JPH0459635A - ファイバ増幅器 - Google Patents
ファイバ増幅器Info
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- JPH0459635A JPH0459635A JP2167407A JP16740790A JPH0459635A JP H0459635 A JPH0459635 A JP H0459635A JP 2167407 A JP2167407 A JP 2167407A JP 16740790 A JP16740790 A JP 16740790A JP H0459635 A JPH0459635 A JP H0459635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- band
- fiber
- glass
- wavelength
- optically functional
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は1.3μm帯での光増幅に使用される光機能性
ガラス及びファイバ増幅器に関する。
ガラス及びファイバ増幅器に関する。
希土類元素を添加した光機能性ガラスは、一般に1.3
10±0.025μmの範囲で行われる1、3μm帯で
の光通信に使用するファイバ増幅器、ファイバセンサ、
ファイバレーサ等の光機能性装置への応用か考えられて
いる。例えば、燐酸塩系の多成分ガラスにネオジムイオ
ン(N d ”)を添加したガラスを準備し、このガラ
スから形成した光ファイバのレーサ発振特性について評
価した旨の報告(ELECRONIC3LETTER3
,1990,Vol、2B。
10±0.025μmの範囲で行われる1、3μm帯で
の光通信に使用するファイバ増幅器、ファイバセンサ、
ファイバレーサ等の光機能性装置への応用か考えられて
いる。例えば、燐酸塩系の多成分ガラスにネオジムイオ
ン(N d ”)を添加したガラスを準備し、このガラ
スから形成した光ファイバのレーサ発振特性について評
価した旨の報告(ELECRONIC3LETTER3
,1990,Vol、2B。
No、2.I)p121−122)等がなされている。
この報告では、光ファイバの特性に関して、蛍光ピーク
が波長1.32μmに存在し、レーザ発振ピークが波長
1.36μmに存在し、E S A (exceeds
tate absorpNon)ピークが波長1.31
μm帯域に存在するという結果が示されている。
が波長1.32μmに存在し、レーザ発振ピークが波長
1.36μmに存在し、E S A (exceeds
tate absorpNon)ピークが波長1.31
μm帯域に存在するという結果が示されている。
しかし、上記の報告に示される多成分ガラスでは波長1
.3μm帯で利得か得られていなかった。
.3μm帯で利得か得られていなかった。
このように利得が得られない理由として、N d ””
の波長1.32μmでの蛍光ピークが比較的微弱である
ことと、ESA遷移による比較的大きな吸収ピークがち
ょうど1.31μm帯域に存在することとか考えられて
いる。
の波長1.32μmでの蛍光ピークが比較的微弱である
ことと、ESA遷移による比較的大きな吸収ピークがち
ょうど1.31μm帯域に存在することとか考えられて
いる。
そこで、上述の事情に鑑み、本発明は、波長1.3μm
帯での光増幅を可能にする、或いはその増幅効率を高め
る光機能性ガラスを提供することを目的としている。
帯での光増幅を可能にする、或いはその増幅効率を高め
る光機能性ガラスを提供することを目的としている。
また、本発明は、上記光機能性ガラスを用いた光ファイ
バを含むファイバ増幅器を提供することを目的とする。
バを含むファイバ増幅器を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明者は上記
課題の解決のため、鋭意研究を重ねた結果、Nd3+を
活性物質として含む光機能性ガラスであって、波長1.
3μm帯での光増幅を可能にする、或いはその増幅効率
を高めるガラスを見出した。
課題の解決のため、鋭意研究を重ねた結果、Nd3+を
活性物質として含む光機能性ガラスであって、波長1.
