）（C.I.No.50040）が
樹脂及び光増感剤の合計重量に対して１〜10重量
％の濃度で包含される。染料添加物は支持体から
の光の後方散乱を阻止することによつて増加した
解像度を生じるのを助ける。 抗ストリエーシヨン剤は樹脂及び光増感剤の合
計重量に対して５重量％まで使用することができ
る。 使用することのできる可塑剤は例えば燐酸トリ
−（β−クロロエチル）−エステル；ステアリ酸；
ジカンフアー（dicamphor）；ポリプロピレン；
アセタール樹脂；フエノキシ樹脂；及びアルキル
樹脂を樹脂及び光増感剤の合計重量に関して１〜
10重量％の濃度で包含する。可塑剤添加物は材料
の塗布特性を改善し、平らで均一な厚さのフイル
ムを支持体に塗布することを可能にする。 使用することのできる接着促進剤は例えばえβ
−（３，４−エポキシ−シクロヘキシル）−エチル
トリメトキシシラン；ｐ−メチル−ジシラン−メ
チルメタクリレート；ビニルトリクロルシラン；
及びγ−アミノプロピルトリエトキシランを樹脂
及び光増感剤の合計重量に関して４重量％まで包
含する。 使用することのできる加速剤には例えばピクリ
ン酸、ニコチン酸又はニトロ桂皮酸をノボラツク
及び光増感剤の合計重量に関して20重量％までが
包含される。この促進剤は露光及び未露光部分の
両方でフオトレジスト被覆の溶解度を増し、従つ
て若干コントラストが犠牲になる可能性があるが
現像速度がより重要である場合に使用される；す
なわち、フオトレジスト被覆の露光部分は現像剤
によつてより迅速に溶解するが、加速剤は未露光
部分からのフオトレジスト被覆のより大きな損失
も生じうる。 溶剤にはキシレン、酢酸ブチル及び酢酸セロソ
ルブ（Cellosolve） が包含され、全体の組成物
中に95重量％までの量で存在して良いが、有利に
は、この組成物中で付加的な溶剤は使用されな
い。 使用することのできる非イオン性表面活性剤に
は、例えばノニルフエノキシポリ（エチレンオキ
シ）エタノール；オクチルフエノキシ（エチレン
オキシ）エタノール及びノニルフエノキシポリ
（エチレンオキシ）エタノールが樹脂及び光増感
剤の合計重量に関して10重量％までが包含され
る。 製造したレジスト溶液は、支持体に浸漬、噴
霧、旋回及びスピンコーチング（（Spin coating）
を含むフオトレジスト業界で使用される任意の常
法で塗布することができる。スピンコーチングの
場合には例えばレジスト溶液を使用するスピニン
グ装置の種類及びスピニング工程の時間が決めら
れている場合に所望の厚さの被覆を生じるために
固体分の％に関して調整することができる。好適
な支持体には、珪素、アルミニウム又は重合体樹
脂、二酸化珪素、ドーピングされた二酸化珪素、
窒化珪素、タンタル、銅、ポリシリコン
（polysilicon）、セラミツク及びアルミニウム／
銅混合物が包含される。 前記方法により製造したフオトレジスト被覆
は、特にマイクロプロセツサーやその他の小型化
IC部品の製造に使用される様な熱生長
（thermally grown）珪素／二酸化珪素塗布され
たウエハに塗布するのに好適である。アルミニウ
ム／二酸化アルミニウムウエハを使用することも
できる。支持体は種々の重合体樹脂特に例えばポ
リエステルの様な透明な重合体から成つても良
い。 レジスト組成物溶液を支持体に塗布した後に支
持体を約20゜〜105℃で温度処理する。この温度処
理は、光増感剤の実質的な熱による脱階調を生じ
ない様にフオトレジスト中の残留溶剤の濃度を蒸
発による減じて調整するために選択する。一般に
溶剤の濃度を最小にすることが所望され、従つて
この温度処理は十分な量の溶剤が蒸発して厚さ約
１ミクロンのフオトレジスト組成物の薄い被覆が
支持体上の残留するまで行なわれる。この処理は
通常約20℃〜約105℃の範囲の温度で実施する。
有利な実施例では温度は約50℃〜約105℃である。
この処理は溶剤除去の変化率が比較的僅かになる
迄行なう。温度及び時間はユーザーにより所望さ
れるレジスト特性並びに使用する装置及び市場で
所望される被覆時間に左右される。ホツトプレー
ト処理用の市場で許容される処理時間は約３分間
まで、更に有利には約１分間までである。例えば
90゜で30秒間の処理が有用である。 対流式オーブンでは蒸発は15分間から１時間又
はそれ以上行なうことができる。被覆は非粘着性
を付与され、本発明の思想の範囲内で乾燥した被
覆は残留溶剤を乾燥した被覆の重量に関して約１
〜30％、有利には５〜20％、更に有利には８〜12
％の量で含有する。次いで塗布した支持体を当業
者に公知の方法で好適なマスク、ネガ、ステンシ
ル、テンプレート等を使用することによつて製造
した任意の所望の露光パターンで化学線照射、特