3μm帯での光増幅を可能にする、或いはその増幅効率
を高めるガラスを見出した。
本発明に係る光機能性ガラスにあっては、希土類元素の
イオンであるセリウムイオン(Ce3+)テルビウムイ
オン(Tb””)、プラセオジムイオン(Pr )及
びサマリウムイオン(S m ””)の3十 内少なくとも一種類のイオンを、N d ”、!:共に
ホストガラス(マトリックスガラス)に添加することと
している。
イオンであるセリウムイオン(Ce3+)テルビウムイ
オン(Tb””)、プラセオジムイオン(Pr )及
びサマリウムイオン(S m ””)の3十 内少なくとも一種類のイオンを、N d ”、!:共に
ホストガラス(マトリックスガラス)に添加することと
している。
本発明に係る光機能性ガラスにおいては、3+
3+ 3+Ce Tb Pr
若しくはSm3+又はこれらの組み合わせをホスト
ガラスに共添加することにより、Nd”Ol、06μm
帯での発光を抑制できることと、この結果波長1.3μ
m帯での光増幅に適したガラスを得ることかできること
とが後述のように判明した。
3+ 3+Ce Tb Pr
若しくはSm3+又はこれらの組み合わせをホスト
ガラスに共添加することにより、Nd”Ol、06μm
帯での発光を抑制できることと、この結果波長1.3μ
m帯での光増幅に適したガラスを得ることかできること
とが後述のように判明した。
上記の現象に関し、本発明者は次のような仮説を立てて
検討した。
検討した。
即ち、Nd3+添加の光機能性ガラスに導入された0、
8μm帯の励起光は活性物質であるNd3+を励起する
。この結果1、エネルギー準位 F3/2からエネルギ
ー準位 I への遷移に対応する13/2 1.3μm帯の輻射と、その他の輻射として、エネルギ
ー準位 F からエネルギー準位3/2 ”11/2への遷移に対応する1、06μm帯の輻射等
か可能になる。
8μm帯の励起光は活性物質であるNd3+を励起する
。この結果1、エネルギー準位 F3/2からエネルギ
ー準位 I への遷移に対応する13/2 1.3μm帯の輻射と、その他の輻射として、エネルギ
ー準位 F からエネルギー準位3/2 ”11/2への遷移に対応する1、06μm帯の輻射等
か可能になる。
Ndイオンに関する上記の現象を統計的に考えてみる。
ホストガラス中のN d 3”O多数は、励起されて波
長1.06μm帯、波長1.3μm帯等の発光に対応す
る遷移が可能な状態となっている。
長1.06μm帯、波長1.3μm帯等の発光に対応す
る遷移が可能な状態となっている。
励起された上記Nd3+の一部分は、自然放出或いは誘
導放出により所定の確率で波長1.3μm帯の光を放射
する。また、励起された上記Nd”+の一部分は、自然
放出或いは誘導放出により、所定の確率で波長1,3μ
m帯の光ではなく波長1.06μm帯の光を放射する。
導放出により所定の確率で波長1.3μm帯の光を放射
する。また、励起された上記Nd”+の一部分は、自然
放出或いは誘導放出により、所定の確率で波長1,3μ
m帯の光ではなく波長1.06μm帯の光を放射する。
この場合、N d ””O波長1.06μm帯の放射光
を抑制するための物として、波長1.06μm帯の放射
光のみの抑制体がホストガラス中にある程度の量存在す
れば、これらの抑制体はNd3”Ol、06μm帯先の
放射を抑制し、更に波長1,06μm帯の光に起因する
誘導放出を抑制することかできる。
を抑制するための物として、波長1.06μm帯の放射
光のみの抑制体がホストガラス中にある程度の量存在す
れば、これらの抑制体はNd3”Ol、06μm帯先の
放射を抑制し、更に波長1,06μm帯の光に起因する
誘導放出を抑制することかできる。
この結果、波長1.3μm帯での誘導放出の効率の低下
を防止することかできる。
を防止することかできる。
以上の仮説について、第1図及び第2図を参照してより
具体的に説明する。
具体的に説明する。
第2図は、燐酸塩系のガラス試料に添加された活性物質
であるN d 3”(7)エネルギー準位を示した図で
ある。図に示す吸・発光遷移の波長は、このガラスから
作製したファイバを自記分光光度計及び光スペクトルア
ナライザを用いて測定することにより算出したものであ
る。主な遷移について説明すると、約0.80μmの励
起光により、基底遷移する。このようなポンピングによ
り、準位4F と、準位 1 、 1 、
’13/2 9/2 11/2 1
3/2及び ■ との間に反転分布が形成されると、
15/2 波長0.88μm、波長1.06μm、波長1.33μ
mをピークとした発光が可能になる。
であるN d 3”(7)エネルギー準位を示した図で
ある。図に示す吸・発光遷移の波長は、このガラスから
作製したファイバを自記分光光度計及び光スペクトルア
ナライザを用いて測定することにより算出したものであ
る。主な遷移について説明すると、約0.80μmの励
起光により、基底遷移する。このようなポンピングによ
り、準位4F と、準位 1 、 1 、
’13/2 9/2 11/2 1
3/2及び ■ との間に反転分布が形成されると、
15/2 波長0.88μm、波長1.06μm、波長1.33μ
mをピークとした発光が可能になる。
これらの発光の強度は、外因がないものとすれば自然放
出による発光と考えてよく、Nd”+添加ガラスの蛍光
ピークの高さに対応するものと考えられる。波長0.8
8μm5波長1.06μm及び波長1.33μmにおけ
るN d ”(r)蛍光ピーク高さは、波長0.8μm
帯励起光のみをNd3+を添加したバルクガラスに入射
させることて求まり、それらの比はそれぞれ約5:9:
1であった。
出による発光と考えてよく、Nd”+添加ガラスの蛍光
ピークの高さに対応するものと考えられる。波長0.8
8μm5波長1.06μm及び波長1.33μmにおけ
るN d ”(r)蛍光ピーク高さは、波長0.8μm
帯励起光のみをNd3+を添加したバルクガラスに入射
させることて求まり、それらの比はそれぞれ約5:9:
1であった。
この様に、波長1.06μm帯での発光確率が非常に大
きいという事実に対し、この発光の低減及びこれに起因
する誘導放出を低減させるための方法を示したのが第1
図である。
きいという事実に対し、この発光の低減及びこれに起因
する誘導放出を低減させるための方法を示したのが第1
図である。
波長0.8μm帯光6励起されたNd””は、例えば自
然放出により波長0.88μm帯、波長1.06μm帯
及び波長1.3μm帯の光を放射する。ここで、発光確
率の比較的高い1.06μm帯光の6の適当な抑制体と
して、基底準位の約2000 crn−’上方にエネル
ギー準位を有する活性イオンがN d ””(7)近傍
に存在すれば、この活性イオンの上記エネルギー準位に
存在する励起された電子からのエネルギ伝達により、N
d3+の基底411□/2に励起されることとなる。こ
の結果、多411□/2との間の反転分布が選択的に消
滅し、或いはその反転分布の度合いが減少し、準位4F
3/2から準位4■ 1□/2への遷移に対応する波 長1.06μm放射の放射が制限される。このように波
長1.06μm帯での発光が抑制された状3+ 態のNd を含むガラスに1.3μm帯の信号光が入
射すると、波長1.3μm帯での誘導放出が1.06μ
m帯での発光に妨げられること無く効果的に行われる。
然放出により波長0.88μm帯、波長1.06μm帯
及び波長1.3μm帯の光を放射する。ここで、発光確
率の比較的高い1.06μm帯光の6の適当な抑制体と
して、基底準位の約2000 crn−’上方にエネル
ギー準位を有する活性イオンがN d ””(7)近傍
に存在すれば、この活性イオンの上記エネルギー準位に
存在する励起された電子からのエネルギ伝達により、N
d3+の基底411□/2に励起されることとなる。こ
の結果、多411□/2との間の反転分布が選択的に消
滅し、或いはその反転分布の度合いが減少し、準位4F
3/2から準位4■ 1□/2への遷移に対応する波 長1.06μm放射の放射が制限される。このように波
長1.06μm帯での発光が抑制された状3+ 態のNd を含むガラスに1.3μm帯の信号光が入
射すると、波長1.3μm帯での誘導放出が1.06μ
m帯での発光に妨げられること無く効果的に行われる。
よって、ESAに起因する波長1.3μm帯域での吸収
の存在にもがかわらず、波長1.3μm帯での光増幅・
発光が可能になるとともに、光増幅の利得を増大させる
ことができる。
の存在にもがかわらず、波長1.3μm帯での光増幅・
発光が可能になるとともに、光増幅の利得を増大させる
ことができる。
上記抑制体の条件としては、基底準位の約2000cm
上方にエネルギー準位を有することのみならず、波
長的1.3μm帯の放出光を吸収しないものであること
、励起光を吸収しないこと等も必要である。この様な抑
制体として活性イオンを用いてこれをNd3+と共にホ
ストガラスに添加する場合、吸収帯がブロードな遷移金
属の使用は適さず、吸収帯がシャープな希土類元素の使
用か望ましい。更に、その活性イオンの基底準位がら約
2000CI11−1上方のエネルギー準位の状態密度
が高いことか望ましい。このような条件での希土類元素
イオンの選択を示したのが第3図である。
上方にエネルギー準位を有することのみならず、波
長的1.3μm帯の放出光を吸収しないものであること
、励起光を吸収しないこと等も必要である。この様な抑
制体として活性イオンを用いてこれをNd3+と共にホ
ストガラスに添加する場合、吸収帯がブロードな遷移金
属の使用は適さず、吸収帯がシャープな希土類元素の使
用か望ましい。更に、その活性イオンの基底準位がら約
2000CI11−1上方のエネルギー準位の状態密度
が高いことか望ましい。このような条件での希土類元素
イオンの選択を示したのが第3図である。