に紫外線にさらすことができる。 露光され、レジスト塗布された支持体を次いで
アルカリ現像水溶液に十分に浸漬する。溶液は有
利には例えば窒素噴射撹拌によつて撹拌する。好
適な現像剤には、非限定的に水酸化アルカリ、水
酸化アンモニウム又はテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシドを含有する水溶液が包含される。し
かしながらその他の当業者に公知の現像剤を使用
することができる。支持体は全てか又は実質的に
全てのレジスト被覆が露光部分から溶解するまで
現像剤中に残留させておく。 塗布したウエハを現像液から除去した後に、後
現像熱処理又は焼き付けを行なつて被覆の接着及
び腐食溶液やその他の物質に対する化学的耐性を
増すことができる。後現像熱処理には被覆及び支
持体を被覆の軟化点以下にオーブン焼付けするこ
とが包含される。この露光後の焼付又は熱処理は
約95℃〜約160℃、有利には95℃〜150℃、更に有
利には112℃〜120℃で行うことができる。この熱
処理はホツトプレート系を用いて約10秒から樹脂
を架橋するのに必要な時間まで行なうことができ
る。これは一般に約10秒〜90秒、更に有利には約
30秒〜約90秒、最も有利には15〜45秒間である。
90秒より長い時間も可能であるが、一般に何ら付
加的な利益をもたらさない。比較的長い時間が対
流式オーブン焼付けに所望される。選択される時
間は使用される組成物成分及び支持体の選択に左
右される。工業用途で、特に珪素／二酸化珪素型
の支持体上にマイクロ回路ユニツトを製造する場
合には、現像した支持体を緩衝された弗化水素酸
を基礎とする腐食溶液又はガスプラズマで処理す
ることができる。本発明のレジスト組成物は、酸
を基礎とする腐食溶液及びガスプラズマ腐食に対
して耐性であり、支持体の未露光のレジスト被覆
部分を有効に保護する。 次に実施例につき本発明を詳説する。しかしな
がら本発明はこれらの実施例にのみ限定されるも
のではなく、条件、パラメーター又は値は本発明
を実施するために使用すべきである限定的なもの
であると解すべきではない。 例 レジスト処方物を次の様にして製造する： 結合剤樹脂 23.8％ 光活性化合物 7.0％ 溶剤組成物 69.2％ 結合剤樹脂は、クレゾール−ホルムアルデヒド
ノボラツクである。 光活性化合物は２，１−ジアゾナフトキノン−
５−スルホニルクロリド及び２，３，４−トリヒ
ドロキシ−ベンゾフエノンの縮合生成物である。 溶剤は第１表に記載した様にPGME／
PGMEAの混合物から成る。 レジスト吸収力は全ての場合に1.33±0.03／
ｇcmである。 レジストをスピン塗布してスピン速度を調整す
ることによつて90℃で30分間ソフト焼付けした後
に厚さ2.0μｍのフイルムを生じ、ルドルフフイル
ム厚さモニター（Rudolph Film Thickness
Monitor）で測定する。フオトスピード及びコン
トラストは、レーザーインターフエロメトリーに
より得、８個のデーターの一次回帰処理（linear
regression treatment）の結果である。現像は全
ての場合にサマービレ（Somerville）N.J.在アメ
リカヘキスト社（American Hoechst）市販の
AZフオトレジスト デイベロツパー
（Photoresist Developer）の１：１稀釈物を使用
する。これらの結果からPGME／PGMEAの混
合物が、フオトスピード及びコントラストデータ
ーが単一溶剤（PGMEA）レジストに匹適しなが
ら、不快臭の少ないフオトレジストを生じると結
論できる。 【表】

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ノボラツク及びポリビニルフエノールから成
   る群から選択した樹脂少なくとも１種類、ｏ−キ
   ノンジアジド光増感剤少なくとも１種類及び均一
   な溶剤を生成するために充分な量のプロピレング
   リコールアルキルエーテル及びプロピレングリコ
   ールアルキルエーテルアセテートよりなる溶剤混
   合物から成ることを特徴とする、放射感光性ポジ
   テイブ型フオトレジスト組成物。 ２ 前記アセテート成分は、プロピレングリコー
   ルメチルエーテルアセテートである特許請求の範
   囲第１項記載の組成物。 ３ 更に着色剤、抗ストリエーシヨン剤、可塑
   剤、接着促進剤、加速剤、溶剤及び表面活性剤か
   ら成る群から選択した１種又は多種の添加物を包
   含する、特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ４ 前記アセテート／エーテル混合物は、組成物