尚、第3図に示される希土類元素のエネルギー準位は結
晶中のものである。上記の条件を満たす希土類元素の候
補として、Ce3+3+3+Tb Pr 若しくはSm”+が望ましいことがゎがる。ce3+7
F6遷移、Pr の H5−H4遷移及び3+ 3
3 5m3+の6)I −6H遷移は、それぞれ波9/
2 5/2 数的2300 cm 1900 cm 210
0 cm−1及び23008m−’となっており、これ
らの値は準位 I と準位 I との差約2000c
m−1に対応する。
晶中のものである。上記の条件を満たす希土類元素の候
補として、Ce3+3+3+Tb Pr 若しくはSm”+が望ましいことがゎがる。ce3+7
F6遷移、Pr の H5−H4遷移及び3+ 3
3 5m3+の6)I −6H遷移は、それぞれ波9/
2 5/2 数的2300 cm 1900 cm 210
0 cm−1及び23008m−’となっており、これ
らの値は準位 I と準位 I との差約2000c
m−1に対応する。
なお、Ce3+$のイオンを波長1,06μm帯の発光
に対する抑制体として機能させるためには、3+ 例えばCe については、エネルギー準位2F7/2
に電子か励起されている必要がある。このような励起を
起こさせるためには、5μm帯の励起光を用いてNd
を励起することが望ましい。
に対する抑制体として機能させるためには、3+ 例えばCe については、エネルギー準位2F7/2
に電子か励起されている必要がある。このような励起を
起こさせるためには、5μm帯の励起光を用いてNd
を励起することが望ましい。
5μm帯の光が吸収されないようにするという条件から
すると、カルコゲナイドガラスの使用が最も望ましい。
すると、カルコゲナイドガラスの使用が最も望ましい。
上記の5μm帯の励起光に替わる他の方法としては、例
えばce3+P1gのより高い別のエネルギー準位に電
子を一旦励起し、この別の準位から準位2F 7/2に電子を遷移させる方法もあ るか、更に別のイオンを用いてエネルギー伝達を行うこ
とも可能である。
えばce3+P1gのより高い別のエネルギー準位に電
子を一旦励起し、この別の準位から準位2F 7/2に電子を遷移させる方法もあ るか、更に別のイオンを用いてエネルギー伝達を行うこ
とも可能である。
上記の仮説が適切なものであるがどうかは不明である。
いずれにせよ、本発明者の実験・検討によれば、ガラス
中に、Nd”+と共にCe””Tb”Pr 若しくは
Sm 又はこれらの組み3+ 3
+ 合わせを添加することにより、Nd3+の1.06μm
帯での発光をCe 等により抑制させることができ、
波長1.3μm帯での光増幅を可能にする或いはその増
幅効率を高める有望なガラスか得られた。
中に、Nd”+と共にCe””Tb”Pr 若しくは
Sm 又はこれらの組み3+ 3
+ 合わせを添加することにより、Nd3+の1.06μm
帯での発光をCe 等により抑制させることができ、
波長1.3μm帯での光増幅を可能にする或いはその増
幅効率を高める有望なガラスか得られた。
上記の光機能性ガラスは光伝送路用の素材として用いら
れ、例えば平面導波路等に形成してもよいが、上記の光
機能性ガラスからなるコアを備えた光ファイバを作製す
ることが、長尺の光伝送路を得る上では望ましく、また
波長1.3μm帯の光機能性装置を得る上でも望ましい
。即ち、上記ような光機能性ガラスは、これをコアとし
た光ファイバを作製することにより、ファイバレーザ、
ファイバ増幅器、ファイバ検出器等の光機能性装置への
応用が可能になる。
れ、例えば平面導波路等に形成してもよいが、上記の光
機能性ガラスからなるコアを備えた光ファイバを作製す
ることが、長尺の光伝送路を得る上では望ましく、また
波長1.3μm帯の光機能性装置を得る上でも望ましい
。即ち、上記ような光機能性ガラスは、これをコアとし
た光ファイバを作製することにより、ファイバレーザ、
ファイバ増幅器、ファイバ検出器等の光機能性装置への
応用が可能になる。
上記光ファイバは、具体的には下記のようにして作製さ
れる。光機能性ガラスが例えばカルコゲナイドガラスを
用いたものであるときは、まず3+ Nd とCe”+等とを添加した光機能性ガラスから
なるプリフォームを準備し、第4図のような線引き装置
にこのプリフォームをセットし、光ファイバに線引きす
る。第4図に示すように、プリフォーム11は送り装置
12に固定されて徐々に降下する。このとき、プリフォ
ーム11はヒータ13て加熱され、軟化して線引きか開
始される。
れる。光機能性ガラスが例えばカルコゲナイドガラスを
用いたものであるときは、まず3+ Nd とCe”+等とを添加した光機能性ガラスから
なるプリフォームを準備し、第4図のような線引き装置
にこのプリフォームをセットし、光ファイバに線引きす
る。第4図に示すように、プリフォーム11は送り装置
12に固定されて徐々に降下する。このとき、プリフォ
ーム11はヒータ13て加熱され、軟化して線引きか開
始される。
線引きされたファイバコア10は、キャプスタン14を
経由して、巻取ドラム15に巻き取られる。
経由して、巻取ドラム15に巻き取られる。
こうして得られたファイバコア10をクラッドで被覆し
て光ファイバを作製する。光機能性ガラスが酸化物系或
いは弗化物系のガラスであるときは、ますNd3+とC
e3+1とを添加した光機能性ガラスをコアとするプリ
フォームをロッドインチューブ法等により準備する。次
に、このプリフォームを第4図に示す線引き装置にセッ
トし、光ファイバに線引きする。
て光ファイバを作製する。光機能性ガラスが酸化物系或
いは弗化物系のガラスであるときは、ますNd3+とC
e3+1とを添加した光機能性ガラスをコアとするプリ
フォームをロッドインチューブ法等により準備する。次
に、このプリフォームを第4図に示す線引き装置にセッ
トし、光ファイバに線引きする。
この光ファイバ10を用いた1、3μm帯のファイバ増
幅器の一構成例を第5図に示す。図に示すように、ファ
イバ増幅器は1.3μm帯の信号光の導波路となるファ
イバ30と、波長0.8μm帯の第1の励起光を発生す
る第1の励起光源32と、波長5μm帯の第2の励起光
を発生する第2の励起光源34と、これらの励起光を第
1の励起光源32から光ファイバ30内に入射させる光
学手段33とを備える。第1の励起光源32からの波長
0,8μm帯の励起光と第2の励起光源34からの波長
5μm帯の励起光とは、光学手段33であるファイバカ
プラ等により、信号光源31からの信号光と結合される
。結合された信号光及び励起光は、ファイバ30内にコ
ネクタ等を介して導入される。
幅器の一構成例を第5図に示す。図に示すように、ファ
イバ増幅器は1.3μm帯の信号光の導波路となるファ
イバ30と、波長0.8μm帯の第1の励起光を発生す
る第1の励起光源32と、波長5μm帯の第2の励起光
を発生する第2の励起光源34と、これらの励起光を第
1の励起光源32から光ファイバ30内に入射させる光
学手段33とを備える。第1の励起光源32からの波長
0,8μm帯の励起光と第2の励起光源34からの波長
5μm帯の励起光とは、光学手段33であるファイバカ
プラ等により、信号光源31からの信号光と結合される
。結合された信号光及び励起光は、ファイバ30内にコ
ネクタ等を介して導入される。
因みに、光ファイバ30の出力側に設けられたフィルタ
36は、励起光をカットするためのものであり、光スペ
クトラムアナライザ35は、増幅された信号光を測定す
るための装置である。マツチングオイル37は、融着延
伸により形成されたファイバカブラからの戻り光を防止
するためのものである。
36は、励起光をカットするためのものであり、光スペ
クトラムアナライザ35は、増幅された信号光を測定す
るための装置である。マツチングオイル37は、融着延
伸により形成されたファイバカブラからの戻り光を防止
するためのものである。
上記のような先ファイバと、第1及び第2の励起光源と
、光学手段とを備えた1、3μm帯のファイバ増幅器に
よれば、光学手段によりファイバ内に導入された波長0
.8μrn帯のN1の励起光によってコアガラス中のN
d3+が励起される。更に、波長5μm帯の第2の励起
光によってコアガ3+ 3+ ラス中のCe Tb””Pr 若しくは5m3+
またはこれらの組み合わせが励起される。これら3+ の抑制体は、Nd の1,06μm帯での発光を抑制
し、励起されたN d ”0)多くは、これと同時に先
ファイバ内に導入された1、3μm帯の信号光等に誘導
されて、波長1.3μm帯で効率の高い誘導放出を行う
こととなる。この結果、波長1.3μm帯でも光増幅利
得が得られるばがりてなく、波長1,06μm帯の発光
に起因するロスが減少する。更には、コアに光が効率的
に閉じ込められ、かつ、閉じ込められた光の損失が極め
て低いこととから、低閾値てNd3+に反転分布を形成
することかできる。
、光学手段とを備えた1、3μm帯のファイバ増幅器に
よれば、光学手段によりファイバ内に導入された波長0
.8μrn帯のN1の励起光によってコアガラス中のN
d3+が励起される。更に、波長5μm帯の第2の励起
光によってコアガ3+ 3+ ラス中のCe Tb””Pr 若しくは5m3+
またはこれらの組み合わせが励起される。これら3+ の抑制体は、Nd の1,06μm帯での発光を抑制
し、励起されたN d ”0)多くは、これと同時に先
ファイバ内に導入された1、3μm帯の信号光等に誘導
されて、波長1.3μm帯で効率の高い誘導放出を行う
こととなる。この結果、波長1.3μm帯でも光増幅利
得が得られるばがりてなく、波長1,06μm帯の発光
に起因するロスが減少する。更には、コアに光が効率的
に閉じ込められ、かつ、閉じ込められた光の損失が極め
て低いこととから、低閾値てNd3+に反転分布を形成
することかできる。