   の溶剤分の重量に関して５〜100％の量で存在す
   る、特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ５ 前記樹脂が前記組成物の重量に関して５〜40
   ％の量で存在する、特許請求の範囲第１項記載の
   組成物。 ６ 前記ジアジドは、組成物の固体分の重量に対
   して５〜35％の量で存在する特許請求の範囲第１
   項記載の組成物。 ７ 前記ジアジド成分は、ヒドロキシ−又はポリ
   ヒドロキシアリール化合物、アリールアミン又は
   ポリアミンとのジアゾスルホニルクロリド反応生
   成物から成る群から選択した１種又は多種の化合
   物から成る、特許請求の範囲第１項記載の組成
   物。 ８ 前記光増感剤はナフトキノン−（１，２）−ジ
   アジド−(2)５−スルホニルクロリドとトリヒドロ
   キシベンゾフエノンとの縮合生成物である、特許
   請求の範囲第１項記載の組成物。 ９ 前記アセテート／エーテル混合物が組成物の
   溶剤分の重量に対して100％の量で存在する、特
   許請求の範囲第１項記載の組成物。 １０ 前記樹脂はノボラツクである、特許請求の
   範囲第１項記載の組成物。 １１ 前記樹脂がクレゾール−ホルムアルデヒド
   ノボラツクである、特許請求の範囲第１項記載の
   組成物。 １２ 前記エーテルはプロピレングリコールメチ
   ルエーテルである、特許請求の範囲第１項記載の
   組成物。 １３ 前記エーテル及び前記アセテートが１：10
   〜10：１の割合で存在する、特許請求の範囲第１
   項記載の組成物。 １４ ノボラツク及びポリビニルフエノールから
   なる群から選択した樹脂少なくとも１種類、ｏ−
   キノンジアジド光増感剤少なくとも１種類、及び
   プロピレングリコールアルキルエーテルとプロピ
   レングリコールアルキルエーテルアセテートとの
   混合物からなる溶剤組成物を含有する組成物を生
   成し；この組成物を支持体に塗布し、この組成物
   を実質的に非粘着性ではあるが乾燥塗布量に対し
   て１〜30％の量で残留溶剤を含有する様に乾燥
   し；組成物を画像を作るエネルギーで画像に応じ
   て露光し及び露光部分をアルカリ現像液を用いて
   除去することを特徴とするフオトレジストの製
   法。 １５ 前記アセテート成分はプロピレングリコー
   ルメチルエーテルアセテートである、特許請求の
   範囲第１４項記載の方法。 １６ 前記エーテル成分は、プロピレングリコー
   ルメチルエーテルである、特許請求の範囲第１４
   項記載の方法。 １７ 前記組成物は、更に着色剤、抗ストリエー
   シヨン剤、可塑剤、接着促進剤、加速剤、溶剤及
   び表面活性剤からなる群から選択した１種又は多
   種の添加物を含有する、特許請求の範囲第１４項
   記載の方法。 １８ 前記アセテート／エーテル混合物が組成物
   の溶剤分の重量に対して５〜100％の量の存在す
   る、特許請求の範囲第１４項記載の方法。 １９ 前記樹脂が前記組成物の重量に対して５〜
   40％の量で存在する、特許請求の範囲第１４項記
   載の方法。 ２０ 前記ジアジドが組成物の固体分の重量に対
   して５〜35％の量で存在する、特許請求の範囲第
   １４項記載の方法。 ２１ 前記ジアジド成分は、ヒドロキシ−又はポ
   リヒドロキシアリール化合物、アリールアミン又
   はポリアミンのジアゾスルホニル−クロリド反応
   生成物からなる群から選択した１種又は多種の化
   合物を含有する、特許請求の範囲第１４項記載の
   方法。 ２２ 前記樹脂は、ノボラツク樹脂である、特許
   請求の範囲第１４項記載の方法。 ２３ 前記支持体は、珪素、アルミニウム、重合
   体樹脂、二酸化珪素、ドーピングされた二酸化珪
   素、窒化珪素、タンタル、銅、ポリシリコン、セ
   ラミツク及びアルミニウム／銅混合物からなる群
   から選択した１種又は多種の成分から成る、特許
   請求の範囲第１４項記載の方法。 ２４ 光増感剤は、ナフトキノン−（１，２）−ジ
   アジド−(2)５−スルホニルクロリドとトリヒドロ
   キシベンゾフエノンとの縮合生成物である、特許
   請求の範囲第１４項記載の方法。 ２５ 前記アセテート／エーテル混合物が前記溶
   剤組成物中に前記組成物の溶剤分の重量に対して
   少なくとも50％の量で存在する、特許請求の範囲
   第１４項記載の方法。 ２６ 前記エーテル及び前記アセテートが１：10
   〜10：１の割合で前記組成物に存在する、特許請
   求の範囲第１４項記載の方法。