以下、本発明の実施例について説明する。
ます、光機能性ガラスとして、Nd3+と共に3+
3+ 3+Ce Tb
Pr 若しくは5m3+を添加したカルコゲナイド
ガラスを準備した。ホストガラスの組成は30Ge−2
0As−505とした。
3+ 3+Ce Tb
Pr 若しくは5m3+を添加したカルコゲナイド
ガラスを準備した。ホストガラスの組成は30Ge−2
0As−505とした。
このホストガラスに添加した活性物質であるネオジムイ
オンの濃度はホストガラスに対し重量で1000 pp
mとした。抑制体として使用するCe Tb
Pr”+若しくはSm”+の濃度は、3+
3+ すべて1oooppmとした。また、比較のためCe”
+等を全く共添加していないカルコゲナイドガラスも準
備した。これらの試料はCe3+*を共添加してないも
の、Ce3+を共添加したもの、Tb3+を共添加した
もの、Pr3+を共添加したもの及びSm3+を共添加
したものの順に、試料A〜試料Eと名付けた。
オンの濃度はホストガラスに対し重量で1000 pp
mとした。抑制体として使用するCe Tb
Pr”+若しくはSm”+の濃度は、3+
3+ すべて1oooppmとした。また、比較のためCe”
+等を全く共添加していないカルコゲナイドガラスも準
備した。これらの試料はCe3+*を共添加してないも
の、Ce3+を共添加したもの、Tb3+を共添加した
もの、Pr3+を共添加したもの及びSm3+を共添加
したものの順に、試料A〜試料Eと名付けた。
このガラスの光増幅特性を評価するため、下記のように
してファイバを作製した。まず、上記の組成のガラスを
棒状に成形し、コア用のプリフォームとする。その後、
準備したプリフォームを第4図の線引き装置にセットし
、ファイバコアに線引きした。このファイバコアはその
周りを保護のためFEPのクラッドで覆った。この結果
、コア径8μmで外径125μmの8Mファイバが得ら
れた。この8Mファイバは、測定のため1mの長さのフ
ァイバ試料に切り出した。
してファイバを作製した。まず、上記の組成のガラスを
棒状に成形し、コア用のプリフォームとする。その後、
準備したプリフォームを第4図の線引き装置にセットし
、ファイバコアに線引きした。このファイバコアはその
周りを保護のためFEPのクラッドで覆った。この結果
、コア径8μmで外径125μmの8Mファイバが得ら
れた。この8Mファイバは、測定のため1mの長さのフ
ァイバ試料に切り出した。
このようなファイバ試料A−Hの特性の評価は、第5図
のファイバ増幅器等によって行った。
のファイバ増幅器等によって行った。
第1の励起光源32としては、励起波長が0.78μm
で、励起出力か10mWのTi−サファイアレーザを用
いた。5μm帯の光源34は、熱線ヒータと適当なフィ
ルタとの組み合わせからなる。この光源34がら光ファ
イバ3oへの入力信号の強度は10mWとした。信号光
源31としては半導体レーザを使用した。その入力信号
の強度は、−30dBmとし、ピーク波長を1.310
μmとした。
で、励起出力か10mWのTi−サファイアレーザを用
いた。5μm帯の光源34は、熱線ヒータと適当なフィ
ルタとの組み合わせからなる。この光源34がら光ファ
イバ3oへの入力信号の強度は10mWとした。信号光
源31としては半導体レーザを使用した。その入力信号
の強度は、−30dBmとし、ピーク波長を1.310
μmとした。
なお、各試料A−Hについては、Nd3+の波長0.8
8μm帯、波長1.06μm帯及び波長1.33μm帯
の蛍光についても測定を行った。
8μm帯、波長1.06μm帯及び波長1.33μm帯
の蛍光についても測定を行った。
それぞれの試料A−Eのバルクガラスに15.0mWの
0.8μm帯光δ1100mWの5.czm帯光とを入
射させ、出てくる蛍光をスペクトラムアナライザで測定
した。
0.8μm帯光δ1100mWの5.czm帯光とを入
射させ、出てくる蛍光をスペクトラムアナライザで測定
した。
試料A−Eの特性評価の結果を第6図の表に示す。
表に示した各試料のケインは1.310μmにおけるも
のである。
のである。
3+3+
表からも明らかなように、Ce TbPr3+若し
くはs m 3”o添加と、波長5μm帯先0使用とに
より、利得か増大する。つまり、Ce3+等の抑制体を
共添加せず、波長5μm帯の励起光を使用していない従
来型の光ファイバ(試料A)では利得係数か1 、 2
dB/mWであるか、波長5μm帯の放射光によって
励起された抑制体が存在する場合には、最も利得の少な
いSm””f’+加の試料Eでも利得係数が1 、 5
dB/mWとなっている。更に、抑制体を使用するこ
とによるN d ””Ol、06μm帯での発光抑制は
、表に示した蛍光ピークの強度比によっても裏付けられ
る。すなわち、Ce3+等の抑制体を共添加したファイ
バ試料B−Eは、いずれも波長1.06μm帯での発光
ピークが減少しており、相対的に0.88μm帯及び1
.33μm帯の蛍光ピークが増大している。
くはs m 3”o添加と、波長5μm帯先0使用とに
より、利得か増大する。つまり、Ce3+等の抑制体を
共添加せず、波長5μm帯の励起光を使用していない従
来型の光ファイバ(試料A)では利得係数か1 、 2
dB/mWであるか、波長5μm帯の放射光によって
励起された抑制体が存在する場合には、最も利得の少な
いSm””f’+加の試料Eでも利得係数が1 、 5
dB/mWとなっている。更に、抑制体を使用するこ
とによるN d ””Ol、06μm帯での発光抑制は
、表に示した蛍光ピークの強度比によっても裏付けられ
る。すなわち、Ce3+等の抑制体を共添加したファイ
バ試料B−Eは、いずれも波長1.06μm帯での発光
ピークが減少しており、相対的に0.88μm帯及び1
.33μm帯の蛍光ピークが増大している。
本発明のファイバ増幅器に使用した光ファイバは、例え
ばファイバレーザ等の装置にも応用する二とができる。
ばファイバレーザ等の装置にも応用する二とができる。
具体的には、ファイバレーザを、上記光ファイバと、第
1及び第2の励起光源と、光学手段と、光共振器とを備
えるように構成する。ここに、第1の励起光源は波長0
.8μm帯の励起光を発生し、第2の励起光源は波長5
μm帯の励起光を発生する。また、光学手段は励起光を
第1及び第2の励起光源から光ファイバ内に入射させる
。さらに、光共振器は光ファイバ内からの波長1,3μ
m帯の放射光を光ファイバにフィードバックする。
1及び第2の励起光源と、光学手段と、光共振器とを備
えるように構成する。ここに、第1の励起光源は波長0
.8μm帯の励起光を発生し、第2の励起光源は波長5
μm帯の励起光を発生する。また、光学手段は励起光を
第1及び第2の励起光源から光ファイバ内に入射させる
。さらに、光共振器は光ファイバ内からの波長1,3μ
m帯の放射光を光ファイバにフィードバックする。
上記のようなファイバレーザによれば、光学手段により
ファイバ内に導入された波長0.8μm帯の励起光によ
ってNd3+が励起される。この励起されたNd3+o
一部は、光ファイバ内からの波長1.3μm帯の放出光
と、先ファイバ内にフィードバックされた波長1.3μ
m帯の光とによって誘導され、波長1.3μm帯の放出
光を発生する。これを繰り返すことにより、波長1,3
μm帯でのレーザ発光が可能になる。
ファイバ内に導入された波長0.8μm帯の励起光によ
ってNd3+が励起される。この励起されたNd3+o
一部は、光ファイバ内からの波長1.3μm帯の放出光
と、先ファイバ内にフィードバックされた波長1.3μ
m帯の光とによって誘導され、波長1.3μm帯の放出
光を発生する。これを繰り返すことにより、波長1,3
μm帯でのレーザ発光が可能になる。
以下に、ファイバレーザの実施例について説明する。
具体的な構成は、Erをドープした公知のファイバレー
ザと同様である(rErドープファイ/<−J、Opl
us E、1990年1月、pp。
ザと同様である(rErドープファイ/<−J、Opl
us E、1990年1月、pp。
112〜118等参照。)。たたし本実施例の場合、光
ファイバとして、Nd3+、thCe3+Wとをドープ
した上記実施例の光ファイバを使用する。また、第1の
励起光源として、波長0.8μm帯の励起光を発生する
レーザダイオードを使用し、第2の励起光源として、波
長5μm帯の励起光を発生するヒータを使用する。
ファイバとして、Nd3+、thCe3+Wとをドープ
した上記実施例の光ファイバを使用する。また、第1の
励起光源として、波長0.8μm帯の励起光を発生する
レーザダイオードを使用し、第2の励起光源として、波
長5μm帯の励起光を発生するヒータを使用する。
レーザダイオードからの波長0.8μm帯の励起光は、
レンズ等の適当な光学手段によって上記実施例に示した
光ファイバ内に導入される。同時に、ヒータからの波長
5μm帯の励起光もこの光ファイバ内に導入される。こ
の結果、光ファイバ内のNd”+は所定の状態に励起さ
れ、波長1.3μm帯での効率の良い発光が可能になる
。ここで、ファイバの出力端を鏡面に仕上げているため
、この出力端とレーザダイオードの端面とは共振器を構
成する。この結果、励起光の出力か所定値を超えると波
長1,3μm帯でレーザ発振が生じる。
レンズ等の適当な光学手段によって上記実施例に示した
光ファイバ内に導入される。同時に、ヒータからの波長
5μm帯の励起光もこの光ファイバ内に導入される。こ
の結果、光ファイバ内のNd”+は所定の状態に励起さ
れ、波長1.3μm帯での効率の良い発光が可能になる
。ここで、ファイバの出力端を鏡面に仕上げているため
、この出力端とレーザダイオードの端面とは共振器を構
成する。この結果、励起光の出力か所定値を超えると波
長1,3μm帯でレーザ発振が生じる。
なお、共振器は、誘電体ミラー等を使用するタイプのも
のであってもよい。
のであってもよい。
以上説明したように、本発明に係る光機能性ガラスによ
れば、励起されたCe3+等の抑制体の存在により1.
3μm帯での発光・光増幅か可能になり、或いはその増
幅効率を高めることができる。
れば、励起されたCe3+等の抑制体の存在により1.
3μm帯での発光・光増幅か可能になり、或いはその増
幅効率を高めることができる。
更に、これを導波路、光ファイバ等に形成することによ
り、光増幅装置、レーザ等の光機能性装置に応用できる
。特に、ファイバに形成した場合、低閾値で高利得のフ
ァイバ増幅器か得られる。
り、光増幅装置、レーザ等の光機能性装置に応用できる
。特に、ファイバに形成した場合、低閾値で高利得のフ
ァイバ増幅器か得られる。
第1図は本発明に係る光機能性ガラスに添加したNd及
び抑制体のエネルギー準位を示した図、第2図は従来型
のガラス中のNdのエネルギー準位を示した図、第3図
は希土類元素のイオンのエネルギー準位を示した図、第
4図は上記の光機能性ガラスを使用したファイバの形成
装置を示した図、第5図はファイバ増幅器の構成を示し
た図、第6図は第5図のファイバ増幅器の1.310μ
m帯でのゲインを示した図である。 10.30・・・光ファイバ、32・・・第1の励起光
源、34・・・第2の励起光源、33・・・光学手段で
あるカプラ。
び抑制体のエネルギー準位を示した図、第2図は従来型
のガラス中のNdのエネルギー準位を示した図、第3図
は希土類元素のイオンのエネルギー準位を示した図、第
4図は上記の光機能性ガラスを使用したファイバの形成
装置を示した図、第5図はファイバ増幅器の構成を示し
た図、第6図は第5図のファイバ増幅器の1.310μ
m帯でのゲインを示した図である。 10.30・・・光ファイバ、32・・・第1の励起光
源、34・・・第2の励起光源、33・・・光学手段で
あるカプラ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、Nd^3^+を活性物質として含む光機能性ガラス
であって、 Ce^3^+、Tb^3^+、Pr^3^+及びSm^
3^+の内少なくとも一種類のイオンをNd^3^+と
共に添加することを特徴とする光機能性ガラス。 2、請求項1に記載の光機能性ガラスを有して構成され
、波長1.3μm帯の信号光を伝搬する光ファイバと、
波長0.8μm帯の励起光を発生する第1の励起光源と
、波長5μm帯の励起光を発生する第2の励起光源と、
波長0.8μm帯及び波長5μm帯の前記励起光を前記
第1及び第2の励起光源から前記光ファイバ内に入射さ
せる光学手段と、を備えるファイバ増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167407A JP3012289B2 (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | ファイバ増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167407A JP3012289B2 (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | ファイバ増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0459635A true JPH0459635A (ja) | 1992-02-26 |
| JP3012289B2 JP3012289B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=15849124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2167407A Expired - Fee Related JP3012289B2 (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | ファイバ増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3012289B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4822810B2 (ja) | 2005-11-01 | 2011-11-24 | ユニ・チャーム株式会社 | 母乳パッド包装体 |
-
1990
- 1990-06-26 JP JP2167407A patent/JP3012289B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3012289B2 (ja) | 2000-02-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |